下载文档原格式
铸造多晶硅杂质和缺陷处理工艺研究进展摘要：近年来，低成本和高效率的多晶硅已经成为最主要光伏材料之一。
本文从太阳能电池制备工艺角度出发，综述了国内外近年来关于对铸造多晶硅杂质和缺陷处理方面的工艺研究进展。
分析比较了各种处理工艺，包括磷吸杂、铝吸杂、磷铝共吸杂和多孔硅吸杂对杂质吸除效果、少子寿命的影响。
也分析了钝化和热处理工艺对多晶硅材料性能的影响。
综合考虑成本要求和除杂效果，高温P-AI联合吸杂以及多孔硅吸杂是较好的选择，它们可能在未来的铸造多晶硅除杂工艺领域中占据重要地位。
一、引言随着国际原油的价格突破100美元/桶，能源问题变得愈来愈严峻。
与此同时，环境问题也要求新能源能够替代化石能源。
自1954年贝尔实验室研制出第一块太阳电池以来，光伏材料为基础所制得的太阳电池直接将太阳能转化为电能，这被公认为解决能源和环境问题最有效的途径之一。
在过去的五年中，光伏产业的年增长率超过了40%，成为目前发展最快的产业。
2006年，全球太阳能电池产能达到了2520MWp，创造了一个价值120亿欧元的产业。
据商业分析，2010年的太阳能产值将达到400亿欧元。
多晶硅作为太阳能电池的主要原料之一，以其相对低廉的成本，成为最重要的原材料，目前已经占据市场50%以上的份额，并且市场份额还有继续扩大的趋势。
但是，由于太阳能用多晶硅原材料很多都来源于微电子工业的头尾料，从而导致太阳能用铸造多晶硅中存在大量的微缺陷和氧、氮、碳等非金属杂质，以及较多的铁、铜、镍、锰、钛等金属杂质。
多晶硅中位错、晶界等这些扩展缺陷存在的悬挂键和金属杂质是少数载流子的复合中心，这些金属杂质和微缺陷在硅禁带中引人了深能级，成为光生少数载流子的复合中心，从而减少了少数载流子的寿命，严重影响了太阳电池的光电转换效率。
如何消除这些因素对多晶硅电池的影响就成为当前研究的主要课题之一。
本文从太阳能电池制备工艺角度出发，综述了国内外近年来关于对铸造多晶硅杂质和缺陷的处理方法的报道，分析比较了各种处理工艺对杂质吸除效果、少子寿命的影响，并对未来的技术和工艺发展的趋势做出了展望。
缺陷和杂质2023-11-09•铸造多晶硅太阳电池概述•铸造多晶硅的结构缺陷•铸造多晶硅中的杂质目录•铸造多晶硅结构缺陷和杂质的表征与检测方法•铸造多晶硅结构缺陷和杂质的控制与优化•展望与未来发展趋势01铸造多晶硅太阳电池概述铸造多晶硅太阳电池的制造工艺已经非常成熟，可以实现大规模生产。
制造工艺成熟转换效率较高制造成本较低铸造多晶硅太阳电池的转换效率较高，可以满足大部分应用需求。
铸造多晶硅太阳电池的制造成本较低，具有较好的经济性。
030201吸光层由多晶硅材料构成，能够吸收太阳光并将其转化为电能。
吸光层导电层由掺杂的多晶硅材料构成，能够将吸光层产生的电流导出并传输到外部电路中。
导电层背反射器用于将太阳光反射回吸光层，以增加光吸收效果。
背反射器导电层制备将掺杂的多晶硅材料通过热处理和加工等工艺制成导电层。
铸造多晶硅太阳电池的制造过程原材料准备制造铸造多晶硅太阳电池需要准备多晶硅材料、掺杂剂、反射器等原材料。
吸光层制备将多晶硅材料通过热处理和掺杂等工艺制成吸光层。
背反射器制备将反射器材料通过加工等工艺制成背反射器。
组装将吸光层、导电层和背反射器组装在一起，形成完整的铸造多晶硅太阳电池。
02铸造多晶硅的结构缺陷在铸造多晶硅中，晶界是常见的结构缺陷。
晶界是指不同晶粒之间的交界，通常会对材料的性能产生负面影响。
在太阳电池中，晶界会降低载流子的迁移率，导致光电转换效率下降。
晶界位错是指晶体结构中的原子排列错位。
在铸造多晶硅中，位错会破坏晶体结构的周期性，导致能带结构发生变化。
位错还会影响载流子的散射和复合，进一步降低太阳电池的性能。
位错铸造多晶硅中的晶界与位错杂质陷阱在铸造多晶硅中，杂质原子通常会聚集在晶界或位错等缺陷处。
这些杂质原子会捕获电子或空穴，形成杂质能级，从而影响载流子的迁移和复合过程。
杂质陷阱对太阳电池的光电转换效率产生负面影响。
热处理与杂质陷阱通过热处理可以部分消除杂质陷阱的影响。
在高温下，杂质原子有机会从缺陷处扩散出去，从而减少杂质陷阱的数量。
铸造多晶硅中的金属杂质及其对硅片性能的影响摘要：关键词：多晶硅铸造多晶硅金属杂质正文：金属杂质特别是过渡金属杂质，在原生铸锭中的浓度般都低于1×10”cm 3，但是它们无论是以单个原子形式，或者以沉淀形式出现，都对太阳能电池的转换效率有重要的影响。
近期由于硅料中所含金属杂质超标，导致多个晶锭出现电阻率严重异常而整锭报废，另外还出现较多晶棒切片后的硅片电阻率出现较大波动，对公司的经济效益带来严重的影响。
下面对铸造多晶硅中金属杂质的性质及其对硅片性能的影响进行详细的分析，为多晶硅片的生产及异常硅片的处理提供一定的参考。
1.铸造多晶硅中金属杂质的来源铸造多晶硅中的金属杂质主要有Fe，Al，Ga，Cu，Co，Ni等，铸造多晶硅中金属杂质的来源主要有以下几个方面：A．原生硅料中含有一定量的金属杂质，这也是金属杂质的一个主要来源。
目前由于硅料异常紧缺，导致一些含杂质较多的硅料在市场上流通，造成铸出的晶锭出现问题的事故时有发生。
