电力电子技术期末考试复习资料

《电力电子技术》期末复习提纲绪论1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。

2 电力变换的种类（1）交流变直流AC-DC：整流（2）直流变交流DC-AC：逆变（3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现（4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。

第1章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系（1）主电路：指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。

（2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。

2 电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。

3 电力电子系统基本组成与工作原理（1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。

（2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。

（3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。

（4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。

4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类（1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。

如SCR晶闸管。

（2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。

如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。

（3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。

如电力二极管。

根据驱动信号的性质分类（1）电流型器件：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。

如SCR、GTO、GTR。

（2）电压型器件：通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。

如MOSFET、IGBT。

根据器件内部载流子参与导电的情况分类（1）单极型器件：内部由一种载流子参与导电的器件。

电力电子技术期末复习资料考试题型：一、填空：1*20=20分二、选择：2*15=30分三、判断：1*10=10分四、简答题：5*3=15分四、计算题：10+15=25分1、电力晶体管GTR ；门极可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；2、电力电子器件一般工作在__开关__状态。

3、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

4、按照能够被控制电路信号所控制的程度，电力电子器件可以分为全控型、半控型、不可控型器件5、按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

6、电力电子器件的功率损耗的有通态损耗、断态损耗、开关损耗7、三相桥式全控整流电路晶闸管的导通顺序为VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT68、肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

9、晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

10.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有IL__大于__IH。

11、交流-交流变流电路就是把一种形式的交流电变成另一种形式的交流电的电路12、在整流电路的负载两端并联一个二极管，称为续流二极管13、三相桥式全控整流电路中共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120014.逆变就是把直流电变成交流电的过程。

15.电流从一个支路向另一个支路转移的过程，也称为换相。

16、当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通17.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

18、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

电力电子技术复习资料第一章 电力电子器件及驱动、保护电路1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术。

P12、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。

P13、电力电子技术的主要功能：1）、整流与可控整流电路也称为交流/直流（AC/DC ）变换电路；2）、直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路；3）、逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路；4）、交流变换电路（AC/AC 变换）。

P14、电力电子器件的发展方向主要体现在：1）、大容量化；2）、高频化；3）、易驱动；4）、降低导通压降；5)、模块化；6）、功率集成化。

P25、电力电子器件特征：1）、能承受高压；2）、能过大电流；3）、工作在开关状态。

P46、电力电子器件分类：1)、不可控器件，代表：电力二极管；2）、半控型器件，代表：晶闸管；3）、全控型器件，代表：电力晶体管（GTR ）。

P57、按照加在电力电子器件控制端和公共端之间的驱动电路信号的性质又可以将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。

P68、晶闸管电气符号。

P19、晶闸管关断条件：阴极电流小于维持电流；晶闸管导通条件：阳极加正压，门极加正压。

导通之后门极就失去控制。

P1110、晶闸管的主要参数（选管用）重复峰值电压——额定电压U Te ；晶闸管的通态平均电流I T(A V)——额定电流。

P1311、K f =电流平均值电流有效值===2)(πAV T T I I 1.57。

P14 12、根据器件内部载流载流子参与导电的种类不同，全控型器件又分为单极型、双极性和复合型三类。

P1713、门极可关断晶闸管（GTO ）具有耐压高、电流大等优点，同时又是全控型器件。

P1814、电力晶体管(GTR)具有自关断能力、控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。

P1915、GTR 发生二次击穿损坏，必须具备三个条件：高电压、大电流和持续时间。

电力电子技术期末复习资料1. 单结晶体管的特性曲线可分为：截止区、负阻区、饱和导通区。

2. 单结晶体管原理图：3. 单结晶体管的Ie-Ue特性曲线及触发电路各点波形：4. 判断额定电流为10A的晶闸管能否承受长期通过15A的直流负载电流而不过热分析如下：额定电路为10A的晶闸管能够承受长期通过15A的直流负载电流而不过热。

因为晶闸管额定电流的定义为：在环境温度为40°C的规定散热冷却条件下，晶闸管在电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125°C时，所对应的通态平均电流值，这意味着晶闸管通过任意波形，有效值为1.57倍的额定值的电流时，其发热温升正好是允许值，而恒定直流电的平均值与有效值相等，故额定电流10A的晶闸管通过15.7A的直流负载电流，其发热温升正好是允许值。

5.电力电子器件分类：按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：1) 电流驱动型2) 电压驱动型按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：1) 单极型器件2) 双极型器件3) 复合型器件6. 晶闸管额定电流是指其额定通态平均电流，它是在规定条件下，晶闸管允许连续通过最大工频正弦半波电流的平均值。

