集成电路分析
集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。
集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？
参考答案：
按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。它的发展遵循摩尔定律
解释欧姆型接触和肖特基型接触。
参考答案：
半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。
如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。
如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。
、集成电路主要有哪些基本制造工艺。
参考答案：
集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。
光刻工艺：
光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。
参考答案：
光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。
曝光方式：接触式和非接触式
25、简述光刻工艺步骤。
参考答案：
涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。
26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？
参考答案：
正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液
中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？
参考答案：
需要六次光刻。第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻
第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻
掺杂工艺：
掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
参考答案：
掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。
掺杂的方法有：热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。与热扩散法相比，离子注入法掺杂的优点是：可精确控制杂质分布，掺杂纯度高、均匀性好，容易实现化合物半导体的掺杂等；缺点是：杂质离子对半导体晶格有损伤，这些损伤在某些场合完全消除是无法实现的；很浅的和很深的注入分布都难以得到；对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制；一般离子注入的设备相当昂贵，
试述PN结的空间电荷区是如何形成的。
参考答案：
在PN结中，由于N区中有大量的自由电子，由P区扩散到N区的空穴将逐渐与N区的自由电子复合。同样，由N区扩散到P区的自由电子也将逐渐与P区内的空穴复合。于是在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层。简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。
参考答案：
形成N阱区，确定nMOS和pMOS有源区，场和栅氧化，形成多晶硅并刻蚀成图案，P＋扩散，N＋扩散，刻蚀接触孔，沉淀第一金属层并刻蚀成图案，沉淀第二金属层并刻蚀成图案，形成钝化玻璃并刻蚀焊盘。
表面贴装技术：电子电路表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT），
称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件（简称SMC/SMD，中文称片状元器件）安装在印制电路板（Printed Circuit Board，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。[1]工艺流程简化为：印刷-------贴片-------焊接-------检修
有源区和场区：有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联
之前，两个有源区没有差别。另外，业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。在微电子学中，场区是指一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，可以起到隔离晶体管的作用。
有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶硅连线多做在场区上。
CMOS工艺中的场区（即晶体管以外的区域）需要较厚的氧化层，目的是提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离；同时减小金属层或多晶硅与硅衬底之间的寄生电容。但仅靠增加场氧的厚度仍不能满足对场开启的要求（即满足场在器件正常工作时不可能开启的要求），还要对场区进行注入，增加场区的掺杂浓度，阻止沟道的生成，进一步提高开启电压。
集成电路设计的5个技术指标：1. 集成度（Integration Level）是以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。随着集成度的提高，使IC及使用IC的电子设备的功能增强、速度和可靠性提高、功耗降低、体积和重量减小、产品成本下降，从而提高了性能/价格比，不断扩大其应用领域，因此集成度是IC技术进步的标志。为了提高集成度采取了增大芯片面积、缩小器件特征尺寸、改进电路及结构设计等措施。为节省芯片面积普遍采用了多层布线结构，现已达到7层布线。晶片集成(Wafer Scale Integration-WSI)和三维集成技术也正在研究开发。自IC问世以来，集成度不断提高，现正迈向巨大规模集成(Giga Scale Integration-GSl)。从电子系统的角度来看，集成度的提高使IC进入系统集成或片上系统(SoC)的时代。
2. 特征尺寸 (Feature Size) ?（Critical Dimension）特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。集成电路的特征尺寸向深亚微米发展，目前的规模化生产是0.18μm、0.15 μm 、0.13μm工艺， Intel目前将大部分芯片生产制成转换到0.09 μm 。下图自左到方给出的是宽度从4μm~70nm按比例画出的线条。由此，我们对特征尺寸的按比例缩小有一个直观的印象。
3. 晶片直径(Wafer Diameter) 为了提高集成度，可适当增大芯片面积。然而，芯片面积的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少，从而使生产效率降低，成本高。采用更大直径的晶片可解决这一问题。晶圆的尺寸增加，当前的主流晶圆的尺寸为8吋，正在向12吋晶圆迈进。下图自左到右给出的是从2吋～12吋按比例画出的圆。由此，我们对晶圆尺寸的增加有一个直观的印象。
4. 芯片面积(Chip Area) 随着集成度的提高，每芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。芯片面积的增大也带来一系列新的问题。如大芯片封装技术、成品率以及由于每个大圆片所含芯片数减少而引起的生产效率降低等。但后一问题可通过增大晶片直径来解决。
5. 封装(Package) IC的封装最初采用插孔封装THP (through-hole package)形式。为适应电子设备高密度组装的要求，表面安装封装(SMP)技术迅速发展起来。在电子设备中使用SMP的优点是能节省空间、改进性能和降低成本，因SMP不仅体积小而且可安装在印制电路板的两面，使电路板的费用降低60％，并使性能得到改进。
1、解释基本概念：集成电路，集成度，特征尺寸
参考答案：
A、集成电路（IC：integrated circuit）是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的集成块。
B、集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。
C、特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长（L）尺寸。
2、写出下列英文缩写的全称：IC，MOS，VLSI，SOC，DRC，ERC，LVS，LPE
参考答案：
IC：integrated circuit；MOS：metal oxide semiconductor；VLSI：very large scale integration；SOC：system on chip；DRC：design rule check；ERC：electrical rule check；LVS：layout versus schematic；LPE：layout parameter extraction
3、试述集成电路的几种主要分类方法
参考答案：
集成电路的分类方法大致有五种：器件结构类型、集成规模、使用的基片材料、电路功能以及应用领域。根据器件的结构类型，通常将其分为双极集成电路、MOS集成电路和Bi-MOS集成电路。按集成规模可分为：小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。按基片结构形式，可分为单片集成电路和混合集成电路两大类。按电路的功能将其分为数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。按应用领域划分，集成电路又可分为标准通用集成电路和专用集成电路。
4、试述“自顶向下”集成电路设计步骤。
参考答案：
“自顶向下”的设计步骤中，设计者首先需要进行行为设计以确定芯片的功能；其次进行结构设计；接着是把各子单元转换成逻辑图或电路图；最后将电路图转换成版图，并经各种验证后以标准版图数据格式输出。
5、比较标准单元法和门阵列法的差异。
参考答案：
标准单元方法设计与门阵列法基本的不同点有：(1) 在门阵列法中逻辑图是转换成门阵列所具有的单元或宏单元，而标准单元法则转换成标准单元库中所具有的标准单元。(2) 门阵列设计时首先要选定某一种门复杂度的基片，因而门阵列的布局和布线是在最大的门数目、最大的压焊块数目、布线通道的间距都确定的前提下进行的。标准单元法则不同，它的单元数、压焊块数取决于具体设计的要求，而且布线通道的间距是可变的，当市线发生困难时，通道间距可以随时加大，因而布局和布线是在一种不太受约束的条件下进行的。(3) 门阵列设计时只需要定制部分掩膜版，而标准单元设计后需要定制所有的各层掩膜版。
6、
7、试述集成电路制造中，导体、半导体和绝缘体各起什么作用。
参考答案：
导体：（1）构成低值电阻；（2）构成电容元件的极板；（3）构成电感元件的绕线；
（4）构成传输线（微带线和共面波导）的导体结构；（5）与轻掺杂半导体构成肖特
基结接触；（6）与重掺杂半导体构成半导体器件的电极的欧姆接触；（7）构成元器
件之间的互连；（8）构成与外界焊接用的焊盘。
半导体：（1）制作衬底材料；（2）构成MOS管的源漏区，集成电路中的基本元件就是依据半导体的特性构成。
绝缘体：（1）构成电容的介质；（2）构成MOS（金属-氧化物-半导体）器件的栅绝缘层；
（3）构成元件和互连线之间的横向隔离；（4）构成工艺层面之间的垂直向隔离；（5）构成防止表面机械损伤和化学污染的钝化层。
8、试述半导体特性及其应用。
参考答案：
半导体的电导率在10-22 S·cm-1~10-14 S·cm-1之间，导电性能介于导体与绝缘体之间，半导体的特点是其电导率随外界条件的变化而急剧变化。温度变化、光照，掺入杂质等都能显著改变半导体的导电性能。
半导体的广泛应用：热敏电阻（测温度和自动控制）；光敏电阻（自动控制）；晶体管；集成电路和超大规模集成电路等。
9、列举两种典型的金属与半导体接触。 参考答案：
一种是整流接触，即制成肖特基势垒二极管；另一种是非整流接触，即欧姆接触。
10、
11、试比较p-n 结和肖特基结的主要异同点。 参考答案：
共同点：由载流子进行电流传导。
不同点：p-n 结由少数载流子来进行电流传导；肖特基结的主要传导机制是半导体中多数载流子的热电子发射越过电势势垒而进入金属中。 12、
13、MOS 器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样的特点？若没有，请说明原因。 参考答案：
双极型器件的集电极与发射极不具有对称性，不能互换。虽然双极型器件原理图显示两个PN 结是对称的，但实际制造时发射区的掺杂浓度远远高于集电区，而集电结的面积大于发射结的面积。
14、什么是MOS 管的阈值电压。 参考答案：
引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压V T 。 15、讨论MOS 器件源漏电流与其几何尺寸的关系。 参考答案：
根据本章给出的式（2.3）可知，MOS 器件的栅长L 减小，源漏电流增大；栅宽W 减小，源漏电流减小。但同时减小L 和W ，理论上可保持源漏电流不变。 16、MOS 管的跨导系数与哪些参数有关？ 参考答案：
β是MOS 晶体管的跨导系数，β与工艺参数及器件的几何尺寸有关，其关系为：
)(L
W
t ox
μεβ=
17、试画出MOS 器件跨导与源漏电压的函数曲线。 参考答案：
Vds
Gm
Vgs-Vt
18、根据式（2.3），试推导PMOS 器件在不同工作区域的理想表达式。 参考答案：
0 (a) 截止区
I ds ＝ ()?????
