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半导体芯片制造工艺流程一、晶圆生产过程1、切割原材料：首先，将原材料（多晶片、单晶片或多晶硅）剪切成小块，称之为原乳片（OOP）。
2、晶圆处理：将原乳片受热加热，使其变形，使其压紧一致，然后放入一种名叫抛光膏的特殊介质中，使原乳片抛光均匀，表面压处理完成后可以形成称做“光本”的片子，用于制作晶圆切片。
3、晶圆切片：将打磨后的“光本”放入切片机，由切片机按特定尺寸与厚度切割成多片，即晶圆切片。
4、外层保护：为防止晶圆切片氧化和粉化，需要给其外层加以保护，银镀层属于最常用的保护方式，银镀用于自行氧化或化学氧化，使晶圆切片的表面具有光泽滑润的特性，同时会阻止晶圆切片粉化，提升晶圆切片的质量。
二、封装1、贴有芯片的封装状态：需要将芯片封装在一个特殊容器，这个容器由多层金属合金制成，其中折叠金属层和金属緩衝層能够有效地抗震，同时能够预防芯片表面外来粉尘的影响，芯片的需要的部件，贴入折叠金属层的空隙中，用以安全固定。
2、针引线安装：引线是封装过程中用来连接外部与芯片内部的一种金属元件，一般由铜带按照需要的形状进行切割而成，由于引线的重要性，需要保证引线的装配使得引线舌语长度相等，防止引线之间相互干涉，芯片内部元件之间并不影响运行。
3、将口金连接到封装上：封装固定完毕后，需要给封装上焊上金属口金，来使得封装具有自身耐腐蚀性能，保护内部金属引线免于腐蚀。
4、将封装上封装在机柜中：把封装好的芯片安装在外壳体内，使得外壳可以有效地防止芯片的护盾被外界的破坏。
三、芯片测试1、芯片测试：芯片测试是指使用指定的设备测试芯片，通过检测芯片的性能参数，来查看芯片的表现情况，判断其是否符合要求，从而判断该芯片产品是否可以出厂销售。
2、功能测试：功能测试是检测半导体芯片的特殊功能，例如检查芯片操作程序功能是否达到产品要求，及看看芯片故障率是否太高等。
3、芯片温度：芯片也要进行温度测试，温度的大小决定了芯片的工作状况以及使用寿命，需要把比较详细的测量温度，用以检查芯片是否能够承受更高的工作温度条件；4、芯片功能检测：功能检测是常用的测试，如扫描检测或静态测试，根据设计上的配置，将芯片进行检测，来看看是否有损坏，看看功能是否正常，符合产品要求。
半导体制造工艺流程半导体制造工艺是半导体芯片制造的基础流程，也是一项复杂且精细的工艺。
下面是一份大致的半导体制造工艺流程，仅供参考。
1. 半导体材料的准备：半导体材料通常是硅，需要经过精细的提纯过程，将杂质降低到一定程度，以确保半导体器件的性能。
还需要进行晶体生长、切割和抛光等工艺，以制备出适用于制造芯片的晶片。
2. 晶片清洗和处理：经过前面的准备步骤后，晶片需要进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
清洗包括化学溶液浸泡和超声波清洗等步骤。
之后，通过化学气相沉积等工艺，在晶片上形成氧化层或氮化层，以保护晶片表面。
3. 光刻和光刻胶涂布：在晶片表面涂布一层光刻胶，然后通过光刻机将设计好的芯片图案投射在胶涂层上，形成光刻胶图案。
光刻胶图案将成为制作芯片电路的模板。
4. 蚀刻：将光刻胶图案转移到晶片上，通过干式或湿式蚀刻工艺，将未被光刻胶保护的部分材料去除，形成电路图案。
蚀刻可以通过化学溶液或高能离子束等方式进行。
5. 激光刻蚀：对于一些特殊材料或细微的电路结构，可以使用激光刻蚀来实现更高精度的图案形成。
激光刻蚀可以通过激光束对材料进行精确的去除。
6. 金属薄膜沉积：在晶片表面沉积金属薄膜，以形成电路中的金属导线和连接器。
金属薄膜通常是铝、铜等材料，通过物理气相沉积或化学气相沉积等工艺进行。
7. 金属薄膜刻蚀和清洗：对金属薄膜进行蚀刻和清洗，以去除多余的金属，留下需要的导线和连接器。
8. 测量和测试：对制造好的芯片进行电学性能的测试和测量，以确保其符合设计要求。
9. 封装和封装测试：将芯片封装在外部环境中，通常采用芯片封装材料进行密封，然后进行封装测试，以验证封装后芯片的性能和可靠性。
10. 最终测试：对封装好的芯片进行最终的功能和性能测试，以确保其满足市场需求和客户要求。
