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模电选择题(总6页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除1、半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时，其内电场被（）A、削弱B、增强C、不变D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。
A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素5、 PN结V—I特性的表达示为（）6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）A、变宽B、变窄C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）A、 10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ8、三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是（）A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（）A、短路B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻R e的共射放大电路，在并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将（）A、减小B、增大C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当V CE=6V，其电流放大系数β为（）A、100B、50C、150D、2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、、2V，（见图2所示）则此三极管为（）A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管16、多级放大电路的级数越多，则其（）A、放大倍数越大，而通频带越窄B、放大倍数越大，而通频带越宽C、放大倍数越小，而通频带越宽D、放大倍数越小，而通频带越窄17、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（）A、20倍B、-20倍C、-10倍D、倍18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（）A、独立信号源短路，负载开路B、独立信号源短路，负载短路C、独立信号源开路，负载开路D、独立信号源开路，负载短路19、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）决定A、管子类型B、g mC、偏置电路D、V GS20、场效应管的工作原理是（）A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流21、场效应管属于（）A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电压控制型器件22、如图3所示电路为（）A、甲类OCL功率放大电路B、乙类OCL功率放大电路C、甲乙类OCL功率放大电路D、甲乙类OTL功率放大电路23、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真24、与乙类功率放大方式比较，甲乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真25、在甲乙类功放中，一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压与电路中所加电源关系表示正确的是（）D、以上都不正确26、通用型集成运放适用于放大( )A、高频信号B、低频信号C、任何频率信号D、中频信号27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（）A、反相输入端为虚地B、输入电阻大C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（）A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路29、共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强D、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）A、增加一倍B、为双端输入时的一半C、不变D、不确定31、电流源的特点是直流等效电阻( )A、大B、小C、恒定D、不定32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（）A、1＋AF倍B、1/(1＋AF)倍C、1/F倍D、1/AF倍33、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（）A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（）A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈D、电压并联负反馈35、如图4为两级电路，接入R F后引入了级间（）A、电流并联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈36、某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（）A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈38、某电路有用信号频率为2kHz，可选用（）A、低通滤波器B、高通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（）才能满足起振条件A、为1/3时B、为3时C、＞3D、＞1/340、LC正弦波振荡器电路的振荡频率为（）41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（）A、2nπ，n为整数B、(2n+1)π，n为整数C、nπ/2，n为整数D、不确定42、RC串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（）43、桥式整流电路若变压器二次电压为，则每个整流管所承受的最大反向电压为（）44、图5为单相桥式整流滤波电路，u i为正弦电压，其有效值为U i=20V，f=50Hz。
第1章习题一、填空题：1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。
3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。
PN结的这种特性称为单向导电性。
