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《化合物半导体产业创新发展三年行动计划》下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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2024工程领域技术创新与发展单选题(共30题，每题2分)1.党的二十大提出要坚持()，有计划分步骤实施碳达峰行动。
A.先破后立B.不破不立C.同破同立D.先立后破参考答案：D2.根据本课程，对于成本敏感型外迁的行业实施()专项行动。
A.政府购买B.优化升级C. 加补贴D. 降成本参考答案：D3.根据本课程，在集成电路全产业链中，核心环节是()?A.制造B.封装C.测试D.IC设计环节参考答案：D4. 碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为()。
A.水蒸气相传输法B.物理气相传输法C. 电流传输D. 直流传输参考答案：B5 . 在2021年，各地出台辅助服务的省份中，山西明确了储能可以有偿参与()的服务政策。
A.一次调频B.二次调频C. 跨省调峰D.跨省调频参考答案，A6. 根据本课程，()是工业互联网的核心。
A. APPB.网络C.平台D.安全参考答案：C7.以下()不是加快能源消费低碳化转型的主要内容。
A.提升清洁能源消费比重B.提高能源利用效率C. 壮大绿色环保战略性新兴产业D.完善能源管理和服务机制参考答案：C8.根据《“十四五”机器人产业发展规划》中的主要任务解读，以下不属于“机器人+”应用行动的是()。
A.深耕行业应用日.拓展新兴应用C.做强特色应用D.研发高性能减速器参考答案：D9.下列选项中，不属于无人机放牧益处的一项是()。
A.扩大视野B.减少人力C.减少资本投入D.群体协作参考答案：C11. 以下()是加快新型基础设施建设的具体措施。
A. 建设工业互联网大数据中心B. 利用工业互联网促进复工复产C. 建立企业分级安全管理制度D. 加快工业互联网创新发展工程建设参考答案：A12.根据本课程，要实现国内集成电路产业进一步发展，我们应当采取怎样的措施()?A. 加强局部环节设计B.以应用为牵引C.提升企业盈利能力D. 只着力发展Foundry模式参考答案：B14.精密工程的测量若用数字未衡量，精度至少要达到()级。
“重点基础材料技术提升与产业化”重点专项2024申报
指南
16年“重点基础材料技术提升与产业化”重点专项，是由国家科技部和国家发改委联合发布，旨在支持国家重大科技项目及重大科技基础设施项目的研发和推广应用，促进国家重点实验室、国家级科技创新中心等国家级产教融合基地建设和项目承担，推动新型重点材料对应技术的集成及产业化。
本专项属于国家科技重大专项，总规模为10亿元，研发领域涵盖高温超硬金属材料、基于复合材料的变形后增强技术、金属材料的3D印刷技术、多孔聚合物材料的改性与应用、智能材料的产业化应用、新型功能改性及复合材料等。
申报条件：
1.必须为拥有国家科技部（GSTMO）审批的高校或研究机构的正式机构，有自费项目研发能力的法人且从事关于科技创新研发的经营活动；
2.具备相关的技术资质和研发能力，参与企业为具有成熟技术和产业化能力的企业；
3.具有独立法人资格的组织，研发负责人及企业负责人必须具有大专以上学历；
4.企业研发项目必须要有机关或单位的批准才能参与申报本专项，方可开展研发活动；
5.项目申报领域与本专项主题及支持内容必须相关，且有重大技术创新；。
ITO薄膜产业化进程概 述□ 北京有色金属研究总院 李玉增 □1 ITO 薄膜发展概况氧化铟锡(Indium 2T in 2Q x ide )或掺锡氧化铟(T in 2dop ed Indium O x ide )薄膜是一种重掺杂、高简并n 型半导体,简称ITO 薄膜。
目前,ITO 薄膜的电子密度n e 可高达1021 c m 3,电子迁移率Λe 在15～450c m 2V s 范围,电阻率可低到7×10-58・c m ,对可见光的透射率在90%以上,对红外光的反射率也在90%以上。
因此,就其电学和光学性能而言,具有实际应用价值。
由于ITO 薄膜材料具有优异的光电特性,因而近年来得以迅速发展,特别是在薄膜晶体管(T FT )、平板液晶显示(L CD )、太阳能电池透明电极以及红外辐射反射镜涂层、火车飞机用玻璃除霜、建筑物幕墙玻璃等方面获得广泛应用,形成了一定市场规模。