以上是半导体制造的基本流程，其中每个步骤都需要高度的精确性和专业技术。
半导体制造工艺的不断改进和创新，是推动半导体技术不断进步和发展的重要驱动力。
芯⽚制造―半导体⼯艺制程实⽤教程第六版课后答案芯⽚制造――半导体⼯艺制程实⽤教程（美）Peter Van Zant（彼得·范·赞特）课后习题答案本书是⼀本介绍半导体集成电路和器件制造技术，在半导体领域享有很⾼的声誉；包括半导体⼯艺的每个阶段：从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的⼯艺；提供了详细的插扫⼀扫⽂末在⾥⾯回复答案+芯⽚制造――半导体⼯艺制程实⽤教程⽴即得到答案图和实例，并辅以⼩结、习题、术语表；避开了复杂的数学问题介绍⼯艺技术。
本书是⼀本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书，在半导体领域享有很⾼的声誉。
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第六版修订了微芯⽚制造领域的新进展，讨论了⽤于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进⼯艺和尖端技术，使隐含在复杂的现代半导体制造材料与⼯艺中的物理、化学和电⼦的基础信息更易理解。
本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍⼯艺技术内容，并加⼊了半导体业界的新成果，可以使读者了解⼯艺技术发展的趋势。
Peter Van Zant 国际知名半导体专家，具有⼴阔的⼯艺⼯程、培训、咨询和写作⽅⾯的背景，他曾先后在IBM和德州仪器（TI）⼯作，之后再硅⾕，⼜先后在美国国家半导体（National Semiconductor）和单⽚存储器（Monolithic Memories）公司任晶圆制造⼯艺⼯程和管理职位。
他还曾在加利福尼亚州洛杉矶的⼭麓学院（Foothill College）任讲师，讲授半导体课程和针对初始⼯艺⼯程师的⾼级课程。
他是《半导体技术词汇》（第三版）（Semiconductor Technology Glossary, Third Edition）、《集成电路教程》（Integrated Circuits Text）、《安全第⼀⼿册》（Safety First Manual）和《芯⽚封装⼿册》（Chip Packag（美）Peter Van Zant（彼得·范·赞特）芯⽚制造――半导体⼯艺制程实⽤教程课后习题答案ing Manual）的作者。
半导体芯片制作流程工艺半导体芯片制作可老复杂啦，我给你好好唠唠。
1. 晶圆制造(1) 硅提纯呢，这可是第一步，要把硅从沙子里提炼出来，变成那种超高纯度的硅，就像从一群普通小喽啰里挑出超级精英一样。
这硅的纯度得达到小数点后好多个9呢，只有这样才能满足芯片制造的基本要求。
要是纯度不够，就像盖房子用的砖都是软趴趴的，那房子肯定盖不起来呀。
(2) 拉晶。
把提纯后的硅弄成一个大的单晶硅锭，就像把一堆面粉揉成一个超级大的面团一样。
这个单晶硅锭可是有特殊形状的，是那种长长的圆柱体，这就是芯片的基础材料啦。
(3) 切片。
把这个大的单晶硅锭切成一片一片的，就像切面包片一样。
不过这可比切面包难多啦，每一片都得切得超级薄，而且厚度要非常均匀，这样才能保证后面制造出来的芯片质量好。
2. 光刻(1) 光刻胶涂覆。
先在晶圆表面涂上一层光刻胶，这光刻胶就像给晶圆穿上了一件特殊的衣服。
这件衣服可神奇啦，它能在后面的光刻过程中起到关键作用。
(2) 光刻。
用光刻机把设计好的电路图案投射到光刻胶上。
这光刻机可厉害啦，就像一个超级画家，但是它画的不是普通的画，而是超级精细的电路图案。
这图案的线条非常非常细，细到你都想象不到，就像头发丝的千分之一那么细呢。
(3) 显影。
把经过光刻后的晶圆进行显影，就像把照片洗出来一样。
这样就把我们想要的电路图案留在光刻胶上啦，那些不需要的光刻胶就被去掉了。
3. 蚀刻(1) 蚀刻过程就是把没有光刻胶保护的硅片部分给腐蚀掉。
这就像雕刻一样，把不要的部分去掉，留下我们想要的电路结构。
不过这个过程得非常小心，要是腐蚀多了或者少了，那芯片就报废了。