B．在硅料的清洗，铸锭及切片的整个过程中由于使用各种金属器件接触，导致金属杂质的引入。
这也是铸造多晶硅中金属杂质含量偏高的一个主要原因。
整个工艺流程中引入金属杂质的途径有很多，例如硅料清洗过程中清洗液的残留，晶锭转运过程中使用的不锈钢转运车，多晶硅棒破碎过程中所使用的铁锤等。
2.过渡族金属在硅片中的扩散和溶解硅中金属杂质的引入可以在晶体生长过程中，或者在硅片的抛光、化学处理、离子注入、氧化或其他处理过程中首先在表面附着，随后后续的高温热处理过程中扩散进入硅基体。
A．金属杂质在硅锭中的分布在高温（>800℃）下，过渡族金属一般都有很快的扩散速度而溶解度则相对较小。
Cu、Ni为快速扩散杂质，在高温下，Cu、Ni的扩散速率甚至可以接近于液相时的扩散速率，达到10-4cm2/s。
而其他的金属杂质，如Fe、Cr等为慢扩散杂质，一般比Cu、Ni的扩散速率慢一到两个数量级，但在高温下仍可以达到几十到几百微米每秒。
太阳电池用铸造多晶硅结构缺陷和杂质的研究作者：周秉林来源：《城市建设理论研究》2013年第14期摘要：铸造多晶硅作为太阳能电池中的主要光伏材料，受到人们的广泛重视。
但多晶硅晶体在生长的过程中不可避免的存在各种缺陷，加之多晶硅中存在氧、碳等杂质，制约了多晶硅电池的效率。
因此，研究不同铸锭区域多晶硅材料的性能及其影响因素，是太阳电池与硅材料研究的一个重要课题。
关键词：太阳电池铸造多晶硅结构缺陷杂质中图分类号：TM911.1 文献标识码：A 文章编号：1引言在替代能源中，应用最广泛的是直接从太阳能得到电的太阳电池，而铸造多晶硅作为最主要的光伏材料也引起人们的关注。
但在铸造多晶硅晶体的生长过程中，不可避免的会有坩埚的玷污、硅料中已有的各种杂质污染以及热应力导致的各种缺陷。
铸造多晶硅中常见的杂质主要是氧、碳及一些过渡金属，如铁、铬、镍、铜等。
含有的晶体缺陷主要有晶界和位错两种。
这些杂质和缺陷会在禁带中引入缺陷能级，具有很强的复合活性。
这就制约了多晶硅电池的效率，使得多晶硅电池与单晶硅电池相比，效率较低。
因此，研究不同铸锭区域多晶硅材料的性能及其影响因素，是太阳电池与硅材料研究的一个重要课题。
特别是关于铸锭边缘低少子寿命区域的研究，对促进铸造多晶硅晶体生长，提高铸造多晶硅材料有效利用率有着非常重要的作用。
2 铸造多晶硅中的杂质及影响因素铸造多晶硅是通过对硅原料进行重熔铸锭而成。
硅原料主要有两种：其一，半导体工业制备单晶硅剩下的头尾料、锅底料以及没制备成功而产生的废料；其二，原生多晶硅与半导体工业废料或高纯金属硅按一定比例混掺，这是由于光伏产业的高速发展导致半导体工业边角废料生产的多晶硅远远不能满足需求，于是，有的企业便采取这种方式来获得生产电池用的多晶硅。
2.1 硅片的少子寿命及其影响因素在一定温度下，处于热平衡状态的半导体材料中的载流子浓度是一定的。
这种处于热平衡状态下的载流子则称为平衡载流子，其浓度，称为平衡载流子浓度。
太阳电池用铸造多晶硅结构缺陷和杂质的研究随着太阳能行业的快速发展，太阳电池成为了最被广泛应用的可再生能源之一。
而铸造多晶硅结构缺陷和杂质对太阳电池的性能和效率具有明显的影响。
因此，对太阳电池用铸造多晶硅结构缺陷和杂质的研究显得尤为重要。
多晶硅是制备太阳电池的主要材料之一，铸造多晶硅是其中应用广泛的一种方法。
然而，在铸造的过程中，多晶硅晶粒之间的间隙处容易出现缺陷和杂质，比如位错、晶界、氧杂质等。
这些缺陷和杂质不仅会影响多晶硅的结构和性质，还会显著地降低太阳电池的效率和性能。
因此，如何有效地减少铸造多晶硅的缺陷和杂质，提高太阳电池的效率，成为了当前太阳电池研究领域的一个热点问题。
针对铸造多晶硅结构缺陷和杂质问题，研究人员提出了一系列方法和措施。
首先，从材料制备方面入手，可先采用高纯度硅粉作为原材料，通过加压、烧结等工艺制备出高质量的多晶硅坯料，进一步降低铸造多晶硅的缺陷和杂质。
其次，在生产工艺上，可适当改变晶种生长的方向和速度，调整铸造的温度和压力等因素，以降低多晶硅晶粒之间的位错和氧杂质等缺陷。
另外，一些表面改性和加工技术也可以应用于铸造多晶硅的制备中，例如电解氧化和化学腐蚀等方法，可以使多晶硅表面更加光滑，减少晶界和裂纹，提高太阳电池的转化效率。
近年来，利用计算机模拟和分析的方法也逐渐在太阳电池研究中得到应用。
一些研究人员通过构建多晶硅薄片的三维模型，对多晶硅中的缺陷和杂质进行分析和预测，并寻找有效的缺陷修复和杂质去除方法，优化太阳电池的发电效率和稳定性。
总的来说，太阳电池用铸造多晶硅结构缺陷和杂质的研究，对太阳能发电技术的发展具有重要的意义。
通过晶体生长、材料制备、生产工艺改进、表面改性和计算机模拟等方面的综合研究，可以不断降低铸造多晶硅的缺陷和杂质，提高太阳电池的转换效率和电池寿命，推动太阳能发电技术的进一步发展。
多晶硅铸锭中的杂质分布及其影响因素摘要近年来，太阳电池发电受到了人们的日益重视。
