(完整word版)电力电子复习

第一章概述可以认为，所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。

通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。

具体地说，电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

电能变换的形式共有四种：交流-直流变换、直流-直流变换、直流-交流变换、交流-交流变换。

电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。

变流技术则是电力电子技术的核心。

美国学者W. Newell认为电力电子学是由电力学、电子学和控制理论三个学科交叉而形成的。

一般认为，电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。

把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起，构成电力电子集成电路（PIC），这代表了电力电子技术发展的一个重要方向。

电力电子集成技术包括以PIC为代表的单片集成技术、混合集成技术以及系统集成技术。

随着全控型电力电子器件的不断进步，电力电子电路的工作频率也不断提高。

与此同时，软开关技术的应用在理论上可以使电力电子器件的开关损耗降为零，从而提高了电力电子装置的功率密度。

第二章电力电子器件2.1：电力电子器件概述1、电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。

电力电子器件一般工作在开关状态2、电力电子器件的功率损耗：通态损耗、断态损耗、开关损耗（开通损耗、关断损耗）通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。

当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。

3、电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。

4、电力电子器件的分类（1）按照能够被控制电路信号所控制的程度：半控型器件、全控型器件、不可控器件。

半控型器件是指用控制信号可以控制其导通，但不能控制其关断的电力电子器件。

电力电子必背知识点1.电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件（Power Electronic Device）。

2.电力电子器件的基本特性注：很重要，一定记住（1）电力电子器件一般都工作在开关状态。

（2）电力电子器件的开关状态由（驱动电路）外电路来控制。

（3）在工作中器件的功率损耗（通态、断态、开关损耗）很大。

为保证不至因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，在其工作时一般都要安装散热器。

3.按器件的开关控制特性可以分为以下三类：① 不可控器件：器件本身没有导通、关断控制功能，而需要根据电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。

如：电力二极管（Power Diode）；②半控型器件：通过控制信号只能控制其导通，不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。

如：晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件等；③全控型器件：通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件，称为全控型器件。

如：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor ）、功率场效应管（Power MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor）等。

4.前面已经将电力电子器件分为不可控型、半控型和全控型。

按控制信号的性质不同又可分为两种：① 电流控制型器件：此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制。

如：晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT等；② 电压控制半导体器件：这类器件采用电压控制（场控原理控制）它的通、断，输入控制端基本上不流过控制电流信号，用小功率信号就可驱动它工作。

如：代表性器件为MOSFET管和IGBT管。

5.几点结论（重要）1.晶闸管具有单向导电和可控开通的开关特性。

2.晶闸管由阻断状态转为导通状态时，应具备两个条件：从主电路看，晶闸管应承受正向阳极电压；从控制回路看，应有符合要求的正向门极电流。

1. 图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路， 问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最 大反向电压为2彻2'②当负载是电阻或电感时，其输出电 压和电流的波形与单相全控桥时相同。

答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器 没有直流磁化的问题。

因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半 周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的 平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。

2. 三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a 、b 两相 之间换相的的自然换相点不是同一点。

它们在相位上相差 1800。

3. 使变流器工作于有源逆变状态的条件答:条件有二：①直 流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应 大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角。

＞ H/2,使Z4为负值。

4. 单相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶 闸管移相范围是0 ~ 180°，当负载为电感负载时，要求的晶闸 管移相范围是0 ~ 90°。

三相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管 移相范围是0~ 120°,当负载为电感负载时，要求的晶闸管移 相范围是0〜90%5. 并联谐振式逆变电路利用负载电压进行换相，为保证换相 应满足什么条件？答:假设在f 时刻触发VT 2、VT 3使其导通，负载电压a 就通过 VT 2、VT 3施加在VT,、VT 4上，使其承受反向电压关断，电流从 VT,、VT 4向VT 2、VT 3转移，触发VT 2、VT 3时刻t 必须在认过零 前并留有足够的裕量，才能使换流顺利完成。

6. 逆变电路多重化的目的？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各用于什么场合？答：逆变电路多重化的目的之一是使总体上装置的功率等级提 高，二是可以改善输出电压的波形。