(2) 去光刻胶。
把之前用来形成图案的光刻胶去掉，这时候晶圆上就留下了我们想要的电路形状啦。
4. 掺杂(1) 离子注入。
通过离子注入的方式把一些特定的杂质原子注入到硅片中，这就像给硅片注入了特殊的能量一样。
这些杂质原子会改变硅片的电学性质，从而形成我们需要的P型或者N型半导体区域。
半导体制造全流程1当听到“半导体”这个词时，你会想到什么？它听起来复杂且遥远，但其实已经渗透到我们生活的各个方面：从智能手机、笔记本电脑、信用卡到地铁，我们日常生活所依赖的各种物品都用到了半导体。
每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。
第一步晶圆加工所有半导体工艺都始于一粒沙子！因为沙子所含的硅是生产晶圆所需要的原材料。
晶圆是将硅(Si)或砷化镓(GaAs)制成的单晶柱体切割形成的圆薄片。
要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂，一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料，也是制作晶圆的主要原材料。
晶圆加工就是制作获取上述晶圆的过程。
① 铸锭首先需将沙子加热，分离其中的一氧化碳和硅，并不断重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅(EG-Si)。
高纯硅熔化成液体，进而再凝固成单晶固体形式，称为“锭”，这就是半导体制造的第一步。
硅锭（硅柱）的制作精度要求很高，达到纳米级，其广泛应用的制造方法是提拉法。
② 锭切割前一个步骤完成后，需要用金刚石锯切掉铸锭的两端，再将其切割成一定厚度的薄片。
锭薄片直径决定了晶圆的尺寸，更大更薄的晶圆能被分割成更多的可用单元，有助于降低生产成本。
切割硅锭后需在薄片上加入“平坦区”或“凹痕”标记，方便在后续步骤中以其为标准设置加工方向。
③ 晶圆表面抛光通过上述切割过程获得的薄片被称为“裸片”，即未经加工的“原料晶圆”。
裸片的表面凹凸不平，无法直接在上面印制电路图形。
因此，需要先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物，即可获得表面整洁的成品晶圆。
第二步氧化氧化工艺的作用是在晶片表面形成一层保护膜。
它可以保护晶片免受化学杂质的影响，防止漏电流进入电路，防止离子注入过程中的扩散，并防止晶片在蚀刻过程中滑动。
氧化过程的第一步是去除杂质和污染物，需要通过四步去除有机物、金属等杂质及蒸发残留的水分。
芯片制造-半导体工艺教程
Microchip Fabrication
----A Practical Guide to Semicondutor Processing
目录:
第一章:半导体工业[1] [2] [3]
第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3] [4] [5]
第三章:晶圆制备[1] [2] [3]
第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]
第五章:污染操纵[1] [2] [3] [4] [5] [6]
第六章:工艺良品率[1] [2]
第七章:氧化
第八章:差不多光刻工艺流程-从表面预备到曝光
第九章:差不多光刻工艺流程-从曝光到最终检验
第十章:高级光刻工艺
第十一章:掺杂
第十二章:淀积
第十三章:金属淀积
第十四章:工艺和器件评估
第十五章:晶圆加工中的商务因素
第十六章:半导体器件和集成电路的形成
第十七章:集成电路的类型
第十八章:封装
附录:术语表
#1 第一章半导体工业--1
芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录
by r53858
概述
本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的进展和其成为世界领导工业的进展趋势来介绍半导体工业。
并将
按照产品类型介绍要紧生产时期和解释晶体管结构与集成度水平。
目的
