材料的光导性能决定于禁带宽度,对于一种光电导材
料,总存在一个照射光波长限λ0,只有波长小于λ0的光照 射在光电导体上,才能产生电子能级间的跃进,从而使光
电导体的电导率增加。
(2)光生伏特效应
某些半导体或电介质材料,在光线作用下,能够使物体产 生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。当光线照 射于半导体PN结时,在PN结两端就会产生一定的电位差, 并将在外回路中产生电流。基于这种效应的光电器件有光 电池和光敏二极管、光敏三极管。
外光电效应多发生于金属和金属氧化物,从光开始照射 到金属释放电子所需时间不超过10-9s。
根据能量守恒定理,可以得到爱因斯坦光电效应方程:
h
1 2
mv02
A0
式中m—电子质量;v0—电子逸出速度。
光电子能否产生,取决于光电子的能量是否大于该物 体的表面电子逸出功A0。不同的物质具有不同的逸出功, 即每一个物体都有一个对应的光频阈值,称为红线频率或 波长限。光束频率低于红线频率时,光子能量不足以使物 体内的电子逸出,因而小于红线频率的入射光,光强再大 也不会产生光电子发射;反之,入射光频率高于红线频率, 即使光线微弱,也会有光电子射出。
光电器件的基本特性参数
(1)响应度k 光电器件输出电压VO与入射光功率PI之比称为响应度
k,即: k= VO/ PI = VO /(H·Ad)
式中, VO是器件的输出电压, PI为入射光敏面的辐射功 率,Ad是器件受光面积,H为光敏面的辐射照度。k的单 位是(V/W)。
响应度k是表征光电器件输出信号能力的特征量。
光电倍增管:
二,光电倍增管(photomultiplier ,PMT)
当入射光很微弱时,普通光电管的产生的光电流很小, 不容易探测,这时常用光电倍增管对电流进行放大。