透明导电膜分类

ITO膜的主要性能参数ITO膜（Indium Tin Oxide film）是一种广泛应用于光电子器件中的透明导电薄膜材料。

在过去的几十年里，ITO膜已经成为一种非常重要的材料，特别是在液晶显示器、智能手机、光伏电池和触摸屏等领域。

以下是ITO膜的主要性能参数。

1.透明性能：ITO膜具有很高的透明性，可以高达90%以上。

透射率对于光电子器件的正常工作至关重要，因为ITO膜通常用作透明电极，需要保持较高的透光性。

2. 电阻率：ITO膜的电阻率是指电流在薄膜内的电阻能力。

低电阻率是ITO膜的重要特点，通常在10-4到10-3Ω·cm范围内。

较低的电阻率意味着较低的电阻，这对于电子器件的正常工作和高效率非常重要。

3.厚度均匀性：ITO膜的均匀厚度是其正常工作的关键之一、ITO膜的厚度通常在100到500纳米之间，要求薄膜的厚度在大面积内是均匀的，以确保光电子器件的性能稳定和一致性。

4.光学透射率：ITO膜的光学透射率是指光在通过薄膜时的能量损失程度。

ITO膜具有较高的光学透射率，可以实现高亮度和清晰度的显示效果。

此外，ITO膜还具有较低的散射能力，有助于提高光电子器件的光背景和对比度。

5. 导电性能：ITO膜是一种导电薄膜材料，可以进行电导。

ITO膜的导电性能主要体现在电导率上，电导率通常为10^3到10^4 S/cm。

高导电能力对于电子器件的快速响应和高效能输入输出是必要的。

6.机械稳定性：ITO膜需要具有较强的机械稳定性，以确保其在实际应用中的持久性和可靠性。

这意味着ITO膜需要具有较高的耐磨损性和抗划伤性，以及对化学和环境介质的抗腐蚀性。

7.热稳定性：ITO膜需要具有良好的热稳定性，以承受高温处理和应用中的温度变化。

在一些情况下，ITO膜可能需要承受较高的温度，而不会发生膜的破裂、变形或失效。

8.耐久性：ITO膜需要具有较长的使用寿命，以确保光电子器件的长期稳定性和可靠性。

它需要具有良好的抗氧化性和抗退火性能，以及对环境因素（如湿度、光照等）的较好的耐受性。

汇聚“透光性”与“导电性”的透明导电薄膜作者：赵秀萍李妍来源：《今日印刷》2015年第11期透明导电薄膜的概述透明导电薄膜是指在可见光范围内具有高透光性、具有金属一般高的导电性以及在红外范围内高反射性的一类薄膜，其禁带宽度大于3ev，可见光范围的平均透过率大于80%，并且电阻率小于0.001？/cm。

日常生活中，提及透明往往联想到水、玻璃等导电性差的物质；而对于高导电性物质，通常是金属等一系列透明性极差的物质。

透明性和导电性如矛盾一般对立统一的出现在透明导电薄膜中，这一有效的结合使得透明导电薄膜从最初的发明到近年来的发展一直得到极高的关注。

透明导电薄膜材质种类繁多，主要包括金属膜系、金属氧化膜系、透明氧化膜系、高分子膜系其他化合物膜系以及多层复合膜系等。

在这其中金属膜系和金属氧化物膜系这两种材质研究较深，使用范围较广。

氧化铟锡是金属氧化膜系中的代表，其在薄膜晶体管、太阳能电池透明电极以及发光显示器等众多领域具占有重要的组成部分，也由于其特性使得在商业领域的应用中增长了经济效益。

但是氧化铟锡由于资源的稀缺使得制备成本高，对大量的生产生活的使用造成了困扰，也由于其自身的脆性限制了在柔性设备中的使用。

氧化锌基透明导电薄膜尤其是氧化锌铝透明导电薄膜在制备成本上大大降低，特别是其环保性、在空气中材料性能的稳定性强，正在逐步替代氧化铟锡。

除此以外，石墨烯薄膜、碳纳米等基材的薄膜也开发适用之中。

由于材质的不断更新，薄膜的厚度在不断变薄，但是对于透明导电薄膜其导电性能不可忽视。

因此，具有一定网格形状透明导电薄膜，其网格形状的设计需要通过实验进一步探究。

透明导电薄膜的常用制备方法当前制备透明导电薄膜的方法主要有溶胶一凝胶法、化学气相沉积、真空蒸发沉积、磁控溅射法、喷雾热解法等多种方法，其中制备氧化铟锡中经济效益较好的有溶胶—凝胶法、磁控溅射法等。

