电力电子技术3-4章模拟题

电力电子技术模拟习题与参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工作。

（）A、正确B、错误正确答案：B2.β反映基极电流对集电极电流的控制力。

（）A、正确B、错误正确答案：A3.在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。

（）A、正确B、错误正确答案：A4.GTO关断时间是指存储时间下降时间和尾部时间之和。

（）A、正确B、错误正确答案：B5.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

（）A、正确B、错误正确答案：B6.无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网。

（）A、正确B、错误正确答案：B7.单相半波可控整流电路电阻负载上电压与电流的波形形状相同。

（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路的优点是线路简单、设备投资少及调试方便。

（）A、正确B、错误正确答案：A9.平板式晶闸管的缺点是安装不方便。

（）A、正确B、错误正确答案：A10.逆变角太大会造成逆变失败。

（）A、正确B、错误正确答案：B11.无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网（）A、正确B、错误正确答案：B12.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。

（）A、正确B、错误正确答案：B13.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。

（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。

（）A、正确B、错误正确答案：A15.GTO的缺点是电流关断增益很小。

（）A、正确B、错误正确答案：A16.单相全波整流电路需要配备中心带抽头的整流变压器。

（）A、正确B、错误正确答案：A17.并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。

（）A、正确B、错误正确答案：A18.无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。

（）A、正确B、错误正确答案：B19.晶闸管的门极电流既能控制其导通，也能控制其关断。

哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题4（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分）1.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极有触发电流情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。

要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

2.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。

选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2～3倍。

3.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。

晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。

对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2～4倍。

4.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。

5. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10 s左右。

高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额不易做高。

6.双向晶闸管晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。

7.逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。

8. 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。

光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。

9.带隔离变压器的DC-DC变换器的基本类型包括单端正激变换器和单端反激变换器，其中单端是指变压器磁通单方向变化。

10.正激变换器是指在开关管开通时电源将能量直接传送给负载。

11.反激变换器是指在开关管开通时电源将电能转为磁能储存在电感（变压器）中，当开关管关断时再将磁能变为电能传送到负载。

12.三相电压型逆变电路中，180度导电角的控制方式下，每个桥臂的导电角度为180˚，各相开始导电的角度依次相差120˚，在任一时刻，有3个桥臂导通。

第4章直流-交流变换器习题及答案第1部分:填空题1.把直流电变成交流电的电路称为_逆变电路_,当交流侧有电源时称为_有源逆变__,当交流侧无电源时称为_无源逆变__。

2.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,换流可以分为两类,即外部换流和_内部换流__,进一步划分,前者又包括_电网换流__和_负载换流___两种换流方式,后者包括_器件换流_和_强迫换流_两种换流方式。

适用于全控型器件的换流方式是_器件换流_。

3.逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为_电压型逆变电路_,当直流侧为电流源时,称此电路为_电流型逆变电路_。

4.半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为__1/2___Ud ,全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为___1.0___Ud 。

5.单相全桥方波型逆变电路,180度导电角的控制方式下,改变输出交流电压的有效值只能通过改变直流电压U d来实现,改变开关切换频率可改变输出交流电频率。

为防止同一桥臂的上下两个开关器件同时导通而引起直流侧电源短路,在开关控制上应采取先断后通的措施。

6.三相电压型逆变电路中,180度导电角的控制方式下,每个桥臂的导电角度为__180O______,各相开始导电的角度依次相差_120O__,在任一时刻,有___3___个桥臂导通。

7.电压型逆变电路一般采用_全控型_器件,换流方式为_器件换流____;电流型逆变电路中,较多采用__半控型__器件,换流方式有的采用 _强迫换流_,有的采用_负载换流__。

8.三相电流型逆变电路的基本工作方式是120度导电方式,按VT1到VT6的顺序每隔__60O_______依次导通,各桥臂之间换流采用 __横向_____换流方式,在任一时刻,有___3_____个桥臂导通。

电力电子技术试题（第四章）一、填空题1、GTO的全称是，图形符号为；GTR的全称是，图形符号为；P-MOSFET的全称是，图形符号为；IGBT 的全称是，图形符号为。