?---22
ds
ds t gs V V V V β （b ）线性区
()2
2
t gs
V V
--
β
（c ）饱和区
18
19、什么叫硅的热氧化？有哪几种热氧化技术？ 参考答案：
硅的热氧化法是指硅与氧或水汽，在高温下经化学反应生成SiO 2。根据氧化剂的不同，热氧化可分为干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。 20、试述晶体外延的意义，列出三种外延方法。 参数答案：
晶体外延的意义是：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度，因而具有不同性质的晶体层。
晶体外延的方法主要有：气相外延生长、金属有机物气相外延生长、分子束外延生长。 21、解释：同质外延、异质外延。 参考答案：
外延生长时，当衬底与外延层为同种材料时称为同质外延，同质外延的目的是形成具有不同掺杂种类及浓度的晶体层，因而它可以具有不同性能。当两者材料相异时称异质外延，异质外延用来形成各种异质结构的器件，如异质结晶体管（HBT ）。 22、掩模在IC 制造过程中有什么作用？ 参考答案：
任何半导体器件及IC 都是一系列相联系的基本单元的组合，如导体、半导体及在基片不同层上形成的不同尺寸的隔离材料等。要制作出这些结构需要一套掩模。因此掩模是IC 制造过程中必须要经过的一个重要环节。
23、比较整版掩模和单片掩模的区别，并列举三种掩模的制造方法。
参考答案：
整版按统一的放大率印制，因此称为1X掩模。这种掩模在一次曝光中，对应着一个芯片阵列的所有电路的图形都被映射到基片的光刻胶上。
单片版通常把实际电路放大5或10倍，故称作5X或10X掩模。这样的掩模上的图案仅对应着基片上芯片阵列中的一个单元。上面的图案可通过步进曝光机映射到整个基片上。
掩模的制造方法：a、图案发生器法；b、x射线制版；c、电子束描述法。
27、试述曝光时间对设计的图形的影响。
参考答案：
曝光时间对设计图形的影响主要是：若曝光时间较长，对于正性光刻胶则得到的图形实际尺寸比预先设计的可能要小；对于负性光刻胶情况正相反。
28、
29、IC制造中常采用什么方法形成金属层？它的作用是什么？
参考答案：
金属层的形成主要采用物理汽相沉积(Pysical Vapor Deposition，简称PVD)技术。在半导体工艺发展过程中，主要的PVD技术有蒸镀和溅镀两种。
金属层的作用有：（1）形成器件本身的接触线；（2）形成器件间的互连线；（3）形成焊盘。
30、列举两种集成电路制造中的器件隔离结构，并比较其优缺点。
参考答案：
两种最常用的隔离结构：局部氧化隔离法隔离(LOCOS)和浅沟槽隔离(STI)。
局部氧化隔离法会产生“鸟嘴”效应，影响器件的性能；浅沟槽隔离法能有效地减小“鸟嘴”效应。
31、试述“鸟嘴”效应是如何产生的？它对MOS器件有什么影响？
参考答案：
通常，IC器件之间通过氧化去来隔离的，在局部氧化隔离工艺中，由于氧化过程中的渗透作用，造成了氧化区具有“鸟嘴形”。这种形状造成了有源区的变化，器件的宽度不再是版图上所画的。这就是所谓的“鸟嘴”效应。当器件尺寸缩小后，它将影响MOS器件的开启电压。
32、
33、上题所述N阱CMOS工艺需要哪几层掩模？每层掩模分别有什么作用？
参考答案：
需要十层掩模，每层掩模及其作用如下：
Mask1：形成n阱区
Mask2：确定NMOS和PMOS有源区
Mask3：场和栅氧化
Mask4：形成多晶硅并刻蚀成图案
Mask5：P＋扩散
Mask6：N＋扩散
Mask7：刻蚀接触孔
Mask8：沉积第一层金属并刻蚀成图案
Mask9：沉积第二金属并刻蚀成图案
Mask10：形成钝化层并刻蚀焊盘
34、为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？
参考答案：
因为NMOS管的导电沟道是由带负电的电子累积而成，而PMOS管的导电沟道是由带正电的空穴累积而成，由于电子的迁移率大约是空穴迁移率的2.5倍，因此NMOS管速度要高于PMOS管。
如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，从理论上讲，PMOS管的栅宽应是NMOS管的2.5倍。
35、双极、CMO和BiCMOS集成电路器件各有何特点。
参考答案：
双极器件具有速度高、驱动能力强和低噪声等特性，但功耗大而且集成度低。CMOS 器件具有低功耗、集成度高和抗干扰能力强等优点，但它的速度较低、驱动能力差，在具有高速要求的环境下难以适应。所以结合了双极与CMOS工艺技术的BiCMOS工艺技术应运而生。BiCMOS工艺技术是将双极与CMOS器件制作在同一芯片上，这样就结合了双极器件的高跨导、强驱动和CMOS器件高集成度、低功耗的优点，使它们互相取长补短、发挥各自优点，从而实现高速、高集成度、高性能的超大规模集成电路。
36、
37、BiCMOS工艺技术常分为哪两类？它们各有什么特点？
参考答案：
BiCMOS工艺技术大致可以分为两类：分别是以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺和以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。一般来说，以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺对保证CMOS器件的性能比较有利，同样以双极工艺为基础的BiCMOS工艺对提高保证双极器件的性能有利。影响BiCMOS器件性能的主要部分是双极部分，因此以双极工艺为基础的BiCMOS工艺用的较多。
38、与以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺相比，以N阱CMOS工艺为基础的
BiCMOS 工艺有什么特点？ 参考答案：
优点包括：（1）工艺中添加了基区掺杂的工艺步骤，这样就形成了较薄的基区，提高了NPN 晶体管的性能；（2）制作NPN 管的N 阱将NPN 管与衬底自然隔开，这样就使得NPN 晶体管的各极均可以根据需要进行电路连接，增加了NPN 晶体管应用的灵活性。它的缺点是：NPN 管的集电极串联电阻还是太大，影响双极器件的驱动能力。如果以P +-Si 为衬底，并在N 阱下设置N +隐埋层，然后进行P 型外延，可使NPN 管的集电极串联电阻减小5-6倍，还可以使CMOS 器件的抗闩锁性能大大提高。 39、目前GaAs 工艺有哪几类？ 参考答案：
GaAs 工艺分为三大类：GaAs MESFET ，GaAs HEMT ，GaAs HBT 40、GaAs HEMT 与MESFET 的主要区别是什么？ 参考答案：
HEMT 也属于FET 的一种，它有与MESFET 相似的结构。HEMT 与MESFET 之间的区别在于有源层。
41、与CMOS 工艺相比，GaAs 工艺有什么主要特点？ 参考答案：
与CMOS 工艺相比，GaAs 工艺具有速度高、噪声小、驱动能力强的优点。但其缺点是价格高、功耗大、成品率低。
42、已知突变PN 结零偏势垒电容为3pF ，内建势垒电压为0.5V ，计算10V 反偏电压时的势垒电容。 参考答案：
pF 65.05
.01013100 ≈+=
???
? ??-=-m
D
j j V
V C C 突变结，m ＝0.5
43、对于渐变结，上述势垒电容值是多少？ 参考答案：
pF 1.15
.0101313
00 =+=
???
