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模电第四章

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模电第四章1

模电第四章1
8
上限频率fH：为高频区放大倍数下降为中频区的 0.707时所对应的频率。 Au jf H 0.707 AuI 下限频率fL：为低频区放大倍数下降为中频区的 0.707时所对应的频率。 Au jf L 0.707 AuI 通频带BW： BW=fH-fL≈fH ——表征放大器的线 性失真许可范围内的信号频带宽度。
36
四、频率特性的波特图近似表示法
20 lg Aus ( j ) (dB) 20 lg AuIs
1 j H
(dB)
37
五、负载电容和分布电容对高频响应的影响
UCC
RB1 C1 ＋
RC ＋ C2
R o′ ≈ R L′
uo
＋
＋ RL CL
－
Rs
. Us
. Uo ′
CL
. Uo
＋
－
RB2 RE
Au ( j ) Au ( j )
( j )
Au ( j ) K (常数）
( j ) td (td 也为常数）
6
Au ( j ) K ( 常数）
( j ) td ( td 也为常数）
|Au(jω )| K 0 ω 0 φ∝ω (a) (b) ω φ(j ω)
＋
C3
－ Ro′
(a)电路 图5―10包含负载电容CL的电路及等效电路
38
(b)等效电路
Ro rce RC RL RL

U o g m U be RL
1 j H1
AuIs
Us
1 AuIs 1 j C L Uo U o Us 1 1 jRoC L Ro 1 j jC L H1

模电第四章标准答案

模电第四章标准答案

第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。

(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。

A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。

A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。

A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。

A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。

(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。

( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。

( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。

( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。

( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。

各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。

解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。

比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。

图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。

模拟电子技术基础第四章

模拟电子技术基础第四章

VCC − U BE 0 IR = R
4.2.2
改进型电流源电路
T0、T1和T2特性完全相同，因而 β0= β1= β2= β， 特性完全相同，
1、加射极输出器的电流源 、
+Vcc IR IC0 T0 IB0 IB1
加射极输出 器的电流源
而由于U 而由于 BE0=UBE1，IB1= IB0= IB
uI = ±1V
4—2 2
4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4
集成运放中的电流源电路
基本电流源电路 改进型电流源电路 多路电流源电路 以电流源为有源负载的放大电路 （1）提供静态偏置电流 ）
电流源在电路中的作用 （2）作为有源负载(取代高阻值电阻 ）作为有源负载 取代高阻值电阻) 取代高阻值电阻
↘ IC0↑ → IR↑→UR(RIR) ↑
→UB↓→IB↓
→ IC1↓
β = 10 I c1 = 0.83I R
不满足β>>2时，输出电流误差大 时
2、比例电流源 、
QU BE 0 + I E 0 Re 0 = U BE1 + I E1 Re1
I E ≈ I se
uBE UT
+Vcc IR IC0 T0 IB0 IB1 Re0 IE0 IE1 Re1 T1 R IB0+IB1 IC1
可见， 很小时也可认为I 当β＝10 时， IC2≈0.984IR ，可见，在β很小时也可认为 C2≈IR ， IC2受基 极电流影响很小。 极电流影响很小。
4.2.3
IR IC0 T0 Re0 R
多路电流源电路
IC1 IC２ IC３
T1 IE0 IE1 Re1 IE２
T２ Re２ IE３

电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管，或简称为三极管。
分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频管、低频管 按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来，可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 ２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。

《模拟电子技术》课件第4章场效应管及其基本放大电路

《模拟电子技术》课件第4章场效应管及其基本放大电路

iD(mA)
vGS=7V vGS=5V
vGS=3V
vDS/V
N沟道增强型MOSFET
3） V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性
N沟道增强型MOSFET
iD f (vDS ) vGSconst.
① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形 成，iD＝0，为截止工作状态。 ② 可变电阻区
p+
p+p+ p+
沟道电阻增大。 3）当│vGS│↑到一定值时 ，
VGVGGG VGG
NN N
沟道夹断。
ss
s
当沟道夹断时，对应的栅源电压
vGS称为夹断电压VP 。
N沟道的JFET，VP <01。5
N沟道JFET工作原理
② vDS对iD的影响 （vGS =0）
1）当vDS=0时，iD=0。
2） vDS iD
短由线于表栅示极在未与加源适极当、栅漏压极前漏均极无与电源接极触之，间无故导称电绝沟缘道栅。极。
§4.1 场效应管
一、金属氧化物-半导体（MOS）场效应管 1.N沟道增强型MOSFET
1）结构（N沟道）L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L
3
2）工作原理
s 二氧化硅
§4.1 场效应管
场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一
种电压控制器件，工作时，只有一种载流子参与导电，
因此它是单极型器件。
MOSFET 增强型
绝缘栅型场效应管 耗尽型
FET分类：
JFET
N沟道
结型场效应管 P沟道
N沟道 P沟道
N沟道 P沟道

