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光电子能谱分析光电子能谱分析是一种基于光电效应原理的表征材料电子结构和性质的重要技术手段。
通过研究材料的光电子能谱，可以得到材料中的电子能带结构、费米能级、元素组成等信息，从而深入了解材料的性质和反应过程。
本文将介绍光电子能谱分析的原理、仪器设备以及应用领域等内容。
一、光电子能谱分析的原理光电子能谱分析是基于光电效应的原理进行的。
光电效应是指当光束照射到物质表面时，光子与物质中的电子相互作用，使得电子从物质中抽离出来，形成光电子。
当光子的能量大于或接近于材料中最外层电子的束缚能时，光电子就会被抽离出来，并在外加电场的作用下被加速，形成具有动能的光电子。
通过测量光电子的动能和强度，就可以得到光电子能谱图。
二、光电子能谱分析的仪器设备光电子能谱分析需要使用光电子能谱仪。
光电子能谱仪主要由光源、样品台、能谱分析器和探测器等部分组成。
光源通常采用气体放电光源或光阴极等发射强度较高的光源，用于产生高能量的光子。
样品台用于固定待测材料，通过样品台上的电子能量分析器，对光电子的能量进行分析，从而得到光电子能谱。
探测器接收并放大光电子信号，将信号传递至数据采集系统进行记录和分析。
三、光电子能谱分析的应用领域光电子能谱分析在材料科学、表面物理化学、固体电子学等领域具有广泛的应用。
以下列举几个典型的应用领域：1. 材料表征与表面分析：通过光电子能谱分析，可以获取材料中电子能带结构、元素组成、表面形貌等信息，用于表征和研究材料的物理性质和化学反应过程。
2. 半导体器件分析：光电子能谱分析可用于研究半导体材料中的载流子分布、能量态密度分布等，从而为半导体器件的设计和性能优化提供依据。
3. 催化剂研究：光电子能谱分析可用于研究催化剂表面活性位点的形成、电子结构及与反应物的相互作用，有助于优化催化剂的催化性能。
4. 电子能带结构研究：通过对不同材料的光电子能谱分析，可以揭示材料电子能带结构的演化规律，深入了解材料的导电性质和能带间的相互作用机制。
X射线光电子能谱法的原理及应用1. 引言X射线光电子能谱法是一种广泛应用于材料表征与分析的方法。
本文将介绍X射线光电子能谱法的基本原理，并探讨其在材料科学、表面化学和纳米材料等领域中的应用。
2. 原理2.1 X射线光电子能谱法概述X射线光电子能谱法基于光电效应，利用X射线激发材料表面的原子产生光电子，并通过测量光电子能量和强度来分析材料的表面成分和化学键。
该方法可以提供有关元素种类、元素的化学状态、表面化学计量比以及电子能级结构等信息。
2.2 光电子的产生与检测•X射线入射：通过专用的X射线源照射样品表面，产生硬X射线。
•光电子产生：硬X射线与样品表面原子发生光电效应，使得电子从原子中被释放出来，形成光电子。
•光电子能量测量：通过能量分析器测量光电子的能量，获得能谱图。
2.3 光电子能谱分析原理•能量角分辨：通过能量分辨仪器测量光电子的能谱，获得元素的化学键状态和电子能级结构等信息。
•电子逃逸深度：根据光电子的逃逸深度，可以推断表层或界面的性质和元素分布。
•化学计量比分析：通过测量光电子峰的强度和位置来确定化学计量比。
3. 应用3.1 材料科学•元素分析：X射线光电子能谱法可用于表面或界面元素的分析，能够提供材料的化学成分信息，帮助了解材料的结构和性能。
•化学状态分析：通过能谱分析，可以获得元素的化学状态信息，如氧化物的形态、有机物的结构等。
•薄膜分析：X射线光电子能谱法在薄膜的制备、性质表征和界面反应等方面具有广泛应用。
3.2 表面化学•催化剂研究：X射线光电子能谱法可以研究催化剂的表面组成和变化，了解催化反应的机理和性能。
•腐蚀研究：通过测量表面元素分布和化学状态的变化，可以研究材料的腐蚀行为和腐蚀机制。
3.3 纳米材料•纳米颗粒表面状况：X射线光电子能谱法可用于研究纳米颗粒的表面成分和性质，为纳米材料的制备和应用提供重要参考。
•纳米结构表面修饰：通过分析纳米材料的表面修饰情况，可以控制纳米材料的性质和功能。
X射线光电子能谱的原理及应用（XPS）（一）X光电子能谱分析的基本原理X光电子能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。
