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专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
集成电路设计复习题绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2．集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次2．什么是集成电路设计？集成电路设计流程。
（三个设计步骤：系统功能设计逻辑和电路设计版图设计）3．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？5．版图设计规则的概念，主要内容以及表示方法。
为什么需要指定版图设计规则？6．集成电路设计方法分类？（全定制、半定制、PLD）7．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念9．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。
10．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？11．集成电路的可测性设计是指什么？Soc设计复习题1.什么是SoC？2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战？3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么？5.什么是软硬件协同设计？6.常用的可测性设计方法有哪些？7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路，什么是异步电路，各有什么特点？10.逻辑综合的概念。
11.什么是触发器的建立时间（Setup Time），试画图进行说明。
12.什么是触发器的保持时间（Hold Time），试画图进行说明。
13. 什么是验证，什么是测试，两者有何区别？14.试画图简要说明扫描测试原理。
绪论1、 画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2、集成电路分类情况如何？集成电路设计1． 层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。
全部复习题均可在教材上找到参考答案！！！1.摩尔定律的内容：单位面积芯片上所能容纳的器件数量，每12-18个月翻一番。
2.摩尔定律得以保持的途径：特征尺寸不断缩小、增大芯片面积及单元结构的改进。
3.图形的加工是通过光刻和刻蚀工艺完成的。
4.在场区中，防止出现寄生沟道的措施：足够厚的场氧化层、场区注硼、合理的版图。
5.形成SOI材料的三种主要技术：注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。
6.实际的多路器和逆多路器中输入和输出一般是多位信息，如果对m个n位数据进行选择，则需要n位m选一多路器。
7.在氧化层上形成所需要的图形的步骤：甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。
8.版图设计规则可以用两种形式给出：微米规则和λ规则。
9.常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性，解决闩锁效应最有效的办法是开发多晶硅技术。
10.要实现四选一多路器，应该用2位二进制变量组成4个控制信号，控制4个数据的选择。
11.摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是三方面的贡献：特征尺寸不断缩小、芯片面积不断增大、器件和电路结构的不断改进。
12.缩小特征尺寸的目的：使集成电路继续遵循摩尔定律提高集成密度；提高集成度可以使电子设备体积更小、速度更高、功耗更低；降低单位功能电路的成本，提高产品的性能/价格比，使产品更具竞争力。
13.N阱CMOS主要工艺步骤：衬底硅片的选择→制作n阱→场区氧化→制作硅栅→形成源、漏区→形成金属互连线。
14.解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的最佳方案之一，就是采用多晶硅发射极结构，避免发射区离子注入对硅表面的损伤。
15.n输入与非门设计考虑，根据直流特性设计：Kr=KN/KP=n3/2；根据瞬态特性设计：Kr=KN/KP=n。
n输入或非门设计考虑，根据直流特性设计：Kr=KN/KP=n-3/2；根据瞬态特性设计：Kr= Kr=KN/KP=1/n.16.CE等比例缩小定律要求器件的所有几何尺寸，包括横向和纵向尺寸，都缩小k倍；衬底掺杂浓度增大K倍；电源电压下降K倍。
CH11．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。
MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。
特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。
