单晶炉水循环操作示意图
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单晶炉循环水自控系统说明书一:流程简介脱盐水自脱盐水站来,经过XV-13141切断阀进入25度循环水罐V1322,25度水经过P1322ABC 加压后,通过板式换热器E-1321,E-1322将温度控制在25℃,经过XV-13143后,送往各单晶炉做为循环降温水,保证单晶炉运行在正常范围内。
P1322ABC供水总管压力的控制调节通过PV-13142调节回水量达到稳定压力的目标。
为了预防在单晶炉正常运行时,循环脱盐水系统发生意外压力降低无法供水的情况,设计一个应急水罐V1323,在循环水泵压力低至某值(P-LL)时,将应急水罐内的水通过静压及罐顶空气压力控制,将应急水罐水投入到单晶炉,再回流至V1322。
应急水箱的水位通过增压泵P1323AB将脱盐水送入。
详细流程图见PID图。
二:PLC控制方案1,常规控制(1)应急水罐顶部压力PIC13001控制 :设定一个应急水罐顶部压力控制指标值,由带压空气补充PV13001阀和放空PV13002共同作用调节。
(2)应急水罐水位补水控制,设定一个上限水位(85%)和一个下限水位(60%),当液位变送器测量到水位低于下限水位时,启动补水泵(由操作人员选定A泵或B泵),到达设定下限时,停止运行的泵,补水结束。
如果有异常,当水位到达大于85%(比如90%),小于60%(比如55%)时,黄色报警,当更超出此范围师,红色并蜂鸣报警。
(3)循环水泵出口压力控制PIC-13142,通过变送器测得PI-13142,控制回流至水罐的调节阀PV-13142的开度控制回流量,保证供水总管的压力控制稳定在工艺要求指标。
(4)板式换热器出口温度控制TIC-13145,通过TV-13145循环水量大小的控制,进过板式换热器,调节25℃水的温度达到控制范围的指标。
(5)V1322S水罐水位控制,当低于一个水位时,打开XV13141,如果水位还低,则再打开XV13004,从应急水罐补水。
到达一个上限水位后,关闭XV13141(XV13004,如果打开),2,连锁保护(6)P1322abc泵出口压力低于P1(低)时,启动备用泵(需要操作人员提前手动选定连锁投入和备用泵的确定)(7)P1322ABC泵出口压力低于P2(低低)时,先进行水泵运行状态的判断,如果有泵在运行状态,则打开应急水罐XV13003阀门直接并联进行补水。
单晶硅水循环车间工艺流程英文回答:The process flow of the monocrystalline silicon water circulation workshop includes several steps:1. Raw material preparation: In this step, the raw material, which is silicon dioxide, is prepared. It is usually obtained from quartzite or silica sand. The raw material is crushed and then undergoes a series of chemical reactions to obtain pure silicon dioxide.2. Melting and purification: The pure silicon dioxide is then melted in a high-temperature furnace. The temperature is carefully controlled to ensure the formation of a single crystal structure. The molten silicon is then purified to remove impurities such as metal oxides and carbon.3. Crystal growth: In this step, the molten silicon isslowly cooled down to form a solid crystal. The crystal growth process can be done using different methods such as the Czochralski method or the floating zone method. The crystal is pulled upwards from the molten silicon, and a single crystal ingot is formed.4. Ingot slicing: The single crystal ingot is then sliced into thin