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一、SIC MOSFET器件简介1. 介绍SIC MOSFET器件的基本结构和工作原理2. 分析SIC MOSFET器件的优势和应用领域二、SIC MOSFET器件的性能参数解读1. 主要包括导通特性、开关特性、静态特性和动态特性等方面的参数2. 对每个性能参数进行详细解读和分析三、SIC MOSFET器件的设计与制造工艺1. 介绍SIC MOSFET器件的设计流程和关键技术2. 分析SIC MOSFET器件的制造工艺及其对器件性能的影响四、SIC MOSFET器件在电力电子领域的应用1. 分析SIC MOSFET器件在变流器、逆变器、充电桩等领域的应用2. 探讨SIC MOSFET器件在电力电子领域的发展趋势五、SIC MOSFET器件的可靠性与封装技术1. 分析SIC MOSFET器件的可靠性测试技术和参数2. 探讨SIC MOSFET器件的封装技术及其对器件可靠性的影响六、SIC MOSFET器件的市场前景与发展趋势1. 分析SIC MOSFET器件在全球范围内的市场占有率和竞争态势2. 探讨SIC MOSFET器件的未来发展趋势和发展方向七、结语总结SIC MOSFET器件的特点和优势，展望其在未来的应用前景。
一、SIC MOSFET器件简介SIC MOSFET器件是一种新型的金属氧化物半导体场效应晶体管，基于碳化硅（SiC）材料制造。
相比传统的硅基MOSFET器件，SIC MOSFET器件具有更低的导通损耗、更快的开关速度、更高的工作温度和更好的耐压性能，适用于高压高温环境下的电力电子系统和射频功率放大器。
SIC MOSFET器件的工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极电流，因而在电力电子领域有着广泛的应用前景。
SIC MOSFET器件的优势主要表现在以下几个方面：SIC MOSFET器件的导通损耗较低，能够显著降低功率器件在工作状态下的热量损失，提高整体功率系统的效率。
SIC MOSFET器件的开关速度非常快，开启和关闭时间短，这对于电路的稳定性和响应速度都有着显著的提升。
Schottky Diodes and MOSFETsNovel SiC Products Selection GuideSpecifications are subject to change without notice.The data indicated herein describe types of components and shall not be considered as assured characteristics.The products listed in this catalog are not recommended for use in life support systems where a failure or malfunction of the component may directly threaten life or cause injury.The user of products in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Bruckewell Technology Co LTD and all the companies whose products are represented in this catalog, harmless against all damages.© 2021 Bruckewell Technology Co LTD.All Rights Reserved.Specifications subject to change without notice.Schottky Diodes and MOSFETsIn the recent decades, the Silicon carbide (SiC), turned out to be an excellent semiconductor material. Composed of carbon and silicon, and used in power applications in which it showed excellent performance,far superior to those of silicon.Significant progress has been made in the field of the semiconductor industry, in which the technologies forthe processing of silicon carbide have become increasingly more sophisticated, and have produced semiconductor devices with excellent performance.In the facts those devices during the applications have shown a remarkable capacity to reduce losses and ahigh switching speed in comparison to that offered by silicon. The use of silicon carbide (SiC) as a semiconductor begins to expand into multiple applications