这一条件是指，环境温度+40°C，冷却条件按规定，单相半波整流电路为电阻负载，导通角不小于170°，晶闸管结温不超过额定值。

额定电流与在同一条件下的有效值的关系满足波形系数1.57倍的关系。

7. 电力变换器类型：交流-直流(AC-DC)变换、直流-交流(DC-AC)变换、交-交(AC-AC)变换、直流-直流(DC-DC)变换8. 在晶闸管两端并联R、C吸收回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作用。

R的作用为：使L、C形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的开通电流上升率，降低开通损耗。

《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点：① 半控器件：晶闸管（SCR ）全控器件：绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）、电力晶体管（GTR ）、 门极关断晶闸管（GTO ）、电力场效应管（MOSEFT ） 不可控器件：电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。

②注意电流有效值与电流平均值的区别： 平均值：整流后得到的直流电压、电流。

有效值：直流电压、电流所对应的交流值。

波形系数：K f =有效值/平均值 。

③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路： du /dt ：关断时，采用阻容电路（RC ）。

di/dt ：导通时，采用电感电路。

二 整流电路1. 单相半波电路：① 注意电阻负载、电感负载的区别： ② 有效值与平均值的计算：平均值：整流后得到的直流电压、电流。

21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值：直流电压、电流所对应的交流值。

U U =U I R = 波形系数：电流有效值与平均值之比。

f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。

③ 晶闸管的选型计算：Ⅰ求额度电压：2TM U =，再取1.5~2倍的裕量。

Ⅱ 求额度电流（通态平均电流I T （AV ）） 先求出负载电流的有效值（f d I k I =）； →求晶闸管的电流有效值（I T =I ）；→求晶闸管的电流平均值（()/T AV T f I I k =），再取1.5~2倍裕量。

2. 单相全桥电路负载：①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别： ② 电阻负载的计算：α移相范围：0~π负载平均值：整流后得到的直流电压、电流。

（半波的2倍）21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值：直流电压、电流所对应的交流值。

U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算：Ⅰ加续流二极管时，与电阻负载相同。

电力电子技术期末复习资料汇总(总8页)-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除电力电子技术复习题库第二章：1.使晶闸管导通的条件是什么①加正向阳极电压；②加上足够大的正向门极电压。

备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。

2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（半控型）器件。

3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（ A ）状态。

A. 开关B. 放大C. 截止D. 饱和4.肖特基二极管（SBD）是（ A ）型器件。

A. 单极B. 双极C. 混合5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为：①不可控器件；②半控型器件；③全控型器件6.下列电力电子器件中，（C）不属于双极型电力电子器件。

A. SCRB. 基于PN结的电力二极管C. 电力MOSFETD. GTR7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类。

8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件）。

9.（通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。

当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。

（填“通态”、“断态”或“开关”）10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统。

11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（不可控）型器件。

12.型号为“KS100-8”的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A ），“8”表示（额定电压为800V）。

13.型号为“KK200-9”的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“200”表示（额定有效电流为200A），“9”表示（额定电压为900V ）。