模电 第四章

模电 第四章

反馈引自于输出端， 所以是电压反馈
反馈没有引自 于输出端，所 以是电流反馈
方法2：将输出电压‘短路’，若反馈回来的 反馈信号为零，则为电压反馈；若反馈信号仍 然存在，则为电流反馈。
输出电压‘短路’， 反馈消失，所以是电 压反馈
输出电压‘短路’，反 馈消失，所以是电压反 馈
输出电压‘短路’，反馈仍 存在，所以是电流反馈
t
信号源 xi
0
t

x i'
基本放 大器
x o 负载
xf
xf
0
t
t
反馈 网络 负反馈只能改善反馈环内
产生的非线性失真，对于 失真的反馈信号使净输入信号产生相反的失真， 输入波形的失真没有改善 从而弥补了放大电路本身的非线性失真 作用
四、负反馈对放大器输入电阻的影响
1 串联反馈
Ii
——只与反馈放大器输入端的连接方式有关
5、判断反馈的极性－正反馈和负反馈
定义：正反馈：引入反馈后，放大倍数增大 （净输入量增加） 负反馈：引入反馈后，放大倍数减小 （净输入量减少）
只有负反馈能起稳定输出量的作用，而正反馈会 破坏放大电路的稳定性，甚至使其无法工作。
判断的方法——瞬时极性法
VCC
步骤：
① 在放大电路的输入端，假设一 个输入信号的电压极性，可用 “+”、“-”
x i、x f 、x i' v i、v f 、v i' i i、i f 、i i' i i、i f 、i i' v i、v f 、v i'
A x o / x i' Av v o / v i' Ai i o / i i' Ar v o / ii' Ag io / v i'

模电第四章课件(1)

1.过零比较器
只用一个开环状态的集成运放组成的过零比较器电路简单，若希望比较器的输出幅度限制在一定的范围内(如要求与TTL数字电路的逻辑电平兼容)，需加上限幅措施。 利用稳压管限幅的过零比较器:
此外，已知Q和 ，利用 可计算出带通滤波器的带宽。
可求出其幅频响应曲线如图。图中，Q值越高，通频带越窄。
(4)双T带阻滤波器 带阻滤波器是用来抑制或衰减某一频段的信号，而让该频段以外的所有信号通过。 (a)双T网络的频率响应 利用星形三角形变换原理， 可以将图4.2.6(a)所示双T网络 简化为图(b)所示的 型等效 电路。有
第四章 集成运算放大器
集成运放的基本应用电路，从功能上看，有信号的运算、处理与产生电路等。
4.1 基本运算电路 4.2 有源滤波器 4.3 电压比较器
4.1 基本运算电路
4.1.1 比例运算电路 4.1.2 求和运算电路 4.1.3 积分和微分运算电路 4.1.4 对数和反对数运算电路 4.1.5 非理想运放运算电路的分析
(动画4.1.1)
4.1.1 比例运算电路 根据输入信号接法的不同，有三种基本形式：反相输入、同相输入以及差分输入比例电路。 经电阻 加到集成运 放的反相输入端，其同 相输入端经电阻 接地。 通常选择的阻值为
1.反相比例运算电路
输入电压接至同相输入端，输出电压通过电阻 接到反相输入端，反相输入端通过电阻 接地。
幅频特性：
利用理想集成运放的特性得 传递函数 式中 就是 截止角频率 。 频率响应
4.2.2.一阶有源滤波器
低通滤波器的归一化幅频响应(其中实线表示实际的幅频响应，虚线表示理想情况)。 一阶滤波器的滤 波效果不够好。若要 求响应曲线以-40dB 或-60dB/十倍频的斜 率变化，则需采用二 阶、三阶或更高阶次 的滤波器。对于高于 二阶的滤波器，常可由一阶、二阶有源滤波器构成。