该过程可用下式表示:hn=Ek+Eb+Er 其中: hn：X光子的能量；Ek：光电子的能量；Eb：电子的结合能；Er：原子的反冲能量。
其中Er很小，可以忽略。
对于固体样品，计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子，而是选用费米能级，由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，式(103)又可表示为：hn=Ek+Eb+Φ （10.4）Eb= hn- Ek-Φ （10.5）仪器材料的功函数Φ是一个定值，约为4eV，入射X光子能量已知，这样，如果测出电子的动能Ek，便可得到固体样品电子的结合能。
各种原子，分子的轨道电子结合能是一定的。
因此，通过对样品产生的光子能量的测定，就可以了解样品中元素的组成。
元素所处的化学环境不同，其结合能会有微小的差别，这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移，由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。
例如某元素失去电子成为离子后，其结合能会增加，如果得到电子成为负离子，则结合能会降低。
因此，利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。
（二）电子能谱法的特点( 1 )可以分析除H 和He 以外的所有元素；可以直接测定来自样品单个能级光电发射电子的能量分布，且直接得到电子能级结构的信息。
( 2 )从能量范围看，如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”，那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。
它提供有关化学键方面的信息，即直接测量价层电子及内层电子轨道能级。
而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远，相互干扰少，元素定性的标识性强。
( 3 )是一种无损分析。
( 4 )是一种高灵敏超微量表面分析技术。
光电子能谱分析法基本原理(总12页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第十四章 X-射线光电子能谱法14．1 引言X-射线光电子谱仪（X-ray Photoelectron Spectroscopy，简称为XPS），经常又被称为化学分析用电子谱（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，简称为ESCA），是一种最主要的表面分析工具。
自19世纪60年代第一台商品化的仪器开始，已经成为许多材料实验室的必不可少的成熟的表征工具。
XPS发展到今天，除了常规XPS外，还出现了包含有Mono XPS (Monochromated XPS, 单色化XPS，X射线源已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源), SAXPS ( Small Area XPS or Selected Area XPS, 小面积或选区XPS，X射线的束斑直径微型化到6μm) 和iXPS（imaging XPS, 成像XPS）的现代XPS。
目前，世界首台能量分辨率优于1毫电子伏特的超高分辨光电子能谱仪（通常能量分辨率低于1毫电子伏特）在中日科学家的共同努力下已经研制成功，可以观察到化合物的超导电子态。
现代XPS拓展了XPS的内容和应用。
XPS是当代谱学领域中最活跃的分支之一，它除了可以根据测得的电子结合能确定样品的化学成份外，XPS最重要的应用在于确定元素的化合状态。
XPS可以分析导体、半导体甚至绝缘体表面的价态，这也是XPS的一大特色，是区别于其它表面分析方法的主要特点。
此外，配合离子束剥离技术和变角XPS技术，还可以进行薄膜材料的深度分析和界面分析。
XPS表面分析的优点和特点可以总结如下：⑴固体样品用量小，不需要进行样品前处理，从而避免引入或丢失元素所造成的错误分析⑵表面灵敏度高，一般信息采样深度小于10nm⑶分析速度快，可多元素同时测定⑷可以给出原子序数3-92的元素信息，以获得元素成分分析⑸可以给出元素化学态信息，进而可以分析出元素的化学态或官能团⑹样品不受导体、半导体、绝缘体的限制等⑺是非破坏性分析方法。
