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华东交通大学2015—2016学年度第二学期考试卷( A )卷课程名称： 《模拟电子技术基础》 考试时间： 120 分钟 考试方式：闭卷、开卷适用范围：2014级软件工程+电气工程及其自动化专业1. 在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.不定2. 正偏时，对于某个确定的工作点，普通二极管的交流电阻D r 和直流电阻D R 相比 。
A.D D r R <B.D D r R =C.D D r R >D.说不定哪个大3. 如果在电路中测出某PNP 锗管三个电极对地电位分别为: E 6.0V V =，B 5.8V V =，C 1.0V V =，则该管工作在 区。
A.放大B.饱和C.截止D.击穿4.在BJT 的三种接法中，有电压放大作用又有电流放大作用的是 。
A.共射电路 B.共基电路 C.共集电路 D.共射-共基串接电路5. 在OCL 电路中，引起交越失真的原因是 。
A.输入信号大B.晶体管β过大C.电源电压太高D.晶体管输入特性非线性 6. 下面正确的说法是A.工作在甲类状态的功率放大器，无信号输入时有功率损耗B.工作在甲类状态的功率放大器，无信号输入时无功率损耗C.工作在乙类状态的功率放大器，无信号输入时有功率损耗D.工作在甲乙类状态的功率放大器，无信号输入时无功率损耗7. 差动放大电路由双端输出变为单端输出，则其空载差模电压增益 。
A.增加一倍 B.减少一半 C.不变 D.说不定怎样变化 8.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的 。
A.和值 B.差值 C.叠加 D.平均值 9.若想抑制频率高于100Hz 的信号，应选择 。
A.高通滤波电路B.低通滤波电路C.带通滤波电路D.带阻滤波电路10.已知某一放大器的A =100,现要求引入负反馈后，增益A f =10，问反馈系数K f 应为 。
A.0.01B.0.05C.0.09D.0.1 11.正弦波振荡电路的振荡条件是 。
《模拟电子期末练习题》填空题：1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。
10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。
17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。
18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。
19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。
电子技术基础一、填空题（每空2分，共20分）1．模拟信号的特点是在＿＿＿和＿＿＿上是连续的。
2．在N型半导体中＿＿＿＿＿是多子。
在P型半导体中＿＿＿＿＿＿是少子。
3．用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二级管＿＿＿＿，若两次读数都接近尽于0，则此二极管＿＿＿＿，若一次读数很大、一次读数小，则此二极管＿＿＿＿。
4．PN结加正向电压时＿＿，加反向电压时＿＿＿，这种特性称为PN结的＿＿＿特性。
5．常温下，硅二极管的开启电压约＿＿V，导通后在较大电流下的正向压降约＿＿V；锗二极管的开启电压约＿＿V，导通后在较大电流下的正向压降约＿＿V。
9．变容二极管工作时需要加＿＿＿＿＿＿电压。
10．整流电路的任务是将电网＿＿＿＿电压变换成单向脉动＿＿＿＿电压，再通过滤波电路滤去其中的＿＿＿＿成分，得到比较平滑的直流电压。
11．在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位①端为1.5V，②端为4V，③端为 2.1V，则①端为＿＿极，②端为＿＿＿极，③端为＿＿极。
该管为＿＿＿型三极管。
12．放大电路的静态工作点Q随温度变化，是由于三极管的参数＿＿、＿＿和＿＿随温度变化引起的。
13．当三极管上所加直流电压使得＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿时，三极管工作在放大状态。
14．工作在放大状态的三极管，其各极电流之间关系式为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
15．工作在放大状态的NPN型三极管三个电极的电位关系是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
16．三极管输出特性曲线族可以分为＿＿＿＿＿区、＿＿＿＿＿＿区和＿＿＿＿＿区。
17．放大电路中直流分量符号，例如基极电流用＿＿表示；交流分量符号，例如基极电流用＿＿表示；直流分量与交流分量之和的符号，例如基极电流的总量用＿＿＿＿表示。
18．放大器＿＿＿＿＿时的直流工作状态叫静态。
19．放大器必须设置＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，才能避免产生非线性失真。
21．交流通路是放大器的＿＿＿＿等效电路，是放大器＿＿＿＿信号的流经途径。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。
2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。
3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。
4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。
5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。
6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。
（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。
（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。