wafers using a diamond wire saw. These wafers are the base material for the production of solar cells.5. Wafer surface treatment: The wafers undergo several surface treatments to remove any impurities or defects. This includes processes like etching, polishing, and cleaning.6. Doping: In this step, impurities are intentionally added to the wafers to create the desired electrical properties. This is done by diffusing impurity atoms into the wafer surface and then annealing it to activate the dopants.7. Photolithography: Photolithography is used to transfer a pattern onto the wafer surface. A layer of photoresist is applied to the wafer, and then a mask is used to expose the photoresist to light. The exposed areas are then etched away, leaving behind the desired pattern.8. Etching and deposition: Various etching and deposition processes are performed to create the different layers required for the solar cell. This includes the deposition of anti-reflective coatings, metal contacts, and passivation layers.9. Testing and sorting: The finished wafers are then tested to ensure their quality and electrical performance. They are sorted based on their characteristics and classified into different grades.10. Module assembly: The sorted wafers are then assembled into solar modules. This includes connecting the wafers in series and encapsulating them in a protective layer. The modules are then tested for performance and durability.11. Packaging and shipping: The final step involves packaging the solar modules and preparing them for shipping to customers.中文回答:单晶硅水循环车间的工艺流程包括以下几个步骤:1. 原料准备,在这个步骤中,原料硅二氧化物被准备出来。
单锅筒水管锅炉炉膛的水循环回路流程下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
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单晶炉冷却水循环过程嘿,朋友们!今天咱来聊聊单晶炉冷却水循环过程这档子事儿。
你想想啊,这单晶炉就好比是一个娇贵的宝贝疙瘩,得精心呵护着。
而冷却水呢,就像是宝贝疙瘩的贴心小跟班,时刻为它服务。
那这冷却水是咋循环的呢?简单来说,就是从一个地方出来,跑一圈,再回到原来的地方。
就跟咱出去遛弯儿似的,逛一圈还得回家不是?水从进水口欢快地跑进去,就像咱早上精神饱满地出门一样。
然后呢,它在单晶炉里溜达一圈,给炉体降降温,让它别热得发慌。
这时候的水啊,就带着炉体的热气,那感觉就像咱跑完步浑身热乎乎的。
接着,热乎乎的水就跑到冷却装置那里去了,就跟咱跑完步找个凉快地儿歇会儿一样。
在冷却装置里,水把热气一甩,又变得清清爽爽的啦。
然后呢,清清爽爽的水又开开心心地回到进水口,准备开始下一轮的循环。
