电力电子复习题-下载2014

《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）。

A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流（B）。

A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种（D）。

A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中，不可以实现有源逆变的是（C）。

A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的正反向峰值电压（D）。

A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（B）。

A、P组阻断，N组逆变B、N组阻断，P组逆变C、P组阻断，N组整流D、N组阻断，P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为（A）。

A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调节输出电压的有效值，这种电路称为（B）。

A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。

通常采用（A）作为载波。

A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用（B）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术，它的重要理论基础是（面积等效原理）。

电力电子技术课程一单选题 (共37题，总分值37分 )1. 单相半控桥，带大电感负载，直流侧并联续流管的主要作用是（1 分）A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大（1 分）A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是（）。

（1 分）A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. （1 分）A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（1 分）A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为（1 分）A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用（）。

（1 分）A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. （1 分）A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（1 分）A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路，输出SPWM波半周期包含25个脉冲波，设逆变器输出电压基波频率为400Hz，则电路开关管的工作频率为（1 分）A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）（1 分）A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（1 分）A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. （1 分）A.B.C.D.14.（1 分）A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（1 分）A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。

电力电子技术练习题一、填空题1、电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术。

2、电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快速回复二极管）和肖特基二极管。

3、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。

4、双向晶闸管有两个（主）电极和一个（门）极。

5、IGBT的保护有（过电流保护），（电压保护）和过热保护。

6、负载换流式逆变电路分为（并联谐振式），（串联谐振式）。

7、GTO在门极（正脉冲电流触发下）导通，在门极（负脉冲电流触发下）关断。

8、单相半波带大电感负载加续流二极管的可控整流电路中，流过晶闸管的电流平均值为（Id=（π－α）Id/2π）,有效值为（IT=Id【（π－）/2π】1/2 ）。

9、三相全控桥整流电路带大电感负载时，输出电压平均值为（2.34U2cosα），晶闸管承受的最大电压为（61/2U2 ）。

10、根据换流方式，逆变电路分为负载换流型、（电压型）和（电流型）逆变电路。

11、电力电子技术是利用电力电子器件对电能进行（控制）、（转换）和传输的技术。

12、电力二极管的主要类型有普通二极管，（快速二极管）和（肖特基二极管）。

13、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断）。

14、双向晶闸管有( I+触发方式 )，（I-触发方式），III+触发和III-触发。

15、IGBT的保护有（过电流保护），过电压保护和（过热保护）。

16、按照稳压控制方式，直流变换电路可分为（脉冲宽度调制）和（脉冲频率调制）。

17、晶闸管交流测过电压分为（交流侧操作过电压）和（交流测浪涌过电压）。

18、单相半波带大电感负载加续流二极管的可控整流电路中，流过续流二极管的电流平均值为（Id=（π－α）Id/2π）,有效值为（IT=Id【（π－α）/2π】1/2）。

19、单结晶体管从截止区转变为负阻区的转折点为（峰点），该点的电压为（Up=ηUbb+UD）。

2014电力电子专业综合试题本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分．满分200分，考试时间120分钟．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回．第Ⅰ卷（选择题，共100分）一、选择题（本大题50个小题，每小题2分，共100分。