4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。
6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。
7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。
8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。
9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
二. 判断下列说法的正确与错误：1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。
（错）2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。
（错）3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ）a、700b、650c、100d、-1002.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ）a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。
A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、0.5KΩ5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B（ B ）a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。
当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA<V OB，由此必须A比B（C ）a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A ）a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（ C ）a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与V N、V P分别成（ D ）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ）A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、积分运算电路半导体12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D ）。
第一部分：模电数电基础知识技术测试题姓名：安江涛得分：1.电阻的特性有（A），电容的特性有（B），电感的特性有（C）二极管的特性有(D)A、分压、限流B、通交隔直C、通直阻交D、单向导通2. 电阻越大，说明（A）A、阻碍电流的能力越大B、同一时间内消耗的能量越多C、功率越大D、电压越大3 回忆总结：尽可能多的写出你接触到的电阻阻值（从小到大）18Ω,1K,4.7K,10K4.回忆总结：尽可能多的写出你所知道的电阻的作用(每种作用要联想实际电路画出最好)：1.分压限流（稳压二极管电路） 2.上下拉 3. RC震荡电路5. 关于上拉电阻，正确的有( AC)A、上拉，就是通过一个电阻将信号接电源，一般用于时钟信号数据信号等。
B、TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值C、加大输出的驱动能力D、提高抗电磁能力,空脚易受电磁干扰6. 关于下拉电阻正确的有（ AD）A、下拉，就是通过一个电阻将信号接地，一般用于保护信号。
B、TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值C、加大输出的驱动能力D、提高抗电磁能力,空脚易受电磁干扰7. 关于上下拉电阻的选择，结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定，要考虑的因素以下正确的有（AB）A、驱动能力与功耗的平衡。
以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，但功耗越大，设计是应注意两者之间的均衡。
B、下级电路的驱动需求。
同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。
C、高低电平的设定。
不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。
以上拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通，上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。
D、频率特性:：以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电路之间的输入电容会形成RC延迟，电阻越大，延迟越大。
作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解：(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：P. 69－70: 1.3，1.61.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
练习题一1. 填空题1.1 贴片电阻多用数码法标示，如512标示Ω。
（5.1k）1.2 色环电阻，红+红+橙+金+棕，表示阻值和误差为。
（22.3Ω±1%）1.3 某采样电阻标注为R005，表示该电阻的阻值为Ω。
（0.005）1.4 一瓷片电容其标示为104J，表示其容量为uF、误差为±5%。
（0.1）1.5 电容具有通，阻的电气特性。
（交流，直流）1.6 电感在电路中常用“L”表示，电感的特性是通直流阻交流，频率越，线圈阻抗越大。
（高）1.7 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路，其作用是阻止电流通过。
（低频交流）1.8 P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。
（空穴，电子）1.9 温度增加时，二极管的正向电阻将会变。
（小）1.10 PN结最大的特点是。
（单向导电性）1.11 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为A，最高反向工作电压为V。
（1,50）1.12 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻，在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的极。
（正）1.13 三极管有三个引脚，基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。