and always proves to be more and more the candidate to replace silicon in the most important applications such as automotive and E-Bike motor control.For these reasons, Bruckewell Semi decided to launch the production of the SiC Products, including the SiC Schottky Diode and SiC MOSFET, support the 650V to 1200V, and give the opportunity to its customers totake advantage of the benefits that the products offer in the SiC high-voltage power applications.Present our SiC products line as belowSMD PackageAmp DFN3X3 DFN5X6 TO-277 DFN 8X8 TO-252(DPak) TO-263(D2Pak)4 CBR04P65D6 CBR06P65HL CBR06P65D8 CBR08P65HL CBR08P65D10 CBR10P65HM CBR10P65SCBR10120SCBR10P65HLCBR10P65DCBR10120D20 CBR20120S30 CBR30120H CBR30120S40DFN 3X3 is unique package and CBR10P65HM is first smallest SiC SBD Diode in the industry.TO-277 has same foot print with TO-252 (DPak), and has better thermal performance.Through Hole PackageAmp TO-220AC TO-220AB TO-247 TO-247 (Dual Die)4 CBR04P656 CBR06P658 CBR08P6510 CBR10P65CBR10120 CBR10120PCBR10120W20 CBR20P65CBR20120CBR20P65PCCBR20120PCBR20P65WCBR20120WCBR20P65WCCBR20120WC30 CBR30120W40 CBR40P65WC CBR40120WCSchottky Diodes and MOSFETsPart NomenclatureExample: CBR20P65PC CBR SiC Barrier RectifierCMS SiC MOSFET20 IF, Forward current, as 20AP65 Breakdown Voltage, as P65=650V, 120=1200VPC Package CodeBlank: TO-220AC-2LP: TO-220ABPC: TO-220AB, Dual Die D: TO-252-2L, DPAKW: TO-247-2LWC: TO-247-3L, Dual Die WU: TO-247-3L, Single Die S: TO-277A: SMA, B: SMB, C: SMC B: TO-263, D2PAKH: DFN5x6HM: DFN3x3HL: DFN8x8When the diodes are used simultaneously:ΔTj(diode1) = P(diode1) x Rth(j-c) (per diode) + P(diode2) x Rth(c)To evaluate the conduction losses use the following equation:P = 1.35 x IF(AV) + 0.144 x IF2(RMS)Schottky Diodes and MOSFETsComparison with industry supplier-TO-220AC/ABAmpBruckewellST-MicroInfineonTO-220ACTO-220ABTO-220ACTO-220ABTO-220AC TO-220AB2 IDH02G65C5IDH02G120C53 IDH03SG60C IDH03G65C5 4CBR04P65IDH04SG60C IDH04G65C55 IDH05SG60C IDH05G65C5 IDH05G120C56 CBR06P65 STPSC6TH13TI IDH06SG60C IDH06G65C58 CBR08P65STPSC8TH13TI STPSC8H065CIDH08SG60C IDH08G65C5 IDH08G120C5 9IDH09SG60C IDH09G65C510CBR10P65 CBR10120CBR10120PSTPSC10H065D STPSC10H12D STPSC10TH13TIIDH10SG60CIDH10G65C5 IDH10G120C512 STPSC12065 STPSC1206 STPSC12H065CIDH12SG60C IDH12G65C515 STPSC15H1216STPSC16H065C IDH16G65C5IDH16G120C520CBR20P65 CBR20120CBR20P65PC CBR20120PSTPSC20065D STPSC20H12DSTPSC20H065CIDH20G65C5 IDH20G120C5Note:The