硅是当前用来制造太阳能电池的主要材料，由于低成本、低耗能和少污染的优势，目前铸造多晶硅已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。
深入地研究材料中的杂质分布利于生产出高成品率的铸造多晶硅锭，降低铸造多晶硅太阳能电池的制造成本，同时也是制备高效率铸造多晶硅太阳能电池的前提。
本文对多晶硅中的杂质及其分布作了深入的研究。
多晶硅中出现的杂质是影响其太阳能电池转换效率的重要因素之一。
本文利用微波光电导衰减仪(μ—PCD)，，以及扫描电镜等测试手段，对铸造多晶硅中的杂质及分布情况以及少子寿命的分布特征进行了系统的研究。
主要包括以下三个方面：氧、铁、碳在铸造多晶硅中的分布规律；铸造多晶硅所测区域内杂质的种类及分布情况；铸造多晶硅中杂质浓度的分布与材料少子寿命的关系。
采用μ—PCD测得了沿硅锭生长方向(从底部至顶部)的少寿命分布图。
结果显示距离硅锭底部3-4 cm，以及顶部3 cm的范围内存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域少子寿命值较高且分布均匀。
进一步通过理论分析得出多晶硅杂质分布的情况以及杂质的来源和影响杂质分布的因素。
关键词：多晶硅，碳，氧，金属Polysilicon ingots in the distribution and determinantsof impuritiesABSTRACTIn recent years, it was becoming more end more important to utilize solar energythrough solar cells．Because low-cost, low energy consumption and less pollution of the advantages of polysilicon has been successfully replaced by the current cast Czochralski silicon solar cells become the main material. In-depth study of the distribution of impurities in materials help to produce high yields of casting sil icon ingots, cast polycrystalline silicon solar cells reduce manufacturing costs, but also highly efficient preparation of cast polycrystalline silicon solar cells premise.In this paper, and distribution of impurities in silicon in depth study. Polysilicon impurities appear to influence the solar cell conversion efficiency of one of the important factors. By using microwave photoconductivity decay meter (μ-PCD),, and scanning electron microscope test means of casting silicon impurities and minority carrier lifetime distribution and the distribution of characteristics of the system. Include the following three aspects: oxygen, iron, carbon in the casting of the Distribution of polysilicon; cast polycrystalline silicon measured in the region and the distribu tion of the types of impurities; cast pol ycrystalline silicon in the impurity concentration distribution of minority carrier lifetime relationship with the material. Won by μ-PCD measurements along the ingot growth direction (from bottom to top) less life distribution. The results showed that the bottom of silicon ingots from 3-4 cm, and 3 cm at the top of therange of memory in the