这循环来循环去的,可不就保证了单晶炉能一直舒舒服服地工作嘛!你说这冷却水循环是不是挺有意思的?它就这么默默地工作着,要是没有它,那单晶炉还不得热得冒烟啦?这就好比是一场精彩的演出,单晶炉是主角,那冷却水就是幕后的大功臣啊!咱再想想,如果冷却水循环出了问题,那可不得了哇!单晶炉就像没了乘凉的大树,那不热坏啦?所以啊,咱可得好好关注这冷却水循环,别让它出啥岔子。
比如说,要是水流量不够了,那不就跟咱跑步喘不上气儿似的,能好受吗?或者冷却装置出问题了,水凉不下来,那不是白忙活一场嘛!咱平时可得多留意留意,时不时检查检查,就像咱时不时得看看自己身体有没有不舒服一样。
发现问题及时解决,别等问题大了才着急忙慌的。
总之呢,单晶炉冷却水循环过程虽然看起来不那么起眼,但它的作用可大着呢!咱可不能小瞧了它。
它就像一个默默守护的卫士,保障着单晶炉的正常运行。
咱得好好对待它,让它一直好好地为我们服务呀!大家说是不是这个理儿呢?。
第一章单晶生长条件设备要求运行条件(以下以TDR-85A-ZJS 炉为例,其余炉型要求参照说明书)(1)冷却水要求水压:炉子进出水压差要求介于2~3 公斤之间,真空泵进出水压差要求公斤以上;炉子进水压力不可超过公斤,炉子上冷却水安全阀设置压力6 公斤;水流率:炉子和电源要求供水量不低于250 升每分钟,单独电源要求供水量不低于20 升每分钟;水温:推荐进水温度18~24oC,最大不超过25oC;水质:弱碱性水,PH 值6~9;氯离子含量≤10ppm,碳酸钙含量≤50ppm;以纯净软水为好。
连接方式:进出水管与炉子之间采用软连接,防止震动传递到炉子。
(2)压缩空气要求气压:≥7 公斤;推荐在压缩空气入口处使用压力调节器。
流率:≥升每秒;汽缸容积:主真空球阀:2 升;辅助真空球阀:升。
(3)电力要求相制:3 相AC380V(±10%)/50Hz;功率:≥192KVA。
配电柜应装有500V、400V 的空气开关,和380V/400A的隔离开关。
(4)炉子真空要求空炉真空度:≤15mTorr;空炉泄漏率:≤30mTorr/hr;带热场泄漏率:≤50mTo r r/hr。
(热场已经煅烧完全)日常维护(1)坩埚轴驱动部件的维护保养 a、经常检查坩埚轴的冷却水是否通畅,避免冷却不充分而损坏坩埚轴;b、每个月对下轴丝杠至少清理一次,每次应先清理干净丝杠和导轨上的油污,加上适当(不可太多)润滑油,然后上下快升降两次。
(2)提拉头的维护保养 a、每次开炉后,检查钢丝绳是否损坏(包括变硬、缠松、有严重毛刺等),如有损坏,立即更换; b、钢丝绳在保管、使用、维修、安装过程中不能造成任何死弯角,否则在运行过程中会引起抖动。
(3)水冷系统的维护保养 a、每次加热前检查水流量是否充足,确保所有水路没有堵塞,水温传感器运行正常; b、出现水温或水量报警要查找原因及时处理。
(4)翻板阀的维护保养每次装炉前检查阀口密封圈是否完好,翻板阀操作是否轻松、无卡滞,底部挥发物是否打扫干净,如发现问题应及时排除。
1、锅炉给水流程图(画图)2.过热器减温水系统过热器系统设有三级喷水减温器,用来调节过热蒸汽温度,一级减温器布置在低过出口集箱至大屏进口集箱的连接管上,二级减温器布置在全大屏过热器出口集箱至屏式过热器进口集箱的连接管上,共两只,三级减温器布置在屏式过热器出口集箱至高温过热器进口集箱的连接管上,共两只。
一级减温器在运行中作汽温的粗调节,是过热汽温的主要调节手段。
当切除高加时,喷水量剧增,此时大量喷水必须通过一级减温器,以防全大屏过热器、屏式过热器和高温过热器超温。
三级减温器作为调节过热蒸汽左、右侧的汽温偏差和汽温微调用,确保蒸汽出口温度。
二级减温器主要调节大屏过热器出口汽温及其左右汽温偏差。
三级减温器均采用多孔喷管式垂直于减温器筒体轴线的笛形管上有许多小孔,减温水从小孔喷出并雾化后,与同方向的蒸汽进行混合,达到降低汽温的目的,调温幅度通过调节喷水量加以控制。
过热器的作用:过热器的作用是锅炉受热面的重要组成部分,它的作用是将饱和蒸汽加热成为具有一定温度的过热蒸汽。
在实际工作时,要求锅炉负荷或其它工况发生变化时,能保证过热蒸汽温度维持在规定范围内。
再热器的作用加热汽轮机高压缸排出的蒸汽,使之成为具有一定温度的再热蒸汽,然后再送回到汽轮机的中低压缸内继续作功。
省煤器再循环的作用在锅炉启动初期,汽包上水结束后,应开启省煤器再循环电动门,以便在点火后升压升温期间使省煤器形成水循环,在汽包连续上水后,关闭省煤器再循环电动门。
对流式过热器的汽温变化具有对流特性,即它的出口温度是随锅炉蒸发量的增大而升高。
辐射和半辐射辐射式过热器的汽温特性与对流式过热器相反,即辐射式过热器的出口温度随锅炉蒸发量的增大而降低。
半辐射过热器同时吸收炉内辐射热量和烟气冲刷的对流热量,因此它的汽温特性介于辐射和对流之间,汽温随蒸发量的变化比较小。
当锅炉蒸发量增大时,其出口汽温可能又小量的增加,也可能有小量的降低,主要取决于辐射和对流两部分吸热量的比例。