（B，发射）1.14 三极管是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。
它分为型和型两种。
（NPN，PNP）1.15 指针式万用表的黑表笔接三极管基极，红表笔接触另外两极中的任一电极，若指针偏转角度很大，说明被测管子是型。
（NPN）1.16 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。
（源极，漏极）1.17 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值，比标称阻抗值要，这是正常现象。
（直流，小）1.18 压电陶瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。
（电声）1.19 电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。
（内热式，外热式）1.20 焊接电子元件时，一般来说最恰当的时间是在s内完成。
（1.5~4）1.21 用数字万用表测试二极管的反向电阻，应显示为。
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V，输入电压为15mV时，输出电压为7V(以上均为直流电压），它的电压增益为( C )a、700b、650c、100d、—1002.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ）a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了（B ).A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、0。
5KΩ5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA〉VOB，由此可知A比B（ B )a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大.当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时,测得V OA〈V OB ,由此必须A比B（C ）a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A )a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图示,运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图示,运放A为理想器件，则其输出电压VO为( C )a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端,则V0与V N、V P分别成( D ）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用( D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )。
a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素13.半导体中有两种载流子，它们分别是（C ）a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B )a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷15.在室温附近,当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C ）a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子16.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ）a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同b、空穴增多，自由电子数目不变c、自由电子增多,空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管17.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B ）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、无法判别18.流过二极管的电流一定,而温度升高时，二极管的正向电压（A ）a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定19.当PN结外加正向电压时，耗尽层将( C ）a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别20.二极管正向电压从0。
模拟电子技术练习题1、差动放大器与其它放大器相比，其特点是能（ ）。
A ．克服温漂B ．稳定放大倍数C ．提高输入电阻 D.扩展通频带 2、FET 是（ ）控制器件。
A.电流B.电压C.电场D.磁场3、对某一级晶体管放大电路，要其对前一级的影响小（吸取的电流小），对后级带负载能力强，宜采用（ ）。
A.共基极放大电路B.共发射极放大电路C.共集电极放大电路D.以上电路都可以 4、要制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（ ）。
A..RC 桥式正弦波振荡电路B..LC 正弦波振荡电路C.石英晶体正弦波振荡电路D.以上电路都可以5、对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的v 。
A.放大区中部B.截止区C.放大区但接近截止区D.放大区但接近饱和区 6、负反馈放大电路的一般表达式为....1FA A A f +=，当11..>+F A 时，表明放大电路引入了（ ）。
A ．负反馈B ．正反馈C ．自激振荡 D.干扰7、已知输入信号的频率为10KHZ~12KHZ ，为了防止干扰信号的混入，应选用（ ）滤波电路。
A ．高通 B ．低通 C ．带通 D.带阻 8、负反馈放大电路产生自激振荡条件是（ ）。
A ．1..=F AB ．1..-=F AC ．1..>F A D. 1..<F A 9、在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。
A ．1WB ．0.5WC ．0.2W D.无法确定 10、PN 结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定11．当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E （ ） 。
A. >，> B.<，< C. =，= D.≤，≤ 12、 共模抑制比越大表明电路（ ）。
A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.输入信号中差模成分越大D.抑制温漂能力越大 13、负反馈所能抑制的干扰和噪音是（ ）。
