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电子科技大学考研829 数字电路 模拟电路本科试卷考研真题

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新版杭州电子科技大学电子科学与技术考研经验考研参考书考研真题

新版杭州电子科技大学电子科学与技术考研经验考研参考书考研真题

新版杭州电⼦科技⼤学电⼦科学与技术考研经验考研参考书考研真题在决定考研的那⼀刻，我已预料到这⼀年将是怎样的⼀年，我做好了全⾝⼼地准备和精⼒来应对这⼀年枯燥、乏味、重复、单调的机械式⽣活。

可是虽然如此，我实在是⼀个有⾎有⾁的⼈呐，⾯对诱惑和惰性，甚⾄⼏次妥协，妥协之后⼜陷⼊对⾃⼰深深的⾃责愧疚当中。

这种情绪反反复复，曾⼏度崩溃。

所以在此想要跟各位讲，⼼态⽅⾯要调整好，不要像我⼀样使⾃⼰陷⼊极端的情绪当中，这样⽆论是对⾃⼰正常⽣活还是考研复习都是⾮常不利的。

所以我想把这⼀年的经历写下来，⽤以告慰我在去年饱受折磨的⼼脏和躯体。

告诉它们今年我终于拿到了⼼仪学校的录取通知书，你们的付出和忍耐也终于可以扬眉了。

知道⾃⼰成功上岸的那⼀刻⼼情是极度开⼼的，所有⼼酸泪⽔，⼀扫⽽空，只剩下满⼼欢喜和对未来的向往。

⾸先⾮常想对⼤家讲的是，⼤家选择考研的这个决定实在是太正确了。

⾮常⿎励⼤家做这个决定，⼿握通知书，对未来充满着信念的现在的我尤其这样认为。

当然不是说除了考研就没有了别的出路。

只不过个⼈感觉考研这条路⾛的⽐较⽅便，流程也⽐较清晰。

没有太⼤的不稳定性，顶多是考上，考不上的问题。

⽽考得上考不上这个主观能动性太强了，就是说，⾃⼰决定⾃⼰的前途。

所以下⾯便是我这⼀年来积攒的所有⼲货，希望可以对⼤家有⼀点点⼩⼩的帮助。

由于想讲的实在⽐较多，所以篇幅较长，希望⼤家可以耐⼼看完。

⽂章结尾会附上我⾃⼰的学习资料，⼤家可以⾃取。

⼀、杭州电⼦科技⼤学电⼦科学与技术的初试科⽬为：（101）思想政治理论、（201）英语⼀、（301）数学⼀、(849)数字电路与信号系统⼆、(849)数字电路与信号系统参考书⽬为：《数字电⼦技术基础》潘松等编，科学出版社《数字电⼦技术基础》阎⽯主编，⾼等教育出版社，《信号与系统》郑君⾥等编，⾼等教育出版社先说英语，最重要的就是两个环节：单词和真题。

关于单词单词⼀定要会，不⽤着急做题，先将单词掌握牢，背单词的⽅式有很多，我除了⽤乱序单词，我还偏好使⽤⼿机软件，背单词软件有很多，你们挑你们⽤的最喜欢的就好，我这⾥就不做分享了。

电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题

电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题

电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。

淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。

成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案

成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。

掺杂浓度越高，内建电势将越（）。

2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。

5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。

7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。

（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。

（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。

12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。

13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。

14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。

一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。

（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。

电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题

电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。

2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。

例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。

3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。

4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。

电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。

5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。

6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。

7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。

8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。

双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。

（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。

（填“>”、“<”或“=”）11、增加双极型晶体管的基区宽度将（）厄尔利电压，（）基极电阻，（）基区输运系数。

12、NMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。

当|V BS|增加时，其阈值电压将（）。

（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（）散射及电离杂质散射作用外，还会受到（）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（）体内载流子迁移率。

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (1)