本文主要针对以聚对苯二甲酸乙二醇酯基质，其上的金属网格是通过纳米压印光刻技术完成的，除此之外还可以选择喷墨印刷、丝网印刷来完成金属网格的印刷。

一、透明导电膜透明导电膜是既有高的导电性，又对可见光有很好的透光性，而对红外光有较高反射性的薄膜。

透明导电膜主要有金属膜和氧化物半导体膜两大类。

（1）金属透明导电薄膜当金属膜的厚度在约20nm以下时对光的反射和吸收都较小。

由于金属薄膜中存在自由电子，因此在膜很薄时也具有很好的导电性，且在基片温度较低时就可制备出低电阻膜。

常见的金属透明导电膜有金、银、铜、铝、铬等。

为了制备平滑连续的膜，需要先镀一层氧化物做衬底，再镀金属膜。

金属膜的强度较低，其上面常要再镀一层保护层如SiO2或Al2O3等。

（2）氧化物半导体透明导电膜这类导电膜主要有SnO2、In2O3、ZnO、CdO、Cd2SnO4等，它们都是n型半导体。

对这种导电膜要求禁带宽度在约3eV以上，且通过掺杂可使其具有高的载流子浓度以得到高的导电率。

目前，应用最广泛的是SnO2和In2O3薄膜。

作为半导体材料，化学计理比的SnO2膜电导率很低，为增加电导率需要加入一些高价离子如Sb5+、P5+等。

这样得到的膜导电性好，对可见光有优异的透光性，强度和化学稳定性都很好，加之成体低，因而得到广泛应用。

根据不同要求可采用CVD、PVD乃至喷涂法来制备。

经过掺杂的In2O3的透光性和导电性均优于SnO2，因而近年来得到比SnO2更为广泛的应用。

化学计量比的In2O3膜，其电导率也很低，为增加电导率需要添加一些锡，通常将这种膜称为ITO（铟锡氧化物）薄膜，主要是用真空蒸镀或溅射等PVD法来制备，以在较低温度得到高性能膜。

透明导电膜（主要是SnO2和ITO）具有很广泛的用途，例如用于液晶显示器件及太阳能电池的透明电极，由于对红外线具有反射能力而被用作防红外线膜、太阳能集热器的选择性透射膜、玻璃上的防霜透明发热膜等。

1. SnO2透明导电薄膜（1）工艺特点利用超声雾化热解淀积工艺，将SnO2:F透明导电薄膜制备于耐高温的衬底之上。

本工艺突出的优点是：所需设备简单，工艺周期短，原材料价格低廉，可制备出与物理淀积方法性能相当的高质量薄膜，尤其可将SnO2:F透明导电薄膜均匀地制备于管状衬底的内壁。

ito膜工作原理ITO膜是一种常见的透明导电薄膜，广泛应用于电子信息、光电显示和太阳能电池等领域。

它的工作原理主要涉及到膜的结构以及导电性能。

首先，ITO膜的结构是多层复合膜结构，通常由几层不同的材料构成。

其中，导电层主要采用氧化铟锡（In2O3-SnO2，简称ITO）材料，由于其具有良好的导电性和透明性，成为电子信息、光电显示器件的首选导电材料。

除此之外，ITO膜还包括缓冲层、透明层等部分，不仅起到保护导电层的作用，还能增加膜的透过度和稳定性。

其次，ITO膜的导电性能与其晶格结构和表面形貌有很大关系。

ITO材料是一种多晶结构，其晶格结构和掺杂方式会直接影响其导电性能。

一般来说，在ITO膜制备过程中，采用掺铟掺锡方式，通过调控工艺参数（如温度、气压等）可以得到具有高导电性能的ITO膜。

同时，通过改变溶液浓度、热处理方式等，还可以影响ITO膜的表面形貌和晶格结构，从而得到不同性能的ITO膜。

最后，ITO膜在设备中的工作原理涉及到其导电性能。

由于ITO膜的优异导电性能和透射性能，它可以作为电极，参与光电器件的电荷传输和能量转换过程。

以光电显示器为例，ITO膜制成的电极和具有特定结构的液晶分子，可以实现电场调制显示。

而在太阳能电池中，ITO膜作为透明电极，可以使光能尽量透过，以激发太阳能电池的电荷传输和转换。

综上所述，ITO膜的工作原理主要与其结构、导电性能和设备应用有关系。

通过控制ITO膜的制备工艺和表面形貌，可以得到具有不同性能的ITO膜，进而应用于不同领域的光电器件中，为人们的生活、生产带来便利和贡献。

什么是ITO导电膜玻璃？提要：氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

ITO作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。

因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外。

ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。

液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。

高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理，以得到更均匀的显示控制。

液晶显示器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃，所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。