模电课件第四章集成运算放大电路

第四章 集成运算放大电路
§4.1集成运算放大电路概述 一、集成运放的电路结构特点
集成运算放大电路：高电压放大倍数的直接耦合多级放大电路。
2019/7/28
模电课件
二、集成运放的电路组成
1、输入级：运算放大器的输入级通常是差分放大电路，其主 要功能是抑制共模干扰和温漂，双极型运放中差分管通常采 用CC-CB复合管，以便拓展通频带。 2、中间级：电压放大，要求：放大倍数要尽可能大，通常采 用共201射9/7/2或8 共源电路，并采用恒模电流课源件 负载和复合管以增加电压 放大倍数。
工作在放大状态。
当T0与 T1特性参数完全一致时，由U BE0 = U BE1可推得
IB0 = IB1 = IB IC0 = IC1 = Io 由基极输入回路得，
Io
IR
VCC
U BE R
I0 2IB

I0

2

I0

所以，I0

1 1 2
IR
基准电流
输出电流

当
时，I0 IR 。
在集成运放电路中通常只能制作小容量（几十pF）电容，不能 制作大201容9/7/量28 电解电容，级间通常模采电课用件 直接耦合。
四、以电流源为有源负载的放大电路
在集成运放的共射（共源）放大电路中，为了提高电压放大 倍数，常用电流源电路取代Rc （或Rd ），这样在电源电压不 变的情况下，既获得合适的静态电流，又可以得到很大的等效 的Rc（或 Rd ）。
（1） 运放电路的结构分解 输入级是一个差动放大电路，主要由T1、T3（共集-共基组合）
和T2、T4组成。中间放大级由T16、T17、T13组成共集—共射电路； 输出级由T14、T18 、 T19组成互补输出电路。

模电课件第4章


V2
＋
Re
－
－Ee
＋
Rs －
3 sin t ＋
－ (b)
图 4-4 (a) 原电路； (b) 分解为差模和共模信号电路

第4章 模拟集成电路基础 由图4-4(b)不难求出输出电压uo。假设V1管单端输出(即V1 集电极至地)电压为uo1，它为
uo1 Ad1uid Ac1uic
uo2 Ad 2uid Ac2uic
上述利用了对称性，即有Rc1=Rc2=Rc。
综上可得，差模电压放大倍数为
Ad
uo uid
Rc
Rs hie
第4章 模拟集成电路基础
当集电极之间接入负载电阻RL时，在差模信号作用下，RL 两端的电位向相反的方向变化，一端增量为正，另一端增量为
负， 并且绝对值相等，因而RL的中点电位是交流地电位。这样， 差模电压放大倍数为
第4章 模拟集成电路基础
第4章 模拟集成电路基础
4.1 模拟集成电路概述 4.2 差动放大器 4.3 典型模拟集成电路
第4章 模拟集成电路基础
4.1 模拟集成电路概述
4.1.1 集成电路分类
(a)
(b)
(c)
(d)
图 4-1 单个晶体管与完整的集成电路的比较 (a) 单个晶体三极管； (b) 集成块； (c) 双列直插型； (d) 扁平型
I E1
IE2
Ee UBE
Rs
1
2Re
通常Rs/(1+β)<<2Re, UBE=0.7V (硅管)，所以
I E1
IE2
Ee 0.7 2Re
可见，静态工作电流取决于Ee和Re。同时，由于Uc1=Uc2，故 Uo=0，通常称作零输入零输出。信号电压由两管基极输入， 放 大后的输出电压可以从两个集电极之间取出(双端输出)，也可以