? ??-=-m
D
j j V
V C C 渐变结，m ＝1/3
44、什么是MOSFET 的阈值电压，它受哪些因素影响？ 参考答案：
阈值电压Vt 是使半导体表面达到强反型所需加的栅极电压。它受衬底掺杂浓度、体效应、半导体材料的费米势等的影响。
45、试述MOS 管沟道长度L 和宽度W 与阈值电压的关系。 参考答案：
当MOS 工艺发展到亚微米、深亚微米水平后，必须考虑二阶效应。这时，随着沟道长度L 的减小，阈值电压将减小；随着沟道宽度W 的减小，阈值电压将增大。
46、图a 中M1和M2为某CMOS 工艺中的两个NMOS 管，M1的W/L ＝12μm/6μm ，M2的W/L ＝4μm/2μm ，其它物理参数及偏置均相同。图b 中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs 的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。
VDD
GND
Id1
Id2M1
M2
Vgs
Id
Vgs
Id1
（a ）
（b ）
参考答案：
考虑MOS 器件的窄沟道效应，M2的阈值电压比M1的高，所以电流Id2小于Id1。如图
Id
Vgs
Id1
Id2
47、什么是MOS 器件的体效应？ 参考答案：
MOS 工艺中，N 管衬底接最低电位，P 管衬底接最高电位；但它们的源极却未必与衬底电位相同，于是源衬存在电压差，这个电压差将影响阈值电压，这称为体效应。 48、MOS 器件存在哪些二阶效应？分别是由什么原因引起的？
参考答案：
二阶效应包括：短沟道效应，窄沟道效应，迁移率退化，沟道长度调制效应，静电反馈效应等。引起原因见7.4和7.5节。
画出一个PMOS 管叉指数为2的版图俯视图，要求使漏极电容最小。与相同大小的单指NMOS 管相比，漏极电容、栅极电阻有什么变化？ 49、说明MOS 器件噪声的来源、成因及减小方法。
参考答案：
MOS 器件噪声的来源：a 、热噪声，由沟道内载流子无规则运动引起，可通过增加MOS 的栅宽和偏置电流来减小。b 、闪烁噪声，沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起，同样通过增加MOS 的栅宽来减小。
50、MOS 器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？
参考答案：
若MOS 器件按比例因子α缩小后，器件速度得意提高、功耗减小、芯片面积减小集成度提高。
51、什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？ 参考答案：
电阻率ρ是反映材料导电性能的物理量，与导线的长度、横截面积无关。ρ数值上等于L =1m 、A =1m 2时的R 值，ρ越小说明材料导电性能越好。材料的电阻率与温度有关，金属材料的电阻率随温度的升高而增大．一般说温度升高1℃，电阻率增大约0.4 %。 单位：Ω·cm
52、试用电导率为102/（Ω·cm ），厚1μm 的材料设计1k Ω的电阻，设电阻宽1μm ，求其长。 参考答案：
因为：hW
L
R ρ
=，又电导率与电阻率互为倒数，所以： m 10cm 101010110110132443μρ
＝－=??????==
--RhW
L
53、什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。 参考答案：
无源电阻通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻，而有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管的不同的工作区所表现出来的不同的电阻特性来做电阻。
例：无源电阻有：掺杂半导体、多晶硅电阻等；有源电阻有：工作在饱和区的PMOS 器件。
54、集成电容主要有几种结构？并比较不同结构的优缺点。 参考答案：
1）金属-绝缘体-金属(MIM)结构；2）多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；3) 金属的叉指结构4）PN 结电容；5）MOS 电容。
55、利用2μm ×6μm 的多晶硅栅极覆盖在4μm ×12μm 薄氧化层的正中间构成一个MOS 管，已知C ox ＝5×10－
4pF/μm 2，估算栅极电容。
参考答案：
MOS 结构如图所示：
2μm
4μm
所以栅极电容：C o＝5×10－4×2×4＝40pF
56、试述两种传输线电感，比较其优缺点。
参考答案：
传输线电感可以有微带线（Microstrip）和共面波导（CPW）两种实现方法。相对于微带线，CPW的优点是：
1）工艺简单，费用低，因为所有接地线均在上表面而不需接触孔。
2）在相邻的CPW之间有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸。
3）比金属孔有更低的接地电感。
4）低的阻抗和速度色散。
CPW的缺点是：
1）衰减相对高一些，在50GHz时，CPW的衰减大约是0.5dB/mm;
2）由于厚的介质层，导热能力差，不利于大功率放大器的实现。
57、比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。参考答案：
砷化镓和磷化铟等衬底为半绝缘体，硅衬底为半导体。因此，硅衬底上电感有衬底损耗电阻和电容。
58、版图设计的基本前提是什么？
参考答案：
版图设计的基本前提条件是：计算机辅助版图设计工具；版图设计规则；与设计相关的工艺文件。
59、规定版图几何设计规则的意义是什么？
参考答案：
版图几何设计规则为电路设计师和工艺工程师提供了一种必要的信息联系。其主要目标是获得有最佳成品率的电路，而几何尺寸则尽可能地小，同时又不影响电器电路的可靠性。
60、从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？
参考答案：
从设计的观点出发，设计规则可以分为三部分：
（a）决定几何特征和图形的几何规定，这些规定保证各个图形被此之间具有正确的关系．对设计人员来说，这方面的重要考虑是，每层掩模上的各个图形部件应该相切，或者应该保持互相分开；不同掩模上的各个图形部件应该套合，或者应该保持互相分开，一切都符合要求。这些几何关系在确定诸如晶体管纵横比或电容值等最坏情况设计参数方面也很重要。
(b)确定掩模制各和芯片制造中都需要的一组基本图形部件的强制性要求。典型的图形部件可能包括制造中所用的各块掩模精确套准所需的对准标志，把各个电路从硅片切下
来的划片间距以及供压焊封装用的压焊点尺寸。
(c)定义设计人员设计时所用的电参数的范围。通常，这些电参数包括晶体管增益，开启电压、电容和电阻的数值。
61、版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？
参考答案：
DRC：检查版图中同层、不同层间图形的线宽、间距是否满足工艺的最小尺寸要求。
ERC ：检查版图中是否存在开路、短路、浮点等违反电气规则的现象。
LVS ：检查版图网表与电路原理图网表是否一致，即所画版图器件连接与相应的电路图连接关系的一致性检查
62、编写DRC 版图验证文件的主要依据是什么？ 参考答案：
工艺文件中的层次定义和给定的版图设计规则。
63、为提高CMOS 集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施。 参考答案：
合理布置电源接触孔，减小横向电流密度和横向电阻。采用伪收集极。采用保护环。 64、目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？ 参考答案：
Cadence 提供的Virtuoso Layout 版图编辑环境；九天EDA 软件包提供的ZeniPDT 集成版图编辑系统；Tanner 提供的L-Edit 版图编辑工具等。 65. 根据图9.37，给出M 2管的漏极电流表达式。
I ref
I o
M 1
M 2
V DD GND
W 1
L 1W 2
L 2
图9.37
参考答案： ()()r e f
I
L W L W I 11220//=
66. 在图9.38中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M 4的漏电流。
I ref
I o
M 1
M 2
V DD
GND
W 1
L 1W 2
L 2M 3M 4
W 3
L 3W 4
L 4
图9.38
参考答案：
()()()()r e f
I L W L W L W L W I 334411220////=
67、 在图9.38中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出V x 从一个大的正值下降时I x 的