因此，最终的液晶显示器都会沿浮法方向，规律的出现波纹不平整情况。

在溅镀ITO层时，不同的靶材与玻璃间，在不同的温度和运动方式下，所得到的ITO层会有不同的特性。

一些厂家的玻璃ITO层常常表面光洁度要低一些，更容易出现“麻点”现象；有些厂家的玻璃ITO层会出现高蚀间隔带，ITO层在蚀刻时，更容易出现直线放射型的缺划或电阻偏高带；另一些厂家的玻璃ITO层则会出现微晶沟缝。

产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

ITO导电膜的主要参数有：表面电阻、表面电阻的均匀性、透光率、热稳定性、加热收缩率、加热卷曲等。

其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面电阻有关。

导电膜种类都有哪些？导电膜生产厂家有哪些？导电膜种类主要包括以下类别：导电膜的主要生产厂家有以下这些：1、东莞市恒升防静电用品有限公司主营：理疗电极TENS电极薄导电碳膜2、东莞市恒升防静电用品有限公司主营：聚乙烯黑色防静电膜3、东莞市恒升防静电用品有限公司主营：导电聚乙烯膜导电筒料导电卷膜黑胶4、东莞市恒升防静电用品有限公司主营：导电聚乙烯膜黑胶带5、深圳市金旭包装材料有限公司主营：手撕位导电胶/导电布生产厂家6、昆山乔伟新材料主营：派克固美丽AgF8导电膜7、北京成美嘉业电子有限公司主营：透明导电膜8、深圳市沙井创达胶粘制品行主营：导电泡棉9、东莞市酷尔包装有限公司主营：导静电薄膜10、五洲海盛集团货运有限公司主营：导电膜11、铭德包装材料有限公司主营：导电膜12、北京易安福科技有限公司主营：导电膜13、广州市力佳包装制品有限公司主营：导电膜14、无锡特晶科技有限公司主营：导电膜15、厦门玉通光电有限公司主营：导电膜16、无锡惠灵塑料厂主营：导电膜17、成都驰瑞鑫科技有限公司主营：导电膜18、瑞安市建升塑料包装机械厂主营：双面导电膜涂布机19、漳州市环宸包装制品有限公司主营：导电膜复合气泡袋20、金点塑胶颜料有限公司主营：五星行柔性透明导电膜因篇幅限制以及信息时效性原因，仅仅只上传前面的一部分排名靠前的导电膜知名企业。

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ITO基础知识讲解液晶显示器现已成为技术密集，资金密集型高新技术产业，透明导电玻璃则是LCD的三大主要材料之一。

液晶显示器之所以能显示特定的图形，就是利用导电玻璃上的透明导电电膜，经蚀刻制成特定形状的电极，上下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加适当电压信号，使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列，仅而显示出与电极波长相对应的图形。

在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3（ITO）膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出微细的图形。

其透过率已达90%以上，ITO中其透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制，通常SnO：In2O3=1：9。

ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两回事个主要的性能指针：电阻率和光透过率。

目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O之比例控制，增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率，通常Sn2O3： In2O3=1：9，因为氧化锡之厚度超过200Å时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。

如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，怒火正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义：R□=P/d，式中R□单位为：奥姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。

目前在高档STN液晶显示屏中所用ITO玻璃，其R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200um，而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□，膜厚为20-30um。

透明导电薄膜引言：透明导电薄膜作为一种具有低电阻和高透光率的薄膜材料。

被应用于显示器、太阳能电池、抗静电涂层、带电防护膜等各种光电材料中。

目前广泛研究和应用的透明导电薄膜主要为In2O3∶Sn(ITO)、Sb∶SnO2(ATO)和ZnO∶A1(ZAO)等无机氧化物透明导电薄膜。

氧化物薄膜具有透光性好、电阻率低和化学稳定性较好等优点但是作为无机材料，氧化物薄膜的脆性大、韧性差、合成温度高、且和柔性衬底的结合性较差。

这些缺点限制了它们的进一步应用。

例如．可折叠显示屏上要求透明导电薄膜具有可弯曲性．飞机有机玻璃窗户表面用于加热除霜的薄膜必须与有机基底结合牢固等。

薄膜的组成,设备和制作工艺首先在室温下将3-巯丙基三甲氧基硅烷（MPTMS)和醋酸以一定物质的量比混合．并搅拌5 h后得到无机前驱体溶液。

然后，用传统乳液聚合法制备得到十二烷基苯磺酸(DBSA)掺杂的导电聚苯胺。

将一定量的导电聚苯胺溶于氯仿和间甲酚的混合溶剂中，并搅拌3 h；然后混合聚苯胺溶液和无机前驱体溶液。

搅拌并陈化6 h后得到有机一无机杂化溶胶溶液实验中醋酸和MPTMS的物质的量比为0.1～1.0，定义为H1～H10：间甲酚与MPTMS的物质的量比为3～7，定义为M3～M7：聚苯胺和二氧化硅的质量比为15／85～50／50，定义为P15～P50。