33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。

2、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的。

33、负信号、反向电流。

3、大功率晶体管简称，通常指耗散功率以上的晶体管。

34、GTR、1W。

4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是和。

35、电流不够大、耐压不够高。

二、判断题对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分）1、大功率晶体管的放大倍数β都比较低。

（√）2、工作温度升高，会导致GTR的寿命减短。

（√）3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。

（√）4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。

（×）5、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。

（√）6、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。

（√）7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。

（×）8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。

（×）9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

（√）三、单项选择题把正确答案的番号填在括号内（每小题1分，共10分）1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。

A、GTRB、 MOSFETC、、IGBT2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是（）。

A、GTRB、MOSFETC、IGBT3、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（）。

A、GTRB、 MOSFETC、、IGBT4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（）。

A、GTOB、GTRC、IGBT。

5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）、最慢的是（）。

A、GTOB、GTRC、MOSFET6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。

XX学院XX年秋季学期电力电子技术模拟试题5 （开卷,时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（42分，每空1分）1.IGBT导通的条件是： ________________ 且_____________________ o2. IGBT的输出特性分为三个区域，分别是： ________________________ o IGBT的开关过程，是在 _______ 区和 _______ 区之间切换。

3.IGCT由__________ 和__________ 两类器件结合而成的复合器件，目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代 ___________ 在大功率场合的位置。

4•将多个电力电子器件封装在一个模块中，称为 _____________ o5•与单管器件相比，功率模块的优点是： ___________ . _____________ o6•功率集成电路将功率器件与 _______________________ 等信息电子电路制作在同一芯片上。

7•功率集成电路实现了_________ 和_______ 的集成，成为机电一体化的理想接口。

&按照载流子参与导电的情况"可将电力电子器件分为: ___________ 、 ________ 和三类。

9.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第________ 象限，升压斩波电路能使电动机工作于第_________ 象限， ________ 斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。

10•桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第________ 象限。

11•复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个________ 斩波电路和一个________ 斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3 个________ 斩波电路并联。

12.T型双极式可逆斩波电路需要__________ 电源供电，功率管承受的反向电压是电源电压的________ 倍。

第3章 直流斩波电路1．简述图3-1a 所示的降压斩波电路工作原理。

答：降压斩波器的原理是：在一个控制周期中，让V 导通一段时间t on ，由电源E 向L 、R 、M 供电，在此期间，u o ＝E 。

然后使V 关断一段时间t off ，此时电感L 通过二极管VD 向R 和M 供电，u o ＝0。

一个周期内的平均电压U o ＝E t t t ⨯+offon on。

输出电压小于电源电压，起到降压的作用。

2．在图3-1a 所示的降压斩波电路中，已知E =200V ，R =10Ω，L 值极大，E M =30V ，T =50μs,t on =20μs,计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值I o 。

解：由于L 值极大，故负载电流连续，于是输出电压平均值为U o =E T t on =5020020⨯=80(V) 输出电流平均值为I o =R E U M o -=103080-=5(A)3．在图3-1a 所示的降压斩波电路中，E =100V ， L =1mH ，R =Ω，E M =10V ，采用脉宽调制控制方式，T =20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值I o ，计算输出电流的最大和最小值瞬时值并判断负载电流是否连续。

当t on =3μs 时，重新进行上述计算。

解：由题目已知条件可得：m =E E M =10010= τ=RL =5.0001.0=当t on =5μs 时，有ρ=τT = =τont =由于11--ραρe e =1101.00025.0--e e =>m所以输出电流连续。

此时输出平均电压为U o =E T t on =205100⨯=25(V) 输出平均电流为I o =R E U M o -=5.01025-=30(A) 输出电流的最大和最小值瞬时值分别为I max =R E m e e ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-----ραρ11=5.01001.01101.00025.0⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-----e e =(A)I min =R E m e e ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛---11ραρ=5.01001.01101.00025.0⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛---e e =(A) 当t on =3μs 时，采用同样的方法可以得出： αρ=由于11--ραρe e =1101.0015.0--e e =>m 所以输出电流仍然连续。

电力电子技术模拟考试题及答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。

A、40～45B、20～25C、30～35D、10～15正确答案：C2.180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行()。

A、不同相B、同一相C、固定相D、不确定相正确答案：B3.触发电路中的触发信号应具有（）A、足够小的触发功率B、足够大的触发功率C、尽可能窄的宽度D、尽可能缓的前沿正确答案：B4.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）A、增大三角波幅度B、增大正弦调制波幅度C、增大三角波频率D、增大正弦调制波频率正确答案：D5.晶闸管稳定导通的条件（）A、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流B、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流D、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流正确答案：B6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。