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (1)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第二学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小2.关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B )A 衬底PNP一般耐压较高.B 衬底PNP一般共射电压增益较高.C 衬底PNP一般容易实现大电流D 衬底PNP不能采用n+ 埋层.3.对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C )A 变小, B不变, C变大, D可大可小.4.室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负5.对采用N+作下极板的MOS电容, 采用以下哪种方法可以提高MOS电容值与寄生电容值之比.( C )A, 增加MOS电容面积,………密………封………线………以………内………答………题………无………效……B. 减小MOS电容面积.C 增加衬底的反向偏压.D 减小衬底的反向偏压.6.在版图设计中, 电学规则检查称为（ B ）A. EXTRACTB. ERCC. DRCD. LVS7.随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压会（ D ）A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低8.对CMOS PTAT源，器件是工作在（ D ）A．饱和区和线性区 B. 都是饱和区 C.线性区和亚阈区 D. 饱和区和亚阈区9.下图示出的剖面图( C )ABA．A是纵向pnp, B是纵向pnpB．A是横向pnp, B是纵向pnpC．A是纵向pnp, B是横向pnpD．A是横向pnp, B是横向pnp10.对于电流镜的要求, 那种说法正确( C )A. 输出阻抗高B输出阻抗低C交流输出阻抗高D直流输出阻抗高11.Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.差分放大器差模电压增益为( B )A．-g m R c B. g m R c C. -2g m R c D. 2g m R c………密………封………线………以………内………答………题………无………效……13.在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中，（ C ）不可采用。

电子科大历年信号与系统考研试题

电子科大历年信号与系统考研试题
1. 试确定 H s ，画出其零极点图并标注收敛域；
2. 试求系统的单位冲激响应 ht ；
3. 若输入 x t et , t ，试求系统的输出 y t ；
4. 该系统是否稳定，是否因果。
xt
1/ s
1/ s
yt
2
2005年信号与系统考研试题
五、（16分）某离散时间系统的差分方程为：
yn 5 yn 1 1 yn 2 f n 1
电子科技大学
2008 年攻读硕士学位研究生入学试题
考试科目：836 信号与系统和数字电路
1.（15 分）完成下列卷积和与卷积积分的运算：
⑴．已知 x1n n n 1， x2 n 2n un 1 un 2
计算 xn x1n x2 n ，并画出 xn的波形；
⑵．已知 x1 t ut u t 2 ， x2 t x1 2t
2009年信号与系统考研试题
试求出 xt 并画出其波形。
2.
（15
分）已知信号
x
t
sin
t
t
2
和
g
t
x nTS
t
nTS
，TS
2 3
，其傅里
叶变换分别为 X j 和 G j 。为确保 G j 1.5X j , 0 ，求出0 的最大
值。
3. (9 分) 实基带信号 xt 具有频谱 X j 0 , 100 ，假定 y t xt e jct ，试
3. 画出系统的幅频特性曲线，说明这是一个什么类型的系统。
R
Vi
Vo
R
C
2007年信号与系统考研试题
1. （10 分）某离散时间系统的输入为 xn，输出为 yn ，其输入输出关系为
y

电子科大考研真题：836信号与系统和数字电路

电子科大考研真题：836信号与系统和数字电路
………….. 0000
输出 RCO
0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
图 2-3
第6页 共7页
三：设计题（二小题共 25 分）（设计题可以不画具体电路图，但必须有详细且明确的连接 关系表达，如逻辑函数表达；器件管脚说明，信号-管脚连接表等。） 1）（10 分）设计一个实现 Z=2.5·Y 乘法运算的组合电路，其中 Y 是输入，为 4_bit 二进 制码字；Z 为二进制输出。（电路实现结构、器件自选，必须说明设计思路。） 2）（15 分）试用 D 触发器和必要的逻辑门设计一个时钟同步状态机电路。电路功能要求： 在电路复位（低电平复位）有效后，每输入 5 个时钟脉冲时，在第 3 个和第 4 个时钟脉冲处， 输出端 Z 都有一个脉冲输出（波形如图 3-2 所示）。由于后续电路对输出信号 Z 的脉冲边沿 有要求，请在设计中考虑器件延时对输出波形的影响；要求能自启动。（电路结构、器件自 选，必须说明设计思路。）
二、（１０分）已知 LTI（线性时不变）连续时间系统冲激响应为 h0 (t) ，当输入是 f0 (t) 时，
响应为 y0 (t) 。如果另一 LTI 连续时间系统冲激响应 h(t) 和输入信号 f (t) 分别表示如下，
并设其响应为 y (t) 。用卷积的概念和性质求系统的响应 y (t) （用 y0 (t) 表示）。（请给出推
j sin(5πt)
h 2(t)
y3 (t)
f(t)
h 1(t)
y1(t)
y(t)
图 2 (a)
F(ω) 1
−2π
0
2π ω
图 2 (b) 图 2、第４题图
第3页 共7页
五、（16 分）求解下列问题：
∞
∑ （1）信号 m(t) = δ (t − kT ) ，T > 0 ，是否周期信号，若是，周期是多少？ k =0 ∞