制备ITO 导电薄膜的方法很多,诸如属于物理气相沉积(PVD )范围的电子束(EB )蒸发、磁控溅射、高密度等离子体增强(HD PE )蒸发与低压直流溅射技术,化学气相沉积(CVD )和原子层外延(AL E )技术以及近年来发展起来的可大面积成膜的溶胶—凝胶(So l -Gel )技术等。
然而,适于批量生产而又已经形成产业的工艺,只有磁控溅射法和溶胶—凝胶法,特别是低压直流磁控溅射法。
美欧和日本均在大力发展ITO 产业,特别是日本,夏普、日本电气和东芝三大公司都在其工厂内开发ITO 薄膜。
我国深圳几家导电玻璃公司也在进口和国产生产线上制造L CD 用导电玻璃。
另有几家公司在制造涂有ITO 薄膜的建筑物幕墙玻璃。
综上所述,ITO 薄膜性能优异,制造技术成熟,产品应用广泛,市场发育迅速,产业化前景看好[1]。
2 ITO 薄膜结构、性能与应用研究进展211 ITO 薄膜的结构经扫描电镜(SE M )、透射电镜(T E M )和平面图像高分辨率电镜(HR E M )研究采用各种技术生长的ITO 薄膜的微结构表明,该材料是复杂的立方铁锰矿型结构(即立方In 2O 3结构)的多晶体,组成多晶体的大晶粒中含有亚晶粒区。
...新材料产业“十三五”发展规划目录前言 (1)一、发展现状和趋势 (2)（一）产业现状 (2)（二）发展趋势 (3)二、总体思路 (5)（一）指导思想 (5)（二）基本原则 (5)（三）发展目标 (6)三、发展重点 (7)（一）特种金属功能材料. (7)（二）高端金属结构材料. (9)（三）先进高分子材料. (11)（四）新型无机非金属材料. (13)（五）高性能复合材料. (14)（六）前沿新材料 (16)四、区域布局 (17)五、重大工程 (19)（一）稀土及稀有金属功能材料专项工程 (19)（二）碳纤维低成本化与高端创新示范工程 (20)（三）高强轻型合金材料专项工程 (21)（四）高性能钢铁材料专项工程 (22)（五）高性能膜材料专项工程. (22)（六）先进电池材料专项工程. (23)（七）新型节能环保建材示范应用专项工程 (23)（八）电子信息功能材料专项工程 (24)（九）生物医用材料专项工程. (25)（十）新材料创新能力建设专项工程 (25)六、保障措施 (25)（一）加强政策引导和行业管理 (25)（二）制定财政税收扶持政策. (26)（三）建立健全投融资保障机制 (26)（四）提高产业创新能力. (27)（五）培育优势核心企业. (27)（六）完善新材料技术标准规范 (28)（七）大力推进军民结合. (28)（八）加强资源保护和综合利用 (28)（九）深化国际合作交流. (29)附件：新材料产业“十三五”重点产品目录前言材料工业是国民经济的基础产业，新材料是材料工业发展的先导，是重要的战略性新兴产业。
“十三五”时期，是我国材料工业由大变强的关键时期。
加快培育和发展新材料产业，对于引领材料工业升级换代，支撑战略性新兴产业发展，保障国家重大工程建设，促进传统产业转型升级，构建国际竞争新优势具有重要的战略意义。
根据《中华人民共和国国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》和《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》的总体部署，工业和信息化部会同发展改革委、科技部、财政部等有关部门和单位编制了《新材料产业“十三五”发展规划》。
2023年中国ITO靶材行业全景速览内容概述：近年来我国ITO靶材行业市场规模总体呈增长态势，截至2022年市场规模约为14.4亿元，随着ITO靶材国产化率的提高，ITO靶材产品价格呈现下降态势，2022年市场均价约为115万元/吨。
关键词：ITO靶材分类、ITO靶材产业链、ITO靶材政策、ITO靶材产量、ITO靶材需求量、ITO靶材市场规模一、ITO靶材行业概述ITO（氧化铟锡）靶材是溅射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一种，ITO靶材就是将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结（1600度，通氧气烧结）形成的黑灰色陶瓷半导体。
ITO靶材有中低端和高端之分：中低端ITO靶材有玻璃镀膜靶材、发热膜和热反射膜靶材，包括汽车的显示屏、一些仪器仪表的显示。
高端ITO靶材主要用于显示器薄膜靶材、集成电路薄膜靶材以及磁记录和光记录膜靶材，尤其用于大面积、大规格的LED、OLED等领域，具备高密度、高纯度、高均匀性等特点。