草图。
I ref
I x
M 1
M 2
M 3
M 0GND
V DD GND
+－
V x
图9.39
参考答案：
Vx
Ix I ref
I x
M 1
M 2
M 3
M 0GND
V DD GND
+－
V x
N
A
DS3
TH2A V V V +-TH3N V V -ref
I
68. 设计一个CMOS 差分放大器电路，写出其对应的SPICE 描述语句并作差模电流-电压
特性分析。 参考答案： a amp only
.lib 'd:\mm0355v.l' TT v2 vdd 0 5v v3 3 0 dc 1.2v
mn1 5 1 6 0 nch l=0.4u w=90u
mn2 7 2 6 0 nch l=0.4u w=90u
r1 vdd 5 1k
r2 vdd 7 1k
mcs1 6 3 0 0 nch l=0.4u w=30u
msf1 vdd 5 8 0 nch l=0.4u w=40u
mdf1 8 3 0 0 nch l=0.4u w=30u
msf2 vdd 7 9 0 nch l=0.4u w=40u
mdf2 9 3 0 0 nch l=0.4u w=30u
;.op
vs1 1 0 ac 1 0 pulse(2.5 2.7 0 0.01ns 0.01ns 0.2ns 0.4ns) vs2 2 0 ac 1 180 pulse(2.7 2.5 0 0.01ns 0.01ns 0.2ns 0.4ns) .ac dec 100 1 8g
.let voutdb=db(v(8))
.plot ac voutdb
.tran 0.001ns 10ns 0ns
.plot v(1) v(2) v(5) v(8) v(9)
.end
工作分析期末复习范围 1. 工作分析实施主体的种类及优缺点 2. 如何正确描述与衡量企业的集权与分权P37 集权就是把权力相对集中于组织最高层领导，是其统管所属单位和人员的活动。分权与 之相反，它使领导的直接控制面扩大,减少了管理层次,是最高层与基层之间的信息沟通较 为直接。两者各存优势，也各有不足。为了保证有效的管理，必须实行集权与分权相结合的 领导机制。该集中的权力就集中起来，该放下的权力就应该分给下级，这样才能加强组织的 灵活性和适应性。 集权是指决策权在组织系统中较高层次的一定程度的集中，分权是指决策权在系统组织中较 低层次的一定程度的分散。 衡量:1决策的数量较低管理层作出的决策越多分权的程度越高，反之集权程度高 2决策的范围较低管理层作出的决策范围越广，涉及的职能越多分权的程度越高, 反之集权程歸 3决策的重要性较低管理层作岀的决策越重要,影响面越大分权的程度越高,反之 集权程度高 4决策的审核较低管理层作出的决策，上级要求审核的程度越低分权的程度越高, 反之集权程度高 3. 企业创新活动的源泉和根本是什么P39 组织创新 这是因为，企业的组织及其结构正是通过影响企业生产经营的主要因素，信息流物流灵活 性和组织效率来影响企业的经营和创新活动的。 4. 企业流程再造及主要内容 流程再造又称企业流程重组，以业务流程为改造对象和中心，以客户需求和满意度为目 标,对现有业务流程进行根本的再思考和彻底的再设计,利用先进的制造技术，信息技术。 以及现代化的管理手段，最大限度地实现技术上的功能集成和管理上的只能集成，以打破传 统的职能型组织结工作分析实施主体 1.以人力资源部为主，其他部门 配合； 优缺点 优点 节省瞬; 实施主体了解公司文 化、战略和现状； 缺点 耗费大量人力和时间； 如果工作分析方面的经 验不丰富，会影响实施效果； 2 ?由工作分析需求部门自己实施 工作分析,人力资源部门提供支 持 非常熟悉本部门工作, 收集的信息全面、内行； 节省成本； 从人力资源管理的角度看，实施 过程中和形成的工作分析结果 文 件可能不专业 3. 聘请咨询机构实施工作分析, 人力资源部门配合咨询顾问，协 调问 题，确保计划的实施 耗费咨询费用； 咨询顾问不了解企业具 体情况，组织需要花费时间与他 们进行企业文化、战略、管理等 方 面的沟通
《电路分析基础》学习总结 通过电路基础的学习，我们的科学思维能力，分析计算能力，实验研究能力和科学归纳能力有了很大的提高，为下学期我们学习电子技术打下了基础。 对于我们具体的学习内容，第一到第四章，主要讲了电路分析的基本方法，以及电路等效原理等，而后面的知识主要是建立在这四章的内容上的，可以说，学好前面这四章的内容是我们学习电路基础的关键所在。在这些基础的内容中又有很多是很容易被忽略的。对于第五章的内容，老师让我们自主讲解的方式加深了我们的印象，同时也让我们学会如何去预习，更好的把握重点，很符合自主学习的目的。至于第六章到第十章的内容则完全是建立在前四章的内容上展开的，主要就是学会分析电路图结构的方法，对于一二阶电路的响应问题，就是能分析好换路前后未变量和改变量，以及达到稳态时所求量的值。 对于老师上课方法的感想：首先感谢窦老师和杨老师的辛苦讲课，窦老师声音洪亮，讲课思路清晰，让我们非常受益，杨老师的外语水平让我们大开眼界，在中文教学中，我们有过自主学习的机会，也让大家都自己去讲台上讲课，加深了我们的印象，而且对于我们学习能力有很大提高，再是
老师讲课的思路，让我受益不凡，在这之中感受到学习电路的方法。在双语班的教学中，虽然外语的课堂让我们感觉很有难度，有的时候甚至看不懂ppt上的单词，临时上课的时候去查，但是老师上课时经典的讲解确实很有趣味，不仅外语水平是一定的锻炼，同时也是学习电路知识，感觉比起其他班的同学，估计这应该是一个特色点吧。 对于学习电路感想：学习电路，光上课听老师讲课那是远远不够的，大学的学习都是自主学习，没有老师的强迫，所以必须自己主动去学习，首先每次上完课后的练习，我觉得很有必要，因为每次上完课时都感觉听的很懂，看看书呢，也貌似都能理解，可是一到做题目就愣住了，要么是公式没有记住，要么是知识点不知道如何筛选，所以练习很重要，第二点，应该要反复回顾已经学过的内容，只有反复记忆的东西才能更深入，不然曾经学过的东西等到要用就全都忘记了，不懂得应该多问老师，因为我们是小班，这方面，老师给了我们足够的机会。 另外，我们电路分析基础的课程网站，里面的内容已经比较详实，内容更新也比较快，经常展示一些新的内容，拓宽了我们的视野。
数值分析总复习提纲 数值分析课程学习的内容看上去比较庞杂，不同的教程也给出了不同的概括，但总的来说无非是误差分析与算法分析、基本计算与基本算法、数值计算与数值分析三个基本内容。在实际的分析计算中，所采用的方法也无非是递推与迭代、泰勒展开、待定系数法、基函数法等几个基本方法。 一、误差分析与算法分析 误差分析与算法设计包括这样几个方面： （一）误差计算 1、截断误差的计算 截断误差根据泰勒余项进行计算。 基本的问题是 (1)1 ()(01)(1)! n n f x x n θεθ++<<<+，已知ε求n 。 例1．1：计算e 的近似值，使其误差不超过10－6。 解：令f(x)=e x ,而f （k)(x)=e x ,f （k)(0)=e 0=1。由麦克劳林公式，可知 211(01)2!!(1)! n x x n x x e e x x n n θθ+=+++++<<+ 当x=1时，1 111(01)2! !(1)! e e n n θθ=+++ ++ <<+ 故3 (1)(1)!(1)! n e R n n θ=<++。 当n ＝9时，R n (1)<10－6，符合要求。此时， e≈2.718 285。 2、绝对误差、相对误差及误差限计算 绝对误差、相对误差和误差限的计算直接利用公式即可。 基本的计算公式是： ①e(x)＝x *－x ＝△x ＝dx ② *()()()ln r e x e x dx e x d x x x x ==== ③(())()()()e f x f x dx f x e x ''== ④(())(ln ())r e f x d f x = ⑤121212121122121122((,))(,)(,)(,)()(,)()x x x x e f x x f x x dx f x x dx f x x e x f x x e x ''''=+=+ ⑥121212((,)) ((,))(,) f x x f x x f x x εδ=