在每小题列出的选项中，只有一项符合题目要求，请将符合题目要求的选项选出，并填写在答题卡上）1、带电灭火时不可使用（ ）灭火器A 、二氧化碳B 、干粉C 、泡沫D 、12112、一般手电筒的外壳是用金属制作的，它（ ）A 、相当于电路中的导线B 、相当于电路中的负载C 、相当于电路中的控制和保护装置D 、主要为了手电筒耐用3、2A 的电流在10min 内通过导体横截面的电量为（ ）A 、20CB 、600C C 、1200CD 、2000C4、“6V 、12W ”的白炽灯接入12V 的电路中，为使该灯正常工作，应串联的分压电阻为（ ）A 、“6Ω、12W ”B 、“6Ω、6W ”C 、“3Ω、6W ”D 、“3Ω、12W ”5、不属于同一分类方法的电容器是（ ）A 、电解电容B 、可变电容C 、油浸电容D 、空气电容6、使用电解电容器时，下面说法正确的是（ ）A 、电解电容器有极性，使用时应使负极接低电位，正极接高电位B 、电解电容器有极性，使用时应使正极接低电位，负极接高电位C 、电解电容器和普通电容器相同，使用时不用考虑极性D 、电解电容器在交、直流电路中均可使用7、关于安培力，下列说法正确的是（ ）A 、通电导体在磁场中一定会受力B 、同一通电导体在导体和磁场平行时安培力最大C 、安培力的方向、磁场方向及导体电流方向一定两两垂直D 、安培力方向一定和导体垂直8、如图1-1所示，当条形磁铁迅速插入线圈瞬间，则（ ）A 、U AB ＜0 B 、U AB ＞0C 、U AB ＝0D 、不确定图1-1 图1-29、已知两正弦交流电：i=22sin(314t+600)A ，u= -2202sin(100πt-6π)V ，则两正弦交流电的相位关系为（ ）A 、i 超前u 2πB 、i 滞后u 2πC 、i 超前u 3π D 、不能比较10、在下列关系式中正确的是（ ）A 、i=R UB 、i=U ωC C 、U=I ωLD 、i=L U ωsin(100πt-6π)A 11、正弦交流电路如图1-2所示，若u 和u 0的相位差绝对值为300且R=10Ω，则电容的容抗应为（ ）A 、5ΩB 、5.77ΩC 、20ΩD 、17.32Ω12、已知RLC 串联电路端电压U=10V 且电路呈容性，若U R =6V ，U L =10V ，则U C 为（ ）A 、2VB 、8VC 、10VD 、18V13、在三相四线制低压供电系统中，若u VW =3802sin(100πt-6π)V ，则（ ） A 、u U =2202sin(100πt+3π)V ，u W =2202sin(100πt+π)V B 、u U =2202sin(100πt-3π)V ，u W =2202sin(100πt-π)V C 、u V =2202sin(100πt-3π)V ，u W =2202sin(100πt-32π)V D 、u V =2202sin(100πt-3π)V ，u W =2202sin(100πt+32π)V 14、在三相四线制低压供电系统中，连接三个相同的白炽灯，如图1-3所示，三个白炽灯 均正常发光。

《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。

2、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。

3、整流是指将变为的变换。

4、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。

5、逆变角β与控制角α之间的关系为。

6、MOSFET的全称是。

7、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是；另一方面是。

8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。

9、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。

10、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。

11、就无源逆变电路的PWM控制而言，产生SPWM控制信号的常用方法是。

12、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题，通常主要采取的隔离措施包括：和。

13、IGBT的全称是。

14、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为。

15、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。

16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的和时间比，即调节来控制逆变电压的大小和频率。

17、型号为KP100-8的元件表示管、它的额定电压为伏、额定电流为安。

二、判断题1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。

3、在单相桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。

4、GTO属于双极性器件。

5、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。

6、对于三相全控桥整流电路，控制角α的计量起点为自然换相点。

7、IGBT属于电压驱动型器件。

8、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。

9、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。

10、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。

电力电子复习题含答案(总41页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和_____电流型___两类。

2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。

当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。

4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。

，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大6、设三相电源的相电压为U2反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；23二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