其中，溶胶溶液的浓度为0.5mol.L-1。

实验采用提拉法制备薄膜将用超声清洗并干燥的普通载玻片在杂化溶胶溶液中浸泡20 s后匀速提拉．控制提拉速度为1mm.s-1。

然后将沉积有薄膜的载玻片在80℃烘箱中干燥30 min，并在室温中冷却后，重复浸渍提拉干燥过程，制备5层厚度的导电薄膜，最后在80℃烘箱中干燥。

薄膜分析方法、结果及性能图1为3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)、十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺(DBSA—PANI)和H4M5P30干凝胶样品的红外光谱图。

在MPTMS的红外图谱中，2850和810 cm一分别为硅氧烷的C，H和SiO，C振动吸收峰 1 084 cm一为Si，O基团的吸收峰。

一、玻璃导电的机理众所周知，不同种类的物质，其导电的机理是不同的。

金属导体导电，是由于在金属导体中有可以自由移动的自由电子的作用；半导体导电，是靠半导体中空穴的移动作用而使电子传导得以实现；电解质水溶液导电，是由于在电解质水溶液中有可以自由移动的离子的作用；离子化合物的晶体导电是在具有晶格缺欠的情况下，虽然是固体，但由于离子的迁移而导电。

那么，玻璃导电的机理是什么呢？在室温条件下，玻璃是相当好的绝缘体。

一般来说，玻璃的电阻率在1010Ω/m～1015Ω/m之间。

但是，温度升高，玻璃就要被软化，处于熔融状态中玻璃的电阻可降到几个欧姆，导电性能增强。

即，玻璃从固体变成液体状态时可以导电。

玻璃导电的能力由玻璃结构中离子的移动程度决定。

玻璃是离子化合物晶体。

玻璃的种类不同，其离子的种类以及比例含量都不同。

以最常见的苏打石灰玻璃为例，其主要成分为SiO2，通常由于结构中存在晶格缺欠，晶体中的Na+在温度升高时由一个空穴迁移到另一个空穴而导电。

由此可见，玻璃导电是属于离子导电二、透明导电膜玻璃（TCO Coating Glass）透明导电膜玻璃（TCO Coating Glass）是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜（Transparent Conductive Oxide）而形成的组件。

对于薄膜太阳能电池来说，由于中间半导体层几乎没有横向导电性能，因此必须使用TCO玻璃有效收集电池的电流，同时TCO薄膜具有高透和减反射的功能让大部分光进入吸收层。

TCO玻璃的生产工艺TCO玻璃工艺主要分为超白浮法玻璃生产、TCO镀膜。

超白浮法玻璃生产工艺难度较高，目前世界上主要供应商有日本旭硝子、美国PPG、法国圣戈班等，国内供应厂家有限，目前仅金晶科技、南玻、信义能够供货。

透明导电膜玻璃（TCO Coating Glass）的种类主要为氧化铟锡透明导电膜玻璃（ITO Coating Glass）、掺Al氧化锌透明导电膜玻璃（AZO Coating Glass）和掺F氧化锡（FTO Coating Glass）三种；ITO透明导电膜玻璃广泛的使用于大面积平板显示领域，国内ITO导电膜玻璃生产厂家主要有深圳南玻显示事业部、深圳莱宝光学、蚌埠华益导、芜湖长信，深圳天泽等众多厂家，技术也能与日本与欧美厂家竞争；而FTO透明导电膜和AZO透明导电膜的主要生产商有日本旭硝子（Asahi）、板硝子（NSG）与美国AFG，国内非晶硅薄膜电池厂因需求不大、尺寸规格特殊，所以议价空间小，进货价格高，甚至有钱也不一定买的到货。

透明导电薄膜的研究现状及应用摘要：综述了当前透明导电薄膜的最新研究和应用状况，重点讨论了ITO膜的光电性能和当前的研究焦点。

指出了目前需要进一步从材料选择、工艺参数制定、多层膜光学设计等方面来提高透明导电膜的综合性能，使其可见光平均透光率达到92%以上，从而满足高尖端技术的需要。

关键词：透明导电，薄膜，平均透光率，ITO，电导率透明导电薄膜的种类有很多，但氧化物膜占主导地位（例如ＩＴＯ和ＡＺＯ膜）。

氧化铟锡（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ简称为ＩＴＯ）薄膜、氧化锌铝（Ａｌ－ｄｏｐｅｄＺｎＯ，简称ＡＺＯ）膜都是重掺杂、高简并ｎ型半导体。