minority carrier lifetime value of a low area, while the middle region of silicon ingots and high minority carrier lifetime value distribution. Further obtained by theoretical analysis as well as the distribution of polysilicon impurity impurity impurity distribution of the sources and effects of the factorsKEY WORDS: polycrystalline silicon,carbon, oxygen, metals目录第一章绪论 (1)§1.1 引言 (1)§1.2 太阳能利用开发的发展趋势 (2)§1.3 铸造多晶硅的生产工艺 (2)§1.3.1 铸锭浇注法 (3)§1.3.2 定向凝固法 (3)§1.3.3 电磁感应加热连续铸造( EMCP) (4)§1.4 铸造多晶硅中主要杂质及影响 (6)§1.4.1 硅中的氧 (6)§1.4.2 硅中的碳 (8)§1.4.3 硅中的过渡金属 (9)§1.5 检测杂质的主要指标 (10)§1.5.1 少子寿命 (10)§1.6 本文研究的目的及主要内容 (10)第二章实验过程 (12)§2.1 样品制备 (12)§2.1.1 实验锭的原料组成 (12)§2.1.2 实验用坩埚及涂层 (12)§2.1.3 铸锭的运行 (12)§2.1.4 多晶铸锭的剖方及取样 (12)§2.2 样品检测 (13)§2.2.1 杂质种类及含量的检测 (13)§2.2.2 少子寿命的检测所用仪器μ—PCD (14)第三章样品检测结果及分析 (15)§3.1样品检测结果及分析 (15)§3.2 分布情况及影响因素 (16)结论 (19)参考文献 (20)致谢 (22)第一章绪论§1.1 引言随着人类社会的高速发展，环境恶化与能源短缺己成为全世界最为突出的问题。
铸造多晶硅中的金属杂质及其对硅片性能的影响摘要：关键词：多晶硅铸造多晶硅金属杂质正文：金属杂质特别是过渡金属杂质，在原生铸锭中的浓度般都低于1×10”cm 3，但是它们无论是以单个原子形式，或者以沉淀形式出现，都对太阳能电池的转换效率有重要的影响。
近期由于硅料中所含金属杂质超标，导致多个晶锭出现电阻率严重异常而整锭报废，另外还出现较多晶棒切片后的硅片电阻率出现较大波动，对公司的经济效益带来严重的影响。
下面对铸造多晶硅中金属杂质的性质及其对硅片性能的影响进行详细的分析，为多晶硅片的生产及异常硅片的处理提供一定的参考。
1.铸造多晶硅中金属杂质的来源铸造多晶硅中的金属杂质主要有Fe，Al，Ga，Cu，Co，Ni等，铸造多晶硅中金属杂质的来源主要有以下几个方面：A．原生硅料中含有一定量的金属杂质，这也是金属杂质的一个主要来源。
目前由于硅料异常紧缺，导致一些含杂质较多的硅料在市场上流通，造成铸出的晶锭出现问题的事故时有发生。
B．在硅料的清洗，铸锭及切片的整个过程中由于使用各种金属器件接触，导致金属杂质的引入。
这也是铸造多晶硅中金属杂质含量偏高的一个主要原因。
整个工艺流程中引入金属杂质的途径有很多，例如硅料清洗过程中清洗液的残留，晶锭转运过程中使用的不锈钢转运车，多晶硅棒破碎过程中所使用的铁锤等。
2.过渡族金属在硅片中的扩散和溶解硅中金属杂质的引入可以在晶体生长过程中，或者在硅片的抛光、化学处理、离子注入、氧化或其他处理过程中首先在表面附着，随后后续的高温热处理过程中扩散进入硅基体。
A．金属杂质在硅锭中的分布在高温（>800℃）下，过渡族金属一般都有很快的扩散速度而溶解度则相对较小。
Cu、Ni为快速扩散杂质，在高温下，Cu、Ni的扩散速率甚至可以接近于液相时的扩散速率，达到10-4cm2/s 。
而其他的金属杂质，如Fe 、Cr 等为慢扩散杂质，一般比Cu 、Ni 的扩散速率慢一到两个数量级，但在高温下仍可以达到几十到几百微米每秒。
太阳级铸造多晶硅沉底材料缺陷和杂质研究1、前言太阳能电池发电具有洁净及可持续产生的特点，导致太阳能发电系统的使用量在不断增长，2004年全球的总产量达到1.2GW。
由于多晶硅相对低的成本，使得太阳能电池市场占有率的快速增长依赖于多晶硅的应用。
然而，太阳能电池工业正面临硅料的短缺，故成本的进一步降低，转换效率的提高十分必要。
多晶硅沉底具有很多晶界、缺陷和杂质，这些都相应的影响其少子寿命，因此多晶硅太阳能电池转换效率低于单晶硅太阳能电池。
目前铸造多晶硅衬底具有较大晶粒尺寸（>1cm），这些晶粒尺寸足大于少数载流子扩散长度。
因此晶界对于转换效率影响微乎其微，相比之下，杂质和缺陷对转换效率的影响更大，因此我们要提高转换效率的话，就需要搞清楚杂质和缺陷的特征。
这篇文章就是研究B掺杂P 型多晶硅杂质和缺陷之间的关系。