第10章 直流稳压电源 测试题 班 学号 姓名： 得分： 第一题 单项选择题（每题2分）1．若要求输出电压V U o 9=，则应选用的三端稳压器为（ ）。
（A ）W7809 （B ）W7909 （C ）W7912 （D ）W7812 2．若要求输出电压V U o 18-=，则应选用的三端稳压器为（ ）。
（A ）W7812 （B ）W7818 （C ）W7912 （D ）W7918 3．直流稳压电源滤波电路中，滤波电路应选用（ ）滤波器。
（A ）高通 （B ）低通 （C ）带通 （D ）带阻4．若单相桥式整流电容滤波电路中，变压器副边电压为有效值为10V ，则正常工作时输出电压平均值)(AV O U 可能的数值为（ ）。
（A ）4.5V （B ）9V （C ）12V （D ）14V 5．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管接反，则（ ）。
（A ）变为半波整流 （B ）并接在整流输出两端的电容C 将过压击穿 （C ）输出电压约为2U D （D ）整流管将因电流过大而烧坏6．关于串联型直流稳压电路，带放大环节的串联型稳压电路的放大环节放大的是（ ）。
（A ）基准电压 （B ）取样电压（C ）取样电压与滤波电路输出电压之差 （D ）基准电压与取样电压之差 7．集成三端稳压器CW7815的输出电压为（ ）。
（A ）V 15 （B ）V 15- （C ）V 5 （D ）V 5- 8．变压器副边电压有效值为40V ，整流二极管承受的最高反向电压为（ ）。
（A ）20V （B ）40V （C ）56.6V （D ）80V9．用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有0.7伏，这表明该稳压管（ ）。
（A ）工作正常 （B ）接反 （C ）已经击穿 （D ）无法判断 10．直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）。
（A ）将交流变为直流 （B ）将交直流混合量中的交流成分滤掉 （C ）将高频变为低频 （D ）将高压变为低压11．若单相桥式整流电容滤波电路中，变压器副边电压为有效值为10V ，则正常工作时输出电压平均值U O (A V)可能的数值为（ ）。
模电测试题A班别：姓名：学号：一、填空题（每空1分，共24分）1、晶体管放大电路常采用分压式电流负反馈偏置电路,因为它具有稳定静态工作点的作用。
2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数__为1____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗__低___,3、三种不同耦合方式的放大电路分别为:___直接耦合__、___阻容耦合__和__变压器耦合__，其中__直接耦合__能够放大缓慢变化的信号。
4、三端集成稳压器CW7912的输出电压为____-12____ V，而CW7809的输出电压则为5、如图所示是一个共射单管放大器的输出电压波形,假定晶体管是PNP型,则该信号的削波属于____饱和_______失真,将偏流电阻Rb调__大______可以消除失真。
6、图中二极管为理想器件，V1工作在_截止_ 状态；V2工作在____导通_______ 状态；UA为____-3_______ V。
7、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为40dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_60__d B，总的电压放大倍数为_____1000_______。
8、在典型的差动放大电路是,Re对_共模信号呈现很强的负反馈作用,而对__差模___信号则无负反馈作用.9、差动放大电路，若两个输入信号u I1 = u I2，则输出电压，u O = 0；若u I1 = 80 μV，u I 2 = 20 μV则差摸电压u Id =30μV；共摸电压u Ic = 50μV。
10、有一负反馈放大器，在闭环时，当输入电压为0.1V时，输出电压为2V，而在开环时，对于0.1V的输入电压其输出电压则有4V。
该反馈的深度等于__2_____，反馈系数等于____0.025____。
二、选择题（把正确答案的序号填入下表内，每题2分,共36分）1、二极管两端加上正向电压时( )。
A．一定导通 B．超过 0.3V 才导通C．超过死区电压才导通 D．超过 0.7V 才导通2、若要提高放大器带负载能力，并对信号源的影响小，可采用的反馈组态为（）。
A. 电压串联负反馈B. 电流串联负反馈C. 电压并联负反馈D. 电流并联负反馈3、集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。
A.增大放大倍数 B．减小温漂 C．提高输入电阻 D.提高稳定性4、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ，则负载两端的平均电压是（）。
A.100VB.90VC.45VD.141V5、工作在反向击穿状态的二极管是( )。
A．一般二极管 B．稳压二极管 C．发光二极管 D 光敏二极管6、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是( )。
7、如图所示电路中集成运算最大输出电压为±10V，则输出电压Uo=（）。
A.0V；B.5V；C.+10V；D. -10V8、理想集成运放工作在线性区时有（）。
A. U + = U −B. U + > U −C. U + < U −D. 无法确定9、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器10、测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____A. 80B. 60C. 75D. 10011、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。
A.增加一倍B.为双端输入时的一半C.不变D.不确定12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.3V，则这只三极管是( )。
A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管13、杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。
A ．温度 B ．掺杂工艺 C ．掺杂浓度 D ．晶体缺陷 14、电路如图所示,两稳压管的稳压值Uz 均为6.3V,正向导通电压UD=0.7V,其输出电压为（ ） A. 6.3V B. 0.7V C. 7V D. 14V15、一个三极管放大电路，IB =60μA ，IC = 2mA,β值50，这个三极管在（ ）状态。