《电力电子技术》复习题一一、填空题（每空2分，共20分）1、电力电子技术包括（1）、（2）和（3）三个部分，它的研究任务是电力电子器件的应用。

2、电力电子的根本任务是实现电能的变换和控制，其基本形式可以分成四种，分别是（1）、（2）和（3）和（4）。

3、请填写下面各元件的英文简称，电力二极管（1）、晶闸管（2）。

4、请填写下面各元件的英文简称，功率晶体管（1）、绝缘栅双极型晶体管（2）。

5、按照电力电子器件的开关特性进行分类，可以分为（1）器件、（2）器件和（3）器件三类。

6、晶闸管的导通条件可以定性归纳为（1）和（2）。

7、对于晶闸管在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为（1）。

8、给晶闸管门极施加触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需的最小阳极电流称为（1）。

9、允许开关频率在400Hz以上工作的晶闸管称为（1），而开关频率在10kHz以上工作的晶闸管称为（1）。

10、双向晶闸管在结构和特性上可以看作是一对（1）的普通晶闸管。

11、GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件，即（1）、（2）和（3）。

12、按照导电沟道的不同，电力MOSFET可以分为（1）和（2）两种。

13、IGBT有三个电极，分别是（1）、（2）和（3）。

14、型号为KS30-3的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5）V，额定电流为（6）A。

15、型号为KP20-5的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。

16、型号为KK10-2的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。

17、在逆变电路中，根据负载的特点进行分类包括（1）和（2）两类逆变电路。

18、绝缘栅双极晶体管是（1））和（1）复合，结合二者的优点19、三相全控控整流电路整流输出电压的脉动频率为（1）H Z。

20、将直流电能变为交流能输出至负载的逆变电路称为（1）。

电⼒电⼦复习题绪论填空题：1.电⼒电⼦技术是使⽤__电⼒电⼦______器件对电能进⾏__变换和控制______的技术。

2.电能变换的含义是在输⼊与输出之间，将___电流_____、___电压_____、___频率_____、____相数____、__电⼒______中的⼀项以上加以改变。

3.电⼒变换的四⼤类型是：_交流变直流_______、___直流变交流_____、___直流变直流_____、____交流变交流____。

4. 在功率变换电路中，为了尽量提⾼电能变换的效率，所以器件只能⼯作在___开关_____状态，这样才能降低___功率损耗_____。

5. 电⼒电⼦器件按照其控制通断的能⼒可分为三类，即: __不可控器件______、_半控器件_______、__全控器件______。

6. 电⼒电⼦技术的研究内容包括两⼤分⽀：____电⼒电⼦器件制造____________ 技术和___变流_____技术。

7.半导体变流技术包括⽤电⼒电⼦器件构成____各种电⼒变换_________电路和对其进⾏控制的技术，以及构成__电⼒电⼦______装置和___电⼒电⼦_____系统的技术。

8.电⼒电⼦技术是应⽤在___电⽓⼯程_____领域的电⼦技术。

9.电⼒电⼦技术是⼀门由__电⼒学______、_电⼦学_______、__控制理论______三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。

简答题1. 什么是电⼒电⼦技术？2. 电能变换电路的有什么特点？机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关？3. 电⼒变换电路包括哪⼏⼤类？第1章电⼒电⼦器件填空题：1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在_ 开关_______状态。

2.在通常情况下，电⼒电⼦器件功率损耗主要为__通态损耗_____，⽽当器件开关频率较⾼时，功率损耗主要为___开关损耗_____。

3.电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由____控制电路____、__驱动电路______、 __ ______三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__保护电路______。