环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。
意义：降低成本。
4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？系统，电路，工具，工艺方面的知识CH21．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 ?原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。
P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。
特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。
欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。
P19,21CH31．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。
外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。
集成电路设计复习题（部分）相关说明：（1）这只是部分内容，但基本可以保证大家通过考试；（2）请大家利用这个周末的时间好好复习，希望大家最好都能记住；（3）最后强调一下：因为最后一周是考试周，学校考场纪律会比较严格，巡考的老师和领导会比较多，大家最好不要带纸条到考场！也就是说，之前的允许大家打小抄的说法基本作废！该花的时间还是要花的！祝大家考试顺利！1、集成电路的发展遵循了什么定律？简述集成电路设计流程。
说明版图设计在整个集成电路设计中所起的作用。
2、（1）集成电路设计方法的种类主要有哪些？（2）名词解释：ASIC、SOC、DSP、HDL等常见缩写3、（1）描述多晶硅在CMOS工艺中所起的基本作用。
（2）假定某材料的方块电阻值为10 Ω，电阻的长度为30 μm，宽度为10 μm，该电阻阻值为多少？如果其他条件不变，长度变为25 μm，则该电阻的阻值又是多少？4、SOI材料是怎样形成的，有何特点？肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？5、讨论半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。
6、写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并说明各自的优缺点。
给出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式。
7、简述双阱CMOS工艺的基本工艺流程。
8、（1）MOSFET的饱和电流主要取决于哪些参数？（2）什么是MOS器件的体效应？请指出（3）版图中有源区接触孔、多晶硅接触孔和通孔的作用各是什么？8、讨论MOSFET的基本结构。
讨论MOSFET的阈值电压及其影响因素。
9、画出电阻的高频等效电路。
集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件，能进行哪些性能分析？10、信号线的版图设计准则有哪些？集成电路封装工艺基本流程有哪些？11、（1）版图设计规则中的基本几何关系主要包括哪几种，试画图说明？（2）电源线的版图设计准则有哪些？（3）某电阻需要通过100微安电流，该电阻宽2微米，如果它的电流密度值为0.12毫安/微米，试通过计算判断该电阻能否可靠工作。
《软件工程基础训练》实训报告在倒入酒的方法中，首先判断当前酒量是否已经达到酒杯的容量。
如果是，则提示酒杯已满；如果不是，则将倒入的酒量加到当前酒量上。
实现一个方法，用于从酒杯中倒出酒。
该方法接受一个参数，表示要倒出的酒量。
在倒出酒的方法中，首先判断当前酒量是否大于等于要倒出的酒量。
如果是，则将当前酒量减去要倒出的酒量；如果不是，则提示酒量不足。
实现一个方法，用于获取当前酒量。
在获取酒量的方法中，直接返回当前酒量的值。
2.1.3程序流程图图 12.1.4设计代码package wmx;import java.io.BufferedReader;import java.io.IOException;import java.io.InputStreamReader;import java.util.StringTokenizer;public class Main1 {}}}}2.1.5代码运行截图图 22.2第二阶段2.2.1需求分析明确问题定义：首先需要明确问题的背景和涉及的实体，例如旅行者、手电筒、桥等。
同时，需要确定问题的目标，即如何让所有人尽快过桥。
确定约束条件：根据问题的描述，我们知道有一些约束条件，例如每个人过桥的速度不同，手电筒不能扔掉，只能两个人同时过桥等。
这些约束条件将影响解决方案的设计。
分析时间需求：由于目标是尽快让所有人过桥，因此需要分析每个人过桥所需的时间。
这将影响如何分配手电筒和如何安排过桥的顺序。
制定策略：基于上述分析，需要制定一个有效的策略来最大化过桥的速度。
这可能涉及到如何分配手电筒，如何安排过桥的顺序，以及如何返回等。
评估和优化：最后，需要对所制定的策略进行评估和优化。
这可能涉及到对策略的模拟、测试和比较，以便找到最优的解决方案。