工作分析试题预测 第一章工作分析概述 1.工作分析的含义：分析者采用科学的手段与技术，直接收集、比较、综合有关工作的信息，就工作岗位的状况、基本职责、资格要求等做出规范性的描述与说明，为组织特定的发展战略、组织规划，为人力资源管理及其他管理行为提供基本依据的一种管理活动。 2.工作分析的类型：⑴按客体分布的范围——广义的工作分析、狭义的工作分析⑵按工作分析的目的——单一目的、多重目的⑶按工作分析切入点——岗位导向性、人员导向性、过程导向性。 3.工作分析的流程：计划、设计、信息分析、结果表述、运用指导。 4.工作分析的常规程序：准备阶段、调查阶段、分析阶段、完成阶段。 5.工作分析的系统模型：信息的来源、职位信息、工作描述、人力资源管理职能。 6.工作分析的七要素(6W1H):①什么职位②谁来做③如何做④为何做⑤何时做 ⑥为谁做⑦在哪里做 7.工作分析的原则：⑴是分析而不是罗列⑵针对的是工作而不是人⑶以当前的工作为依据⑷事实而不是判断 8.工作分析中需要搜集的信息类型有哪些：⑴工作活动⑵工作中的人的活动⑶在工作中所使用的机器、工具、设备以及工作辅助用品。⑷与工作有关的有幸和无形的因素⑸工作绩效⑹工作背景⑺工作对人的要求 9.工作分析的相关术语：职业生涯、职系、职务、职门、职级、职等。 10.工作分析的作用：⑴整个人力资源开发与管理科学化的基础⑵提高现代社会生产力的需要⑶组织现代化管理的客观需要⑷有助于实行量化管理⑸有助于工作评价、人员测评、定员、定额、人员招聘、职业发展设计与指导、薪酬管理及人员培训的科学化、标准化。⑹对于人力资源管理研究者也是不可缺少的 11.工作分析的结果：⑴工作描述⑵工作说明书⑶资格说明书⑷职务说明书 12.工作描述的内容：①工作名称、职称、工资登记以及直接主管等信息。②工作行为、程序及规范。③工作目的与责任。④工作的人际环境⑤工作的物理环境⑥担任该项工作可以获取的资源。 13.工作描述的作用：⑴作为开发其他工作分析的结果形式的基础⑵作为可直接
一．填空题 1、输电线路的网络参数是指（电阻）、（电抗）、（电纳）、（电导）。 2、所谓“电压降落”是指输电线首端和末端电压的（相量）之差。“电压偏移”是指输电线某点的实际电压和额定 电压的（数值）的差。 3、由无限大的电源供电系统，发生三相短路时，其短路电流包含（强制/周期）分量和（自由/非周期）分量，短路 电流的最大瞬时的值又叫（短路冲击电流），他出现在短路后约（半）个周波左右，当频率等于50HZ时，这个时间应为（0.01）秒左右。 4、标么值是指（有名值/实际值）和（基准值）的比值。 5、所谓“短路”是指（电力系统正常运行情况以外的相与相之间或相与地之间的连接），在三相系统中短路的基本 形式有（三相短路），（两相短路），（单相短路接地），（两相短路接地）。 6、电力系统中的有功功率电源是（各类发电厂的发电机），无功功率电源是（发电机），（电容器和调相机），（并联 电抗器），（静止补偿器和静止调相机）。 7、电力系统的中性点接地方式有（直接接地）（不接地）（经消弧线圈接地）。 8、电力网的接线方式通常按供电可靠性分为（无备用）接线和（有备用）接线。 9、架空线是由（导线）（避雷线）（杆塔）（绝缘子）（金具）构成。 10、电力系统的调压措施有（改变发电机端电压）、（改变变压器变比）、（借并联补偿设备调压）、（改变输电线路参 数）。 11、某变压器铭牌上标么电压为220±2*2.5%，他共有（5）个接头，各分接头电压分别为（220KV）（214.5KV）（209KV） （225.5KV）（231KV）。 二：思考题 1.电力网，电力系统和动力系统的定义是什么？（p2） 答: 电力系统：由发电机、发电厂、输电、变电、配电以及负荷组成的系统。 电力网：由变压器、电力线路、等变换、输送、分配电能的设备组成的部分。 动力系统：电力系统和动力部分的总和。 2.电力系统的电气接线图和地理接线图有何区别？（p4-5） 答：电力系统的地理接线图主要显示该系统中发电厂、变电所的地理位置，电力线路的路径以及它们相互间的连接。但难以表示各主要电机电器间的联系。 电力系统的电气接线图主要显示该系统中发电机、变压器、母线、断路器、电力线路等主要电机电器、线路之间的电气结线。但难以反映各发电厂、变电所、电力线路的相对位置。 3.电力系统运行的特点和要求是什么？（p5） 答：特点：（1）电能与国民经济各部门联系密切。（2）电能不能大量储存。(3)生产、输送、消费电能各环节所组成的统一整体不可分割。（4）电能生产、输送、消费工况的改变十分迅速。（5）对电能质量的要求颇为严格。 要求：（1）保证可靠的持续供电。（2）保证良好的电能质量。（3）保证系统运行的经济性。 4.电网互联的优缺点是什么？（p7） 答：可大大提高供电的可靠性，减少为防止设备事故引起供电中断而设置的备用容量；可更合理的调配用电，降低联合系统的最大负荷，提高发电设备的利用率，减少联合系统中发电设备的总容量；可更合理的利用系统中各类发电厂提高运行经济性。同时，由于个别负荷在系统中所占比重减小，其波动对系统电能质量影响也减小。联合电力系统容量很大，个别机组的开停甚至故障，对系统的影响将减小，从而可采用大容高效率的机组。 5.我国电力网的额定电压等级有哪些？与之对应的平均额定电压是多少？系统各元件的额定电压如何确定？ （p8-9） 答：额定电压等级有（kv）：3、6、10、35、110、220、330、500 平均额定电压有（kv）：3.15、6.3、10.5、37、115、230、345、525 系统各元件的额定电压如何确定：发电机母线比额定电压高5%。变压器接电源侧为额定电压，接负荷侧比额定电压高10%，变压器如果直接接负荷，则这一侧比额定电压高5%。 6.电力系统为什么不采用一个统一的电压等级，而要设置多级电压？（p8） S 。当功率一定时电压越高电流越小，导线答：三相功率S和线电压U、线电流I之间的固定关系为
第一章工作分析概述 1、从工作分析的切入点划分，工作分析有岗位导向型、人员导向型、过程导向型。 2、工作分析的流程包括：计划、设计、信息分析、结果表述、运用指导5个环节。 3、工作分析的表现形式有：工作描述、工作说明书、资格说明书、职务说明书。 4、工作描述是工作分析结果中，最直接最原始最基础的表现形式。 5、一般，任何复杂的工作系统都是从产出、投入、过程、关联因素四个层面进行分析的。 6、信息分析的内容一般包括5个方面内容：工作名称分析、内容分析、环境分析、条件分析、过程分析。 第二章工作分析的历程与发展 1、工作分析的思想活动最早起源于社会分工。 2、历史上第一次进项大规模的工作分析活动的是丹尼斯·狄德罗编撰的第一部百科全书。 3、ORP是指职业研究委员会。 4、黄道婆是我国早期工作分析应用的典范。 5、社会科学研究会对工作分析的贡献在于，通过工作分析，对美国各行各业的职业技能的标准作出了明确规定，并划分为共有部分与特定部分。 6、泰勒在《科学管理原理》一书中介绍了工作新历和工作效率的问题。 第三章工作分析的内容与组织 1、工作分析内容的基础是：工作内容、工作方法、工作的目的与原因、工作的过程与结构。 2、智力水平包括四种能力：独立能力、判断能力、应变能力、敏感能力。 3、工作分析内容的标准化是对工作分析内容的：规范化、结构化、分解化、具体化。 4、标准的工作分析指标体系应符合五大要求，即可操作性、普遍性、独立性、完备性、简约性。 5、工作分析的组织实施包括五大步骤：选择工作分析人员，培训工作分析人员、研究和利用已有的书面资料、实施过程控制方法、公开发表工作分析的结果。
电路分析基础学习总结 通过电路基础的学习，我们的科学思维能力，分析 计算能力，实验研究能力和科学归纳能力有了很大的提高，为下学期我们学习电子技术打下了基础。 对于我们具体的学习内容，第一到第四章，主要讲 了电路分析的基本方法，以及电路等效原理等，而后面 的知识主要是建立在这四章的内容上的，可以说，学好 前面这四章的内容是我们学习电路基础的关键所在。在 这些基础的内容中又有很多是很容易被忽略的。对于第 五章的内容，老师让我们自主讲解的方式加深了我们的 印象，同时也让我们学会如何去预习，更好的把握重点，很符合自主学习的目的。至于第六章到第十章的内容则 完全是建立在前四章的内容上展开的，主要就是学会分 析电路图结构的方法，对于一二阶电路的响应问题，就 是能分析好换路前后未变量和改变量，以及达到稳态时 所求量的值。 对于老师上课方法的感想：首先感谢窦老师和杨老 师的辛苦讲课，窦老师声音洪亮，讲课思路清晰，让我 们非常受益，杨老师的外语水平让我们大开眼界，在中 文教学中，我们有过自主学习的机会，也让大家都自己 去讲台上讲课，加深了我们的印象，而且对于我们学习
能力有很大提高，再是老师讲课的思路，让我受益不凡，在这之中感受到学习电路的方法。在双语班的教学中， 虽然外语的课堂让我们感觉很有难度，有的时候甚至看 不懂ppt上的单词，临时上课的时候去查，但是老师上 课时经典的讲解确实很有趣味，不仅外语水平是一定的 锻炼，同时也是学习电路知识，感觉比起其他班的同学，估计这应该是一个特色点吧。 对于学习电路感想：学习电路，光上课听老师讲课 那是远远不够的，大学的学习都是自主学习，没有老师 的强迫，所以必须自己主动去学习，首先每次上完课后 的练习，我觉得很有必要，因为每次上完课时都感觉听 的很懂，看看书呢，也貌似都能理解，可是一到做题目 就愣住了，要么是公式没有记住，要么是知识点不知道 如何筛选，所以练习很重要，第二点，应该要反复回顾 已经学过的内容，只有反复记忆的东西才能更深入，不 然曾经学过的东西等到要用就全都忘记了，不懂得应该 多问老师，因为我们是小班，这方面，老师给了我们足 够的机会。 另外，我们电路分析基础的课程网站，里面的内容 已经比较详实，内容更新也比较快，经常展示一些新的 内容，拓宽了我们的视野。