《电力电子技术》复习资料《电力电子技术》复习资料一、填空题1．晶闸管有三个电极：阳极、阴极和门极。

2．晶闸管导通的条件是：在阳极和阴极之间加足够的正向电压的同时，门极加适当的正向电压。

3．反电势负载的特点是只有整流电路输出电压大于负载反电势时才有电流产生。

4．晶闸管关断可以采取减少阳极电流使之不能维持正反馈，断开阳极电源或者在阳极和阴极之间加反向电压的方法。

5．三相全控桥式整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组。

6．不可控两端器件，它具有整流作用，而无可控功能。

7．同一套晶闸管电路，既可作整流，又能作逆变，常称这一装置为变流器。

8．当0＜α＜90°时。

变流器工作在整流状态，当α=90°时工作在中间状态，当90°＜α＜180°时，若同时存在一个适当的外接直流电源，变流器工作于逆变状态。

9．在逆变电路中，由于电路的电阻很小，应当尽量避免两个电源反极性相连。

10．规定逆变角β以控制角α=∏时作为计量的起始点，此时的β等于β=0。

11．逆变电路可以分为有源逆变和无源逆变两大类。

12．三相可控整流电路的基本形式是三相半波可控整流电路。

13．绝缘栅双极晶体管具有开关速度快、输入阻抗高、通态电压低、耐压高、电容量大等优点。

14．晶闸管逆变器是一种把固定的直流电压变成固定或可调的交流电压的装置。

15．功率场效应晶体管的最大功耗，随管壳温度的增高而下降。

16．肖特基二极管适用于电压不高，要求快速、高效的电路中。

17．功率场效应晶体管的特点是：栅极的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。

18. 绝缘栅双极晶体管的本质是一个____场效应晶体管__________ 。

19、肖特基二极管的_____开关时间______短，故开关损耗远小于普通二极管。

21. 肖特基二极管正向压降小，开启电压__低_____ ，正向导通损耗小。

电⼒电⼦技术-期末考试复习要点课程学习的基本要求及重点难点内容分析第⼀章电⼒电⼦器件的原理与特性1、本章学习要求1.1 电⼒电⼦器件概述，要求达到“熟悉”层次。

1）电⼒电⼦器件的发展概况及其发展趋势。

2）电⼒电⼦器件的分类及其各⾃的特点。

1.2 功率⼆极管，要求达到“熟悉”层次。

1）功率⼆极管的⼯作原理、基本特性、主要参数和主要类型。

2）功率⼆极管额定电流的定义。

1.3 晶闸管，要求达到“掌握”层次。

1）晶闸管的结构、⼯作原理及伏安特性。

2）晶闸管主要参数的定义及其含义。

3）电流波形系数k f的定义及计算⽅法。

4）晶闸管导通和关断条件5）能够根据要求选⽤晶闸管。

1.4 门极可关断晶闸管（GTO），要求达到“熟悉”层次。

1）GTO的⼯作原理、特点及主要参数。

1.5 功率场效应管，要求达到“熟悉”层次。

1）功率场效应管的特点，基本特性及安全⼯作区。

1.6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT），要求达到“熟悉”层次。

1）IGBT的⼯作原理、特点、擎住效应及安全⼯作区。

1.7 新型电⼒电⼦器件简介，要求达到“熟悉”层次。

2、本章重点难点分析有关晶闸管电流计算的问题：晶闸管是整流电路中⽤得⽐较多的⼀种电⼒电⼦器件，在进⾏有关晶闸管的电流计算时，针对实际流过晶闸管的不同电流波形，应根据电流有效值相等的原则选择计算公式，即允许流过晶闸管的实际电流有效值应等于额定电流I T对应的电流有效值。

利⽤公式I = k f×I d = 1.57I T进⾏晶闸管电流计算时，⼀般可解决两个⽅⾯的问题：⼀是已知晶闸管的实际⼯作条件（包括流过的电流波形、幅值等），确定所要选⽤的晶闸管额定电流值；⼆是已知晶闸管的额定电流，根据实际⼯作情况，计算晶闸管的通流能⼒。

前者属于选⽤晶闸管的问题，后者属于校核晶闸管的问题。

1）计算与选择晶闸管的额定电流解决这类问题的⽅法是：⾸先从题⽬的已知条件中，找出实际通过晶闸管的电流波形或有关参数（如电流幅值、触发⾓等），据此算出通过晶闸管的实际电流有效值I，考虑（1.5~2）倍的安全裕量，算得额定电流为I T = (1.5~2) I /1.57，再根据I T值选择相近电流系列的晶闸管。

一卷一、选择题1．单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（ D ）。

A、增加晶闸管导电能力；B、抑制温漂；C、增加输出稳定性；D、防止失控现象产生。

2．三相桥式PWM逆变电路中的六个光耦需要隔离电源的个数为（ C ）A．6个 B． 3个 C．4个D．1个3．三相桥式可控整流电路带阻感负载时角α的移相范围是（ B ）A．0-120° B．0-90° C．0-180° D．0-150°4．对于IGBT为功率器件的两电平电压型三相逆变电路，当控制其各相对直流电源中点电压波形为方波时，其换流方式为（ A ）A．纵向换流 B．横向换流 C．强迫换流 D．电网换流5．基本DC-DC斩波电路中，功率开关器件与输入直流电源共地的是（ B ）A．BUCK斩波电路 B．Cuk斩波电路 C．升降压斩波电路 D．Zeta斩波电路6．单相交流调压电路，阻感负载参数为R=0.5Ω，L=2mH，其α移相范围为（ D ）A．0－180° B．27.62°－180° C．30°－180° D．51.49°－180°7．PN结正向电流较小时表现为较高的欧姆电阻，正向电流较大时，由于载流子浓度骤升表现为很小的非线性电阻，PN结的这种特性称为（ C ）A．齐纳击穿 B．雪崩击穿 C．电导调制D．电容效应8．下列器件属于电压驱动型功率器件的是（ D ）A．SCR B．GTO C．GTR D．IGBT9．同步整流电路中通常利用具有低导通电阻性质的（ B ）来替代高频整流二极管。

