双三极管震荡电路图
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RC振荡器的几种接法RC震荡的基本思想是正反馈加RC选频网络.RC选频网络之所以选出正弦波主要是因为电容的充电曲线.这种振荡器特点是:T≈(1.4~2.3)R*C 电源波动将使频率不稳定,适合小于100KHz 的低频振荡情况。
2.加补偿电阻的RC振荡器T≈(1.4~2.2)R*C,电源对频率的影响减小,频率稳定度可控制在5%3.环行RC振荡器4.采用TTL反相RC振荡器,频率可达50MHz5.采用两三极管构成的RC振荡器,其中R5=R8,R7=R6,C5=C6RC文氏电桥震荡器的计算说明这个电路由RC串并网络构成选频网络,同时兼作正反馈电路以产生振荡,两个电阻和电容的数值各自相等。
负反馈电路中有两个二极管,它们的作用是稳定输出信号的幅度。
也可以采用其他的非线形元件来自动调节反馈的强度,以稳定振幅,如:热敏电阻、场效应管等。
该电路输出波形较好,缺点是频率调节比较困难。
RC文氏电桥振荡电路RC文氏电桥振荡器的电路如图1所示,RC串并联网络是正反馈网络,由运算放大器、R3和R4负反馈网络构成放大电路。
图1 RC文氏电桥振荡器C 1R1和C2R2支路是正反馈网络,R3R4支路是负反馈网络。
C1R1、C2R2、R3、R4正好构成一个桥路,称为文氏桥。
RC串并联选频网络的选频特性RC串并联网络的电路如图2所示。
RC串联臂的阻抗用Z1表示,RC并联臂的阻抗用Z2表示。
图2 RC串并联网络RC串并联网络的传递函数为式(1)……………….当输入端的电压和电流同相时,电路产生谐振,也就是式(1)是实数,虚部为0。
令式(1)的虚部为0,即可求出谐振频率。
谐振频率对于文氏RC振荡电路,一般都取R=R1 = R2,C=C1 = C2时,于是谐振角频率:频率特性幅频特性相频特性文氏RC振荡电路正反馈网络传递函数的幅度频率特性曲线和相位频率特性曲线如图3所示。
(a) 幅频特性曲线 (b) 相频特性曲线图3 RC串并联网络的频率响应特性曲线反馈系数当满足R=R1 = R2,C=C1 = C2条件,且当f=f0时的反馈系数此时反馈系数与频率f0的大小无关,此时的相角ϕF=0︒。
电源接通时,一个三极管始终保持截止状态不变,另一个三极管始终保持饱和状态不变。
当有外来信号触发时,原来截止的变为饱和状态,原来饱和的变为截止状态。
但经过一段时间,两个三极管又恢复到原来的状态不变,这种电路只有一种稳定的状态,叫做单稳态电路,如图1-4-4所示。
三极管单稳态电路的用途也很广,如延时电路等。
在电子电路中。
其双稳态电路的特点是:它有两个稳定状态,在没有外来触发信号的作用下。
电路始终处于原来的稳定状态。
由于它具有两个稳定状态,故称为双稳态电路。
在外加输入触发信号作用下,双稳态电路从一个稳定状态翻转到另一个稳定状态。
双稳态电路在自动化控制中有着广泛的应用。
图1 是用分立元件构成双稳态电路的基本形式,图2 是电路中各点电压波形。
晶体管P NP 型V1 、V2 是二个反相器。
交叉耦合构成双稳态电路,每个反相器的输出端通过电阻分别耦合到另一个反相器的输入端。
由于反相器的输入和输出信号是反相的,很容易形成二个稳定状态:V1 截止V2 导通。
这是一个稳定状态;反之,V1 导通,V2 截止,这又是一个稳定状态;Rc1 、Rc2 是V1 、V2 的负载电阻,Rk 、Rk2 是二个晶体管级间耦合电阻。
为了保证晶体管快速截止,用RB1 、RB2 及电源EB 为各个晶体管的基极提供反偏置。
两管集电极的A 点和 B 点是两个输出端,这种电路一般是对称的,即Rc1=Rc 2,RB2=RB2 ,两管参数亦应相同。
图3 是用集成电路与非门构成的双稳态电路( 又称R-S 触发器) 。
它是由与非门1 、门 2 交叉耦合组成。
它有两个稳定状态:一个是门1 导通、门 2 截止,输出端Q=0 ,ō =1 ;另一个稳定状态是门1 截止、门2 导通,输出端Q=1 ,ō =0 。
如果不考虑输入触发信号的作用,当门1 导通,门2 截止时,Q 端的低电平反馈到门2 的输入端,保证门2 的截止,同时ō端的高电平又反馈到门1 的输入端,保证门1 的导通,因而这一稳定状态得以保持住;同理,门1 截止,门 2 导通,亦能保持住这一稳定状态。
双稳态多谐振荡器电路及应用
什么叫双稳态多谐振荡器?