ITO靶材的分类二、中国ITO靶材行业相关政策为推动溅射靶材产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，进一步促进国民经济持续、快速、健康发展，我国推出了一系列支持溅射靶材产业发展的政策。
2023年12月国家统计局发布《工业战略性新兴产业分类目录（2023）》，将“电子专用材料制造-钨和钨合金靶、钴靶、钼靶、钽靶、贵金属靶材、氧化物靶材、ITO 靶材、稀土金属靶材等等”列为工业战略性新兴产业。
中国ITO靶材行业相关政策梳理三、ITO靶材行业产业链ITO靶材行业上游为主要包括氧化铟、氧化锡粉末以及相关生产设备等原材料。
铟的应用领域是ITO靶材、半导体﹑焊料和合金及铜铟锡镓薄膜（CICS）等。
其中ITO靶材领域占据近八成的消费量，并且随着我国ITO靶材制造产业的技术进步和显示面板行业的增长，ITO 靶材领域对铟的需求也将保持高速增长。
35电工材料2008N o.2综述・动态基金项目:973计划前期研究专项(2008CB617609)作者简介:阮进(1977-),男,硕士研究生,研究方向:复合材料制备与加工,(电子信箱)ruan j inone @ ;通讯作者:陈敬超,教授,研究方向:金属材料及复合材料制备技术与基础理论,(电子信箱)chen j in g chao @ 。
收稿日期:2008-04-111引言铟(In )元素的发现已有100多年的历史,经过了约60年才开始在工业和技术上得到应用。
In 是一种多用途的金属,主要以与其他有色金属组成一系列的化合物半导体、光电子材料、特殊合金、新型功能材料及有机金属化合物等形式应用于电子、冶金、仪表、化工、医药等行业,其应用范围不断扩大。
中国是全球最大的In 生产国,由于国内需求有限,In 产品以初级原料方式大量出口,成为全球In 市场主要供应国。
In 是现代高新技术产业的重要支撑材料,关系到国力的增强[1～3],因此我国大量出口In 初级原料不符合国家的根本利益。
目前全球In 消耗量的50%以上用于加工铟锡氧化物(indium tin oxides ,I TO )靶材,制造透明电极用于生产平面显示器。
平面显示器的I TO 薄膜含In 约78%,这种神奇的混合物通过一层透明而又导电的薄膜将玻璃转化成彩色显示屏,在可见光区是透明的,可吸收紫外线,反射红外线,有利于环保,具有良好的热稳定性[4]。
近年国内对I TO 靶材的需求量大幅增长。
目前国内生产的I TO 靶材密度低,无法满足高端平板显示器行业对于靶材质量的要求,仅仅部分用于低端液晶产品中。
目前世界上只有日本、美国、德国等少阮进等:ITO 靶材的研究与发展ITO 靶材的研究与发展阮进1,陈敬超1,于杰2,杜晔平1(1.昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室,云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明650093; 2.昆明理工大学材料与冶金工程学院,昆明650093)摘要:简要介绍了铟(In )的用途及国内铟产业的现状。
“B4C-A12O3芯块核控制材料产业化”与“ITO靶材产业化预备工
作”投资框架（草案）
一，投资目标
1.建成10万枚“B
4C-A1
2
O
3
”芯块生产线，完成国家新建核电站对于该材料
的首次要求，填补国内空白与完成国家战略任务。
并且在此基础上建设成可长期提供该核材料的生产基地。
2.进一步完善工艺，为ITO靶材产业化做好前期准备工作。
二，投资估算
为实现上述两目标，需做下列投资，总额度约为1634万元人民币。
（一），设备及原料购买共582万元人民币
其中：
1.芯块烧结用炉三台，共计人民币约360万元。
2.成型机。
其中，小规格成型机一台，约20万人民币；中型规格成型机一
台，约60万人民币；均压机I型一台，约100万人民币；均压机II型一台，约2万人民币。
3.处理炉。
其中I型一台，3万人民币；II型一台，约2万人民币。
4.粉末处理机。
其中I型一台，1万人民币；II型一台，约3万人民币。
5.粉末处理辅助介质需要1万人民币。
6.芯块生产原料。
其中一种约5万人民币，其余一种为5万人民币。
7.化学药品约10万人民币。
8.成型辅助机具需要约10万人民币。
（二）后处理需要约200万人民币
（三）检测费用约为162万人民币
其中：
1.主要成分检测费用约150万人民币。
2.密度分析约4万人民币。
3.显微分析约0.4万人民币。
4.纯度分析约为0.6万人民币。
5.H分析约为2万人民币。
6.物理性能分析约为5万人民币。
（四）工资与差旅费用约为220万人民币