xps的基本原理XPS（X-ray photoelectron spectroscopy，X射线光电子能谱）是一种表面分析技术，用于研究物质的表面成分、化学状态和电子结构。
其基本原理包括以下几个步骤：1. X射线入射：X射线的能量通常在100-2000 eV范围内，被照射到待分析样品的表面。
2. 光电子发射：X射线入射样品表面后，与样品原子内部的电子相互作用，使得部分表面原子的内层电子被激发并发射出来。
3. 能量分析：被发射的电子通过电场加速器并进入光电子能谱仪中，在其中经过电场和磁场的双重作用，根据电子的能量和动量，将其按能量分离和聚焦。
4. 能谱检测：分离出来的电子根据其能量逐个被检测器所探测，测量得到光电子的能谱图。
5. 能谱解析：通过分析电子能谱图，可以得到样品表面的元素组成、价态和化学状态等信息。
总结起来，XPS利用X射线将样品表面原子的内层电子激发和发射出来，通过能谱仪将这些发射出来的光电子进行能量分析和检测，最终通过能谱图解析得到表面元素的信息。
除了上述的基本原理，XPS还有一些相关内容和技术细节需要说明。
首先是X射线源的选择。
常见的X射线源有基于铝(Kα线)或镁(Kα线)的例如非晶碳等的低速X射线源，或基于镧系元素的例如氮气钝化的铝合金(Lα线)的高速X射线源。
不同的X 射线源在能量分辨率、功率和对表面积的影响上有所差异，需要根据实验需求选择合适的X射线源。
其次是能量分辨率的提高。
XPS技术的主要目的之一是对不同能级的电子进行分析，因此高能量分辨率是关键。
提高能量分辨率的方法包括增加仪器的设计和优化，即使在有限的能量范围内也能够观察到更多化学态的信息。
另外，在XPS测量中还需要考虑样品的准备。
样品通常需要表面平整且干净，因为杂质、氧化物或薄膜可能对分析结果产生干扰。
因此，在进行XPS分析之前，可能需要进行表面清洗、抛光或者离子轰击等处理。
此外，XPS技术还可以进行空间分辨率的改进。
光电子能谱工作原理光电子能谱所用到的基本原理是爱因斯坦的光电效应定律。
材料暴露在波长足够短（高光子能量）的电磁波下，可以观察到电子的发射。
这是由于材料内电子是被束缚在不同的量子化了的能级上，当用一定波长的光量子照射样品时，原子中的价电子或芯电子吸收一个光子后，从初态作偶极跃迁到高激发态而离开原子。
最初，这个现象因为存在可观测得光电流而称为光电效应；现在，比较常用的术语是光电离作用或者光致发射。
若样品用单色的、即固定频率的光子照射，这个过程的能量可用Einstein关系式来规定：hnu;=Ek+Eb式中hnu;为入射光子能量，Ek是被入射光子所击出的电子能量，Eb为该电子的电离能，或称为结合能。
光电离作用要求一个确定的最小光子能量，称为临阈光子能量hnu;0。
对固体样品，又常用功函数这个术语，记做phi;。
对能量hnu;显著超过临阈光子能量hnu;0的光子，它具有电离不同电离能（只要Eblt;hnu;）的各种电子的能力。
一个光子对一个电子的电离活动是分别进行的。
一个光子，也许击出一个束缚很松的电子并将高动能传递给它；而另一个同样能量的光子，也许电离一个束缚的较紧密的电子并产生一个动能较低的光电子。
因此，光电离作用，即使使用固定频率的激发源，也会产生多色的，即多能量的光致发射。
因为被电子占有的能级是量子化的，所以光电子有一个动能分布n（E），由一系列分离的能带组成。
这个事实，实质上反映了样品的电子结构是壳层式的结构。
用分析光电子动能的方法，从实验上测定n（E）就是光电子能谱（PES）。
将n（E）对E作图，成为光电子能谱图。
那样简单的光电子谱图，对电子结构的轨道模型提供了最直接的，因而也是最令人信服的证据。
严格的讲，光电子能谱应该用电离体系M+的多电子态方法来解释，比用中性体系M的已占单电子态（轨道）为好。
光电子能谱分析法基本原理光电子能谱分析法（Photoelectron Spectroscopy，简称PES）是一种常用的表征材料的表面化学成分和电子结构的技术手段。
它利用光电效应，通过测量电子从材料表面逸出时的动能来分析材料的电子结构。
PES的基本原理是根据光电效应，当光照射到金属或半导体表面时，光子与金属或半导体表面原子或分子发生相互作用，将部分能量转移给表面电子。