模拟电子技术第4章

电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电 压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地 随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹 如电容的充放电。
-N
+
扩散电容：是由多子扩散后，在
PN结的另一侧面积累而形成的。
P
因PN结正偏时，由N区扩散到P
空穴(在共价键以内)的运动
结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
8
（二） 杂质半导体 1、N 型半导体：
在本征半N导型体中掺入五价元素（磷）——增大自由电子浓度
电子为多数载流子
+4
+4
+4
空穴为少数载流子
2
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们 的最外层电子（价电子）都是四个。
Ge
Si
通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。
3
硅(锗)的原子结构
硅(锗)的共价键结构 自 由 电 子
简化 模型
惯性核
空 穴
价电子 (束缚电子)
空穴
空穴可在共 价键内移动
4
二半导体的导电原理
（一）本征半导体：纯净的单晶结构的半导体 受惯性核束缚的价电子在绝对温度零度(0°K)即-273℃之下 →本征半导体硅（锗）的全部价电子都为束缚电子 与理想绝缘体一样不能导电。 自由电子： 价电子获得足够的能量挣脱惯性核的束缚(温度>0 ° K时) 带负电荷的物质——又称电子载流，这是由热激发而来的 空穴： 价电子成为自由电子时,原共价键留下了一个空位 ——带正电荷的物质，即空穴载流子。
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输入电阻
对输入信号源而言，放大器相当于它的一个负载， 而这个等效负载电阻就是放大器输入电阻 Ri 。
ii RS + vS + vi Ri ii +
或
iS
RS vi -
Ri
定义
vi Ri ii
上式中，Ri 表示本级电路对输入信号源的影响程度。
第4章
放大器基础
输出电阻
对输出负载而言(根据戴维宁定理和诺顿定理)，任 何放大器均可看作它的信号源，该信号源内阻即放大器 输出电阻 Ro 。
互导放大器： Ri 、Ro 、Ag 大且不随 RL 和信号源而变化。 互阻放大器： Ri 0、 Ro 0、 Ar 大且不随 RL 和信号源而变化。
第4章
放大器基础
二、放大器的失真
放大器的失真是指输出信号不能重现输入信号波形 的一种物理现象。 频率失真 线性失真 瞬变失真 失真类型 非线性失真
+
ion
iS RS Ri Ro RL
电压放大器 ii iS
电流放大器 +
RS + vS -
+ vi Ri
-
ion
Ro RL RS Ri
Ro + RL vo vot -
互导放大器
互阻放大器
第4章
放大器基础
增益(放大倍数)
放大器的增益： A = x o / xi
即放大器输出信号变化量与输入信号变化量的比值。 不同类型放大器输入、输出电量不同，故增益的含义不同。
频率失真
一般而言，放大器中含有电抗元件。在正弦信号激 励下，不同频率呈现不同电抗，因而放大器增益应为频 率的复函数：
A( j ) A( )e j A ( )
第4章
放大器基础
波特图
在半对数坐标纸上描绘的频率特性曲线即波特图。 幅 频 特 性 相 频 特 性
A( f )/dB(线性刻度) AI AI 2 fL A( f )(线性刻度)
RS
g
RD RL
Ro
vo
-
(1 gm RS )rds vo i RS
(1 gm RS )rds RO RS
其中RS〞为源极所接电阻，
RS // RS RS
与源极接 RS 的共 源放大器一致。
第4章
放大器基础
g RS RG RS RL + + s RG RS RL
第4章
放大器基础
g +
接 RS 的共源放大器
+
gmvgs
rds
i iO
+
RS + vs -
+
vi
-
RG
RS RD RL -
vo
RS + vs -
vi
-
RG s RS
RD RL Ro Ro
vo
-
Ri
Ri RG 不变
经推导 则
RS (1 gm RS )rds Ro
Ri 越大，RS 对 Avs 影响越小。
第4章
放大器基础
电流放大器
电流增益：
ii
io
ion RL
RS Ri 短路电流增益： ion io ion RL Ain Ai (1 ) ii i i io Ro Ro 越大，RL 对 Ai 影响越小。 io io i i RS 源电流增益： Ais Ai is i i is RS Ri
io Ro + vot io
+
RL vo -
+
或
ion
Ro
RL vo -
vot ：负载开路时 vi 或 ii 在电路输出端产生的开路电压。 ion ：负载短路时 vi 或 ii 在电路输出端产生的短路电流。