数值分析期末复习 题型：一、填空 二、判断 三、解答（计算） 四、证明 第一章 误差与有效数字 一、有效数字 1、 定义：若近似值x*的误差限是某一位的半个单位，该位到x*的第一位非零数字共有n 位，就说 x*有n 位有效数字。 2、 两点理解： （1） 四舍五入的一定是有效数字 （2） 绝对误差不会超过末位数字的半个单位eg. 3、 定理1（P6）：若x*具有n 位有效数字，则其相对误差限为 4、 考点： （1）计算有效数字位数：一个根据定义理解，一个根据定理1（P7例题3） 二、避免误差危害原则 1、 原则： （1） 避免大数吃小数（方法：从小到大相加；利用韦达定理：x1*x2= c / a ） （2） 避免相近数相减（方法：有理化）eg. 或 （3） 减少运算次数（方法：秦九韶算法）eg.P20习题14 *(1)1 1 102n r a ε--≤ ?; x εx ε x εx ++=-+();1ln ln ln ???? ? ?+=-+x εx εx x cos 1-2sin 22x =
三、数值运算的误差估计 1、 公式： （1） 一元函数：|ε*( f (x *))| ≈ | f ’(x *)|·|ε*(x )|或其变形公式求相对误差（两边同时除以f (x *)） eg.P19习题1、2、5 （2） 多元函数（P8）eg. P8例4，P19习题4 第二章 插值法 一、 插值条件 1、 定义：在区间[a,b]上，给定n+1个点，a ≤x 0＜x 1＜…＜x n ≤b 的函数值 yi=f(xi)，求次数不超过n 的多项式P(x)，使 2、 定理：满足插值条件、n+1个点、点互异、多项式次数≤n 的P(x)存在且唯一 n i y x P i i n ,,2,1,0)(Λ==
把握工作分析的6大要点 工作分析是人力资源开发与管理最基本的作业，是人力资源开发与管理的基础。工作分析又称职务分析，是指对组织中各项工作职务的特征、规范、要求、流程以及对完成此工作员工的素质、知识、技能要求进行描述的过程，它的结果是产生工作描述和任职说明。作为人力资源管理者来说，做好工作分析至关重要，特别是要把握以下六大要点： 1、明确目的 不同的组织，或者同一组织的不同阶段，工作分析的目的有所不同。有的组织的工作分析是为了对现有的工作内容与要求更加明确或合理化，以便制定切合实际的奖励制度，调动员工的积极性；而有的是对新工作的工作规范作出规定；还有的企业进行工作分析是因为遭遇了某种危机，而设法改善工作环境，提高组织的安全性和抗危机的能力。在现实中，有的企业人力资源管理部门对工作分析的目的还不是很明确，出现了单纯为了工作分析而工作分析的怪现象，从而使人力资源管理的这一核心技术流于形式、没有达到其应有的目的。这一问题在一些政府机关和国有企业中表现得尤为突出。笔者所在地一知名国有钢铁企业人事部门工作的朋友告诉我，他们也搞了职务说明书和工作描述书，但大都是按照现有工作人员的职责和要求进行编制的，事随人转，根本就没有进行过细致的工作分析，等到人员有什么变动，马上就又起草一份职务说明书，这样的工作分析能否体现工作分析的目的可想而知。 2、认清作用 目前，在许多企业人力资源管理实务中，都强调"以岗位为核心的人力资源管理整体解决方案"。实际上，就是指企业人力资源管理的一切职能，都要以工作分析为基础。的确，工作分析是现代人力资源所有职能，即人力资源获取、整合、保持激励、控制调整和开发等职能工作的基础和前提，只有做好了工作分析与设计工作，才能据此完成企业人力资源规划、绩效评估、职业生涯设计、薪酬设计管理、招聘、甄选、录用工作人员等等工作。有的企业人力资源管理者忽视或低估工作分析的作用，导致在绩效评估时无现成依据、确定报酬时有失公平、目标管理责任制没有完全落实等等，挫伤员工工作积极性和影响企业效益的现象时有发生。
集成电路分析 集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。 集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？ 参考答案： 按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。它的发展遵循摩尔定律 解释欧姆型接触和肖特基型接触。 参考答案： 半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。 如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。 如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。 、集成电路主要有哪些基本制造工艺。 参考答案： 集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。 光刻工艺： 光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。 参考答案： 光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。 曝光方式：接触式和非接触式 25、简述光刻工艺步骤。 参考答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。 26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？ 参考答案： 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液
中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？ 参考答案： 需要六次光刻。第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻 第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻 掺杂工艺： 掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。 参考答案： 掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。 掺杂的方法有：热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。与热扩散法相比，离子注入法掺杂的优点是：可精确控制杂质分布，掺杂纯度高、均匀性好，容易实现化合物半导体的掺杂等；缺点是：杂质离子对半导体晶格有损伤，这些损伤在某些场合完全消除是无法实现的；很浅的和很深的注入分布都难以得到；对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制；一般离子注入的设备相当昂贵， 试述PN结的空间电荷区是如何形成的。 参考答案： 在PN结中，由于N区中有大量的自由电子，由P区扩散到N区的空穴将逐渐与N区的自由电子复合。同样，由N区扩散到P区的自由电子也将逐渐与P区内的空穴复合。于是在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层。简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。 参考答案： 形成N阱区，确定nMOS和pMOS有源区，场和栅氧化，形成多晶硅并刻蚀成图案，P＋扩散，N＋扩散，刻蚀接触孔，沉淀第一金属层并刻蚀成图案，沉淀第二金属层并刻蚀成图案，形成钝化玻璃并刻蚀焊盘。 表面贴装技术：电子电路表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT）， 称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件（简称SMC/SMD，中文称片状元器件）安装在印制电路板（Printed Circuit Board，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。[1]工艺流程简化为：印刷-------贴片-------焊接-------检修 有源区和场区：有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联