完成本章后您将能够：
1. 描述分立器件和集成电路的区不。
2. 讲明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。
3. 列举出四个要紧半导体工艺步骤。
4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。
5. 列举出半导体制造的要紧工艺和器件进展趋势。
一个工业的诞生
电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发觉的真空三极管。
1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为
可能。
它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。
这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。
它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。
ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。
真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。
密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。
真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。
开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。
真空管有一系列的缺点。
体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，同时元件老化专门快。
ENIAC 和其它基于真空管的计算机的要紧缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时刻有限。
这些问题成为许多实验室查找真空管替代品的动力，那个努力在1947年12月23曰得以实现。
贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。
这种器件不但有真空管的功能，而且具有固态（无真空）、体积小、重量轻,、耗电低同时寿命长的优点，起初命名为“传输电阻器”而后专门快更名为晶体管（transistor）。
John Barden, Walter Brattin 和William Shockley, 这三位科学家因他们的这一发明而被授予1956年的诺贝尔物理奖。
固态时代
第一个晶体管和今天的高密度集成电路相去甚远，但它和它的许多闻名的后裔给予了固态电子时代的诞生。
除晶体管之外, 固态技术还用于制造二极管、电阻器和电容器。
二极管为两个元件的器件在电路中起到开关的作用；电阻器是单元件的器件承担限制电流的作用.；电容器为两个元件的器件在电路中起存储电荷的作用，在有些电路中应用这种技术制造保险丝。
有关这些概念和器件工作原理的解释请参见第14章。
这些每个芯片中只含有一个器件的器件称为分立器件（图1.4）。
大多数的分立器件在功能和制造上比集成电路有较少的要求。
大体上，分立器件不被认为是尖端产品，然而它们却用于最周密复杂的电子系统中。
在1998年它们的销售额占全部半导体器件销售额的12%。
2到20世纪50年代的早期半导体工业进入了一个特不活跃的时期，为晶体管收音机和晶体管计算机提供器件。
集成电路
分立器件的统治地位在1959年走到了尽头。
那一年，在得州仪器公司工作的新工程师 Jacky Kilby 在一块锗半导体材料上制成了一个完整的电路。
他的发明由几个晶体管、二极管、电容器和利用锗芯片天然电阻的电阻器组成。
那个发明确实是集成电路（integrated circuit），第一次成功地在一块半导体基材上做出完整的电路。
Kilby的电路并不是现今所普遍应用的形式，它是经Robert Noyce，然后最终在Fairchild Camera完成的。