因为无论是电压型逆变电 路输出的矩形电压波，还是电流型逆变电路输出的矩形电流 波，都含有较多谐波，对负载有不利影响，采用多重逆变电路， 可以把几个矩形波组合起来获得接近正弦波的波形。

湖北理工学院电气学院电力电子复习课第一章绪论BY 12自动化张一鸣1、电力电子技术的概念定义:电力电子技术——应用于电力领域的电子技术,使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术.电力电子技术主要用于电力变换。

分为信息电子技术（信息处理）和电力电子技术（电力变换）。

2、电力变换通常可分为哪四大类？电力变换通常可分为四大类：交流变直流（整流）、直流变交流（逆变）、交流变交流（变频、变压）、直流变直流（斩波）。

第2章电力电子器件1、电力电子器件的概念电力电子器件：是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。

2、电力电子器件的分类按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：1.半控型器件，例如晶闸管;2.全控型器件，例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管)，MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);3.不可控器件，例如电力二极管;按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：1.电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SIT(静电感应晶闸管);2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR;根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO;2.电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGBT;按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参及导电的情况分类：1.单极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;2.双极型器件，例如MOSFET、IGBT;3.复合型器件，例如MCT(MOS控制晶闸管);3、晶闸管的导通条件、关断条件、维持导通条件使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。

或：uAK>0且uGK>0。

使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值，即维持电流IH一下。

维持晶闸管导通的条件是，晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。

电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

2、电力变换通常可分为四大类，分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。

3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。

4、电力电子器件一般工作在开关状态，在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时你，功率损耗主要为开关损耗。

5、一个周期内，下列整流电路整流电压波形的脉动次数：单相半波可控电路脉动__1____次；单相全控桥式整流电路脉动__2____次；三相半波可控电路脉动____3__次；三相全控桥式整流电路脉动___6___次。

6、电压型三相逆变器，电路的基本工作方式是___180°__导电方式，任一瞬间，有___3_____个IGBT 同时导通；电流型三相逆变器，电路的基本工作方式是___120°__导电方式，任一瞬间，有____2____个IGBT同时导通。

7、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L＞ I H。

8、电力电子器件一般都工作在开关状态。

9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。

10、按照直流侧电源性质划分，逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。

11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。

12、当发射极电压等于____峰点电压__时，单结晶体管导通。

导通后，当发射极电压小于__谷点电压___时，单结晶体管关断。

13、晶闸管内部是四层半导体结构，它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。

14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。

15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式，外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。

16、IGBT是绝缘栅双极晶体管，是三端器件，三个电极分别是发射极、栅极、集电极。

电力电子复习资料一、简答题1、晶闸管导通和关断的条件是什么？晶闸管导通的条件：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流，（门极触发）晶闸管关断的条件：利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

2、有源逆变实现的条件是什么？1直流测要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于交流电路直流测的平均电压。

2要求晶闸管的控制角α>π/2,使Ud为负值3.什么是逆变失败，造成逆变失败的原因有哪些？如何防止逆变失败。

答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使交流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变的方法;采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点？1）、直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。

直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。

2）、由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。

而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。

3）、当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。

5、换流方式有哪几种？分别用于什么器件？器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流1)、器件换流。

用在IGBT、电力MOSFET、GTO、GTR等的全控型器件的电路中。

2）、电网换流用在：单相可控整流电路、三相可控整流电路、三相交流调压电路、采用相控方式的交-交变频电路6、画出GTO,GTR ,IGBT,MOSFET四种电力电子器件的符号并标注各引脚名称7、单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的，两者的区别？1）、单相全波可控整流电路中变压器为二次绕组带中心抽头，结构较复杂。

《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。

2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。

3、GTO 的全称是 。

4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路； 斩波电路； --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。

6、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。

7、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。

10、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。

11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。

12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 ， 和 。

13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。

15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括： 和 。

二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ，额定电流500A 的普通型晶闸管。

2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。

5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。

6、普通晶闸管内部有两个PN 结。

7、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相,或是逆变角太小造成的。

8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U 。

10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。

电力电子复习回顾及电力电子复习整理_第二章电力电子器件一、电力电子器件概论1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（ B ）A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电压型器件2、具有自关断能力的电力半导体器件称为(A)A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件(C)A二极管B晶闸管C电力晶体管D逆导晶闸管二、功率二极管1、功率二极管的封装形式有螺栓型和平板型，平板型的散热效果好。

