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工作服要洁净、穿戴整齐，共32 页停炉、用湿棉丝（或纸巾）将炉体从上到下擦拭干净。
注意事项及原由、所需物品必须准备齐全且保持洁净，且就近摆放，以减少不必要的时间浪费。
副室内适当位置（钼夹头刚入副室时）。
、将单晶放入中转区，待冷却后将炉号及晶体编号，写在单晶上。
转入《石墨件的取出》工序7、取籽晶时应慎重作业，防止损坏籽晶。
8、单晶冷却后，必须及时、准确的依照编码规则对晶棒记录编号（用记号笔标注）接触不锈钢）、准备好耐高温手套、帆布手套（或纯棉纱布手套）、钳子、不锈钢筒。
、用钳子夹住石英埚的上端部分提起，使其松动。
、戴好耐高温手套将石英埚和埚底料取出并全部放入不锈钢筒。
若出现闷炉等意外情况则是能随石英埚体一并取出的一并取出，否则，用耐高温手套、钳子像装料一样取出，直至彻底取出。
注意事项及原由、依次取出三瓣埚、埚底、埚杆。
埚杆从中央孔的位置用埚杆扳手取出不锈钢螺栓。
、取出的石墨件一并放在不锈钢小车上移至适当的位置，自然冷却。
注意事项及原由、不锈钢筒内的埚底料或事故引起的闷炉料待其冷却后都要将其放入指定料筐指定区域。
在石英坩埚明显位置处用记号笔注明晶体编号。
注意事项及原由注意事项及原由1、打开大罐前确认所清扫的真空泵球阀在关闭状态，否则在清理过程中会向炉内返气，扫所需物品。
注意事项及原由、工作服必须洁净。
工作服及物品如果不洁净会给清扫作业及后续的工作带来污染。
、所用物品必须洁净、就近摆放整齐。
物品的齐全及就近摆放能减少不必要的时间浪费。
、用沾有酒精的纸巾擦拭小副室内的附着物。
、用沾有酒精的纸巾认真擦拭副室抽气口、其它小孔、翻板阀四周及转轴。
注意事项及原由、清扫时要自上而下，先清理小副室，如果先清理炉盖后清理小副室，在清扫翻板阀时都会给清理过的炉盖造成污染。
、翻板阀的沟槽部位及焊缝处先用纸巾卷成利于操作的形状认真擦拭。
、擦拭过的部位要氮气认真吹净直至确认无污物。
、以上做过的部位反复操作，直至确认无污物。
、清扫过的小副室将翻板阀盖住阀口，并关闭副室小门。
培训资料培训提纲1．拉制单晶过程异常情况及其处理。
2．石英坩埚的相关知识3．直拉单晶操作及工艺流程，操作注意事项。
拉单晶过程中的异常情况及其处理在拉单晶过程中，经常会出现一些异常情况，作为操作人员除了对设备运行要严密监控之外，对出现的异常情况，应具有一定的应急处理能力，本章节针对各种可能出现的异常情况，介绍一下简单的概念和应急处理的方法。
1、挂边和搭桥挂边是指在熔料过程中，坩埚内绝大部分的多晶硅料熔完了，但有少部分或几块硅块粘在坩埚边上。
搭桥是指在化料时，坩埚原料已全部熔完了，甚至下部在沸腾，但坩埚上部有许多硅块在熔液上部相互接触，形成一座桥，悬挂在上部下不去。
产生这两种情况的主要原因：A装原料不符合要求B 提升坩埚位置和时机不合适C 过早降低了熔料功率熔硅时出现这两种情况要及时处理，就挂边而言，因为现在直拉法系统内都是装导流筒，如果挂边不处理，一旦后边拉单晶把埚位提升时，最终一定会碰到导流筒，导致后续拉晶无法进行，只有停炉，损失很大。
其次是搭桥就更严重，不处理的话就什么也没法做了，只能停炉。
因此有时我们就是冒着硅跳的危险也要把这种情况处理好。
处理方法：首先适当降低埚位，快速升高功率，一旦挂边后搭桥消失，应迅速降温，并适当升高埚位避免硅跳。
2、硅跳硅跳是指熔料过程中，溶液在坩埚中像烧开水一样沸腾，或者液面突然冒出气泡形状,并且有飞溅的现象。
硅跳产生的后果也非常严重，飞溅的溶液可能溅到加热器、保温桶、埚帮、托盘等等;最严重的是易使加热器易产生裂痕，损伤损坏掉。