第4章
放大器基础
输出电阻 Ro 计算：
i
RS + vS -
放 大 器
+ RL vo RS
放 大 器
第4章
放大器基础
放大实质
电源 VCC 提供的功率：
1 2 PD VCCiCdt VCC I CQ 0 2
三极管集电极上的功率：
1 2 1 2 PC VCEiCdt VCEQ I CQ I cm RC 0 2 2
负载电阻 RC 上的功率：
1 2 1 2 2 2 PL iC RCdt I CQ RC I cm RC 2 2 0
v VT
利用傅里叶级数展开得：
v 1 v 2 1 v 3 iC I CQ [1 ( ) ( ) ] VT 2! VT 3! VT I 0 I 1m sint I 2m sin 2t I nm sin nt ]
非线性失真系数：
THD
2 I nm n 2
第4章
放大器基础 具有正向受控作用的半导 体器件是整个电路的核心
放大器组成框图
输 入 信 号
耦 合 电 路
耦 合 电 路
输 出 负 载
直流偏置电路
将输入信号源 与放大器输入 端进行连接。 外 围 电 路 将放大器输出 端与输出负载 进行连接。
保证半导体器件 工作在放大模式
第4章
放大器基础
4.1
增益分贝值：
A( ) dB 20 lg A( )
通频带：
(对数刻度)
fH f /Hz
O
增益下降到
1 2
AI 时，
对应上限频率 fH 及下限频率 fL 。
O
(对数刻度)
f /Hz
BW0.7 f H f L
第4章
放大器基础
频率特性的三个频段
中频段：通频带以内的区域。 特点： 原因： 放大器的增益、相角均为常数，不随 f 变化。 所有电抗影响均可忽略不计。 即极间电容开路、耦合旁路电容短路。 高频段： f > fH 的区域。
io Ai ii
iS
Ro
Ri 越小，RS 对 Ais 影响越小。
互导放大器 互阻放大器
互导增益： 互阻增益：
io Ag vi
vo Ar ii
第4章
放大器基础
理想放大器性能特点
电压放大器：
Ri 、Ro 0、 Av 大且不随 RL 和信号源而变化。 电流放大器：
Ri 0、Ro 、 Ai 大且不随 RL 和信号源而变化。
减小
第4章
放大器基础
ii + RS + RS + vs ii
共栅放大器
RS + vs +
s
gmvgs io
+
vi
-
RD
RL
vo
-
vi
g
RS
RD RL
vo
-
因为 所以
v gs vi 1 Ri ii gm v gs gm
// Ri RS 1 ， gm
Ri
而
Ro RD
第4章
概 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5
放大器基础
述 偏置电路和耦合方式 放大器的性能指标 基本组态放大器 差分放大器 电流源电路及其应用
4.6 集成运算放大器 4.7 放大器的频率响应
第4章
放大器基础
概
述
放大器是应用最广泛的一类电子线路。它 的主要功能是将输入信号进行不失真的放大。 在广播、通信、自动控制、电子测量等 各种电子设备中，放大器是必不可少的组成
VDD RD
+ vo -
+ ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱi -
+ T vo (共源)
RS
(共漏)
vo -
注意： 无论何种组态放大器，分析方法均相同。
1)由直流通路确定电路静态工作点。 2)由交流通路画出小信号等效电路，并进行分析。
第4章
放大器基础
4.2.1 共源、共栅和共漏放大器的性能
场效应管电路性能特点、分析方法与三极管放大器 相似。不同之处仅在于，FET 或场效晶体管的 ig = 0。
// RD Ro Ro
i (i g m vgs )rds vo RS RS // RG ) iRS vgs i ( RS
增大
gm RL 1 gm RS
gm v gs ( RD // RL ) vo Av vi v gs gm v gs RS
4.1.1 放大原理
RC iB vi
+ + -
放大器的基本概念
vi
放大器的原理和实质
放大器的作用就是将输入信号进行不失真的放大。
VCC iC + vo
-
vBE iB
t t t t t t
VIQ O
IBQ
ICQ VCEQ
iO
C
VIQ
vCE
O
利用 ib 对 ic 的控 制作用实现放大。
O vo O
第4章
放大器基础
4.1.2 放大器的性能指标
就信号而言，各种小信号放大器均可统一表示为有 源线性四端网络：
ii io + vi 线性 有源 四端 网络 + RL vo -
RS + vS Ri
Ro
反映放大器性能的主要指标有： 输入电阻 Ri 、 输出电阻 Ro、 增益 A。
第4章
放大器基础
一、 输入电阻、输出电阻、增益
vo 电压增益： Av vi RS 开路电压增益： + vot vo vot Ro vS Avt Av (1 ) v i v i vo RL Ro 越小，RL 对 Av 影响越小。