suffix C5 in the Infineon Parts means the CoolSiC™ 5G, others are CoolSiC™ 3GSchottky Diodes and MOSFETsComparison with Japan suppliers-TO-220AC/ABAmpBruckewell Rohm Toshiba TO-220AC TO-220AB TO-220AC ITO-220AC TO-220AC ITO-220AC4 CBR04P65 SCS304AP TRS4E65F TRS4A65F5 SCS205KG6 CBR06P65 SCS306APSCS206AGSCS206AM TRS6E65F TRS6A65F8 CBR08P65 SCS308APSCS208AGSCS208AM TRS8E65F TRS8A65F10 CBR10P65CBR10120 CBR10120PSCS310APSCS210AGSCS210KGSCS210AM TRS10E65F TRS10A65F12 SCS212AG SCS212AM15 SCS215AGSCS215KGSCS215AM20 CBR20P65CBR20120CBR20P65PCCBR20120PSCS220AGSCS220KGSCS220AMNote:The suffix of Rohm Parts means the breakdown voltage, A means 650V, K means 1200VSchottky Diodes and MOSFETsComparison with industry supplier-TO-247 Single/ Dual DieAmpBruckewellST-MicroInfineonTO-247 TO-247 DualTO-247TO-247 DualTO-247TO-247 Dual 10 CBR10120WIDW10G65C5 IDW10G120C5B 20 CBR20P65W CBR20120W CBR20P65WC CBR20120WC STPSC20065WSTPSC20H065CWIDW20G65C5IDW20G65C5B IDW20G120C5B12 IDW12G65C515IDW15G120C5B16 IDW16G65C524IDW24G65C5B 30 CBR30120WIDW30G65C5IDW30G120C5B 32IDW32G65C5B 40CBR40120WCSTPSC40065CWIDW40G65C5IDW40G65C5B IDW40G120C5BComparison with Japan suppliers-TO-247 Single/ Dual DieAmpBruckewellRohmFuji electricTO-247 TO-247 DualTO-247TO-247 Dual TO-247 TO-247 Dual10 CBR10120WSCS210KE2FDCY10S6515SCS215AE20 CBR20P65W CBR20120W CBR20P65WC CBR20120WCSCS220AESCS220AE2 SCS220KE2FDCY18S120 FDCY20C6525 FDCY25S6530 CBR30120WSCS230AE2 SCS230KE240 CBR40120WCSCS240AE2 SCS240KE2FDCY36C120 50FDCY50C65Schottky Diodes and MOSFETsProduct IO(A)VB min (V)VF typ(V)IR Max (uA)PackageNumber of Diodes CBR04P65 4 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR04P65D 4 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR06P65 6 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR06P65D 6 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR 06P65HL 6 650 1.5 10 DFN 8X8 1 CBR08P65 8 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR08P65D 8 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR08P65HL 8 650 1.5 10 DFN 8X8 1 CBR10P65 10 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR10P65D 10 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR10P65S 10 650 1.5 10 TO-277 1 CBR10P65HM 10 650 1.5 10 DFN3.3 1 CBR10P65HL 10 650 1.5 10 DFN8X8 1 CBR20P65PC 20 650 1.5 10 TO-220AB 2 CBR20P65 20 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR20P65W 20 650 1.5 10 TO-247 1 CBR20P65WC 20 650 1.5 10 TO-247 2 CBR40P65WC 40 650 1.5 10 