如果光子的能量大于电子的束缚能，则电子可以从材料表面逸出，形成光电子。
PES实验装置通常由以下几个部分组成：光源、光电样品、能量分辨光电子能谱仪和电子能量分析器。
光源通常选择高能紫外光源，因为紫外光具有较高的能量，能够满足电子逸出的需求。
光源产生的光经过透镜系统聚焦在样品表面。
样品由所要研究的物质构成，它可以是单晶、多晶、薄膜等形式。
光电样品的选择要根据具体的实验目的来确定。
能量分辨光电子能谱仪用于检测通过逸出的光电子信号，并将其转化为电信号。
电子能量分析器用于测量光电子的能量，并提供电子能谱。
在实验中，光子通过与表面原子或分子相互作用，将其能量转移给电子，使电子克服束缚势能逸出表面。
逸出电子的动能与初级光子的能量差有关：E_kin = hν - Φ其中，E_kin是逸出电子的动能，h是普朗克常数，ν是光子的频率，Φ是材料的逸出功。
逸出电子的动能与所施加的电场强度有关。
通过控制电场强度，可以调节电子的动能，进而对应不同的束缚能级进行分析。
PES实验中的光电子能谱提供了关于材料中电子的能量分布和态密度的丰富信息。
通过分析能谱图，可以确定材料的能带结构、元素组成、原子价态等重要参数。
例如，能谱图中的峰值对应不同能级的电子逸出，峰的位置和峰的强度可以揭示材料的能带结构和电子填充态。
同时，通过测定PES中的峰的位置和强度的变化，还可以研究材料的电子结构在外界条件变化下的响应和调控。
总结起来，光电子能谱分析法基于光电效应，通过测量光子与材料表面原子或分子的相互作用，进而测量逸出电子的动能，来研究材料的电子结构和化学成分。
第十四章 X-射线光电子能谱法14．1 引言X-射线光电子谱仪（X-ray Photoelectron Spectroscopy，简称为XPS），经常又被称为化学分析用电子谱（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，简称为ESCA），是一种最主要的表面分析工具。
自19世纪60年代第一台商品化的仪器开始，已经成为许多材料实验室的必不可少的成熟的表征工具。
XPS发展到今天，除了常规XPS外，还出现了包含有Mono XPS (Monochromated XPS, 单色化XPS，X射线源已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源), SAXPS ( Small Area XPS or Selected Area XPS, 小面积或选区XPS，X射线的束斑直径微型化到6μm) 和iXPS（imaging XPS, 成像XPS）的现代XPS。
目前，世界首台能量分辨率优于1毫电子伏特的超高分辨光电子能谱仪（通常能量分辨率低于1毫电子伏特）在中日科学家的共同努力下已经研制成功，可以观察到化合物的超导电子态。
现代XPS拓展了XPS的内容和应用。
XPS是当代谱学领域中最活跃的分支之一，它除了可以根据测得的电子结合能确定样品的化学成份外，XPS最重要的应用在于确定元素的化合状态。
XPS可以分析导体、半导体甚至绝缘体表面的价态，这也是XPS的一大特色，是区别于其它表面分析方法的主要特点。
此外，配合离子束剥离技术和变角XPS技术，还可以进行薄膜材料的深度分析和界面分析。
XPS表面分析的优点和特点可以总结如下：⑴固体样品用量小，不需要进行样品前处理，从而避免引入或丢失元素所造成的错误分析⑵表面灵敏度高，一般信息采样深度小于10nm⑶分析速度快，可多元素同时测定⑷可以给出原子序数3-92的元素信息，以获得元素成分分析⑸可以给出元素化学态信息，进而可以分析出元素的化学态或官能团⑹样品不受导体、半导体、绝缘体的限制等⑺是非破坏性分析方法。
结合离子溅射，可作深度剖析目前，XPS主要用于金属、无机材料、催化剂、聚合物、涂层材料、纳米材料、矿石等各种材料的研究，以及腐蚀、摩擦、润滑、粘接、催化、包覆、氧化等过程的研究，也可以用于机械零件及电子元器件的失效分析，材料表面污染物分析等。
14.2 基本原理XPS方法的理论基础是爱因斯坦光电定律。
用一束具有一定能量的X射线照射固体样品，入射光子与样品相互作用，光子被吸收而将其能量转移给原子的某一壳层上被束缚的电子，此时电子把所得能量的一部分用来克服结合能和功函数，余下的能量作为它的动能而发射出来，成为光电子，这个过程就是光电效应。