双稳态多谐振荡器又称正反器,此种电路具有两个稳定状态,其中任一个三极管ON时,另一个一定OFF,若无任何触发信号输入,此一状态便恒定不变。
若触发信号使原来ON的变成OFF,则原来OFF的必转为ON,此种状态会继续保持至下一触发信号。
双稳态多谐振荡器电路及工作原理
如图一所示,虽然Q1 Q2使用相同编号晶体管,偏压条件相同,但因晶体电流增益β的差异,必定有一三极管会进入饱和状态VCE=0.2V。
另一三极管在无法获得偏压状况下,会被强迫截止。
在此假设Q1 ON、Q2 OFF,C1充电至VCC,C2=0,当输入负脉冲信号至二个三极管基极时,Q1 Q2同时OFF,Q2因为重新获得偏压而导通,Q1因电容电压VC1 =VCC,无法马上获得偏压,所以Q2 ON而迫使Q1 OFF后,C1经RB2放电,C2充电至VCC。
当第二个负脉冲进入时,状况相反使Q1 ON,Q2 OFF,如此周而复始,若无输入信号则电路保持当时状态,所以正反器有记忆作用。
图二为其波形。
图一双稳态震荡器
图二
双稳态多谐振荡器应用
开关电路:
当按下S1时VT1为OFF VD1灭,VT1为ON VD2亮,放开S1后,保持这个状态
当按下S2时VT1为ON VD1亮,VT1为OFF VD2灭,放开S2后,保持这个状态
图3
直流电机正反转电路
下面这个驱动继电器用于控制电机正反转
图4
本文来自: 原文网址:/sch/jcdl/0082121.html。
20种滤波、放大、稳压、振荡、整流模拟电路设计原理及作用图文并茂一、前言对模拟电路的掌握分为三个层次。
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二、桥式整流电路1、二极管的单向导电性:A、伏安特性曲线:B、理想开关模型和恒压降模型:2、桥式整流电流流向过程:输入输出波形:3、计算:Vo,Io,二极管反向电压。
三、电源滤波器1、电源滤波的过程分析:波形形成过程:2、计算:滤波电容的容量和耐压值选择。
四、信号滤波器1、信号滤波器的作用:与电源滤波器的区别和相同点:2、LC串联和并联电路的阻抗计算,幅频关系和相频关系曲线。
3、画出通频带曲线。
计算谐振频率。
五、微分和积分电路1、电路的作用,与滤波器的区别和相同点。
2、微分和积分电路电压变化过程分析,画出电压变化波形图。
3、计算:时间常数,电压变化方程,电阻和电容参数的选择。
六、共射极放大电路1、三极管的结构、三极管各极电流关系、特性曲线、放大条件。
2、元器件的作用、电路的用途、电压放大倍数、输入和输出的信号电压相位关系、交流和直流等效电路图。
国外新型孪生功率管及功放电路国外新型孪生功率管及功放电路 徐松森 ?? 在追求高保真音响效果的今天,国外音响界致力于新型功率电子管的研制与开发,其中美、英、日、俄等国近年来推出了新型孪生功率电子管3C33和6C33C-B。
该功率电子管是一对性能优异、内阻低、线性好、输出功率大的双三极功率电子管,用它来制作的新型功率放大器将会带来锦上添花的效果。
?? 图1为3C33与6C33C-B电子管特性图。
一骰来说电子管特性表中所给出的数据为中心数值,要了解该电子管工作的全貌则必须查看电子管的特性曲线图,如图2和图3所示。
图中给出了屏极电压值从低压到高压、屏流从小电流到大电流的特性。
其工作范围应取在纵坐标与横坐标交叉点附近。
其巾栅极负电压与电子管负极电压及电流数值关系最大。
如 6C33C-B功率管是具有低屏极电压、大电流特性的电子管。
用它来制作OTL高保真功成最为适宜、而3C33功率电子管适合于高屏压。
中电流特性的电子管,如用它来制作A类与AB类功放不但屏至屏负载阻抗低,而目输出特性也很理想。
?? 新型孪生功率电子管与传统的功率电子管特性相比较,新型功率电子管的屏极内阻仅为80-280O,线性度极佳,管功率高达15-60W。
传统的功率电子管如 6L6、 6P3P、EL34、KT88等其屏极内阻高达20kO左右,这给制作高保真输出变压器带来不少困难。
而直热式三极电子管如211、811、845等,屏极内阻虽然不高,一般仅为 17-3 .8kO之间,但屏极电压高达1000V左右。
此外,低内阻功率电子管如6N5P、6AS7、6080等。
虽然内阻很低,但管功率不大如制作较大功率的OTL功放时必须由多只功率管并联才行。
?? 新型孪生功率电子管的各项电性能均与现代高保真大功率的要求相符合,故在此特向广大音响爱好者介绍几款国外采用新型栾生功率电子管制作的别具特色的功放电路。
一、3C33袖珍式双声道功放?? 图4为3C33袖珍式双声道功放电路图。
三极管原理我以NPN三极管为例为你说明三极管的原理:首先三极管是由两个P-N结够成,NPN三极管就是两头是N型,中间是P型。