TO-247 2 CBR10120 10 1200 1.5 10 TO-220AC 1 CBR10120P 10 1200 1.5 10 TO-220AB 1 CBR10120D 10 1200 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR10120S 10 1200 1.5 10 TO-277 1 CBR10120W 10 1200 1.5 10 TO-247 1 CBR20120WC 20 1200 1.5 10 TO-247 2 CBR20120W 20 1200 1.5 10 TO-247 1 CBR20120 20 1200 1.5 10 TO-220AC 1 CBR20120P 20 1200 1.5 10 TO-220AB 1 CBR20120PC 20 1200 1.5 10 TO-220AB 2 CBR20120S 20 1200 1.5 10 TO-277 1 CBR30120W 30 1200 1.5 10 TO-247 1 CBR30120S 30 1200 1.5 10 TO-277 1 CBR30120H 30 1200 1.5 10 DFN 5X6 1 CBR40120WC 4012001.510 TO-2472Schottky Diodes and MOSFETsDisclaimerALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE. Bruckewell Technology Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively, “Bruckewell”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product. Bruckewell makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or the continuing production of any product. To the maximum extent permitted by applicable law, Bruckewell disclaims(i) Any and all liability arising out of the application or use of any product.(ii) Any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. (iii) Any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular purpose, non-infringement and merchantability.Statements regarding the suitability of products for certain types of applications are based on Bruckewell’s knowledge of typical requirements that are often placed on Bruckewell products in generic applications.Such statements are not binding statements about the suitability of products for a particular application. It is the customer’s responsibility to validate that a particular product with the properties described in the product specification is suitable for use in a particular application. Parameters provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time.Product specifications do not expand or otherwise modify Bruckewell’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.。
标准红外线中心软件SIC 用户操作手册北京康拓红外技术有限公司2009年1月目录1.引言 (2)2.安装与配置 (2)2.1版本概述 (2)2.2运行环境 (2)2.3安装与配置 (3)3.快速应用 (6)3.1用户简介 (6)3.2首次使用配置 (6)3.3制作新网图 (7)3.4节点属性设置 (8)3.5系统设置 (10)3.6系统主界面说明 (23)4.快捷方式说明 (33)4.1系统快捷键说明 (33)4.2网图编辑快捷键说明 (34)5.菜单功能使用说明 (35)5.1文件菜单 (35)5.2设置菜单 (49)5.3操作菜单 (51)5.4网图菜单 (57)5.5帮助菜单 (59)6.数据存储 (61)7.常见问题FAQ (62)用户操作手册User Guide1.引言标准红外线中心软件SIC(Standard Infrared Center)的主要功能有：实时显示红外线探测设备过车数据，对热轴进行预报、跟踪；显示探测设备上传的各种自检信息，对探测站故障和异常进行提示、报警；向探测设备发送命令并接收反馈；进行后期数据的分析统计，了解设备的运行状态和工作情况。