复习题一、填空题：1．三相半控桥式整流电路的移相范围为180°。

当控制角超过 时，电压波形将由连续变为断续。

2．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路一般应用在需要直流电压较低、电流 的电工设备中。

3．将直流电源的稳定电压变换为 电压的装置称为直流斩波器。

4．常用的逆变器根据换流方式不同，分为 换流式逆变器和脉冲换流式逆变器两类。

5．由金属－ －半导体场效应管构成的集成电路称为MOS 电路。

6．兼有 和P 沟道两种增强型MOS 电路称为CMOS 电路。

7．基尔霍夫第一定律表明，流过任一节点的电流代数和为零；基尔霍夫第二定律表明，在任一回路中电动势的代数和恒等于各电阻上 的代数和。

8．由一恒定电流If 与内电导Gi 并联组合而成的电源，称为 。

9．已知一个电压源的电动势为E ，内阻为Ri ，若用等效的电流源表示，则电流源的电流I S ＝ ，并联电导＝Ri1。

10.涡流在铁心内将引起较大的功率消耗，使铁心 ，缩短了设备的使用寿命。

11．互感线圈串联时，若 端相接，称这种串接方式为反接。

12．互感线圈串联时，若异名端相接，称这种串接方式为 。

13. LC 并联谐振回路在谐振时，其阻抗达到最大且呈纯电阻性，此时Z ＝Zmax ＝RCL ，它的谐振频率fo ＝ 。

14．场效应管是利用改变半导体中的 来实现对其导电能力控制的器件。

15．场效应管按其结构的不同，可分为结型和 型两大类。

16．在结型场效应管中，按其导电沟道的不同，可分为N 沟道和 沟道两种。

17．由于结型场效应管中的PN 结始终工作在 ，其栅极电流几乎等于0，所以输入电阻高。

18．由于结型场效应管的 电流几乎为零，讨论它的输入特性没有任何意义，所以只讨论它的转移特性和输出特性。

19．场效应管的转移特性反映了栅源电压对 电流的控制作用。

20．场效应管的输出特性反映了 电压对漏极电流的影响。

21．单结晶体管的伏安特性曲线分三个区，即截止区、 区和饱和区。

电力电子复习题 Last updated on the afternoon of January 3, 2021电力电子复习题一、选择题1、晶闸管稳定导通的条件A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流2、晶闸管通态平均电流I T(AV)与其对应有效值I的比值为A、、1/1.57 C、D、1/3、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的4、有源逆变发生的条件为A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于900C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法均是错误的5、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A、输出负载电压与输出负载电流同相B、α的移项范围为00<α<1800C、输出负载电压U O的最大值为U1D、以上说法均是错误的6、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流7、三相半波可控整流电路的自然换相点是A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后608、有源逆变电路晶闸管的换流方式为A.器件换流B.电网换流C.负载换流D.脉冲换流9、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB.α以及负载电流IdC.α和U2D.α、U2以及变压器漏抗XC10、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路11、三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个，它们在相位上依次相差°°°°12、可在第一和第四象限工作的变流电路是A.三相半波可控变流电路B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路13、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为A.157AB.100AC.80AD.246.5A14、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为===E/=–E15、升压斩波电路中，已知电源电压Ud=12V，导通比Kt=1/3，则负载电压U0=16、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是A.有源逆变器D变换器A 变换器 D.无源逆变器17、串联谐振式逆变电路晶闸管的换流方式为 A.器件换流 B.电网换流 C.负载换流D.脉冲换流18、单相全控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为 A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 619、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的 A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压D.额定电压20、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定21、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是 °°°°22、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为22222、三相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为2222224、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机25、在型号为KP10-12G中，数字10表示A.额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A26、下列电路中，不可以实现有源逆变的有A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流二极管27、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路28、电压型逆变电路特点没有A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动29、对于升降压直流斩波器，当其输出电压大于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的30、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在36、电压型逆变电路特点没有 A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动37、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为40、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A 、输出负载电压与输出负载电流同相B 、α的移项范围为00<α<18022222、三相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为（）。

第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。

3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。

6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

7.肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。

（SCR晶闸管）9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。

（I L=2~4I H）10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

（GTO门极可关断晶闸管）13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。

15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。

（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。

晶体管）17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。

一、填空题绪论1、电力变换的四大类整流、直流斩波、交流电力控制变频变相和逆变。

第二章1、电力电子器件一般都工作在开关状态。

2、电力电子器件一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组。

3、电力电子器件的损耗主要为通态损耗和断态损耗，当器件的开关频率较高时，开关损耗会增大。

4、按电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件。

普通晶闸管属于半控型器件5、晶闸管有阳极A、阴极K和门极G。

6、电力二极管的特性是正向导通和反向截止。

7、要使晶闸管导通必须在阳极可正向电压，在门极加正向电压。

8、在晶闸管的阳极加反向电压时，不论门极加何种电压，晶闸管都截止。

9、多个晶闸管并联要考虑均流问题，多个晶闸管串联要考虑均压问题。

第二章1、单向半波可控整流电路带电阻负载时α角的移相范围0~π，阻感负载α角的移相范围是0~π。

/2、单向桥式全控整流电路带纯电阻负载时α角的移相范围是0~π，单个晶闸管承受的最大反压是α角的移相范围是0~π/2，单个晶闸管承受的最大反压是34、逆变电路中，当交流侧和电网联结时称有源逆变，若要实现逆变必须要用可控整流电路，当0〈α第三章1、直流斩波电路是把直流变为直流的电路。

234、升降压斩波电路升压的条件是1/2〈α〈1。

第四章1、改变频率的电路叫变频电路。

2、单相交流调压电路α角的移相范围是0~π，随着α角的增大，U0逐渐降低，功率因数λ也降低。

345第五章1、逆变电路是将直流变为交流。

2、半桥逆变电路输出交流电压的幅值U m为U d/2，全桥逆变电路输出交流电压的幅值U m U d。

3、三相电压型逆变电路的每个桥臂的导电角度为180°，各相开始导电的角度依次差180°，在任一瞬间有三个桥臂同时导通。

第六章1、PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术，它是依据面积等效原理。

2、得到PWM波形的方法有计算法和调制法。

电力电子复习题一、概念题1、KP100-8元件是额定电压为800V，额定电流为100A的普通晶闸管2、已经导通的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流减小至维持电流IH以下3、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。