产生的原因：a多晶硅中有氧化夹层或封闭气泡b石英坩埚内壁上有气泡c加热功率太高，导致温度过高d刚熔完原料时，氩气流量的突然减小。
处理方法：为避免这种情况，我们在装炉时应注意挑选检查多晶硅和石英坩埚（透光仔细观察坩埚内壁上有没有气泡），其次熔料时不要把功率加得太高(功率加的太高导致温度高加剧了原料硅与石英坩埚的反应不利于成晶);时刻注意观察氩气压力流量表是否压力正常。
拉晶工基本操作步骤一)拉晶的基本操作分为13个步骤,如下:1系统启动2清炉3装料4抽空检漏5化料6全熔稳定7引晶缩颈8放肩9转肩10等径11收尾12停炉及热后真空检漏13拆炉二)具体明操作⑴系统启动在系统启动时先通知机修工送电,待通电后打开控制柜电源并通知机修工检查单晶炉冷却水循环系统及氩气是否可以正常使用.打开控制柜电源后检查晶体转动升降和坩埚转动升降是否正常使用以及晶体上升及下降限位,坩埚上升及下降限位是否也调好.检查石墨件和籽晶钢丝绳重锤,钼拉头是否齐全⑵清炉①将炉内石墨件完好的取出②用砂纸和酒精纸将炉底打磨擦试干净③将真空泵抽空管道清理干净④将石墨件用砂纸打磨用究竟纸擦试干净⑤按照取出的顺序反向依次安装注:炉底铜电极和石墨电极及加热器在安装时一定要清理干净避免打火.三)装料①将备好的料检查好后用装料车拖至需安装料的炉前②将托杆螺丝紧好③将炉底用吸尘器吸干净④通知师傅检查石英坩埚及石墨件⑤装料时将母合金先放置在石英坩埚底部⑥将大块料轻轻地放在底部排放整齐，尽量不要有太大的间隙，中块料及小块料用来填补间隙⑦在装到石英坩埚顶部时放下去的料与石英坩埚接触面尽量减少⑧在导流筒放下去后，在导流筒中部将剩余的料装好，注意料在装时不要与导流筒接触⑨全部装好后封炉注：装料时请轻拿轻放，装好后炉筒上口、炉盖上口和副室仓门的橡胶密封皮圈一定要装好，并用酒精纸顺一个方向擦拭干净。
装料时，OCI的多晶必须全部装下，装剩下的料尽可能只剩下一种，装料前检查是否需要换油及是否有配件需要修理四）抽空检漏①封炉后将主室真空泵打开运行2~5分钟，打开主室泵球阀，先开1∕3处待真空泵抽至压力为-0.01再完全打开球阀②将真空抽至7pa以下到极限后关闭主室泵球阀进行检漏，要求3分钟泄露不超过1pa注：在抽空过程中，反复2~3次充氩气再关闭氩气抽空。
如抽不下或泄露过大及时通知机修工修理五）加热化料①抽空检漏完成后将主室泵球阀打开充副室氩气，将压力维持在1.3×310pa②打开加热器电源，切换到温度控制界面将功率加至30kw，半小时后加至50kw，半小时后加至70kw,半小时后加至90kw（加热后将电流过低报警器和加热器异常报警器打开③在高温后，料化至差不多时将功率降至75kw，如有渣则掉渣，无渣就全部化掉注：加热时如有异常报警，及时找机修工修理。
拉晶工基本操作步骤拉晶工基本操作步骤一)拉晶的基本操作分为13个步骤,如下:1系统启动2清炉3装料4抽空检漏5化料6全熔稳定7引晶缩颈8放肩9转肩10等径11收尾12停炉及热后真空检漏13拆炉二)具体明操作系统启动在系统启动时先通知机修工送电,待通电后打开控制柜电源并通知机修工检查单晶炉冷却水循环系统及氩气是否可以正常使用.打开控制柜电源后检查晶体转动升降和坩埚转动升降是否正常使用以及晶体上升及下降限位,坩埚上升及下降限位是否也调好.检查石墨件和籽晶钢丝绳重锤,钼拉头是否齐全清炉①将炉内石墨件完好的取出②用砂纸和酒精纸将炉底打磨擦试干净③将真空泵抽空管道清理干净④将石墨件用砂纸打磨用究竟纸擦试干净⑤按照取出的顺序反向依次安装注:炉底铜电极和石墨电极及加热器在安装时一定要清理干净避免打火.三)装料①将备好的料检查好后用装料车拖至需安装料的炉前②将托杆螺丝紧好③将炉底用吸尘器吸干净④通知师傅检查石英坩埚及石墨件⑤装料时将母合金先放置在石英坩埚底部⑥将大块料轻轻地放在底部排放整齐，尽量不要有太大的间隙，中块料及小块料用来填补间隙⑦在装到石英坩埚顶部时放下去的料与石英坩埚接触面尽量减少⑧在导流筒放下去后，在导流筒中部将剩余的料装好，注意料在装时不要与导流筒接触⑨全部装好后封炉注：装料时请轻拿轻放，装好后炉筒上口、炉盖上口和副室仓门的橡胶密封皮圈一定要装好，并用酒精纸顺一个方向擦拭干净。