工程施工现场管理工作要点分析 【摘要】本文通过阐述工程施工现场管理的重要价值，指出了现阶段工程施工现场管理工作的不足之处，并围绕如何提高工程施工现场管理水平，进行了要点分析，以便保证工程的施工现场管理满足质量、安全、经济等方面的要求，为广大工程施工建设者提供更多的参考和帮助。 【关键词】工程；施工现场；管理工作；要点分析 工程自身施工周期长、技术工艺复杂、现场环境恶劣、涉及领域较广等特点，使得顺利完成这项复杂而艰巨的工程任务并不容易，而其中大部分施工过程中出现的缺陷问题都存在于施工现场的管理当中，因此将工程的施工现场管理当做核心，从人员技术、施工工艺、组织进度、安全防范等各个方面加以提高与控制很有必要，具有一定的现实意义。 一、工程施工现场管理的重要价值 社会的进步，科学技术水平的提高，让工程的施工建设也面临着巨大的压力和挑战，施工现场作为整个工程项目建设过程中的关键环节部分，对工程项目的质量、安全、经济等方面均有着极大的影响，具有至关重要的作用，由于工程的建设施工的特殊性，不同的工程项目也存在着不同的施工方案和技术要求，现场施工环境的恶劣性、复杂多变性，让施工作业极易受到外界环境各类因素的干扰和影响，多工种的交替性施工、每到工序施工工艺的交错复杂程度，均给施工人员带来了严重的困难与麻烦，不利于施工现场的有效管理和控制，尤其在工期长、任务量大的情况下，很难避免施工过程中出现众多的问题，而施工现场必然会成为矛盾与问题的最集中地方，比如：工程施工人员自身的专业知识和技能的欠缺，施工工程项目所需要的仪器和设备的不足，工程人员的安全意识、管理水平的薄弱等问题，都可能导致工程施工现场的管理出现不当，因此，当工程管理人员注重对施工现场的管理控制，采用科学、合理、系统的管理办法，遵循相关法律法规的规定要求，有效组织工程人员，实现规范、高效、有条不紊的施工建设任务开展时，无疑给企业的经济效益营收做出了重要保障，同时有助于企业高素质高水平施工管理队伍的建设，通过正确的施工现场管理，使得工程的经济成本进一步降低、施工效率得到提升、人员、材料、机械的分配与利用更加合理均衡，为企业的建设工程施工事业树立起崭新的形象，以便在长远的市场发展过程中占据有利的竞争优势。 二、现阶段工程施工现场管理工作的不足之处 （一）施工现场的安全防范管理疏忽 在工程项目的施工现场管理中，安全作为最关键的管理要求之一，可谓老生常谈，关系到整个工程项目的质量、经济、进度以及人员生命财产的安全等各个方面，对于像工程这种施工环境复杂、操作水平要求高且危险性大的项目建设，更需要有效的安全措施作为保障，然而很多施工现场的一线人员却往往对安全防范的意识不够，认识不够深刻，更偏向于对施工技术的把握，以工程质量为评价标准，放在施工建设管理的首位，殊不知，安全才是
模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 小组工作定义：小组工作是社会工作的方法之一，它透过有目的的小组经验，提高个人的社会功能，并协助每个人能更有效地处理个人、小组与社区问题。 小组工作的特征 有特定的组员和工作者； 有特定的互动过程中，在互动中产生动力、带来改变； 既是过程，也是方法和手段； 有特定的目标、目的和功能 小组分类及依据： 社会目标模式 *概述：P68 出现时间：最早的小组模式 运用范围：社区层面的任务性小组(社会政治小组、社区小组、组织小组)→组织与环境模式（P77-79） 强调重点：社会责任(esp.成员的社会责任感、社会意识、社会良知)和社会变迁 （一）理论基础 1.社会政治民主理论 关键词：参与、对话、意识提升、赋权 理论假设： 第一、主权在民，参与是人民的一种民主权利； 第二、沟通、理解和平等都是从对话开始； 第三、教育/意识提升也是一种权利。 赋权/增能(empowerment)理论 赋权既是一个过程也是一个结果； 近年来，弱势群体、社会排斥、边缘化机制等概念在小组工作中运用的十分广泛。 e.g. “昆明市小额信贷扶贫实施计划”(世界宣明会项目)中的“贷款小组”、“单身女性自强小组” 2.系统功能理论（Rf.P34） 3.社会变迁理论中人的发展与社会发展的关系 （二）社会目标模式小组工作的内容和具体运用 1.目标 总目标：培养小组成员的社区归属感，实现社会整合。 子目标/过程目标：三个层次 第一，发展和提高小组成员的社会意识、及实现社会变迁的责任心； 第二，发展小组成员的社会能力(esp.应对社会环境方面的个人能力)、增强自尊心； 第三，培养当地社区领袖，使他们有醒觉和能力去带领和推动社会变迁。 2.小组特点 小组作为一个整体有共同期待的社会目标，即社会变迁/社会改造； 小组成员为了社会整体利益有相近的价值观（如社会公正、社会关爱等）； 小组作为一个行动整体共同付诸社会行动； 小组具有开放性、同质性、任务性（小组的性质） 小组成员在社会行动中逐步自我完善和发展。 3.组员特点 我们相信每一个人都有民主参与的机会和潜能，组员可以是全社会所有公民，特别鼓励那些社会弱势边缘群体参与。 4. 小组工作者 角色：有影响力的人物，同行者 角色的变化： 开始和结束阶段：倡导者、引导者 中间阶段：使能者(enabler)、资源提供者、榜样 在特定类型的任务小组中（Rf.P69） 5. 实践原则 强调参与、共识和任务达成，和社区工作有很多相似之处，最重要的是强调小组成员的自我觉醒和小组工作者的专业伦理（P69-70）。 6.优势和限制（社会目标模式） 最大优势：符合社会工作原初追求社会公正和社会关怀的理想，将个人的问题于其所处的社会环境或社会结构、社会制度联系起来，非常注重公民参与解决问题。 其他优势：通过小组工作发展社会组织，通过社区组织进行社区教育，以此提升民众的意识，达到社区赋权的目的。 限制：过于依赖意识形态，理论基础相对薄弱和缺乏系统性；过分注重组织的力量，忽视个人的独特需要，缺乏对个人动力的认识，解决群体需要优于解决个人问题。 *社会目标模式在国内的运用举例 社会目标模式被许多社区发展机构/社区组织采用，有力地推动了社区发展工作。 扶贫小组 妇女小组（e.g.妇女手工艺制作小组、妇女成人教育小组(目的是应对市场压力)、单身母亲自强小组、离婚女性适应小组(目的是觉察社会性别意识) 总结：目标不是直接针对小组中的个人，而是指向更大范围的社会公平和公正问题，间接解决个人问题。 认为个人的问题是社会环境的问题，从宏观结构层面去处理问题。 电路分析基础 1.（1）实际正方向：规定为从高电位指向低电位。 （2）参考正方向：任意假定的方向。 注意：必须指定电压参考方向，这样电压的正值或负值才有意义。 电压和电位的关系：U ab=V a－V b 2.电动势和电位一样属于一种势能，它能够将低电位的正电荷推向高电位，如同水路中的水泵能够把低处的水抽到高处的作用一样。电动势在电路分析中也是一个有方向的物理量，其方向规定由电源负极指向电源正极，即电位升高的方向。 电压、电位和电动势的区别：电压和电位是衡量电场力作功本领的物理量，电动势则是衡量电源力作功本领的物理量；电路中两点间电压的大小只取决于两点间电位的差值，是绝对的量；电位是相对的量，其高低正负取决于参考点；电动势只存在于电源内部。 3. 参考方向 (1)分析电路前应选定电压电流的参考方向，并标在图中； (2)参考方向一经选定，在计算过程中不得任意改变。参考方向是列写方程式的需要，是待求值的假定方向而不是真实方向，因此不必追求它们的物理实质是否合理。 (3)电阻（或阻抗）一般选取关联参考方向，独立源上一般选取非关联参考方向。 (4) 参考方向也称为假定正方向，以后讨论均在参考方向下进行，实际方向由计算结果确定。 (5)在分析、计算电路的过程中，出现“正、负”、“加、减”及“相同、相反”这几个名词概念时，切不可把它们混为一谈。 4. 电路分析中引入参考方向的目的是为分析和计算电路提供方便和依据。应用参考方向时，“正、负”是指在参考方向下，电压和电流的数值前面的正、负号，若参考方向下一个电流为“－2A”，说明它的实际方向与参考方向相反，参考方向下一个电压为“＋20V”，说明其实际方向与参考方向一致；“加、减”指参考方向下列写电路方程式时，各项前面的正、负符号；“相同、相反”则是指电压、电流是否为关联参考方向，“相同”是指电压、电流参考方向关联，“相反”指的是电压、电流参考方向非关联。 5.基尔霍夫定律 基尔霍夫定律包括结点电流定律（KCL）和回路电压（KVL）两个定律，是集总电路必须遵循的普遍规律。 中学阶段我们学习过欧姆定律（VAR），它阐明了线性电阻元件上电压、电流之间的相互约束关系，明确了元件特性只取决于元件本身而与电路的连接方式无关这一基本规律。 基尔霍夫将物理学中的“液体流动的连续性”和“能量守恒定律”用于电路中，总结出了他的第一定律（KCL）；根据“电位的单值性原理”又创建了他的第二定律（KVL），从而解决了电路结构上整体的规律，具有普遍性。基尔霍夫两定律和欧姆定律合称为电路的三大基本定律。 6.几个常用的电路名词 1.支路：电路中流过同一电流的几个元件串联的分支。（m） 2.结点：三条或三条以上支路的汇集点（连接点）。（n） 3.回路：由支路构成的、电路中的任意闭合路径。(l） 4.网孔：指不包含任何支路的单一回路。网孔是回路，回路不一定是网孔。平面电路的每个网眼都是一个网孔。 