4、可关断晶闸管 GTO，IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

5、当温度降低时，晶闸管的触发电流增加，反向漏电流减小。

6、电力场效晶体管 MOSFET ，MOS控制晶闸管是SCR和MOSFET的复合管。

7、当加到单相全控桥式整流电路的电压为U2时，单相全控桥式整流电路的晶闸管所承受的最大反压是22U8、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为22U9、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值IT 为dI3110、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45 U2。

11、180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在同一相的上、下两个开关之间进行的。

12、在有源逆变电路中，逆变角 的移相范围应选35º~90º为最好。

13、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是0°~90°14、三相半波相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为30度。

15、三相桥式相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为60度。

16、用于晶闸管的过电压保护的元件有避雷器、阻容吸收电路、压敏电阻、硒堆17、电力晶体管的正偏安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压线，集电极最大允许功耗线，集电极最大允许电流线和二次击穿功率线18、降压斩波电路中，已知电源电压Ud =16V，负载电压U=8V，周期Ts=4ms，则开通时间Ton为2ms19、单相桥半控整流电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的发生21、单相交流调压电路中，负载是阻感性时移相范围是φ~180º。

2014电力电子专业电工技术部分综合试题本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分．满分200分，考试时间120分钟．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回．第Ⅰ卷（选择题，共100分）一、选择题（本大题50个小题，每小题2分，共100分。

在每小题列出的选项中，只有一项符合题目要求，请将符合题目要求的选项选出，并填写在答题卡上）1、对三相对称电动势的说法正确的是（ ）A 、它们同时到达最大值B 、它们到达最大值的时间依次落后31周期 C 、它们的周期相同、相位也相同D 、它们因为空间位置不同，所以最大值不同2、以下相序为逆相序的是( )A 、U －V －W －UB 、W －U －V －WC 、W －V －U －WD 、V －W －U －V3、已知三相电源电压u A =2202sin(314t-12O )V ， u B =2202sin(314t-132O )V ，u C =2202sin(314t+108O )V,则当t=0.01s 时，三相电源电压之和u A +u B +u C 为( )A 、220VB 、0VC 、-220VD 、6602V4、三相对称电源绕组星形连接时，线电压在相位上比相电压（ ）A 、超前30°B 、超前120°C 超前45°D 超前90°5、已知三相四线制供电系统中，U 相相电压表达式为u U ＝U m sin ωtV ，则u UV 的表达式为( )A 、u UV ＝U m sin(ωt －30°)VB 、u UV ＝3U m sin(ωt －30°)VC 、u UV ＝3U m sin(ωt ＋30°)VD 、u UV ＝3U m sin(ωt －120°)V6、三相对称电源作星形连接，若一相绕组接反，后果是（ ）A 、无电压输出B 、输出电压升高C 、输出电压不对称D 、烧毁绕组7、在三相四线制供电线路中，用交流电压表测量电源的线电压以确定零线，测量结果为：U 12=380V ，U 23=220V ，U 14=380V ，则（ ）A 、1号线为零线B 、2号线为零线C 、3号线为零线D 、4号线为零线8、工频动力供电线路中，采用星形联接的三相四线制供电，线电压为380V ，则（ ）A 、线电压为相电压的3倍B 、线电压的最大值为380VC 、相电压的瞬时值为220VD 、交流电的周期为0.2S9、为防止三相对称电源三角形连接时一相绕组接反烧毁绕组，工作前应作（ ）A 、开口三角形测量电流B 、开口三角形测量电压C 、测任意两根相线间的电压D 、测任意一根相线的电流10、三相发电机作Y 联结，每相绕组的额定电压为220V 。

电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子复习题及答案电力电子技术是现代电力系统和电力驱动领域中不可或缺的技术之一。