2.安装与配置2.1版本概述SIC软件可以分为路局中心和复示站两种版本。
两种版本的SIC软件在界面风格和操作上基本一致，其主要区别在于采用不同后台数据库和硬件设备所决定的可接入探测站数量、数据处理和存储能力的不同。
路局中心版SIC使用Oracle作为后台数据库，Oracle数据库运行在专门的数据库服务器上，因此具有较大的数据处理和存储能力。
SIC软件可以与数据库运行在同一台服务器上也可单独运行在PC终端上，路局中心版SIC软件适用于接入探测站方向数量在100个以上的情况使用。
复示站版SIC采用MySQL作为后台数据库，由于MySQL数据库对硬件的要求比Oracle 数据库要低，因此不必配备专门的数据库服务器，数据库可以与SIC软件运行在同一台PC 终端上。
产品说明书名称：碳化硅Sic一、物理化学性质1、化学性质（1）化学稳定性SiC是以共价键为主要健型的化合物。
因此，它的化学稳定性良好，有很强的耐酸性，在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀，但正磷酸可使它分解。
SiC也具有极佳的热稳定性，实验证明在2300℃高温时，SiC固体表面气相中含游离硅只有5%，固态SiC暴露在空气中加热时其表面氧化实际上在1000℃开始，但由此生成的SiO2保护膜阻止氧化反应继续进行。
（2）抗氧化性SiC具有良好的抗氧化性。
SiC的氧化动力学研究表明，其氧化速度为扩散控制过程，即SiC在空气中加热到800℃时就开始明显氧化；1000℃以上时在表面开始生成SiO2薄膜，由于SiO2层的产生所以氧化作用得以限制。
2、物理性质（1）硬度由于SiC的结构与金刚石相类似，其摩式硬度达9.5，压缩系数为0.21×10-6,仅次于金刚石。
（2）抗热震性能由于SiC具有很高的热导率（约为刚玉的4倍）和较低的热（线）膨胀系数，使得SiC制品在加热和冷却过程中受到的热应力较小，因而具有优异的抗热震性能。
（3）力学性能SiC具有优异的力学性能和耐磨性能，而研磨能力约为刚玉的2倍。
二、理化指标碳化硅1200#、1500#和2000#应符合下表所列的标准。
三、用途用于太阳能电池、半导体、压电晶体等行业的单晶硅、多晶硅、砷化镓、石英晶体切割和研磨。
四、运输注意事项运输前应先检查包装袋是否完整、密封。
运输过程中要确保包装袋不泄露、不损坏，以防受到粉尘污染。
要确保运输车辆环境干燥，注意防潮。
五、储存储存时注意防暴晒、防潮、防粉尘污染。
SiC功率器件・模块使用手册Rev. 0012013年3月发行13103CAY01目录1. SiC半导体 (3)1.1 SiC材料的物性和特征 (3)1.2SiC功率器件的特征 (3)2. SiC SBD的特征 (4)2.1 器件结构和特征 (4)2.2SiC‐SBD的正向特性 (4)2.3SiC‐SBD的恢复特性 (5)3. SiC‐MOSFET的特征 (7)3.1器件结构和特征 (7)3.2标准化导通电阻 (8)3.3Vd‐Id特性 (9)3.4驱动门极电压和导通电阻 (9)3.5Vg‐Id特性 (10)3.6Turn‐on（导通）特性 (11)3.7Turn‐off（关断）特性 (12)3.8内部门极电阻 (13)3.9门极驱动电路 (14)3.10体二极管的Vf和反向导通 (15)3.11体二极管的恢复特性 (16)4. SiC功率模块的特征 (17)4.1SiC模块的特征 (17)4.2电路结构 (17)4.3开关特性 (18)4.3.1漏极电流依赖性以及温度依赖性 (18)4.3.2门极电阻依赖性 (19)4.3.3门极偏压依赖性 (21)4.4与IGBT模块的开关损耗比较 (21)4.4.1总开关损耗的比较 (21)4.4.2恢复损耗(Err)的比较 (22)4.4.3Turn‐on损耗(Eon)的比较 (22)4.4.4Turn‐off损耗(Eoff)的比较 (23)5. SiC‐SBD的可靠性 (24)5.1dV/dt破坏、 dI/dt破坏 (24)5.2SiC‐SBD可靠性测试结果 (24)6. SiC‐MOSFET的可靠性 (25)6.1门极氧化膜 (25)6.2阈值稳定性（门极正偏压） (26)6.3阈值稳定性（门极负偏压） (26)6.4与体二极管导电相关的可靠性 (27)6.5短路耐量 (28)6.6dV/dt破坏 (29)6.7由宇宙射线引起的中子耐量 (29)6.8静电破坏耐量 (29)6.9SiC‐MOSFET可靠性测试结果 (30)7. SiC功率模块的使用方法和可靠性 (31)7.1针对浪涌电压的对策 (31)7.2针对误触发动作的对策 (31)7.3RBSOA（反向偏压安全操作区） (32)7.4SiC功率模块的可靠性测试结果 (33)8. 型号的构成 (34)8.1SiC‐SBD（分立器件） (34)8.2SiC‐MOSFET（分立器件） (34)8.3SiC功率模块 (35)8.4SiC‐SBD（Chip） (35)8.5SiC‐MOSFET（Chip） (35)9. 应用电路举例 (36)9.1功率因数改善电路（PFC）（连续模式） (36)9.2用于功率调节器的逆变器 (36)9.3DC/DC转换器 (36)9.4双向转换器 (37)9.5用于IH的逆变器 (37)9.6马达驱动 (37)9.7降压斩波 (38)9.8音频直流放大器 (38)1. SiC半导体1.1SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料，不仅绝缘击穿场强是Si 的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件用材料。
接入系列产品接入系列产品，是讯风通信为满足用户对业务接入多样化日益增长的需求推出的综合业务接入平台。