(NEW)电子科技大学《839自动控制原理》历年考研真题汇编(含部分答案)

(NEW)电子科技大学《839自动控制原理》历年考研真题汇编(含部分答案)

目　录
2014年电子科技大学839自动控制原理考研真题
2013年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2012年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2011年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2010年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2009年电子科技大学839自动控制原理考研真题（部分）及详解2008年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2007年电子科技大学436自动控制原理考研真题及详解
2006年电子科技大学436自动控制原理考研真题及详解
2005年电子科技大学426自动控制原理考研真题及详解
2004年电子科技大学426自动控制原理考研真题及详解
2003年电子科技大学426自动控制原理考研真题及详解
2014年电子科技大学839自动控制原理考研
真题。

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F=X3X2X0+X3X2X1+X2X1X0+X3X1X0
(A)
=( ( X3X2X0)’ (X3X2X1)’ (X2X1X0)’ (X3X1X0)’ )’ (B)
X3 X2 X1 X0 F 00 0 0 0 00010 00100 00110 01000 01 0 1 0
① 正确写出真值表 得 4 分 真值表错一行扣一分，4 分扣完为止。
1 1 0 0 DDDDDDDDDDDDDDDD
1 1 0 1 DDDDDDDDDDDDDDDD
1 1 1 0 DDDDDDDDDDDDDDDD
1 1 1 1 DDDDDDDDDDDDDDDD
5）、已知某组合逻辑电路的输入波形 A，B，C 和输出波形 F 如下图所示。问该
电路的标准和表达式是（ D ）。
之间满足（ 对偶
）关系。
A) 对偶 B) 相等 C) 香农展开 D) 反演
4）、设 X,Y 均为 4-bit 二进制数，X 是一个逻辑电路的输入，Y 是该电路的输出。
电路满足以下要求：输入 X 是 8421BCD 码，输出 Y 为余三码。在下面的四张真
值表输出 I、输出 II、输出 III、输出 IV 中，符合上述要求的真值表是（ 输出
FII
FIII
FIV
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
10010
1
0
1
10100
1
0
D
10110
1
0
D
11001
0
1
D
11010
1
0
D
11100
1
0
D
11110
1
0
D
3）、逻辑函数 F1 = ∑ABCD(2,4,5,7,9,14) 和 F2 = ∏ABCD(1,6,8,10,11,13)
电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试
“数字逻辑设计及应用”课程考试题 期中卷（120 分钟）考试形式：闭卷 考试日期 2006 年 4 月 22 日
课程成绩构成：平时 20 分， 期中 20 分， 实验 0 分， 期末 60 分
一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计
一、填空题（每空 1 分，共 15 分）
vi 2． 求输入电阻 R
F’==( A’B’+A’C’+D’E’+AD’ )。 6、八路复用器如图所示，该电路实现的逻辑函数 F =( ∑XYZ( 1,2,4, 7) ) =( X⊕Y
⊕Z )。
7、由四个变量构成的最小项 mi 、mj 及最大项 Mi 、Mj，且 i ≠ j。最大项 Mi 、Mj 之和是( “1” )；最小项 mi 、mj 之积是( “ 0”)。
∑ A.
(1,3,5, 7)
A,B ,C
∑ B.
(0, 2, 4, 6)
A,B ,C
∑ C.
(2,3,5, 7)
A, B,C
∑ D.
(1, 2, 4, 7)
A,B,C
分析、设计题部分：
五、 电路图如下所示，试完成下述工作：
1） 写出电路对应的输出逻辑函数 Y 的最简积之和表达式（与或表达式）；
(4 分)
2）、已知逻辑函数为：F =(((A +B)’ + C’ )’ + D)’, 在下面的四张真值表 FI、FII、
FIII、FIV 中，符合上述要求的真值表是（ FIII
）。
A B C D FI 00001 00011 00101 00111 01001 01010 01100 01110 10001
数。（ × ）
四、选择题（每题 4 分，共 20 分）
1 ）、 用 卡 诺 图 (Karnaugh Map) 求 下 列 逻 辑 函 数 F =
∑ W,X,Y,Z (1,5,6,7,8,9,13) + d(4,15)