（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。
（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。
（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。
（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。
（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。
（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。
（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。
（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。
（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。
A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
2015年电类模拟电子技术期末复习题以下题中：场效应管放大器和二阶滤波器不做重点要求i 、选择题（本大题共50小题，每小题0分，共0分。
在每小题给出的四个选项中，只有一个选项是符合题目要求的） 1.当温度降低时，本征半导体中自由电子和空穴的数量将（）A.都增大B.都减小C.都不变D.不确定2.在桥式整流电路中，若整流桥中有一个二极管开路，则输出（ )A 输出电压只有半周波形B 输出电压仍为全波波形C 输出电压无波形，且变压器或整流管可能烧坏D 对电路无实质性影响 3.图示电路是能够提供±15V 电压的稳压电路，选择正确答案填入空内。
（1）整流滤波后电压平均值≈-=I2I1U U ； A ．72VB ．54VB ．36V（2）整流二极管流过的平均电流F I ＝ ， A ．2I R B ．I R B ．21I R 承受的最大反向电压U RM ≈ ； A ．85VB ．42VB ．30V（3）若VD 4开路，则I1U I2U 。
A ．等于B ．大于 B ．小于4.某放大电路在负载开路时的输出电压为16V ，当接入4k Ω负载后，其输出电压降为10V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ）。
A ．2.2 k ΩB ．2.6 k ΩC ．2.8 k ΩD ．2.4 k Ω 5.集成运放的互补输出级采用 ( )A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法6.U IO 越大，表明运放＿＿。
A ．开环差模电压放大倍数越小B ．输入差放级U BE 或（U GS ）的失配越严重C ．输入差放级 的失配越严重7.整流电路如图所示，已知输出电压平均值UO是18V ，则变压器副边电压有效值U 2是（ ）。
A 、40VB 、20VC 、15VD 、12.7Vu O+-8.多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是 （ ）。
A ．输入级B ．中间级C ．输出级D ．增益最高的一级 9.集成运算放大电路中，中间级一般采用共射电路，其目的是 （ ）A ．抑制零点漂移B ．减小输出阻抗C ．阻抗匹配D ．提高电压放大倍数 10.场效应管是 控制 器件A ．电流、电压B ．电流、电流 C. 电压、电流 D ．电压、电压11.上限截止频率为1.5MHz ，下限截止频率为100Hz ，的两个相同的单级放大电路组成一个两级放大电路，这个两级放大电路的上限截止频率约为____。
（A ．1MHz ， B ．1.5MHz ， C ．2MHz ），下限截止频率约为____（A ．70Hz ， B ．100Hz ， C ．150Hz ）。
A|C 12.在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U 1=3V ，U 2=﹣3V ，U 3=﹣2.7V ，则可知该管为（ ）。
A. PNP 锗管B. NPN 硅管C. NPN 锗管D. PNP 硅管13.若单相桥式整流电路的输出电压的平均值为18V ，忽略整流损耗，则整流电路变压器次级电压有效值及整流二极管的最大反相电压分别是（ ）。
14.电路如图1（右上方）所示，RF 引入的反馈为（ ）。
A 、串联电流负反馈B 、串联电压负反馈C 、并联电压负反馈D 、并联电流负反馈15.测得一放大电路中三极管三个管脚1、2、3对地电压分别为V 1=7V, V 2=10V, V 3=6.3V,则1、2、3三个管脚分别为：A ．基极、集电极和发射极 B. 集电极、基极和发射极 C. 发射极、基极和集电极 D. 基极、发射极和集电极16.在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U 1=3V ，U 2=﹣3V ，U 3=﹣2.7V ，则可知该管为（ ）。
A. PNP 锗管B. NPN 硅管C. NPN 锗管D. PNP 硅管17.A.饱和状态B.截止状态C. 放大状态 18.的波形____(A 、仍为正弦波， B 、为非正弦波）B 、与输入不相同），输出电压的相位____(A A|A|B 19.在图3所示电路中，已知u 2ωt V,二极管D 承受的最高反相电压U RM 为（ ）。
A 、、、 10 V D 、 20 V 20.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是（ ）。
A. 稳定输出电压B. 稳定输出电流C. 性能不变D. 静态工作点稳定性变好21.阻容耦合放大电路引入负反馈后________________。
A 、只可能出现低频自激， B 、只可能出现高频自激， C 、低、高频自激均有可能出现。
22.四种两级放大电路的结构框图如图（a ）～（d ）所示。
在通常电路元器件参数情况下，试就下列问题，在图（a ）～（d ）中选择填空：（1）源电压放大倍数s o s U U A u =最大是⎽⎽⎽⎽； （2）源电压放大倍数so s U U A u =最小是⎽⎽⎽⎽。