数值分析实验的经验、感受、收获、建议班级：计算131 学号：2012014302 姓名：曾欢欢数值分析实验主要就是学习MATLAB的使用以及对数值分析类容的应用，可以使学生更加理解和记忆数值分析学得类容，也巩固了MATLAB的学习，有利于以后这个软件我们的使用。在做实验中，我们需要具备较好的编程能力、明白MATLAB软件的使用以及掌握数值分析的思想，才能让我们独立自主的完成该作业，如果是上述能力有限的同学，需要借助MATLAB的书以及网络来完成实验。 数值分析实验对于我来说还是有一定难度，所以我课下先复习了MATLAB的使用方法以及编写程序的基本类容，借助互联网和同学老师资源完成了数值分析得实验的内容。在实验书写中，我复习了各种知识，所以我认为这门课程是有必要且是有用处的，特别是需要处理大量实验数据的人员，很有必要深入了解学习它，这样在以后的工作学习里面就减少了很多计算问题也提高了实验结果的精确度。 学习数值分析的经验、感受、收获、建议 数值分析的内容包括插值与逼近，数值微分与数值积分，非线性方程与线性方程组的数值解法，矩阵的特征值与特征向量计算，常微分方程数值解等。 首先我们必须明白数值分析的用途。通常所学的其他数学类学科都是由公式定理开始，从研究他们的定义，性质再到证明与应用。但实际上，尤其是工程，物理，化学等其它具体的学科。往往我们拿到 手的只是通过实验得到的数据。如果是验证性试验，需要代回到公式进行分析，验证。但往往更多面对的是研究性或试探性试验，无具体公式定理可代。那就必须通过插值，拟合等计算方法进行数据处理以得到一个相对可用的一般公式。还有许多计算公式理论上非常复杂，在工程中不实用，所以必须根据实际情况把它转化成多项式近似表示。学习数值分析，不应盲目记公式，因为公事通常很长且很乏味。 其次，应从公式所面临的问题以及用途出发。比如插值方法，就是就是把实验所得的数据看成是公式的解，由这些解反推出一个近似公式，可以具有局部一般性。再比如说拟合，在插值的基础上考虑实验误差，通过拟合能将误差尽可能缩小，之后目的也是得到一个具有一定条件下的一般性的公式。。 建议学习本门课程要结合知识与实际，比如在物理实验里面很多地方有用到线性拟合的知识，这样我们可以对数值分析得类容加以巩固，在学习中不能死记硬背，应该理解记忆，以及结合列题加以记忆和应用，只能在题里面我们才能去应用它。对于本学期的期末考试，由于本人注重了理论知识的记忆和应用，但是在复习过程中自己没有亲自去导致计算能力较弱，在考试过程中一道大题的计算耗费了大量的时间且错了，虽然解答题目的步骤和思想应该是没有问题的，所以同学们除了掌握基本的理论知识以外，得加强计算能力的锻炼，避免不必要的浪费时间以及精力，导致不愉快的结果。 第一章电路模型和电路定律 （1）重点： 1）电压电流的参考方向 2）元件的特性 3）基尔霍夫定律 （2）难点： 1）电压电流的实际方向与参考方向的联系和差别 2）理想电路元件与实际电路器件的联系和差别 3）独立电源与受控电源的联系和差别 重点例题： 例1－1：求电流i、功率P (t)和储能W (t)。 解：u (t)的函数表示式为: S 解得电流： 功率： 能量： 例1-2：求图示电路中的开路电压U。 解：由左边回路解得电流I2 根据KVL： 根据KCL： 例1-3 求图示电路中各方框所代表的元件消耗或产生的功率。已知：U 1=1V, U 2 = －3V, U 3=8V, U 4 =－4V, U 5 =7V, U 6 =－3V，I 1 =2A, I 2 =1A, I 3 =－1A 解: W P P P W P P P P P 19 ) (19 ) ( 6 3 5 4 2 1 = + = = + + + = 消耗 发出 本题的计算说明：对一完整的电路，发出的功率＝消耗的功率第二章电阻电路分析 （1）重点： 1）电路等效的概念 2）电阻的串联和并联 3）实际电源的两种模型及其等效变换 （2）难点： 1) 等效变换的条件和等效变换的目的 2）含有受控源的一端口电阻网络的输入电阻的求解 重点例题分析： 1．等效电阻的求解 纯电阻电路：电阻的串并联法则 含受控源的电阻电路：外加电源法或开路短路法 例2－1：求图示电路的等效电阻: R ab 。 解：应用电阻串并联等效，最后得：R ab ＝70Ω 例2-1图a 例2-1图b 例2-1图c 例2-1图d 例2－2：计算图示含有受控源的一端口电路的输入电阻。 解：因为电路中有受控源，求输入电阻时，先把独立源置零，然后在端口外加电压源，如图示， 由KCL 和KVL 得： 输入电阻为端口电压和电流的比值： 60Ω 100Ω 50Ω 10Ω b a 40Ω 80Ω 20Ω a 60Ω 100Ω 60Ω b 120Ω 20Ω 100Ω 60Ω b a 40Ω 20Ω 100Ω 100Ω b a 20Ω 一.名词解释 就业：是人力资源与物质资料的结合，是社会求业人员走上工作岗位的过程与状态。 失业:是有劳动能力和就业意愿，但未能获得工作岗位。） 人力资源规划：广义上，可以定义为是预测未来的组织任务和环境对组织的要切，以及为文成这些任务和满足这些要求而提供人员的过程。 工作压力：是指劳动者预见到工作中的身体或情感方面的危险而试图摆脱的高度心理紧张状态。 人管微观：特定社会组织所拥有的能推动其持续发展，达成其目标的成员能力的总和 微观管理：是通过对企事业组织的人和事的管理，处理人与人之间的关系，人与事的配合，充分发挥人的潜能，变对人的各种活动予以计划，组织，指挥和控制，以实现组织的目标。行为锚定法：是一种将同一职务工作可能发生的各种典型行为进行评分度量，建立一个锚定评分表，以此为依据，对员工工作中的实际行为进行测评级分的考评办法。 360度考核法：是多角度进行的比较全面的绩效考核方法，也称全方位考核法或全面评价法。） 面试：是在特定场景下以面对面的交谈与观察为主要手段、由表及里地测评应聘者有关素质的甄选方法。 绩效考核：对员工在工作过程中表现出来的工作业绩、工作能力、工作态度以及个人品德等进行评价，并用之判断员工与岗位的要求是否相称。（绩效管理：是管理者确保员工的工作活动以及工作产出能够与组织的目标保持一致的过程，是赢得竞争优势的中心环节所在。） 人力资源供给：人力资源供给是指就经济活动而言，已经开发的、马上可以投入经济活动的人力资源，是一个国家或地区社会劳动者与正在谋求职业者所具备的劳动力的总合。包括就业人口和求业人口。需求：人力资源需求即一定范围内的用人主体对于人力资源所提出的需求。） 工作分析：也称职务分析，是全面了解一项具体工作或具体职务的管理活动，和确定完成组织中和项工作所需知识、技能和负担责任的系统方法 ①访谈法②观察法③问卷调查 工作岗位：采用一定的科学方法，根据组织的工作性质、特征、繁简难易程度、工作责任大小和人员必须具备的资格条件，对组织全部岗位所进行的多层次划分 工作设计：将任务组合构成一套完整的工作方案，也就是确定工作的内容和流程安排。)薪酬：用人单位以现金或现金等值品的方式付出的报酬，包括员工从事劳动得到的工资、奖金、提成、津贴以及其他形式的各项利益回报的总合。狭义的薪酬与工资内涵相同。 目标管理；以目标为中心的管理过程，是以实现组织的整体目标为目的的全面管路体系 薪点工资制：以岗位评价和员工技能评价为基础，以点数为标准，按照员工或团队的实际贡献点数，以结算工资定总额，确定劳动报酬的弹性工资制度。 员工招聘是指企业为了发展的需要，向外吸收具有劳动能力的个体的全过程。 人力资源的特征1.双重性（生产性和消费性）2. 能动性 3. 开发持续4时效性5社会性人力资源管理的职能工作：1人力资源规划，招聘和选拔2人力资源开发 3薪酬和福利4安全和健康5劳动关系 人资的基本功能：1.获取 2 整合 3 保持和激励 4 控制和调整 5 开发 人力资源需企业经营战略的层次:总体战略、事业战略和职能战略 企业经营战略的类型： （一）企业基本竞争战略成本领先战略产品差别化战略市场焦点战略 （二）企业发展战略成长战略、维持战略、收缩战略和重组战略 （三）企业文化战略大家庭式企业文化、官僚式企业文化、发展式企业文化、市场式企业文化 人力资源战略是为管理变化而制定的一种方向性的行动计划，是使人力资源管理与企业经营战略保持一致的手段。 人力资源需企业经营战略的层次:总体战略、事业战略和职能战略 企业经营战略的类型： （一）企业基本竞争战略成本领先战略产品差别化战略市场焦点战略 （二）企业发展战略成长战略、维持战略、收缩战略和重组战略 （三）企业文化战略大家庭式企业文化、官僚式企业文化、发展式企业文化、市场式企业文化 人力资源规划的目标； (一)防止人配置过剩或不足 (二)确保组织在适当的时间、地点有适当数量且具有必备技能的员工 (三)确保组织能对环境变化做出适当的反应 (四)为所有的人力资源活动和体系提供方向和一致标准。小组工作期末复习要点
电路基础分析知识点整理
学习数值分析的经验
电路分析期末复习资料
人力资源管理期末复习重点
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