该产品克服了传统PCM设备组网方式单一、业务功能单一、不能提供多种业务接口等诸多不足，可提供丰富的电接口、音频、数据等综合业务接口及强大的数字交叉连接功能，能满足用户对2M或64kbit/s业务调度、音频调度、低速数据传输、音频话务通信、LAN联网、视频传输等业务的需求，是一种新颖的数据与语音等多种业务综合接入的理想产品。
特别适用于电力、机场、轨道交通、军队、广电、金融数据等诸多领域专网通信网。
讯风通信的接入系列产品包括：²BX06BK综合业务智能接入设备²BX10II/BX10综合业务接入设备²BX06综合复用设备²BX-DXC08紧凑型数字交叉连接设备传输系列产品讯风通信的传输系列产品主要应用于接入层网络，为用户提供丰富的、不同性价比的传输及接入解决方案。
产品包括EPON无源光网络系统，MSAP多业务接入平台，中小容量的MSTP 多业务传送平台以及PDH全系列产品，被广泛部署在运营商及行业用户专网通信网中！讯风通信的传输系列产品包括：MSAP系列产品：²BX-MSAP1506多业务接入平台²BX-MSAP1502单体式多业务接入设备MSTP系列产品:²BX08B STM-4/1 多业务传送平台²BX08C STM-16/4/1 多业务传送平台基于以太网无源光网络系列产品:²F-homer1000(OLT）²F-homer60X(ONU)PDH系列产品：²BX120EN/BX120AE/BX120HII 4E1网络型光端机²BX240EN 8E1网络型光端机²BX120A/BX120AG; 4E1/4E1单纤/单纤双向传输标准光端机²BX240A/BX240AG; 8E1/8E1单纤/单纤双向传输标准光端机²BX480A/BX480AG; 16E1/16E1单纤/单纤双向传输标准光端机²BX480AK/BX480AKG 16E1双纤带保护/单纤双向带保护标准光端机数据通信系列产品数据通信产品为用户提供了简单、高效的以太网传输通道，亦可通过协议转换功能将以太网接入传输网络，有效地保护了现有的网络资源。
标准红外线中心软件SIC 用户操作手册北京康拓红外技术有限公司2009年1月目录1.引言 (1)2.安装与配置 (1)2.1版本概述 (1)2.2运行环境 (1)2.3安装与配置 (2)3.快速应用 (5)3.1用户简介 (5)3.2首次使用配置 (5)3.3制作新网图 (6)3.4节点属性设置 (7)3.5系统设置 (9)3.6系统主界面说明 (22)4.快捷方式说明 (32)4.1系统快捷键说明 (32)4.2网图编辑快捷键说明 (33)5.菜单功能使用说明 (34)5.1文件菜单 (34)5.2设置菜单 (48)5.3操作菜单 (50)5.4网图菜单 (56)5.5帮助菜单 (58)6.数据存储 (60)7.常见问题FAQ (61)用户操作手册User Guide1.引言标准红外线中心软件SIC(Standard Infrared Center)的主要功能有：实时显示红外线探测设备过车数据，对热轴进行预报、跟踪；显示探测设备上传的各种自检信息，对探测站故障和异常进行提示、报警；向探测设备发送命令并接收反馈；进行后期数据的分析统计，了解设备的运行状态和工作情况。
2.安装与配置2.1版本概述SIC软件可以分为路局中心和复示站两种版本。
两种版本的SIC软件在界面风格和操作上基本一致，其主要区别在于采用不同后台数据库和硬件设备所决定的可接入探测站数量、数据处理和存储能力的不同。
路局中心版SIC使用Oracle作为后台数据库，Oracle数据库运行在专门的数据库服务器上，因此具有较大的数据处理和存储能力。
SIC软件可以与数据库运行在同一台服务器上也可单独运行在PC终端上，路局中心版SIC软件适用于接入探测站方向数量在100个以上的情况使用。
复示站版SIC采用MySQL作为后台数据库，由于MySQL数据库对硬件的要求比Oracle 数据库要低，因此不必配备专门的数据库服务器，数据库可以与SIC软件运行在同一台PC 终端上。
由于复示站软、硬件条件的降低，本版软件适用于探测站接入数量在100个以内的复示站使用。
2.2运行环境以上两种版本的SIC软件的运行环境分别如下：路局中心版：中心程序可以与Oracle数据库运行在同一台服务器上，服务器使用Windows2000Advanced Server（SP4）或者Windows 2003 Server操作系统。
中心程序与数据库也可分开在不同机器上运行，中心程序可以使用运行Windows 2000或Windows XP操作系统的PC机，运行Oracle数据库的服务器使用Windows2000 Advanced Server（SP4）或者Windows 2003 Server操作系统。
以上两种情况运行中心软件的计算机应预先安装Java运行环境（JRE）。
运行数据库的服务器应预先安装Oracle数据库。
复示站版：程序可以使用运行Windows 2000或Windows XP操作系统的PC机，PC机应预先安装JRE。
本版软件使用MySQL数据库，在安装SIC中心软件前应预先安装MySQL数据库。
软件版本：标准配置：Oracle 8.1.7、JRE1.5.0_11、MySQL5.0.45,一般情况下高版本可兼容低版本。
2.3安装与配置2.3.1.Oracle数据库安装Oracle数据库的安装和设置较为复杂，一般应由专门技术人员或由用户在技术人员的指导下完成，不建议用户自行安装和配置。
如果数据库出现问题请及时与软件技术人员联系，请勿自行对数据库进行操作以免造成数据库损坏或数据丢失。
SIC软件复示中心版使用的Oracle数据库默认安装目录<ORACLE_HOME>为C:\oracle目录。