以下是一些电力电子复习题及答案，供学生复习参考。

一、选择题1. 电力电子器件中，属于半控型器件的是（）。

A. 晶闸管B. 功率晶体管C. 功率MOSFETD. IGBT答案：A2. 电力电子变换器中，能够实现交流电与直流电相互转换的设备是（）。

A. 整流器B. 逆变器C. 变频器D. 所有选项答案：D3. 以下哪个是电力电子中常用的PWM控制方式？（）A. SPWMB. PWM-PFCC. DPWMD. A和C答案：D二、填空题4. 电力电子技术中的“电力电子”一词，指的是使用_______来控制电力的电子技术。

答案：半导体器件5. 三相桥式整流电路采用全控型器件时，其输出电压波形为_______。

答案：直流脉冲波形6. 电力电子装置中的开关器件在开关过程中，会产生较大的_______损耗和_______损耗。

答案：导通；开关三、简答题7. 简述电力电子技术在现代电力系统中的应用。

答案：电力电子技术在现代电力系统中的应用非常广泛，包括但不限于：电力系统的稳定控制、电能质量的改善、新能源发电系统的接入、电动汽车的充电与驱动、工业自动化控制等。

通过电力电子技术，可以实现电能的有效转换、分配和控制，提高系统的效率和可靠性。

8. 解释什么是软开关技术，并简述其优点。

答案：软开关技术是指在电力电子装置中，通过特定的控制策略，使得开关器件在零电压或零电流状态下进行开关操作，从而减少开关损耗，提高效率。

其优点包括：减少电磁干扰、降低开关损耗、提高系统效率、延长器件寿命等。

四、计算题9. 假设有一个三相全波整流电路，其负载为纯电阻性，输入电压为220V（有效值），求整流电路的输出直流电压。

答案：对于三相全波整流电路，输出电压的有效值可以通过以下公式计算：\[ V_{DC} = \frac{2V_{L}}{\pi} \]其中，\( V_{L} \) 是相电压，对于三相星形连接，\( V_{L} =V_{AC} \)。

2014年9月份考试电力电子技术第三次作业一、计算题（本大题共10分，共 1 小题，每小题 10 分）三相桥式电压型逆变电路，180°导电方式，Ud =100V。

试求输出相电压的基波幅值UUN1m和有效值UUN1、输出线电压的基波幅值UUV1m和有效值UUV1、输出线电压中5次谐波的有效值UUV5。

二、简答题（本大题共20分，共 4 小题，每小题 5 分）1. 电力电子变流装置的主要技术功能指标有哪些？2. 换相电抗的作用是什么？3. 晶闸管导通后，门极改加适当大小的反向电压会发生什么情况？4. GTR对驱动电路的基本要求是什么？三、问答题（本大题共20分，共 5 小题，每小题 4 分）1. 12 脉波、24 脉波整流电路的整流输出电压和交流输入电流中各含哪些次数的谐波？2. 电力二极管的主要类型有哪些。

3. 交流调压电路和交流调功电路有什么区别？二者各运用于什么样的负载？为什么？4. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？5. 电动机电动势EM的极性满足逆变条件，，且β＜90°时，可实现有源逆变，这时Ud为多少？四、分析题（本大题共10分，共 1 小题，每小题 10 分）试分析如图2所示单相并联逆变电路的工作原理。

五、综合分析题（本大题共20分，共 2 小题，每小题 10 分）1. 题目：如图3所示电路中，U2＝200V，电路总电阻R＝2Ω，大电感负载，电流连续。

在直流输出端测出Ud =90V。

试计算：（1）控制角＝？；（2）流过晶闸管的电流平均值Idvt和有效值Ivt；（3）电路的功率因数。

2. 三相半波共阴极可控整流电路，大电感性负载，控制角α=60°。

（1）试画出主电路图；（2）在图6上画出输出电压波形ud 和晶闸管VT1的两端电压波形uT1。

六、综合题（本大题共20分，共 2 小题，每小题 10 分）1. 晶闸管单相桥式全控整流电路带大电感负载，整流变压器次级电压有效值为U2=100V，控制角为300，输出电流连续，R=2Ω，求整流器输出电压平均值、输出电流平均值。

一、单选题1.单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断答案： B2.要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压答案： A3.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。

A、180°B、60°C、360°D、120°答案： A4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止答案： B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管答案： D6.二极管两端加上正向电压时（）。

A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通答案： B7.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路答案： B8.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机答案： B9.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管的三相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路答案： A10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管答案： B11.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。

A、GTOB、GTRC、MOSFET答案： C12.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC答案： A13.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。