其中技术团队成员十人。
按照年资，技术能力和市场情况，平均每人每年约10万元人民币。
生产线建设周期和完成10万枚芯块的时间技术需要两年（以后的生产周期可大大缩短，第一期包含生产线的建设调试周期在内）。
因此工资支
出共200万元人民币。
有关工作的差旅费用约需20万元人民币。
（五）水电费用约为280万元人民币。
其中电费约为240万元人民币，水费约为40万人民币。
（六）行政办公费用约为20万元人民币。
（七）流动资金约为100万元人民币。
（八）ITO靶材的工艺研发投入70万元人民币。
其中：
1.原有一台特种烧结炉可以搬迁和维修。
此项支出约为30万人民币。
2.原料约30万人民币。
3.个别设备借用支出约为10万人民币。
三，投资方式和时间
整个投资分三期进行。
第一期投入为前期准备阶段。
时间上在获得国家任务后宜马上进行。
由于新建核电站所用的芯块材料的几何尺寸等的相关设计指标可能同原有已向用户提供的产品稍有差别，故需要试制出符合新设计要求的少量样品，为后续大批量生产创造条件。
为了争取时间，此项投资在获得国家任务书签字后立刻进行，不必等待国家支持资金到位，也不必等待新厂房与设备调试完成。
这个试生产全部租借外单位现成设备，并且可以在长沙马上展开工作。
预计这项任务在6到7个月的时间内可以结束。
这个部分的投资原则上不会对于投资的总额产生很大影响，但是需要单独列项（上面的投资估算没有明细这个部分的金额）。
第二期投入为预备生产阶段。
在西安投资方所在地改建厂房，完善水电，装置调试设备，为建成一条年产10万枚的合格芯片生产线，实现芯块产业化构建基础。
第三期投入为产业化完成阶段。
完全建成年生产10万枚芯片的生产线，完成国家任务。
第四期投入约70万元。
在芯片生产任务进入稳定状态后，抽调部分技术力量展开ITO产业化的预备工作。
四，说明
1.全部投资由投资方分段投入，技术方投入技术并实施。
芯块材料是用
于核电站的关键性材料之一，ITO靶材除了作为液晶屏的一种核心材
料，别一个重要用途是用于太阳能专业电板。
因此，两项目都可认为
是能源工程中引入注目的投资项目。
2.预计国家将对芯块项目给予资金与政策上的支持。
本投资除了完成新
建核电站首次对于芯块材料的任务需求外，还可以很好的满足其长远
的核电发展的要求。
对于以后国家发展核电的长远战略来说，是很好
的产业基地。
3.由于两项目所用设备，除了烧结炉外其余大部分都可以通用。
故用一
个项目的投资可以同时开展两个项目，节约大量投资与控制产业风
险。
但是过去位于广州的那台用于ITO靶材烧结的特种烧结炉，目前
不能确定其损坏程度。
如果其损坏严重而不能修复，则只能在国内重
新制造一台。
估计将增加投资80到100万元。
4.ITO靶材产业化是在其相关预备工作完成后进行，按照技术程度稳步
推进。
如果预备工作顺利完成，将先建立一条5吨/年产能的生产线，取得产业化条件下的生产和管理上的经验，然后再根据市场条件与产
业情况扩建成25吨/年生产能力的企业。
在面对市场竞争的情况下，相信ITO靶材的利润率也可以比较稳定的维持在40%以上。
对于ITO
产业化的投资明细，届时别行规划。
5.本投资框架为初略概括，真实情况以实际投入时为准。
2012年4月7日星期六
PS：小弟与吴教授的谈话，大概有些补充：
1.吴教授在中核见到的高层应该是副总经理级别。
上海方面的领导就是上
院的领导和总设计。
2.吴教授的技术与材料已经被中核与上海方面的相关人士熟悉并且认可。
吴教授认为自己是国内目前唯一能够提供技术与产品的人，并且这点被中核所认可。
这些有关人都清楚吴教授的情况，并且互相留有电话。
吴教授表示他们是认可吴教授的。
吴教授说，如果西安确实有意愿合作，同时也具备实力，签订协议后吴教授可以陪同投资方去北京和上海一一拜访，并且向他们表明正式合作方是西安。
3.深圳告知吴教授，上面告诉他的是国家有关任务招标将会在五月进行。
吴教授对于西安的意愿还不清楚。
所以，吴教授希望西安能够比较快的给出态度。
吴教授的意思是，与谁合作是取决于吴教授自己的，给予中核有关人士一个说明就可以。
如果在时间上抓紧，在这个事情之前完成走马换人完全没有问题。
不过，小弟不清楚深圳的消息来源是什么，有关情报与政策，需要认真调查。
4.吴教授认为，基本面上他有技术基础，与中核的关系上也是见过面的。
西安在硬件条件与合作理念上是合适的。
如果西安有高层行政关系进行保护，那么双方的联合就是强强联合，完全有最大的把握获得任务。
5.吴教授总的意思是，希望和西安合作。
但是如果西安迟迟不能定下决心，
如果事情到了必须进行的时候，也只能和深圳合作了。
希望加快。
