静电场的边值问题
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静电场边值问题的唯一性定理摘要:静电场边值问题及其唯一性定理是一重要知识点,定理的表述和证明都涉及较多的数学知识。
由于唯一性定理的概念对于许多问题(如静电屏蔽)的确切理解有很大帮助,所以我们将给此定理一个物理上的论证,期待大家能从中有所受益. 关键词:静电场;边值;唯一性;静电屏蔽1、问题的提出实际中提出的静电学问题,大多不是已知电荷分布求电场分布,而是通过一定的电极来控制或实现某种电场分布。
这里问题的出发点(已知的前提),除给定各带电体的几何形状、相互位置外,往往是在给定下列条件之一;(1) 每个导体的电势U K ; (2) 每个导体上的总能量Q K ;其中K=1,2,……为导体的编号。
寻求的答案则是在上述条件(称为边界条件)下电场的恒定分布。
这类问题称为静电场的边值问题。
这里不谈静电场边值问题如何解决,而我们要问:给定一组边界条件,空间能否存在不同的恒定电场分布?唯一性定理对此的回答是否定的,换句话说,定理宣称:边界条件可将空间里电场的恒定分布唯一地确定下来。
2、几个引理在证明唯一性定理之前,先作些准备工作——证明几个引理。
为简单起见,我们暂把研究的问题限定为一组导体,除此之外的空间里没有电荷。
(1)引理一 在无电荷的空间里电势不可能有极大值和极小值。
用反证法。
设电势U 在空间某点P 极大,则在P 点周围的所有邻近点上梯度U ∇ρ必都指向P 点,即场强U E ∇-=ρρ的方向都是背离P 点的(见图1-1a 。
)这时若我们作一个很小的闭合面S 把P 点包围起来,穿过S 的电通量为0)(>⋅=⎰S d E S E ρρϕ (1)根据高斯定理,S 面内必然包含正电荷。
然而这违背了我们的前提。
因此,U 不可能有极大值。
用同样的方法可以证明,U 不可能有极小值(参见图1-1b )。
(2)引理二 若所有导体的电势为0,则导体以外空间的电势处处为0。
因为电势在无电荷空间里的分布是连续变化的,若空间有电势大于0(或小于0)的点,而边界上又处处等于0,在空间必然出现电势的极大(或极小)值,这违背引理一。
安培环路定律1)真空中的安培环路定綁在真空的磁场中,沿任总回路取乃的线积分.其值等于真空的磁导率乘以穿过该回路所限定面枳上的电流的代数和。
即in di=^i kk=l2)•般形式的安培环路定律在任总磁场中•磁场强度〃沿任一闭合路径的线积分等于穿过该回路所包鬧而积的自由电流(不包括醱化电流)的代数和。
即B (返回顶端)边值问题1)静电场的边值问题静电场边值问题就是在给定第一类、第二类或第三类边界条件下,求电位函数®的泊松方程(沪卩=一%)或拉普拉斯方程(gp=O)定解的问題。
2)恒定电场的边值问题在恒定电场中,电位函数也满足拉普拉斯方程。
很多恒定电场的问題,都可归结为在一定条件下求竝普拉斯方程(▽?信=° )的解答,称之为恒定电场的边值问题o3)恒定磁场的边值问题(1)磁矢位的边值问题磁矢位在媒质分界面上满足的衔接条件和它所满足的微分方程以及场域上给定的边界条件一起构成了描述恒定磁场的边值问题°对于平行平而磁场,分界而上的衔接条件是* 1 3A 1 dAn磁矢位*所满足的微分方程V2A = -pJ(2)磁位的边值问题在均匀媒质中.磁位也满足拉普拉斯方程。
磁位拉普拉斯方程和磁位在媒质分界面上满足的衔接条件以及场域上边界条件一起构成了用磁位描述恒定磁场的边值问題。
磁位满足的拉普拉斯方程= °两种不同媒质分界浙上的衔接条件边界条件1.静电场边界条件在场域的边界面s上给定边界条件的方式有:第•类边界条件(狄里赫利条件,Dirichlet)已知边界上导体的电位第二类边界条件(聂以曼条件Neumann)已知边界上电位的法向导数(即电荷而密度或电力线)第三类边界条件已知边界上电位及电位法向导数的线性组合5静电场分界而上的衔接条件% "和场*二丘"称为静迫场中分界面上的衔接条件。
前者表明.分界而两侧的电通壮密度的法线分址不连续,其不连续虽就等于分界面上的自由电荷血•密度:后者表明分界而两侧电场强度的切线分址连续。
问题-02-7-1 静电场的边值问题可分为哪几类,是否均满足唯一性定理?
解答:静电场中的典型边值条件包括3类:(1)给定场域边界上的电位值,称为第一类边值条件;(2)给定场域边界上电位的法向导数值,称为第二类边界条件;(3)部分场域边界上给定电位、另一部分场域边界上给定电位的法向导数,称为混合边界条件。
上述三类边界条件与标量电位满足的泛定方程组合成相应的边值问题。
对于第一类边值问题,电位和电场强度的解均唯一;对于第二类边值问题,电场强度的解唯一,电位的解可以相差某一常数,若选定电位参考点,则电位的解也唯一;对于混合边值问题,电位和电场强度的解均唯一。