A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿16、共模抑制比KCMR 是（ ）之比.因此,KCMR 越大表明电路抑制温漂的能力越强 A.差模输入信号与共模输入信号; B.输入量中差模成分与共模成分; C.差模放大倍数与共模放大倍数; D.交流放大倍数与直流放大倍数; 17、整流滤波后的直流电压不稳定的原因是( )A.电网电压波动B.负载电流变化C.电网电压波动和负载电流变化两方面 18、处于放大状态的NPN 型晶体管，U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是( ) A. U B ›U C>U E B. U B<U C<U E C. U C<U B<U ED. U C>U B>U E 三、分析计算题：（共40分）1、(13分)电路如图所示，集成运放的最大输出电压为±10V ，电阻R1=1k Ω，Rf =5k Ω，输入电压Ui=100mV 。
问：（1）正常情况下，集成运放工作在哪个区域，输出电压Uo=？；（2）电阻R1开路时，输出电压Uo=？（3）电阻Rf 开路时，集成运放工作在哪个区域，此时输出电压Uo=？2、（13分）已知下图所示电路中晶体管的β ＝100，r be =1k Ω。
（1）现已测得静态管压降U CEQ ＝6V ，估算Rb 约为多少千欧； （2）若测得i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？3、(14分)图示运算放大电路中，已知u 1 = 10 mV ，u 2 = 30 mV ，求u O = ？模电测试题B班别： 姓名： 学号：一、填空题、（每空1分，共22分）u I2U i图3.2o1、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO 和VI 的波形，则VO 和VI 的相位差为_π_____；当为共集电极电路时，则VO 和VI 的相位差为__0__。
2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数_接近1_____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗___低__,3、半导体二极管的主要特性是 _单向导电性__________________________ 。
4、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V ， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是__硅__管（材料），_ NPN ___ 型的三极管，该管的集电极是a 、b 、c 中的基极 发射极 集电极____。
5、在差动放大电路中,双端输出时,其电压放大倍数和单管放大电路的电压放大倍数___一样_________。
6、当环境温度变化时对差动大电路来说,相当于输入一组__共模____信号.7、产生正弦波振荡的幅值平衡条件是__|FA|=1_________________ ，相位平衡条件是_____Pu+Pf=2n π_________________ 。
8、有一负反馈放大器，其开环增益A=100，反馈系数F=1/10，问它的反馈深度为__11__________；闭环增益为_____9.1_______。
9、、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为20dB 和60dB, 则该放大电路总的对数增益为_80______dB ，总的电压放大倍数为___10000_________。
10、在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 ∆U I1 = ∆U I2，则输出电压 ∆U o = 。
若 ∆U I1 = +1500 μV ，∆U I2 = +500 μV ，则可知差动放大电路的输入差模电压 ∆U Id = ，差模输入信号分别为 ∆U Id1 = +500uA ，∆U Id2 = -500uA ，共模输入信号 ∆U Ic = +1000uA 。
二、选择题（把正确答案的序号填入横线上，每空2分,共34分）1、能将正弦波变成方波的电路为（ ） A.比例运算电路 B.微分电路 C.积分电路 D.比较电路2、电压负反馈对放大电路的影响是（ ）A.放大倍数减小B.放大倍数增大C.放大倍数减小了,而放大倍数更稳定了D.不确定 3、三极管工作在放大状态时,它的两个PN 结必须是（ ）A.发射结和集电结同时正偏B.发射结和集电结同时反偏C.集电结正偏发射结反偏D.集电反偏发射结正偏 4、一个单管放大器电源电压6V ，发射结正向偏置后，若V c 约为0.6V ，Ve 为0.4V,若V b 为1.1V,则该放大器的三极管可能处于____状态。
A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿5、集成运算放大器的最主要特点之一是( )。
A ．输入电阻很大 B ．输入电阻为零 C ．输出电阻很大6、单相桥式整流电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为20V ，若某个二极管开路，则负载电阻上电压为（ ）。
A.20VB.18VC.24VD.9V7、若输入量、反馈量、净输入量、输出量之间的关系为 U’i = U i − U f ，且 U f ∝ I o （正比）,则可判断放大器引入了（ ）。
A. 电压串联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 8、集成运算电路级间耦合方式采用（ ） A.阻容耦合 B.变压器耦合 C.直接耦合 9、本征半导体中掺入五价元素后成为( )。
A ．P 型半导体 B ．N 型半导体 C ．PN 结10、两个晶体管的电流放大倍数分别为 50 和 60，则由其组成的复合管的理论电流放大倍数为( )。
A ．110 B ．≥3000 C ．10 D. ≤300011差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ ）。
A.增加一倍 B.为双端输入时的一半 C.不变12.如图所示的电路中,已知稳压管VDz 的稳定电压为7V, 则回路中的电流等于（ ）. A.零 B.10mA C.25mA D.5.75mA13、工作在放大区的三极管，当IB 从20μA 增大至40μA 时，IC 从1mA 变为2mA ，其β值约为______。
A.50 B.100 C.500 D.100014、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ）。
A 、20倍 B 、-20倍 15、在典型的差动放大电路中,RE 的作用是（ ） C 、-10倍 D.0.1倍A.对差模信号构成负反馈以提高放大电路的稳定性B.对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力C.A 和B 16、共模抑制比KCMR 是差模放大倍数与共模放大倍数之比.因此,KCMR 越大表明电路（ ）A.放大倍数越稳定;B.交流放大倍数越大;C.抑制温漂的能力越强;D.输入信号是差模成分越大. 17、 某一NPN 管组成的单管共射放大电路，输入为正弦波时，输出波形如图所示，该输出波形属于（ ）。
