北工大半导体物理历年真题历年真题第一章1、Si、GaAs半导体材料的导带底、价带顶分别在k空间什么位置？其晶体结构和解理面分别是什么？哪个是直接带隙，哪个是间接带隙？(2006)2、对于金刚石结构的硅Si和闪锌矿结构的砷化镓GaAs，在（111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为什么Si的解理面是（111），而GaAs不是？(2007)3、半导体材料的禁带宽度Eg、N型半导体杂质激活能△Ed以及亲和势X分别表示半导体电子的什么状态特性？（2009年简答题7分）4、与真空电子运动相比，半导体中电子的运动有何不同？（2009年简答题7分）（1-9题63分，每小题7分(2010)）5、如图是一个半导体能带结构的E–k关系；1）哪个能带具有x方向更小的有效质量？2）考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线处，哪个电子的速度更大些？6、写出硅(Si)和砷化镓(GaAs)的晶体结构、禁带宽度和解理面。
？（2011年简答题6分）第二章3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度补偿的半导体材料的区别是什么？(2006)? 1 深能级杂质和浅能级杂质概念（西交大）? 1以硅为例，举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用？（西电）? 2.什么是浅能级杂质？什么是深能级杂质？列举出半导体硅中各一种杂质元素的例子。
半导体中掺入这些杂质分别起什么作用? (2011)第三章? 11、定性画出N型半导体样品，载流子浓度n随温度变化的曲线（全温区），讨论各段的物理意义，并标出本征激发随温度的曲线。
设该样品的掺杂浓度为ND。
比较两曲线，论述宽带隙半导体材料器件工作温度范围更宽。
(2006-20分)? ４、室温下，一N型样品掺杂浓度为Nd，全部电离。
当温度升高后，其费米能级如何变化？为什么？一本征半导体，其费米能级随温度升高如何变化？为什么？（2007）??????????? 9.(10分2011) 已知某半导体材料中n型杂质浓度为ND，p型杂质浓度为NA，假设杂质完全电离，证明半导体中电子浓度：10、（20分）设某一种半导体材料室温下（300 K）本征载流子浓度为1.0 ×1010 cm?3，价带和导带有效状态密度NV = NC = 1019 cm?3，1）求禁带宽度；2）如果掺入施主杂质ND = 1016 cm?3，求300 K下，热平衡下的电子和空穴浓度；3）对于上面的样品，在又掺入NA = 2 ×1016 cm?3的受主杂质后，求新的热平衡电子和空穴浓度（300 K）。
河北工业大学2008年攻读硕士学位研究生入学考试试题（A）科目名称机械原理科目代码822适用专业车辆工程、机械设计及理论共3 页注：所有试题答案一律写在答题纸上、答案写在试卷上、草稿纸上一律无效。
一、选择题（共30分，每小题2分。
答案一律写在试卷、否则无效）1、在机构中，某些不影响机构运动传递的重复部分所带入的约束为。
A虚约束B局部自由度C复合铰链2、单转动副机械自锁的原因是驱动力摩擦圆。
A虚约束B局部自由度C复合铰链3、对于双摇杆机构，最短杆与最长杆之和大于其余两杆长度之和。
A切于B交于C远离4、设计凸轮廓线时，若减小凸轮的基圆半径，则凸轮升程压力角将。
A增大B不变C减小5、在减速蜗杆传动中，用来计算传动比是错误的。
A i=ω1/ω2B i=z2/z1C i=d2/d16、在其他条件相同时，斜齿圆柱齿轮传动比直齿圆柱齿轮传动重合度。
A小B相等C大7、棘轮机构中采用了止回棘爪主要是为了。
A 防止棘轮反转B保证棘轮每次转过相同角度C对棘轮双向定位8、利用飞轮进行调速的原因是它能能量。
A 产生B消耗C储存和存放9、对于结构尺寸b/D<0.2（b-轴向密度，D-直径）的不平衡刚性转子，需进行。
A动平衡B静平衡C不动平衡10、自由度为2的周转轮系是。
A 差动轮系B行星轮系C复合轮系11、用齿条型刀具加工，αn=20°, ha*=1.0,β=20°的斜齿圆柱齿轮时不根切的最少数是。
A 17 B14 C1212、渐开线齿轮齿条啮合时，其齿条相对于齿轮作远离圆心的平移时，其啮合角。
A 加大B不变C减小13、一曲柄摇杆机构，若曲柄与连杆处于共线位置，则当为原动件时，成为机构的死点位置。
A 曲柄B连杆C摇杆14、铰链四杆机构中，若最短杆与最长杆长度之和小于其余两杆长度之和，以当为机架时，无曲柄。
A 最短杆的相邻构件B最短杆C最短杆的相对构件15、电影放映机卷片机内部的机构，实现胶片画面的依次停留，从而使人们通过视觉暂留获得连续场景。
河北工业大学 2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题[A]卷答案科目名称物理化学科目代码854 共 4 页适用专业应用化学注：所有试题答案一律写在答题纸上，答案写在试卷、草稿纸上一律无效。
一、选择填空题（共30分，每题3分。
答案一律写在答题纸上，否则无效。
）1、作为熵增原理，下述表述中错误的是（D ）。
A. 孤立体系的熵值永远增加；B. 在绝热条件下，趋向平衡过程中封闭体系的熵值增加；C. 孤立体系的熵值永不减少；D. 可用体系的熵增加或不变来判断过程是否可逆。
2、在T K时，某纯溶剂的蒸汽压为11.72kPa，现将20mol的非挥发性物质溶于80mol 的该溶剂中，溶液的蒸汽压为5.33kPa，则该溶剂的活度系数γ为（A ）。
A. 0.57；B. 0.44 ；C. 0.45；D. 0.09。
3、298 K时，当H2SO4溶液的浓度从0. 1mol·kg-1稀释到0. 01 mol·kg-1时，其摩尔电导率Λm将 AA. Λm增加；B. Λm减小；C. Λm不变；D.Λm变化无法确定。
4、当发生极化现象时，两电极的电极电势将发生如下变化：( B )A . E平，阳＞E阳；E平，阴＞E阴； B. E平，阳＜E阳；E平，阴＞E阴；C. E平，阳＜E阳；E平，阴＜E阴；D. E平，阳＞E阳；E平，阴＜E阴。
5、某溶液中溶质B的浓度为c B（表面）＞c B（体相），表明 BA. dσ/d c＞0，ΓB＞0；B. dσ/d c＜0，ΓB＞0；C. dσ/d c＜0，ΓB＜0；D. dσ/d c＞0，ΓB＜0。
6、在一支干净粗细均匀的U型玻璃毛细管中注入少许纯水，两侧液柱高度水平相同。
若用微量注射器从右侧注入少许正丁酸水溶液，两侧液柱的高度将： CA. 相同；B. 右侧高于左侧；C. 左侧高于右侧；D. 不能确定。
7、有一露于空气中的球形液膜，若其直径为2×10-3 m，表面张力为0.7 N·m-1，则该液膜所受的附加压力为：( B)A . 1.4 kPa ； B. 2.8 kPa ； C. 5.6 kPa ； D. 8.4 kPa 。
