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单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。
随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Triode Thyristor，简称BTT）是一种特殊的可控硅器件，其工作原理和应用领域在电力电子领域具有重要意义。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理，并提供相应的原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅是一种四层PNPN结构的半导体器件。
它由两个PN结组成，每一个PN结都有一个控制极和一个主极。
其工作原理如下：1. 静态工作原理：当双向可控硅两个主极之间的电压为正向时，即正向工作状态，两个PN结之间的结电容会妨碍电流的流动，双向可控硅处于关断状态。
当双向可控硅两个主极之间的电压为反向时，即反向工作状态，两个PN结之间的结电容充电，当电压达到一定的阈值时，双向可控硅会进入导通状态。
2. 动态工作原理：当双向可控硅处于导通状态时，惟独当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向一致时，双向可控硅才干正常导通。
当双向可控硅导通后，惟独当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向相反时，双向可控硅才干正常关断。
二、双向可控硅的原理图下面是一种常见的双向可控硅的原理图，用于说明其电路连接方式和控制方式。
```+----|>|----|>|----+| || || |+----|<|----|<|----+```在上述原理图中，两个箭头表示双向可控硅的两个主极，箭头方向表示电流的流动方向。
两个箭头之间的线段表示PN结。
三、双向可控硅的应用领域双向可控硅由于其双向导通的特性，在电力电子领域有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如交流电的调光、机电的调速等。
2. 电力系统：双向可控硅可以用于电力系统中的电压和电流控制，例如电力调度、电力传输等。
3. 电力电子变换器：双向可控硅可以用于电力电子变换器中的电流控制，例如直流-交流变换器、交流-直流变换器等。
4. 光伏发电系统：双向可控硅可以用于光伏发电系统中的电流控制，例如光伏逆变器、光伏充电控制器等。
一.单向可控硅工作道理【1 】可控硅导通前提：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是掌握极也要加正向电压.以上两个前提必须同时具备,可控硅才会处于导通状况.别的,可控硅一旦导通后,即使下降掌握极电压或去掉落掌握极电压,可控硅仍然导通.可控硅关断前提：下降或去掉落加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小保持电流以下.二.单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比掌握极引线长.从外形无法断定的可控硅,可用万用表R×100或R×1K挡,测量可控硅随意率性两管脚间的正反向电阻,当万用表指导低阻值（几百欧至几千欧的规模）时,黑表笔所接的是掌握极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一尽管脚为阳极A.三.单向可控硅的机能检测可控硅质量利害的判别可以从四个方面进行.第一是三个PN结应无缺;第二是当阴极与阳极间电压反向衔接时可以或许阻断,不导通;第三是当掌握极开路时,阳极与阴极间的电压正向衔接时也不导通;第四是给掌握极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把掌握极电流去掉落,仍处于导通状况.用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的利害进行断定.具体办法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（掌握极不接电压）,此两个阻值均应很大.电阻值越大,标明正反向漏电电流愈小.假如测得的阻值很低,或近于无限大,解释可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不克不及应用了.用R×1k或R×10k挡测阳极与掌握极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小标明可控硅击穿短路.用R×1k或R×100挡,测掌握极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧阁下,如消失正向阻值接近于零值或为无限大,标明掌握极与阴极之间的PN结已经破坏.反向阻值应很大,但不克不及为无限大.正常情形是反向阻值显著大于正向阻值.万用表选电阻R×1挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动.红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去刹时短接掌握极,此时万用表电阻拦指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆阁下.如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针产生偏转,解释该单向可控硅已击穿破坏.四.可控硅的应用留意事项选用可控硅的额定电压时,应参考现实工作前提下的峰值电压的大小,并留出必定的余量. 1.选用可控硅的额定电流时,除了斟酌经由过程元件的平均电流外,还应留意正常工作时导通角的大小.散热通风前提等身分.在工作中还应留意管壳温度不超出响应电流下的许可值. 2.应用可控硅之前,应当用万用表检讨可控硅是否优越.发明有短路或断路现象时,应立刻改换.3.严禁用兆欧表（即摇表）检讨元件的绝缘情形.4.