2.2.2设计思路这是一个经典的过桥问题，通常称为“蒙提霍尔问题”。
在这个问题中，目标是让所有人尽快过桥。
根据题目的条件，每个人单独过桥的时间是已知的，但是两个人一起过桥的时间是较慢的那个人所需的时间。
集成电路复习⼀填空题：（⼀⽹上）1.在集成电路设计中，常⽤的电路仿真软件有___SPICE__________________ 、_____SPECTRE_________2.在模拟集成电路中MOS晶体管是四端器件即：_源极______、__栅极______、___漏极____、_衬底_____.3.MSO管的主要⼏何参数：沟道长度、_沟道宽度_、__栅氧化成厚度________________。
4.饱和区MOS管的直流导通电阻表达式是：________________________________________1，描述集成电路⼯艺技术⽔平的五个技术指标为：集成度、特征尺⼨芯⽚⾯积、晶⽚直径以及封装。
2．在衬底（或其外延）上制作晶体管的区域称为有源区区；⼀种很厚的氧化层，位于芯⽚上不做晶体管、电极接触的区域，称为场区。
3．摩尔定律是：?集成电路的集成度，即芯⽚上晶体管的数⽬，每隔18个⽉增加⼀倍或每3年翻两番。
4．IC设计单位不拥有⽣产线，称为⽆⽣产线，IC制造单位致⼒于⼯艺实现，没有IC设计实体，称为代⼯。
6．根据阈值电压不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。
7．IC⼯艺中的“制版”就是要产⽣⼀套分层的版图掩模，为将来进⾏图形转换，即将设计的版图转移到晶圆上去做准备。
8．薄层电阻⼜称⽅块电阻，其定义为正⽅形的半导体薄层，在电流⽅向所呈现的电阻，常⽤欧姆每⽅表⽰。
其值直接反映的是扩散薄层的杂质总量的多少。
9．半导体集成电路薄膜制备的主要⼯艺有：外延、氧化、蒸发、淀积。
10．在单位电场强度作⽤下，载流⼦的平均漂移速度称为载流⼦的迁移率[cm2/V?S]，它反映了载流⼦在半导体内作定向运动的难易程度，其值的⼤⼩直接影响器件的⼯作速度。
11.CMOS 逻辑电路中NMOS 管是（增强）型，PMOS 管是（增强）型；NMOS 管的体端接（地），PMOS 管的体端接（VDD ）。
12.CMOS 逻辑电路的功耗由3 部分组成，分别是（动态功耗（开关过程中的短路功耗）和（静态功耗）；增⼤器件的阈值电压有利于减⼩（短路功耗和静态）功耗。
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
东 南 大 学 考 试 卷（ A 卷）课程名称 射频与通信集成电路设计 考试学期 06-06-11 得分适用专业考试形式半开卷考试时间长度 120分钟一．问答题1．当传输线长度为1/4波长时，分别计算负载阻抗Z L =0和Z L =∞时的输入阻抗Z in 和负载端反射系数ΓL 。
2．当负载阻抗Z L =112.5Ω，传输线特征阻抗Z 0 = 50Ω时，采用特征阻抗为Z 1的1/4波长传输线完成阻抗匹配，如图1所示。
试计算特征阻抗Z 1的值。
Z LZ in图1二．已知发射机在2GHz 频率点的输出阻抗是Z T = (150+j75) Ω，天线的输入阻抗是Z A =(75+j15)Ω，如图2所示。
设计L 型匹配网络，使天线得到最大功率。
1．取参考阻抗Z 0 =75Ω，计算归一化阻抗z T 和z A 。
2．根据图3所示Smith 圆图中的阻抗变换轨迹，给出L 型匹配网络结构，并计算匹配网络中的元件值。
TAM图2z M = z A*z TC = 1-j1.22z T图3三．图4为无线接收机原理框图，输入端和级间为共轭匹配，每个模块的增益、噪声系数及IIP3分别示于模块的上下方。
1．计算接收机的总噪声系数F；2．计算接收机总IIP3。
LO BB Output图4四．放大器的信号流图如图5所示。
计算输入反射系数Γin = b 1 / a 1和输出反射系数Γout =b 2/a 2|bss=0 。
请列出方程并写出求解步骤。
b 1S 12a 1a 2S 21S 22b 2S 111bssΓLΓS图5五．图6给出了一个功率放大器的电路图，该电路的工作频率为ω0，传输线的特征阻抗Z 0等于负载电阻R L ，长度为l/4波长 (@ ω0)。
1．说明该功率放大器的类型，给出L 2和C 2的谐振频率。
2．说明L 1、C 1和传输线的作用。
图6六．画出超外差接收机和零中频接收机的原理框图，说明它们的优点和存在的问题。
模拟电路—期末复习资料一、判断题1．构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。
( )2.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
( )3. 在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
( )4.由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。
（ ）5.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是输入电压幅值不变，改变频率。
（ ）6. 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