A．IGBT B．MOSFET C．肖特基二极管D．快恢复二极管10．在PWM逆变电路的正弦波调制信号为鞍形波的目的在于（ B ）。

A、消除谐波分量；B、提高直流电压利用率；C、减少开关次数；D、削弱直流分量。

二、填空题1．请在空格内写出下面元件的字母简称：晶闸管SCR；绝缘栅双极晶体管IGBT ；智能功率模块 IPM ；功率因数校正 PFC 。

电力电子技术期末测验复习题————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：第1章电力电子器件填空题：1.电力电子器件一般工作在________状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。

3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为________。

6.电力二极管的主要类型有________、________、________。

7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。

10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。

11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。

15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。

1-2晶闸管的导通条件、关断条件分别是什么？答：要使晶闸管从阻断态转为导通态，必须同时满足以下条件：1.阳极与阴极之间加正向电压，UAK >0。

2.门极与阴极之间加正向电压， UGK>0。

要使晶闸管从导通态转为阻断状态，需满足以下条件之一：1.使阳极电流接近0，IA =0。

2.在阳极与阴极之间加反向电压，UAK<0。

1-3目前常用的全控型电力电子器件有哪些？答：门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管1-4有一功率二极管，其通态平均电流为100A，问最大允许通过的电流有效值是多少？该有效值与电流波形是否有关系？答：电流的有效值I=1.57ITa=1.57*100=157A.与波形没有关系。

1-5试分析IGBT和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处.答：IGBT比电力MOSFET在背面多一个P型层，IGBT开关速度小，开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。

开关速度低于电力MOSFET。

电力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。

所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。

2-1单相桥式全控整流电路，U=100V，负载中R=2Ω，L值极大，当α=30︒时要求：①作出u d、i d的波形和电路图；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次侧电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

②整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次侧电流有效值I2分别为Ud＝0.9 U2 cosα＝0.9×100×cos30°＝77.97(A)Id＝U d/R＝77.97/2＝38.99(A)I2＝I d＝38.99 (A)③晶闸管承受的最大反向电压为：U2＝100＝141.4（V）流过每个晶闸管的电流的有效值为：IVT＝I d∕＝27.57（A）故晶闸管的额定电压为：UN＝(2~3)×141.4＝283~424（V）晶闸管的额定电流为：IN＝(1.5~2)×27.57∕1.57＝26~35（A）晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

《电力电子技术》期末复习提纲电力电子技术是电气工程的一个重要分支，广泛应用于电力变换与控制领域。

以下是《电力电子技术》期末复习提纲。

一、电力电子技术概述1.电力电子技术的定义和发展历程2.电力电子技术的应用领域和重要性二、电力电子器件1.二极管、可控硅、晶闸管等常用电力电子器件的结构和特性2.电力电子器件的工作原理和应用场合3.电力电子器件的优缺点及选型注意事项三、电力电子电路1.单相和三相电压变换电路的基本组成和特点2.线性和非线性负载电压变换电路的特点和应用3.电力电子电路的控制策略和控制方法四、PWM调制技术1.PWM调制技术的定义、作用和优点2.固定频率PWM调制和变频PWM调制的原理和特点3.PWM调制技术在电力电子中的应用实例五、直流调速技术1.直流电机的基本结构和工作原理2.直流调速系统的基本组成和工作原理3.直流调速系统的调压和调速方式及其特点六、交流调速技术1.变频调速技术的基本原理和分类2.单相和三相交流调速电机的控制策略和控制方法3.交流调速系统的应用领域和发展趋势七、电力电子变换器1.逆变器、换流器和变频器的基本结构和工作原理2.电力电子变换器的功率流动和电磁干扰问题3.电力电子变换器的控制方法和改进措施八、电力电子在电力系统中的应用1.变压器的主动无功补偿技术2.电力电子调压技术在输电线路中的应用3.可控变压器在高压输电系统中的应用实例以上是《电力电子技术》期末复习提纲，每个知识点都需要理解其基本原理、应用场合以及相关的控制方法和技术。

复习时要结合教材、课件、课堂笔记等资料进行系统的学习和总结，重点掌握各个知识点的关键概念和关键流程，同时进行习题和例题的练习，加深对知识点的理解和运用能力。

希望以上提纲对你的复习有所帮助，祝你成功完成期末考试！。

一、单选题1.单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断答案： B2.要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压答案： A3.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。

A、180°B、60°C、360°D、120°答案： A4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止答案： B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管答案： D6.二极管两端加上正向电压时（）。

A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通答案： B7.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路答案： B8.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机答案： B9.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管的三相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路答案： A10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管答案： B11.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。

A、GTOB、GTRC、MOSFET答案： C12.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC答案： A13.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。