A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°正确答案：D7.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、180度-360度B、0度-90度C、0度D、90度-180度正确答案：B8.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）A、不定B、导通状态C、饱和状态D、关断状态正确答案：D9.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、触发型器件B、半控型器件C、不控型器件D、全控型器件正确答案：D10.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。

A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D11.逆变电路是一种（）变换电路。

A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B12.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案：B13.有源逆变发生的条件为（）A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案：D14.可实现有源逆变的电路为（）。

电力电子技术(模拟试题及答案) 电力电子技术模拟试题答案在后面显示模拟试题注意事项：1. 本试卷共四大题，满分100分，考试时刻90分钟，闭卷；2. 考前请将密封线内各项信息填写清晰；3. 所有答案直截了当做在试卷上,做在草稿纸上无效；4．考试结束，试卷、草稿纸一并交回。

题号一二三四总分评分人得分一、单项挑选题(每题2分, 共30分)1、一般晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A．有效值B．最大值C．平均值D．瞬时值2、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。

A．180°B．60°C．360°D．120°3、单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（）倍。

A．1B．0.5C．0.45D．0.94、三相半波可控整流电路的自然换相点是()。

A.交流相电压的过零点；B.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C.比三相别控整流电路的自然换相点超前30°；D.比三相别控整流电路的自然换相点滞后60°。

5、电容滤波的三相别可控整流电路中，空载时，输出电压平均值等于 () ，为输入电压有效值。

A、2.45B、C、0.9D、6、电容滤波的三相别可控整流电路中，随着负载加重，输出电压平均值越接近 () ，为输入电压有效值。

A、2.45B、C、2.34D、7、可实现有源逆变的电路为() 。

A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路。

8、在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选() 为最好。

A、β=90o∽180oB、β=35o∽90oC、β=0o∽90oD、β=0o∽180o9、以下哪种换流方式适用于全控型器件（）。

A、器件换流B、电网换流C、负载换流D、强迫换流10、以下哪一点别属于电流型逆变电路的特点（）。

A、输出电压为矩形方波B、输出电流为矩形方波C、直流侧电流基本无脉动D、直流回路呈现高阻抗11、别属于电压型半桥逆变电路特点的是（）。

电力电子技术模拟题及答案题一：一个有源三级逆变电路，其三相负载的相电流波形如图1所示。

试根据给定的电流波形，分析电路工作状态，并给出相应的开关管工作状态，假设开关管导通时的电压降丢失忽略。

答案：根据题意，已给出了相电流波形如图1所示，我们需要根据波形分析电路工作状态以及开关管的工作状态。

首先，观察图1中的三相电流波形，可以发现在相电流波形的正半周期内，分别存在一段时间的时间间隔，这是因为有源三级逆变电路的工作特点决定的。

在该时间间隔内，开关管均处于断路状态。

接下来，我们将分别对各个开关管的工作状态进行分析：1. S1开关管：在图1的正电流半周期内，当相电流从零逐渐增大到最大值时，S1开关管处于导通状态。

因为此时相电流为正，所以整流器的拓扑结构为正半桥，即D3和D4导通，D1和D2断路。

S1开关管的导通时间持续到相电流达到最大值，并且保持该状态直到时间间隔结束，即S1导通时间为一段时间。

2. S2开关管：在图1的正电流半周期内，当相电流从最大值逐渐减小到零时，S2开关管处于导通状态。

因为此时相电流仍为正，所以整流器的拓扑结构仍为正半桥，即D1和D2导通，D3和D4断路。

S2开关管的导通时间持续到相电流降为零，并且保持该状态直到时间间隔结束，即S2导通时间为一段时间。

3. S3开关管：在图1的负电流半周期内，当相电流从零逐渐增大到最大负值时，S3开关管处于导通状态。

因为此时相电流为负，所以整流器的拓扑结构为负半桥，即D1和D4导通，D2和D3断路。

S3开关管的导通时间持续到相电流达到最大负值，并且保持该状态直到时间间隔结束，即S3导通时间为一段时间。

4. S4开关管：在图1的负电流半周期内，当相电流从最大负值逐渐减小到零时，S4开关管处于导通状态。

因为此时相电流仍为负，所以整流器的拓扑结构仍为负半桥，即D2和D3导通，D1和D4断路。

S4开关管的导通时间持续到相电流降为零，并且保持该状态直到时间间隔结束，即S4导通时间为一段时间。