2、试验过程试验所用多晶硅衬底由JFE Steel生产.在100cm2面积上少数载流子平均扩散长度大于250μm（少子寿命>30μs），最大扩散长度为780μm.利用JFE Steel多晶硅衬底制作的孔径面积1cm2太阳能电池，最高转换效率为20.3%。
我们所使用的多晶硅衬底为B掺杂（~1016cm-3）电阻率为2.4Ω.cm，厚度为330μm，尺寸为50*50mm。
试验前，锯切损伤层由HNO3和HF混合溶液进行腐蚀，对衬底用碘酒进行钝化，采用μ-PCD法测试的少子寿命分布，作为衡量衬底质量的一个重要指标。
为了评价衬底缺陷分布情况，采用Secco 溶液对衬底进行腐蚀10min后，用光学显微镜进行观察，载流子的复合采用EBIC设备进行研究。
为了研究杂质浓度，我们采用了三种不同类型设备来进行，多晶硅衬底中的间隙氧和替位碳的数量通过空间分辨率100μm的傅里叶红外光谱（μ-FTIR）来测定，总的碳浓度通过SIMS来来测定，铁离子分布通过X射线微探针荧光光谱（μ-XRF）来测定，我们通过热扩散掺杂铁离子就是为了研究在太阳能电池制作中，铁离子杂质对电池性能的影响。
铸造多晶硅晶体生长速率对杂质分布的影响研究摘要目前，铸造多晶硅是最主要的光伏材料，其结晶组织、缺陷、和杂质含量显著影响着太阳能电池的转换效率。
杂质的浓度和分布是影响光电转换效率的重要因素。
由于多晶硅锭的质量好坏主要决定于长晶过程中的固液界面形状及晶体生长速率大小，固液界面形状及晶体生长速率大小对定向凝固的排杂效果起决定作用，一般认为微凸的固液界面更有利于多晶硅杂质和位错的排除。
因此深入研究多晶硅生长速率对杂质分布的影响，分析它对多晶硅锭结晶学及电学性能的影响，不仅有利于生长出高成品率的铸造多晶硅锭，而且可以降低铸造多晶硅硅片的制造成本。
本工作利用微波光电导衰减仪（μ-PCD）、二次离子质谱仪（SIMS）,四探针测试仪以及红外扫描仪（IR）等方法对铸造多晶硅的杂质以及少子寿命的分布进行了系统的研究。
实验发现，硅锭中的氧浓度随硅锭高度的增加而逐渐降低，而碳的分布情况正好相反。
研究发现，在低速凝固条件下所有金属杂质均有很好提纯效果，硅锭中红区较短，少子寿命较高，但铸锭周期较长。
而高速凝固杂质的排除效果不佳，硅锭中红区较长，少子寿命较低。
实验发现多晶硅锭生长速率为 1.5cm/h为工业生产中较优长晶速率。
关键词：铸造多晶硅，杂质，少子寿命，长晶速率The Investigation on the crystal growth rate of Casting polycrystalline silicon influencing on the distributionof impurityABSTRACTAt present,casting polycrystalline silicon is the main PV materil.Its affect the conversion efficiency of solar battery.Impurity concentratio And distribution is the important factor of photoelectric conversion efficiency.because of quality of pool ycrystalline silicon ingots is determined by the position of the solid/liquid inter face and growth rate of crystal. The shape of solid/liquid interface and growth rate determined the quality of rejecting of impurity.Generally think that small protruding liquid-solid interface is more advantageous to the reject of dislocation and impuritry. So further research about polysilicon growth rate influence on the distribution of the impurity of polycrystalline silicon ingots is necessary. By anal ysis electrical behaviour of the ingot, not only help us improve the yield of the ingots,but also can reduce the cost of casting pol ycrystalline silicon.In this thesis, we use Microwavephoto Conductive Deca y(μ-PCD, ScanningInfrared Microscopy(IR), Scanning Infrared Microscopy(SIR M) and