该过程可用下式表示:hγ=E k+E b+E r（14.1）式中:hγ：X光子的能量（h为普朗克常数，γ为光的频率）；E k：光电子的能量；E b：电子的结合能；E r：原子的反冲能量。
其中E r很小，可以忽略。
对于固体样品，计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子，而是选用费米能级，由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能E b，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，式(14.1)又可表示为：E k= hγ- E b-Φ（14.2）E b= hγ- E k-Φ（14.3）这时，式中hγ――入射光子能量（已知值）E k――光电过程中发射的光电子的动能（测定值）E b――内壳层束缚电子的结合能（计算值）Φ――谱仪的功函数（已知值）仪器材料的功函数Φ是一个定值，约为4eV，入射光子能量已知，这样，如果测出电子的动能E k，便可得到固体样品电子的结合能。
原子能级中电子的结合能(Binding Energy，简称为B.E.), 其值等于把电子从所在的能级转移到Fermi能级时所需的能量。
在XPS分析中，由于采用的X射线激发源的能量较高，不仅可以激发出原子价轨道中的价电子，还可以激发出芯能级上的内层轨道电子，其出射的光电子能量仅与入射光子的能量（即辐射源能量）及原子轨道结合能有关。
因此，对于特定的单色激发源和特定的原子轨道，此时其光电子能量是特征的。
当固定激发源能量时，其光电子能量仅与元素的种类和所电离激发的原子轨道有关。
因此，我们可以根据光电子的结合能，判断样品中元素的组成，定性分析除H和He（因为它们没有内层能级）之外的全部元素。
芯能级轨道上的电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。
当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。
因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其XPS峰将向结合能增加的方向位移。
这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移（Chemical shift）。
利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式，这也是XPS分析的最重要的应用之一。
在表面分析研究中，我们不仅需要定性地确定试样的元素种类及其化学状态，而且希望能测得它们的含量。
X射线光电子能谱谱线强度反应的是原子的含量或相对浓度，测定谱线强度便可进行元素的半定量分析。
光电子的强度不仅与原子浓度有关，而且也与光电子平均自由程、样品表面光洁程度、元素所处化学状态、X射线源强度、仪器状态等条件有关，因此，XPS技术一般不能给出所分析的某个元素的绝对含量，只能给出所分析各元素的相对含量，而且分析误差在10－15wt％左右。
还需要指出的是，XPS是一种很灵敏的表面分析方法，具有很高的表面检测灵敏度，可以达到10-3原子单层。
但是，对于体相的检测灵敏度仅为0.1%（原子分数，即元素的检测限）左右。
X光电子能谱法作为表面分析方法，提供的是样品表面的元素含量与形态，而不是样品整体的成分。
XPS其表面采样深度（d = 3λ）与材料性质、光电子的能量有关，也同样品表面和分析器的角度有关。
通常，对于金属样品取样深度为0.5～2nm，氧化物样品为1.5～4nm；有机物和高分子样品为4～10nm。
它提供的仅是表面上的元素含量，与体相成分会有很大的差别，因而常会出现XPS和X射线粉末衍射（XRD）或者红外光谱（IR）分析结果的差异，后两者给出的是体相成分的分析结果。
如果利用氩离子束溅射作为剥离手段，利用XPS作为分析方法，还可以实现对样品的深度分析。
14.3 仪器结构和使用方法XPS仪器设计与最早期的实验仪器相比，有了非常明显的进展，但是所有的现代XPS仪器都基于相同的构造：进样室、超高真空系统、X射线激发源、离子源、电子能量分析器、检测器系统、荷电中和系统及计算机数据采集和处理系统等组成。