图1.5是Kilby 的电路，我们能够注意到器件是用单独的线连接起来的。
早些时候在Fairchild Camera的Jean Horni 就差不多开发出
一种在芯片表面上形成电子结来制做晶体管的平面制作工艺（图1.6）。
平面形式是利用了硅易于形成氧化硅同时为非导体（电绝缘体）的优点。
Horni的晶体管使用了铝蒸汽镀膜并使之形成适当的形状来作器件的连线，这种技术称为平面技术（planar technology）。
Horni应用这种技术把预先在硅表面上形成的器件连接起来。
Kilby和Horni的集成电路成为所有集成电路的模式，这种技术不仅符合当时的需要，而且也是小型化和推动工业进展的生产有效成本制造业的根源。
Kilby和Horni共同享有集成电路的专利。
图1.5 Kibly书中记载的集成电路
工艺和产品趋势
从1947年开始，半导体工业就差不多呈现出在新工艺和工艺提高上的持续进展。
工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生，从而推动了电子工业的革命。
这些工艺的改进归为两大类：工艺和结构。
工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有有更高的密度，更多数量和更高的可靠性。
结构的改进是指新器件设计上的发明使电路的性能更好，实现更佳的能耗操纵和更高的可靠性。
集成电路中器件的尺寸和数量是IC进展的两个共同标志。
器件的尺寸是以设计中最小尺寸来表示的，叫做特征图形尺寸, 通常用微米来表示。
一微米为1/10,000厘米或约为人头发的1/100。
英特尔公司的创始人之一Gordon Moore在1964年预言集成电路的密度会每十八个月翻一番，那个预言后来成为闻名的摩尔定律并被证明十分准确（图1.7）。
集成度水平表示电路的密度，也确实是电路中器件的数量。
集成度水平（integration level）（图 1.8）的范围从小规模集成（SSI）到超大规模（ULSI）集成电路，ULSI集成电路有时称为甚大规模集成电路(VVLSI). 大众刊物上称最新的产品为百万芯片（megachips）。
除集成规模外，存储器电路还由其存储比特的数量来衡量（一个4兆的存储器可存储四百万比特），逻辑电路的规模经常用栅极（栅极是逻辑电路中差不多的功能元件）的数量来评价。
#1 第一章半导体工业—2
特征图形尺寸的减小
by r53858
从小规模集成电路进展到今天的百万芯片，其中单个元件特征图形尺寸的减小起了重要的推动作用。
这得益于光刻和多层连线技术的极大提高。
图1.9为二十五年中实际和预期的特征图形尺寸的情况。
半导体工业协会（SIA）预期到2012年特征图形尺寸会减小至50纳米（0.05微米）。
3 元件尺寸的减小所带来的好处是电路密度的增加。
我们能够用一个家庭住宅区的布局做个比喻来解释那个进展趋势。
住宅区的密度就取决于房屋大小, 占地大小和街道宽度。
假如要居住更多的人口，我们能够增加住宅区的面积（增加芯片区域），另一种可能则是减小单个房屋的尺寸并使它们占地较小。
我们也能够用减小街道大小的方法来增加密度，然而, 到一定程度时街道就不能再被减小了，或是就不够汽车通行的宽度了，而
要保持房子的可居住性，房屋也不能无限制地减小，现在一个方法确实是用公寓楼来取代单个房屋。
所有的这些方法都应用在了半导体技术中。
特征尺寸的减小和电路密度的增大带来了专门多益处。
在电路的性能方面是电路速度的提高，传输距离的缩短和单个器件所占空间的减小使得信息通过芯片时所用的时刻缩短，这种更快的性能使那些曾经等待计算机来完成一个简单工作的人受益非浅。
电路密度的提高还使芯片或电路耗电量更小，要小型电站来维持运行的ENIAC已被靠使用电池的功能强大的便携式电脑所取代。
芯片和晶圆尺寸的增大
芯片密度从SSI进展到ULSI的进步推动了更大尺寸芯片的开发。
分立器件和SSI芯片边长平均约为100mils（0.1英寸），而ULSI芯片每边长为500 mils（0.5英寸）或更大。
IC是在称为晶圆（wafer）的薄硅片（或其它半导体材料薄片）上制造成的。
在圆形的晶圆上制造方形或长方形的芯片导致在晶圆的边缘处。