电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且包管所划定的冷却前提.为包管散热器与可控硅管心接触优越,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于优越的散热.5.按划定对主电路中的可控硅采取过压及过流呵护装配.6.要防止可控硅掌握极的正向过载和反向击穿.双向可控硅的工作道理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端构造元件,共有三个PN结,剖析道理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所构成当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状况.此时,假如从掌握极G输入一个正向触发旌旗灯号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2.因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2.此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2.这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不竭增大,如斯正向馈轮回的成果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通.因为BG1和BG2所构成的正反馈感化,所以一旦可控硅导通后,即使掌握极G的电流消掉了,可控硅仍然可以或许保持导通状况,因为触发旌旗灯号只起触发生发火用,没有关断功效,所以这种可控硅是不成关断的.因为可控硅只有导通和关断两种工作状况,所以它具有开关特征,这种特征须要必定的前提才干转化2,触发导通在掌握极G上参加正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT.在可控硅的内部正反馈感化（见图2）的基本上,加上IGT的感化,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特征OA段左移,IGT越大,特征左移越快.。
单向/双向可控硅触发电路设计原理
1. 可以用直流触发可控硅装置。
2. 电压有效值等于U等于开方{（电流有效值除以2派的值乘以SIN二倍电阻）加上(派减去电阻的差除以派）}。
3. 电流等于电压除以（电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值）。
触摸式台灯的控制原理
这种台灯的主要优点是没有开关，使用时通过人体触摸，完成开启、调光、关闭动作，给使用带来方便。
一、电路设计原理
人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极，使电路导通，并给负载——灯泡或灯管供电，使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作，达到调光的目的。
电路见图1，该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。
二、降压稳压电路
由R3、VDl、VD4、C4组成。
输出9V直流电，供给BA2101，由③⑦脚引入。
三、触发电路
由触发电极M将人体的感应信号，经c3、R8、R7送至④脚的sP端，经处理后，由⑥脚输出触发信号，经cl、R1加至可控硅VS的G极，VS导通，电灯H点亮。
第二次触摸，可改变触发脉冲前沿的到达时间，而使电灯亮度改变。
反复触摸，可按弱光、中光、强光和关闭四个动作状态循环，达到调节亮度的目的。
可控硅VS在动作中其导通角分别为120度、86度、17度。
双向可控硅结构原理及应用双向可控硅（BTR）是一种半导体器件，常用于交流电路中的电力控制和转换。
它包含两个PN结的二极管，通过控制发射极电流来实现对电流的控制。
双向可控硅的工作原理如下：当发射极电流为零时，BTR处于关断状态，两个PN结都正向偏置。
当正向电压施加在结P1-N2上时，结P1-N2导通，形成一个PNPN结构，此时电流在BTR上开始流动。
当BTR被激活（发射极电流增大），整个结构开始导通，电流正常传输。
当电流通过零点时，BTR会自动关闭，因为BTR的极间电容会阻断电流。
双向可控硅主要有三种工作模式：正向基本模式、反向基本模式和反向脉冲模式。
正向基本模式：当BTR处于关断状态时，施加正向电压，当电流达到触发电流时，BTR将被激活，形成导通状态。
一旦BTR导通，就可以实现晶闸管和电流管的控制，可以控制交流电的电力转换。
反向基本模式：与正向基本模式相反，当BTR处于关断状态时，施加反向电压，当电流达到触发电流时，BTR将被激活。
在正向基本模式下无法实现的应用中，反向基本模式可以用于电力控制和转换。
反向脉冲模式：在反向基本模式下，当电流通过BTR时，施加一个脉冲电压，可以使BTR重复导通和关断，实现更精确的控制。
双向可控硅具有许多应用领域。
以下是一些常见的应用：1.交流电路控制：双向可控硅可以用于控制交流电路中的电流和功率，如照明控制、电动机控制和电压调节等。
2.变频调速：通过控制双向可控硅的导通时间和关断时间，可以实现电动机的变频调速，以满足不同负载要求。
3.电器控制和保护：双向可控硅可以用于电器控制和保护电路，如电压保护、过载保护和短路保护等。
4.电力系统：在电力系统中，双向可控硅可以用于电力控制和转换，如电力因数校正、电能调度和电力传输等。
5.电动车充电：双向可控硅可以用于电动车充电系统中，实现对电动车的充电和放电控制，提高充电效率。
6.数码产品：双向可控硅还可以用于数码产品的电源控制和电流保护，增强产品的稳定性和安全性。
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bidirectional Controlled Rectifier，也称为Triac）是一种常用的电子器件，常用于交流电控制电路中。
它可以实现对交流电的双向控制，具有正向和反向导通的能力。