这些部件都包含在一个超高真空（Ultra High Vacuum，简称为UHV）封套中，通常用不锈钢制造，一般用μ金属作电磁屏蔽。
下面对仪器各部件构造及功能进行简单介绍。
图14.1 是Kratos Axis Ultra DLD型多功能电子能谱仪的外形图。
图14.1 Kratos Axis Ultra DLD型多功能电子能谱仪14.3.1超高真空系统超高真空系统是进行现代表面分析及研究的主要部分。
XPS谱仪的激发源，样品分析室及探测器等都安装在超高真空系统中。
通常超高真空系统的真空室由不锈钢材料制成，真空度优于1×10-9托。
在X射线光电子能谱仪中必须采用超高真空系统，原因是(1)使样品室和分析器保持一定的真空度，减少电子在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而损失信号强度；(2)降低活性残余气体的分压。
因在记录谱图所必需的时间内，残留气体会吸附到样品表面上，甚至有可能和样品发生化学反应，从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。
一般XPS采用三级真空泵系统。
前级泵一般采用旋转机械泵或分子筛吸附泵，极限真空度能达到10-2Pa；采用油扩散泵或分子泵，可获得高真空，极限真空度能达到10-8Pa；而采用溅射离子泵和钛升华泵，可获得超高真空，极限真空度能达到10-9Pa。
这几种真空泵的性能各有优缺点，可以根据各自的需要进行组合。
现在新型X射线光电子能谱仪，普遍采用机械泵-分子泵-溅射离子泵-钛升华泵系列，这样可以防止扩散泵油污染清洁的超高真空分析室。
标准的AXIS Ultra DLD 就是利用这样的泵组合。
样品处理室（Smaple Treatment Center,简称为STC）借助于一个为油扩散泵所后备的涡轮分子泵进行抽真空。
样品分析室（Sample Analysis Center,简称为SAC）借助于一个离子泵和附加于其上的钛升华泵（TSP）来抽空。
14.3.2快速进样室为了保证在不破坏分析室超高真空的情况下能快速进，X射线光电子能谱仪多配备有快速进样室。
快速进样室的体积很小，以便能在40～50分钟内能达到10-7托的高真空。
14.3.3 X射线激发源XPS中最简单的X射线源，就是用高能电子轰击阳极靶时发出的特征X射线。
通常采用Al Kα（光子能量为1486.6eV ）和Mg Kα（光子能量为1253.8eV）阳极靶，它们具有强度高，自然宽度小（分别为830meV和680meV）的特点。
这样的X 射线是由多种频率的X 射线叠加而成的。
为了获得更高的观测精度，实验中常常使用石英晶体单色器（利用其对固定波长的色散效果），将不同波长的X射线分离，选出能量最高的X射线。
这样做有很多好处，可降低线宽到0.2 eV，提高信号/本底之比，并可以消除X射线中的杂线和韧致辐射。
但经单色化处理后，X射线的强度大幅度下降。
14.3.4 离子源离子源是用于产生一定能量、一定能量分散、一定束斑和一定强度的离子束。
在XPS中，配备的离子源一般用于样品表面清洁和深度剖析实验。
在XPS谱仪中，常采用Ar离子源。
它是一个经典的电子轰击离子化源，气体被放入一个腔室并被电子轰击而离子化。
Ar离子源又可分为固定式和扫描式。
固定式Ar离子源，将提供一个使用静电聚焦而得到的直径从125μm到mm量级变化的离子束。
由于不能进行扫描剥离，对样品表面刻蚀的均匀性较差，仅用作表面清洁。
对于进行深度分析用的离子源，应采用扫描式Ar离子源，提供一个可变直径（直径从35μm到mm量级）、高束流密度和可扫描的离子束，用于精确的研究和应用。
14.3.5 荷电中和系统用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。
荷电效应将使样品出现一个稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用，使谱线发生位移，还会使谱锋展宽、畸变。
因此XPS中的这个装置可以在测试时产生低能电子束，来中和试样表面的电荷，减少荷电效应。
14.3.6能量分析器能量分析器的功能是测量从样品中发射出来的电子能量分布，是X射线光电子能谱仪的核心部件。