2、ZP400表示功率二级管的额定电流为400A。

3、常用的功率二极管有三种类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管三、晶闸管（SCR）1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且_门极承受正压时，才能使其开通。

2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是(A)。

A.干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号3、为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过(B)A.安全区B.不触发区C.可靠触发区D.可触发区4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是(C)A.阳极电流上升太快B.阳极电流过大C.阳极电压过高D.电阻过大4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号(A)。

A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(B)A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至___维持电流___以下。

7、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM___>____UBO。

8、晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为__40°___。

9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（B ）。

第一章电力电子变换和控制技术导论1、电源可分为两类：直流电（D.C），频率f=0 ；交流电（A.C），频率f≠02、利用开关器件实现电力变换的基本原理：答案见第二版第七页。

（可省略写关键点不能少）3、AC/DC基本整流电路工作（控制）方式：相控整流、PWM（脉冲宽度调制）控制整流。

04、DC/AC基本逆变电路工作方式：方波、PWM5、AC/AC直接变频、变压电路工作方式：周期控制6、DC/DC直流变换电路：PWM、PFM.。

7、课本第十五页：在图1.8（a）中(1)、(2)、(3)三条8、电力变换类型：*******************************************************************************1、电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容和研究对象是什么？三者的技术发展和应用主要依赖什么电气设备和器件？电力技术涉及的技术内容：发电、输电、配电及电力应用。

其研究对象是：发电机、变压器、电动机、输配电线路等电力设备，以及利用电力设备来处理电力电路中电能的产生、传输、分配和应用问题。

其发展依赖于发电机、变压器、电动机、输配电系统。

其理论基础是电磁学(电路、磁路、电场、磁场的基本原理)，利用电磁学基本原理处理发电、输配电及电力应用的技术统称电力技术。

电子技术，又称为信息电子技术或信息电子学，研究内容是电子器件以及利用电子器件来处理电子电路中电信号的产生、变换、处理、存储、发送和接收问题。

其研究对象:载有信息的弱电信号的变换和处理。

其发展依赖于各种电子器件（二极管、三极管、MOS管、集成电路、微处理器电感、电容等）。

电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。

它涉及电力电子变换和控制技术，包括电压（电流）的大小、频率、相位和波形的变换和控制。

研究对象：半导体电力开关器件及其组成的电力开关电路，包括利用半导体集成电路和微处理器芯片构成信号处理和控制系统。

第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在开关状态。

红在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。

苑电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路屮存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。

L按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。

匸电力二极管的工作特性可概扌舌为承受止向电压导通，承受反和电压截止。

6・电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。

匕晶闸管的基木工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止O匹对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH o 匹晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，IJDSM大于_Uboo11 •逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

2GT0的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

生M0SFET的漏极伏安特性11«的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性11«的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。

込电力M0SFET的通态电阻具有正温度系数。

15^TGBT的开启电压UGE (th)随温度升高而略冇下降,开关速度小于电力MOSFET o匹按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端Z间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。

12JGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有止温度系数。

18•在如下器件：电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（TGBT）中，属于不町控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是_ GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT ；屈于单极型电力电子器件的冇电力MOSFET ,屈于双极型器件的冇电力二极管、晶闸管、GTO、GTR ,属于复合型电力电子器件得有【GBT ；在可控的器件屮，容量最大的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT ,屈于电流驱动的是晶闸管、GTO、GTR 。

1. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？1、答：通过对门极控制能使其导通不能使其关断。

⑴、导通条件：使晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。

或：u AK>0且u GK>0。

⑵、维持晶闸管导通条件：晶闸管电流大于维持电流。

⑶、关断条件：施加反向电压或使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

A．触发延迟角从晶闸管开始承受正向阳极电压到施加触发脉冲止的电角度。

B．开关电源先整流滤波、后经高频逆变得到高频交流电压，然后由高频变压器降压、再整流滤波。

◆开关电源在效率、体积和重量等方面都远远优于线性电源，因此已经基本取代了线型电源，成为电子设备供电的主要电源形式C．带续流二极管不能有源逆变：整流电压Ud不能出现负值，也不允许直流侧出现负极性电动势。