装料时，OCI的多晶必须全部装下，装剩下的料尽可能只剩下一种，装料前检查是否需要换油及是否有配件需要修理四）抽空检漏①封炉后将主室真空泵打开运行2~5分钟，打开主室泵球阀，先开1∕3处待真空泵抽至压力为-0.01再完全打开球阀②将真空抽至7pa以下到极限后关闭主室泵球阀进行检漏，要求3分钟泄露不超过1pa注：在抽空过程中，反复2~3次充氩气再关闭氩气抽空。
如抽不下或泄露过大及时通知机修工修理五）加热化料10pa①抽空检漏完成后将主室泵球阀打开充副室氩气，将压力维持在1.3×3②打开加热器电源，切换到温度控制界面将功率加至30kw，半小时后加至50kw，半小时后加至70kw,半小时后加至90kw（加热后将电流过低报警器和加热器异常报警器打开③在高温后，料化至差不多时将功率降至75kw，如有渣则掉渣，无渣就全部化掉注：加热时如有异常报警，及时找机修工修理。
员工知识培训1 硅的简介1.1半导体材料材料按其电阻率可分为超导体材料、导体材料、半导体材料和绝缘材料.半导体材料的电阻率一般介于导体和绝缘体之间,数值一般在10-4-108之间.半导体的电阻率有如下特点:(1)杂质对半导体电阻率的影响很显著,微量的杂质就能引起较大的变化.(2)温度能引起电阻率较大的变化,一般金属材料的电阻率随温度的上升而增大.半导体材料种类很多,最常见的是硅、锗、硒、砷化镓等.半导体又分为本征半导体和杂质半导体.1.2硅的物理性质及提炼过程硅,又叫做矽,化学符号Si,熔点1412℃,固体密度(20℃)2.33g/cm3,液体密度(1420℃) 2.5g/cm3.硅原子按照一定的顺序排列就形成单晶硅,而局部有规则排列总体却无规则排列的是多晶硅.单晶硅是金刚石结构,具有很高的硬度,脆性高,经不起冲击.硅是地壳中含量第二的元素,约占地壳的26%.多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业硅）、太阳能级、电子级：（1）冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。
一般含Si 为90 - 95% 以上，高达99.8% 以上。
（2）太阳能级硅(SG)：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。
一般认为含Si在99.99 %– 99.9999%（4～6个9）。
（3）电子级硅（EG）：一般要求含Si > 99.9999 %以上，超高纯达到99.9999999%～99.999999999%（9～11个9）。
其导电性介于10-4– 1010欧厘米。
将石英砂用焦碳在碳电极的电弧炉中还原可制取金属硅,其反应式为:SiO2 + 3C = SiC + 2CO2SiC + SiO2 = 3Si + 2CO金属硅的纯度一般小于98%,用西门子法可制得半导体级硅(99.999999999%),用西门子法也能制得99.9999%的太阳能级硅.西门子法制得的硅通过单晶炉提拉成单晶硅.另外还有SiHCl3氢还原法(国内主要用此提炼法)、流化床法提炼硅.太阳能级单晶硅经过切断、切方滚圆、切片、扩散、丝网印刷等工序就可制成电池片,然后进行封装、组件。