L U RL UL UL U R R R23.关于理想运算放大器的错误叙述是（ ）。
A ．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B ．输入信号为零时，输出处于零电位；C ．频带宽度从零到无穷大；D ．开环电压放大倍数无穷大24.由理想集成运放A 1、A 2组成的放大电路如图所示，试从以下答案中选择正确的填空。
A 、增大， B 、减小， C 、不变， D 、不能确定。
（1）当R 1阻值增加时，则iou u A u =将________________； （2）当R 2阻值增加时，则u A 将________________； （3）当R 3阻值增加时，则u A 将________________； （4）当R 4阻值增加时，则u A 将________________； （5）当R 5阻值增加时，则u A 将________________。
u ou i25.在图示压控振荡器中，已知A 1、A 2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±12V ；二极管的正向导通电压可忽略不计；U C 是一个0～6V 的直流输入信号。
填表：在表中填入“增大”、“减小”、“不变”或“上移”、“下移”。
设某一电路参数变化时，其余参数均不变。
U Cu O210/320/3 (10)26.放大电路引入并联负反馈，（）输入电阻。
A增大 B减小 C稳定 D以上说法均不正确27.对于理想运放，由虚短概念可得 ( )A. v p=v nB.i p=i nC.v p=v n=0D.i p=i n=028.单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则经电容滤波后的直流输出电压为（）。
A.4.5VB.9VC.12VD.20V29.对于理想运放，由虚短概念可得 ( )A ． v p =v nB ．i p =i nC ．v p =v n =0D ．i p =i n =030.放大电路中的反馈是指________________。
A 、反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号， B 、反馈到放大电路输入回路的信号， C 、反馈到输入回路的信号与反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号之比。
31.两级放大电路，Au1= -20，Au2= -50，若输入电压U i =5mv ，则输出电压Uo 为（ ）A ．-200mvB 、-250mVC 、10VD 、5V 32.关于差动放大器的描述不正确的是（）A 、共模抑制比较高B 、对零点漂移的抑制作用较小C 、电路结构具有对称性D 、能抑制共模信号放大差模信号33.在OCL 乙类功率放大电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）.A.1WB.0.5C. 0.2D. 0.1 34.如图所示串联型稳压电源，选择合适答案填入空内。
（1）Z 211O U R R R U +=且不能调节，这是因为 ； A 、R 1短路 B 、R W 短路 C 、R 2短路 （2）U O ＝0，只是因为 。
A 、A 、B 两点短路 B 、D 、E 两点短路C 、R 3从F 点错接到E 点 （3）U O 高于正常工作的最大输出电压，且不可调，这是因为 ； A 、A 、B 两点短路 B 、D 、E 两点短路 C 、B 、C 两点短路 （4）U O 的调节范围变小，且其数值也变小，这是因为 ； A 、E 、F 两点短路 B 、D 、E 两端短路 C 、VD Z 接反 （5）输出电压U O 中的纹波电压很大，这是因为 。
A 、C 1开路B 、R 3从F 点错接到A 点C 、R 4从E 点错接到A 点VD ~VD35.（ ）运算电路可以实现函数123Y aX bX cX =++,a,b,c 均大于0.A.同相比例B. 反相比例C. 同相求和D.反向求和 36.当温度升高时。
半导体三极管的共射电流放大倍数A 将( )A .减小 B.增大 C.不变 D.不确定37.已知图示电路中晶体管的100=β，要求电路有尽可能大的线性工作范围。
(1)当b R Ω=M 1时，c R 应选____。
A 、1Ωk ， B 、5.1Ωk ， C 、10Ωk ， D 、100Ωk (2)当c R Ω=k 2时，b R 应选____。
A 、100Ωk ，B 、200Ωk ， C 、390Ωk ， D 、1ΩM38.某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 4V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 B ．40 C ．－40 D ．2039.为了提高放大电路的输入电阻和输出电阻，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电流串联B. 电流并联C. 电压串联D. 电压并联 40.图示电路是能够提供±15V 电压的稳压电路，选择正确答案填入空内。
（1）整流滤波后电压平均值≈-=I2I1U U ； A 、72V B 、54V B 、36V（2）整流二极管流过的平均电流F I ＝ ， A 、2I R B 、I R B 、21I R 承受的最大反向电压U RM ≈ ； A 、85V B 、42V B 、30V （3）若VD 4开路，则I1U I2U 。
A 、等于 B 、大于 B 、小于41.使用差动放大电路的主要的目的是为了提高（ ）。
A ．输入电阻B ．电压放大倍数C ．抑制零点漂移能力D ．电流放大倍数42.U IO 越大，表明运放＿＿。
A 、开环差模电压放大倍数越小 B 、输入差放级U BE 或（U GS ）的失配越严重 C 、输入差放级β的失配越严重43.同相比例运算电路的一个重要特点是（ ）。
A ．反相输入端为“虚地”B ．输入电阻较反相比例运算电路的小C ．电流并联负反馈D ．存在共模输入电压44.电路如图1所示, 所有二极管均为理想元件，则 D 1、D 2、D 3的工作状态为（ ）。