D.缓冲电路的作用：抑制电力电子器件的过电压、过电流和减小开关损耗。

2.驱动电路的基本任务按控制目标的要求给器件施加关断或开通的信号。

对半控型器件只需提供开通控制信号；对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节。

3.触发电路应满足下列要求脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通；触发脉冲应有足够的幅度；不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内；有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

4．什么是逆变失败？如何防止逆变失败？答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。

5.交流调压电路和交流调功电路有什么区别？交流电子开关交流调压电路和交流调功电路的电路形式完全相同，二者的区别在于控制方式不同。

电力电子技术第五版复习资料第1章绪论1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。

2 电力变换的种类（1）交流变直流AC-DC：整流（2）直流变交流DC-AC：逆变（3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现（4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。

第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系（1）主电路：指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。

（2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。

2 电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。

3 电力电子系统基本组成与工作原理（1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。

（2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。

（3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。

（4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。

4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类（1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。

如SCR晶闸管。

（2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。

如GTO、GTR、MOSFET 和IGBT。

（3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。

如电力二极管。

根据驱动信号的性质分类（1）电流型器件：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。

如SCR、GTO、GTR。

（2）电压型器件：通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。

如MOSFET、IGBT。

根据器件内部载流子参与导电的情况分类（1）单极型器件：内部由一种载流子参与导电的器件。

第二章电力电子器件填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。

3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。

4。

按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类.5。

电力二极管的工作特性可概括为单向导通。

6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管.7。

肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。

8。

晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。

（SCR晶闸管）9。

对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。

（I L=2~4I H）10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。

11。

逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件.12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

(GTO门极可关断晶闸管）13。

功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。

15。

电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。

（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型16。

IGBT 的开启电压U GE（th)随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。

晶体管）17。

功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路,另一类是智能功率集成电路。

电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1、电力电子器件一般工作在开关状态。

2、在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。

3、电力电子器件组成得系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压与电流得过冲,往往需添加保护电路。

4、按内部电子与空穴两种载流子参与导电得情况,电力电子器件可分为_单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。

5、电力二极管得工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反相电压截止。

6、电力二极管得主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管 _ _肖特基二极管_。

7、肖特基二极管得开关损耗小于快恢复二极管得开关损耗。

8、晶闸管得基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。

9、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。

10、晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为.UDSM大于_UbQ11、逆导晶闸管就是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上得功率集成器件。

12、GTO寻多元集成结构就是为了便于实现门极控制关断而设计得。

13、MOSFE得漏极伏安特性中得三个区域与 GTR共发射极接法时得输出特性中得三个区域有对应关系,其中前者得截止区对应后者得_截止区_、前者得饱与区对应后者得放大区、前者得非饱与区对应后者得饱与区。

14、电力MOSFE得通态电阻具有正温度系数。

15、IGBT得开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降，开关速度小于电力 MOSFET16、按照驱动电路加在电力电子器件控制端与公共端之间得性质,可将电力电子器件分为电压驱动型与电流驱动型两类。

17、IGBT得通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数，在 1/2或1/3额定电流以上区段具有 _正_ —温度系数。

18、在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)中,属于不可控器件得就是_电力二极管__,属于半控型器件得就是—晶闸管属于全控型器件得就是_ GTO、GTR、电力 MOSFET IGBT 属于单极型电力电子器件得有_电力MOSFET _属于双极型器件得有_电力二极管、晶闸管、 GTO、GTR_,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控得器件中,容量最大得就是_晶闸管_,工作频率最高得就是_电力MOSFET!于电压驱动得就是丄力MOSFET IGBT _,属于电流驱动得就是_晶闸管、GTO、GTR _ 第2章整流电路电阻负载得特点就是_电压与电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角a得最大移相范围就是_0-180［。