的最简和之积表达式（或与表达式）是（ B
）
A) F= W’X + Y’Z + WX’Y’ B) F= (W + X’ + Z)(W + X + Z)(X + Y’) C) F= W’XY + Y’Z + WX’Y’ D) F=(W + X’ + Z)(W’ +Y’)(W + X + Z)(X + Y’)
8、正逻辑的与门对于负逻辑而言，则是（ 或 ）门。
9、已知 74LS 系列的 VOLmax = 0.5 V, VOHmin = 2.7 V, VILmax = 0.8 V, VIHmin
= 2.0 V, 则高电平直流噪声容限是（
0.7 V ）。
三、判断题（每小题 1 分，共 5 分）
（下列各题正确者在题前括号内画“√”，错误者出 I
输出 II
输出 III
输出 IV
X3 X2 X1 X0 Y3 Y2 Y1 Y0 Y3 Y2 Y1 Y0 Y3 Y2 Y1 Y0 Y3 Y2 Y1 Y0
00000000000000110010
00010001000101000110
00100011001001010111
00110010001101100101
-72 1100 1000 1011 1000 1011 0111
7、已知二进制数 A = 10110100，对应的格雷码（GRAY CODE）表达为（1110 1110 ） 8、与非逻辑门电路的未用输入端应接在（ 高电平或某一个输入信号端 ）上。 9、已知二进制数 A 的补码为：[A]补= 10110100，求 [-A]补=( 01001100 )
1、( 323 )10 =( 101000011
)2
2、(0. 4375 )10 =( 0.0111
)2
3、(1101．0011) 2 = ( 13.1875
)10
4、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )8
5、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。
01000110010001110100
01010111101110001100
01100101110010011101
01110100110110101111
10001100111010111110
10011101111111001010
1 0 1 0 DDDDDDDDDDDDDDDD
1 0 1 1 DDDDDDDDDDDDDDDD
1、格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性 。
（ √）
2、在逻辑或非运算的情况下，只要有输入为 0 时，输出就为 1。 （ × ）
3、以标准和形式构成的逻辑电路中必然存在静态冒险 。
（× ）
4、利用输入无关项，有可能使电路结构得到简化。
（√）
5、卡诺图(Karnaugh Map)中奇异 1 单元的数量决定了最简和电路中与门的个
电子科技大学二零零 五 至二零零 六 学年第 一 学期期 末 考试
模拟电路基础 课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 2006 年 月 日
课程成绩构成：平时 10 分， 期中 30 分， 实验 0 分， 期末 60 分
一
二
三
四
五
合计
一（20 分）、问答题 1．（4 分）波形失真（如削顶失真、削底失真）属于频率失真还是非线性失真？
F=∑X3X2X1X0(0,3,6,9,12,15) = (X3’X2’X1’ + X3’X2X1 + X3X2X1’)X0’ +(X3’X2’X1 + X3X2’X1’ + X3X2X1)X0
=(X3’X2’X0’ + X3X2’X0 + X3X2X0’) X1’ + (X3’X2’X0 + X3’X2X0’ + X3X2X0)
电子科技大学 模拟电路 期末（2000-2011）试卷 14 份+答案 每份不同
电子科技大学 模拟电路 期中（2004-2011）试卷 12 份+答案 每份不同
电子科技大学 数字逻辑电路 本科试卷（2002 年以后） 17 套（每份不同）
829 数字电路与模拟电路 2000-2010 真题与答案
电子科大 模拟电路 简答题 试题库（100 道左右） 电子科技大学 考研 模拟电路 2007-2010 四份 电子科技大学 模拟电路 吴援明课后习题答案电子科技大学 模拟电路 PPT 3 份 电子科技大学 数字逻辑 电路 PPT 2 份 数字逻辑电路课后答案 所有资料不重复。 淘宝网：/item.htm?id=9960243831
X1
=(X3’ X1’X0’ + X3’X1X0 + X3X1’X0) X2’+(X3’X1X0’ + X3X1’X0’ + X3X1X0) X2
=(X2’X1’X0’ + X2’X1X0 + X2X1X0’ ) X3’+(X2’X1’X0 + X2X1’X0’ + X2X1X0) X3
直接给出正确电路图得满分。 电路图有错误，无设计细节，扣 8 分； 电路图有错误，有设计细节：真值表正确，得 4 分；函数关系推到正确得 4 分。
2．（5 分）试叙述负反馈技术能改善放大器的哪些性能？
3．（3 分）功放电路中，采用复合管的目的是什么？