（ ）7.反馈量仅仅决定于输出量。
（ ）8.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）9. 运放的共模抑制比c d CMR A A K 。
( ) 10. 图题图1所示电路中，若Ce 突然开路，则中频电压放大倍数usmA &减小。
（ ）11. 运算电路中一般均引入负反馈。
（ ） 12.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
（ ）13.功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。
（ ）14. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（）15.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）16.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）17.当集成运放工作在非线性区时，输出电平不是高电平，就是低电平。
（）18.在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。
（）19. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
20.电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
21.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（）22.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
1． MOSFET 跨导g m 是如何定义的。
在不考虑沟道长度调制时，写出MOSFET 在饱和区的g m 与
V GS −V TH 、√D 和1V GS −V TH 的关系表示式。
画出它们各自的变化曲线。
2． MOSFET 的跨导g m 是如何定义的。
在考虑沟道长度调制时，写出MOSFET 在饱和区的g m 与
V GS −V TH 、√D 和1
V GS −V TH 的关系表示式。
画出它们各自的变化曲线。
3． 画出考虑体效应和沟道长度调制效应后的MOSFET 小信号等效电路。
写出r o 和g mb 的定
义，并由此定义推出r o 和g mb 表示式。
4． 画出由NMOS 和PMOS 二极管作负载的MOSFET 共源级电路图。
对其中NMOS 二极管负载共
源级电路，推出忽略沟道长度调制效应后的增益表示式，分析说明器件尺寸和偏置电流对增益的影响。
对PMOS 二极管负载的共源级电路，对其增益表示式作出与上同样的分析。
5． 画出MOS 共源共栅级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。
并推出此共源共栅
级电路的电压增益和输出电阻表示式。
6． 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号
等效电路图。
写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出在不考虑沟道长度调制和体效应情况下的小信号电压增益表示式。
画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。
7． 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号
等效电路图。
写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出考虑沟道长度调制和体效应情 况下的小信号电压增益表示式。
画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。
8． 画出以二极管连接的MOS 为负载的差动对和以电流源为负载的差动对的电路图。
并求
出这两种电路的小信号增益。
9．下图给出一个电阻负载共源级放大器的高频模型。
画出其小信号等效电路。
并由此等效
电路推出其传输函数。
就此传输函数，简要说明电路的零极点分布情况。
10．对如下图所示的共源级电路，画出其含有噪声的电路模型。
并根据此模型图写出其输出
噪声电压V n ，out 2̅̅̅̅̅̅̅̅̅和输入噪声电压V n ，in 2̅̅̅̅̅̅̅̅。
11．下图是一个电路系统的环路增益波特图，由图分析此系统的极点和零点情况。
指出系统的稳定性，写出系统的开环和闭环传输函数，并由此求出闭环系统的极点公式来。
12．下图给出了一个采用共源共栅的两级运放电路。
分析指出其极点位置，画出其环路增益的波特图。
如要对此电路进行密勒补偿，补偿电容加在哪里，其值应等于多少？
13．下图所示的电路，在忽略体效应的情况下，分析写出I out的表示式。
并就此表示式进行简要的分析说明。
14．对下图所示的有反馈的共栅级电路，忽略沟道长度调制，分析给出其开环和闭环输入阻抗表示式。
并作简要分析说明。
15．对下图（a）所示的电路，简要分析并明其功能。
根据图（b）的简化等效电路，推出V out/V in的关系表达式。
图（a）图（b）。