程序使用的Oracle数据库实例名称默认为hbds2005，数据库实例的配置文件、控制文件、日志文件和数据文件默认存放在D:\oracle\oradata\hbds2005目录。
2.3.2.SIC精简版MySQL数据库安装随同复示站版中心软件安装程序的MySQLSIC.exe是针对SIC软件进行精简的MySQL数据库的安装程序，建议安装目录D:\MySQLSIC。
2.3.3.JRE的安装JRE的安装文件是名称为jre-1_5_0_11-windows-i586-p.exe的可执行文件，双击该文件即可开始安装。
安装过程中JRE默认安装路径为C:\Program Files\Java\jre1.5.0_11目录，以下表示为<JAVA_HOME>。
其余设置均可按照默认进行不必修改。
2.3.4.软件安装SIC的安装程序是名为sic_setup_vx.x.x.xxxx.EXE（vx.x.x.xxxx表示SIC的安装版本）的可执行文件。
双击即可开始安装，安装过程中用户可以根据提示设置安装路径等相关信息，建议使用缺省目录（D:\SIC），软件安装路径下面以<INSTALL_HOME>表示。
修改<INSTALL_HOME>\jdk.config中的路径参数，将“javahome C:\Program Files\Java\jre1.5.0_11”修改为JRE的实际安装路径，即前文所述<JAVA_HOME>的值。
如果需要对SIC软件运行时所占终端或服务器的系统内存数量进行限制可以修改<INSTALL_HOME>\sic.config文件中的以下两个参数：vmmemmin 32m #最小使用内存大小vmmemmax 50% #最大使用内存大小，可以是百分比或实际值，例如128m。
2.3.5.配置文件设置初次运行SIC软件，需要修改以下配置文件:cld.xml（<INSTALL_HOME>\conf目录下）：车辆段信息配置，在<clds>…</clds>之间依次加入车辆段信息，格式如下：<?xml version="1.0" encoding="gb2312"?><clds><cld><name>丰台车辆段</name> #车辆段名称<id>FENGTAI</id> #车辆段标识，英文字母表示<bh>49</bh> #车辆段编号，与全路联网对应<jc>丰辆</jc> #车辆段简称<lj>3</lj> #路局编号，与全路联网对应</cld><cld><name>西安东车辆段</name><id>XIANDONG</id><bh>79</bh><jc>西东辆</jc><lj>18</lj></cld></clds>设定车辆段中文名称表示和简化的英文表示，注意英文表示不能重复。
railroad.xml（<INSTALL_HOME>\conf目录下）：路线信息配置，在文件中<railroads>…</railroads>之间依次加入路线信息，格式如下：<?xml version="1.0" encoding="gb2312"?><railroads><railroad><name>京九线</name> #线路名称，不需要上下行标识<id>JJ</id> #线路标识，英文字母表示<dir>BOTH</dir> #UP,DOWN,BOTH,SOLO分别表示单向上行，单向下行，双向和不分方向四类情况<bh>206</bh> #线路编号，与全路联网对应</railroad><railroad><name>丰沙线</name><id>FS</id><dir>BOTH</dir><bh>73</bh></railroad></railroads>另外，还有以下一些系统正常运行必须的配置文件不需要手工修改或者替换，用户不要用其它编辑软件进行修改或删除等操作：hbds2005.xme 系统参数配置文件prefix.xml 前置机配置文件themes.xml 界面主题配置文件tracegroup.xml 跟踪序列配置文件transfergroup.xml 转发组配置文件transfertype.xml 转发类型配置文件users.xml 用户配置文件为了防止配置文件丢失或是被覆盖，应定期备份中心程序的配置文件。
中心程序的配置文件存放在程序安装目录<INSTALL_HOME>\conf下。
备份时将<INSTALL_HOME>目录下的conf子目录拷贝到备份位置并做好记录即可。
3.快速应用3.1用户简介SIC程序有两类不同权限的用户，普通用户可以完成大部分日常功能和一般参数的修改，高级用户可以进行一些关键参数的修改，需要对该系统有更深入的了解。
默认登陆为普通用户，如果需要使用程序中的某些高级功能则要换成高级用户（菜单“操作”→“高级用户登陆”→输入高级用户口令）。
口令默认为：hbds2005，可以自行更改（菜单“设置”→“系统设置”→“修改口令”）。
考虑到程序的安全性，建议您用高级用户完成操作之后转换回普通用户（菜单“操作”→“高级用户注销”）。
高级用户操作将在下面介绍。
3.2首次使用配置SIC软件安装完成后点击相应的桌面快捷方式图标或“开始”菜单中的程序图标即可运行SIC软件。
当软件初次运行时需要进行以下的配置：(1)、拷贝串口相关文件如果使用通信管理机或者Modem进行数据传输，首先以高级用户登录，点击网图上的任意空白地方，CTRL+SHIFT+M调出系统管理对话框，点击“拷贝支持库文件”，软件会自动拷贝下面的文件：<INSTALL_HOME>\lib\win32com.dll -> <JRE_HOME>\bin\<INSTALL_HOME>\lib\m.properties -> <JRE_HOME>\lib\<INSTALL_HOME>\lib\comm.jar -> <JRE_HOME>\lib\(2)、对软件系统设置中软件设置项进行配置。