就电学和光学性能而言，它是具有实际应用价值的透明导电薄膜。

金属氧化物透明导电薄膜（ＴＣＯ：ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔａｎｄＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＯｘｉｄｅ的缩写）的研究比较早，Ｂａｋｄｅｋｅｒ于１９０７年第一个报道了ＣｄＯ透明导电薄膜。

从此人们就对透明导电薄膜产生了浓厚的兴趣，因为从物理学角度看，透明导电薄膜把物质的透明性和导电性这一矛盾两面统一起来了。

１９５０年前后出现了硬度高、化学稳定的ＳｎＯ２基和综合光电性能优良的Ｉｎ２Ｏ３基薄膜，并制备出最早有应用价值的透明导电膜ＮＥＳＡ（商品名）－ＳｎＯ２薄膜。

ＺｎＯ基薄膜在２０世纪８０年代开始研究得火热。

ＴＣＯ薄膜为晶粒尺寸数百纳米的多晶；晶粒取向单一，目前研究较多的是ＩＴＯ、ＦＴＯ（Ｓｎ２Ｏ：Ｆ）。

１９８５年，ＴａｋｅａＯｊｉｏＳｉｚｏＭｉｙａｔａ首次用汽相聚合方法合成了导电的ＰＰＹ－ＰＶＡ复合膜，从而开创了导电高分子的光电领域，更重要的是他们使透明导电膜由传统的无机材料向加工性能较好的有机材料方面发展。

透明导电膜以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射比、红外高反射比以及其半导体特性，广泛地应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层以及半导体／绝缘体／半导体（ＳＩＳ）异质结、现代战机和巡航导弹的窗口等。

由于ＩＴＯ薄膜材料具有优异的光电特性，因而近年来得以迅速发展，特别是在薄膜晶体管（ＴＦＴ）制造、平板液晶显示（ＬＣＤ）、太阳电池透明电极以及红外辐射反射镜涂层、火车飞机用玻璃除霜、建筑物幕墙玻璃等方面获得广泛应用，形成一定市场规模。

TCO透明导电薄膜简介前言透明导电氧化物transparentconductiveoxide简称TCO薄膜主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性广泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。

透明导电薄膜以掺锡氧化铟tindopedindiumoxide简称ITO为代表研究与应用较为广泛、成熟在美日等国已产业化生产。

近年来ZnO薄膜的研究也不断深入掺铝的ZnO薄膜简称AZO被认为是最有发展潜力的材料之一。

同时人们还开发了Zn2SnO4、In4Sn3O12、MgIn2O4、CdIn2O4等多元透明氧化物薄膜材料。

TCO薄膜的制备工艺以磁控溅射法最为成熟为进一步改善薄膜性质各种高新技术不断被引入制备工艺日趋多样化。

本文综述以ITO和AZO为代表的TCO薄膜的研究进展及应用前景。

一、TCO薄膜的发展TCO薄膜最早出现于20世纪初1907年Badeker首次制成了CdO透明导电薄膜引起了人们的较大兴趣。

但是直到第二次世界大战由于军事上的需要TCO薄膜才得到广泛的重视和应用。

1950年前后出现了SnO2基和In2O3基薄膜。

ZnO基薄膜兴起于20世纪80年代。

相当长一段时间这几种材料在TCO薄膜中占据了统治地位。

直到上世纪90年代中期才有新的TCO薄膜出现开发出了多元TCO薄膜、聚合物基体TCO薄膜、高迁移率TCO 薄膜以及P型TCO薄膜。

而SnO2基和In2O3基材料也通过掺加新的元素而被制成了高质量TCO薄膜。

最近据媒体报导美国俄勒冈大学研究人员对TCO材料的研究取得重大突破他们研制出一种便宜、可靠且对环境无害的透明导电薄膜材料。

该材料可用于制作透明晶体管用来制造非常便宜的一次性电子产品、大型平面显示器和可折叠又方便携带的电器。

科学家称这项研究成果将引导新产业和消费领域的发展。

这种薄膜材料的成分是无定型重金属阳离子氧化物与导电物质碳相比具有很多优点相对于有机聚合体导电物质来说亦具有较高的灵活性和化学稳定性容易制造也更加坚硬。