在本文中，我们将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、双向可控硅的工作原理：双向可控硅由两个PN结反向并联而成，结构类似于普通的可控硅。
它的主要特点是能够实现正向和反向的导通。
在正向导通状态下，双向可控硅的工作原理与单向可控硅相似。
当控制电压施加在控制端时，双向可控硅将导通，电流从主端流向副端。
而在反向导通状态下，双向可控硅的工作原理略有不同。
在反向导通状态下，当控制电压施加在控制端时，双向可控硅的两个PN结都处于反向偏置状态。
此时，如果主端和副端之间的电压超过了双向可控硅的触发电压，双向可控硅将导通，电流从副端流向主端。
反向导通状态下的双向可控硅相当于两个并联的单向可控硅，惟独当主端和副端之间的电压超过触发电压时，才干导通。
双向可控硅的导通状态可以通过控制端施加的触发电压来控制，触发电压的大小可以决定双向可控硅的导通时间和导通角度。
通过控制触发电压的大小和施加时间，可以实现对交流电的精确控制。
二、双向可控硅的原理图：下面是一个简单的双向可控硅的原理图示例：```+-----------------+| |MT1---| |---MT2| 双向可控硅 |G ----| |---A1| |+-----------------+```在上面的原理图中，MT1和MT2分别代表主端和副端，G代表控制端，A1代表辅助触发极。
主端和副端之间的电压可以通过双向可控硅的导通状态来控制。
控制端通过施加触发电压来控制双向可控硅的导通和截止。
三、双向可控硅的应用：双向可控硅广泛应用于交流电控制电路中，特殊是在家用电器、照明控制、电动工具和电动机控制等领域。
通过控制双向可控硅的导通时间和导通角度，可以实现对交流电的精确控制，从而实现对各种电器设备的调速、调光、开关等功能。
双向可控硅工作原理及应用双向可控硅（also known as Bidirectional Triode Thyristor，简称BTT）是一种常用的电力控制元件，其工作原理基于可控硅的结构和性能。
与普通的可控硅相比，双向可控硅还具备双向控制的能力，即可以在正向和反向的工作电压下触发和控制。
双向可控硅的结构与常用的可控硅相似，由四层半导体材料构成，分别是P-N-P-N的结构。
它通常由两个普通的可控硅反并联而成，使得正向和反向都能够触发和控制。
双向可控硅的工作原理如下：当正向工作电压施加在双向可控硅的正向P-N结上时，如果触发电流超过一定的阈值，则电流在P-N结之间形成导通通道，电压降低，双向可控硅的正向电流流过。
同时，当反向工作电压施加在双向可控硅的反向P-N结上时，如果触发电流超过一定的阈值，则电流在P-N结之间形成导通通道，电压降低，双向可控硅的反向电流流过。
通过控制正向和反向的触发电流，可以实现对双向可控硅的双向可控性。
双向可控硅的应用非常广泛，以下是一些主要的应用领域：1. 交流电源控制：由于双向可控硅可以同时控制正向和反向电流，因此特别适用于交流电源控制。
它可以用于电子变压器、电源电压调节、电能质量控制等方面。
2. 交流调光：双向可控硅可以用于交流调光，调整照明设备的亮度。
通过控制正向和反向的触发脉冲，可以实现对照明设备的调光效果，提高照明效果和节能效果。
3. 电动机控制：双向可控硅可以用于电动机的控制，实现对电动机的启动、停止、正转和反转等操作。
通过控制正向和反向的触发电流和电压，可以实现对电动机的精确控制。
4. 温度控制：双向可控硅可以用于温度控制，通过控制加热元件的工作周期，可以实现温度的控制。
例如，将双向可控硅应用于电炉控制，可以实现对电炉的温度控制。
5. 电力电子开关：双向可控硅可以用作电力电子开关，控制电流和电压的开关状态。
例如，将双向可控硅应用于交流电压调节器中，可以实现对电压的平滑调节和控制。
单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
双向可控硅原理与应用双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon, BCR）是一种电子器件，也称为双向可控整流器。
它是在普通可控硅的基础上进行改进，具备双向导电特性。
双向可控硅可同时实现正向和反向的控制，对于交流电路的控制和变换具有重要的意义。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理和应用。
一、工作原理：双向可控硅是由两个普通可控硅组成的，其中一个被定义为正向控制侧（PCT）可控硅，另一个被定义为反向控制侧（NCT）可控硅。
正向控制侧可控硅和反向控制侧可控硅之间通过一个电感L连接。
当正向控制侧可控硅的阳极与交流电源相连时，其阴极通过反向控制侧可控硅的阳极来接地，形成一个旁路通路，使交流电流能够流过它，实现正向电流通路的导通控制。
同样的，当反向控制侧可控硅的阳极与交流电源相连时，其阴极通过正向控制侧可控硅的阳极来接地，形成另一个旁路通路，使交流电流能够流过它，实现反向电流通路的导通控制。
通过正向和反向控制侧可控硅的互相控制，可以实现双向电流的导通控制。
二、应用：1.双向开关控制：双向可控硅作为双向电流开关可以控制交流电路中的开关状态。
例如，在照明系统中，可以使用双向可控硅控制灯光的亮度和开关状态。
2.交流电源控制：双向可控硅可以用于交流电源的开关控制。
通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以控制交流电源的输出电压和电流。
3.调光控制：双向可控硅可以实现交流电路的调光控制。
通过调节双向可控硅的导通角度，可以控制交流电路中的电流大小，从而实现灯光的调光效果。
4.电动机控制：双向可控硅可以用于交流电动机的控制。
通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以控制交流电动机的转向和转速。
5.逆变器：双向可控硅可以用于逆变器的控制。
通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以实现直流电源向交流电源的变换。
总结：双向可控硅是一种重要的电子器件，通过对其正向和反向控制，可以实现双向电流的导通控制。
它在交流电路的控制和变换中具有广泛的应用。
可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G 输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1表1 可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G 输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1表1 可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，见图2中的BC段3、触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
图5 阳极和控制极均加正向电压可控硅元件—可控硅元件的结构一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。
又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
见图1。
它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
图1、可控硅结构示意图和符号图可控硅知识的问与答一、可控硅的概念和结构？晶闸管又叫可控硅。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
图2二、晶闸管的主要工作特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。
晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。
注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5直流电源的正极)。
晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。
现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。
这个演示实验给了我们什么启发呢?图3这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。
晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管的特点：是“一触即发”。
但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。
那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。
如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。
大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。
测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。
现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。
在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。
现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。
Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。
通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。
在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。
通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。
现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。
六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。
今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。
七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。
我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。
在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。
为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。
值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。
如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压U 为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了I 增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。
发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。
八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。
为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。
它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。
合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。
当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。