Four-point Probe Tester to Investigate the distribution of impurity and Minority carrier lifetime of the ingots.In the experim -ents we find that osygen content increases in vetical direction, While carbon distribution is exactly thepposite.We find that low-speed solidification conditions is good to the reject of all the reject of all the metal inpurity,minority carrier lifetime is higher, but the casting cycle is longer. Whle High-speed solidification to the disadvantage of the reject of impurity.and its minority carrier lifetime is lower Experimen ts have found that poly ingot growth rate for 1.5 cm/h forindustrial production is a better choice.KEY WORDS:casting polycrystalline silicon,impurity, minority carrier lifetime,growth rate of the crysta l目录第一章绪论 ..................................................................... V I §1.1 引言 ................................................................... V I §1.2铸造多晶硅的研究进展 ....................................... V I §1.2.1 浇铸法 . (VII)§1.2.2定向凝固法 (VII)§1.2.3电磁感应加热连续铸造( EMCP) (VIII)§1.3 多晶硅定向凝固原理及相关工艺参数 (X)§1.3.1 多晶硅定向凝固原理 (X)§1.3.2 温度梯度 (X)§1.3.3 长晶速率................................................... X I §1.4 铸造多晶硅中的主要杂质及影响. (XII)§1.4.1 硅中的氧 (XII)§1.4.2 硅中的碳 (XIII)§1.4.3 硅中的过渡金属 (XIII)§1.5铸造多晶硅中的杂质效应 (XIV)§1.5.1 扩散效应 (XIV)§1.5.2蒸发效应 (XIV)§1.5.3分凝效应 (XV)§1.6 铸造多晶硅锭的主要参数及检测方法 (XVI)§1.6.1 少子寿命 (XVI)§1.6.2电阻率 (XVII)§1.6.3 IR阴影测试 (XVII)§1.6.4杂质浓度测试 ....................................... X VIII §1.7本文研究的主要目的及内容 ........................... X VIII 第二章实验过程 (XX)§2.1样品制备 (XX)§2.1.1检料 (XX)§2.1.2 多晶铸锭过程 (XX)§2.1.3剖方取样 (XXV)§2.2 样品检测....................................................... X XVI §2.2.1 少子寿命检测....................................... X XVI§2.2.2 IR阴影检测 (XXVII)第三章实验结果及分析 (XXVIII)§3.1 实验结果 (XXVIII)§3.1.1 少子寿命检测结果 (XXVIII)§3.1.2 IR阴影检测结果................................... X XIX §3.2 结果分析....................................................... X XIX §3.2.1 碳的浓度分布....................................... X XIX§3.2.2 氧的浓度分布....................................... X XIX 结论 (XXX)参考文献 (XXX)致谢 (XXXIII)第一章绪论§1.1 引言3E，即能源(Energy)、经济(Economy)和环境(Environment)，被称为人类文明可持续发展所面临的三大课题。