N端为电子端,P端为空穴端在制造三极管时,要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大,基区P型半导体做的很薄,当基极的电压大于发射极电压(硅管要大0.7V,锗管要大0.3V)而小于集电极电压时,这时发射区的电子进入基区,进行复合,形成IE;但由于发射区的电子浓度很大,基区又很薄,电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里,形成IC;基区的空穴被复合后,基极的电压又会进行补给,形成IB。
晶体三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率变换等作用,通常晶体三极管可以处理的功率至几百W,频率至几百MHz左右。
这样的晶体三极管是在一个本征半导体中由三层n型半导体和p型半导体构成的。
本章学习晶体三极管所具有的NPN型和PNP型结构以有晶体三极管的命名方法,并且从称为基极、集电极、发射极的三个电极中流过的电流值来研究晶体三极管中电流的流动方法和作用。
然后,为了能够正确地作用晶体三极管,对晶体三极管的最大额定值、晶体三极管上施加的电压和电流的关系等进行分析。
2.1 晶体三极管是P型和N型半导体和有机组合2.1.1 晶体三极管的各种各样形状和名称晶体三极管有三只脚,有的金属壳相当于其中一只脚。
如图2.1所示,对应于不同的用途,有各种各样形状的三极管。
另外,晶体三极管的名称根据JIS C 7012,按图2.3所示那样决定。
从晶体三极管的名称,我们可以了解其大致的用途和结构。
2.1.2 晶体三极管的结构和电路符号晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。
Npn型如图2.2(a)所示,两端是n型半导体,中间是p型半导体。
Pnp 型如同图(b)所示,两端是p型半导体,中间是n型半导体。
在图2.2(a)、(b)中,被夹在中间的p型以及n型半导体部分,宽度只有数微米程度,非常的薄,这一部分称为基区(base:B)。
基极放大电路共基极的放大电路,如图1所示,图1 共基极放大电路主要应用在高频放大或振荡电路,其低输入阻抗及高输出阻抗的特性也可作阻抗匹配用。
电路特性归纳如下:输入端(EB之间)为正向偏压,因此输入阻抗低(约20~200 )输出端(CB之间)为反向偏压,因此输出阻抗高(约100k~1M )。
电流增益:虽然AI小于1,但是RL / Ri很大,因此电压增益相当高。
功率增益:由于AI小于1,所以功率增益不大。
共发射极放大电路共发射极的放大电路,如图2所示。
图2 共发射极放大电路因具有电流与电压放大增益,所以广泛应用在放大器电路。
其电路特性归纳如下:输入与输出阻抗中等(Ri约1k~5k ;RO约50k)。
电流增益:电压增益:负号表示输出信号与输入信号反相(相位差180°)。
功率增益:功率增益在三种接法中最大。
共集电极放大电路共集电极放大电路,如图3所示,图3 共集电极放大电路高输入阻抗及低输出阻抗的特性可作阻抗匹配用,以改善电压信号的负载效应。
其电路特性归纳如下:输入阻抗高(Ri约20k );输出阻抗低(RO约20)。
电流增益:电压增益:电压增益等于1,表示射极的输出信号追随着基极的输入信号,所以共集极放大器又称为射极随耦器(emitte r follow er)。
功率增益Ap= AI × Av≈β,功率增益低。
三极管三种放大电路特性比较。
双三极管多谐振荡器电路工作原理双三极管多谐振荡器电路工作原理多谐振荡器电路是一种矩形波产生电路.这种电路不需要外加触发信号,便能连续地, 周期性地自行产生矩形脉冲.该脉冲是由基波和多次谐波构成,因此称为多谐振 荡器电路. 电路结构1.路图2.把双稳态触发器电路的两支电阻耦合支路改为电容耦合支路.那么电路就没有稳 定状态,而成为无稳电路3.开机:由于电路参数的微小差异,和正反馈使一支管子饱和另一支截止.出现一个暂 稳态.设Q1饱和,Q2截止.工作原理正反馈: Q1饱和瞬间,VC1由+VCC 突变到接近于零,迫使Q2的基极电位VB2瞬间下 降到接近 —VCC,于是Q2可靠截止.注:为什么Q2的基极产生负压,因为Q1导通使Q1 集电极的电压瞬间接近于零,电容C1的正极也接近于零,由于电容两边电压不能突变使得电容的负端为—VCC。
2.第一个暂稳态:C1放电:C2充电:3.翻转:当VB2随着C1放电而升高到+0.5V时,Q2开始导通,通过正反馈使Q1截止,Q2饱和. 正反馈:4.第二个暂稳态:C2放电:C1充电:5.不断循环往复,便形成了自激振荡6.振荡周期: T=T1+T2=0.7(R2*C1+R1*C2)=1.4R2*C7.振荡频率: F=1/T=0.7/R2*C8..波形的改善: 可以同单稳态电路,采用校正二极管电路下面我们来做一个实验:如图振荡周期: T=1.4R2*C=1.4*10000Ω*0.00001F=0.14s=140ms此图利用Multisim仿真软件去求出时间与实际的偏差数据测量图:此图测量了Q2的基极和集电极极,集电极的波形相当于图的矩形波,基极波形相当于图的锯齿波。
波形图:根据测量图可知震荡周期为:146ms 根据公式计算得的时间为:140 ms 误差是有的,木有百分百准确。