ES1J中文资料(Taiwan Semiconductor)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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ES18E18-P1J中文资料(Mean Well)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
直流电压
Note.2 3.3V
5V
7.5V
9V
12V
15V
18V
24V
28V
48V
额定电流
2.72A 3.0A
2.0A
2.0A
1.50A 1.20A 1.0A
0.75A 0.64A 0.375A
电流范围
0.3 ~ 2.72A 0.3 ~ 3.0A 0.3 ~ 2.0A 0.2 ~2.0A 0.15 ~ 1.50A 0.1 ~ 1.20A 0.1 ~ 1.0A 0.1 ~ 0.75A 0.06 ~ 0.64A 0.05 ~ 0.375A
漏电流（最大）
0.25mA / 240VAC
保护
过载
过电压
工作温度.
工作湿度
110 ~ 200% rated output power
130 ~ 350% rated output power
Protection type : Hiccup mode, recovers automatically after fault condition is removed
额定功率（最大）
Байду номын сангаас9W
15W
15W
18W
18W
18W
18W
18W
18W
18W
输出
纹波及噪音（最大） Note.3 50mVp-p 50mVp-p 80mVp-p 80mVp-p 80mVp-p 100mVp-p 150mVp-p 180mVp-p 240mVp-p 240mVp-p
电压 ADJ.范围
Fixed
电压容差
Note.4 5.0%
5.0%
ES1B中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
机械数据
• Case: SMA • 外壳材料：模压塑料. UL可燃性分类
等级94V-0 • 湿度敏感度：每J-STD-020 1级 • Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish) Solderable per
MIL-STD-202,方法208 • 极性：负极频带或阴极诺奇 • Weight: 0.064 grams (approximate)
公司不保证或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品承担任何责任 . 如果客户购买或使用Diodes公司产品的任何意外或未经授权的应用程序,客户应赔偿并Diodes公司及其代表的所有索赔,损害赔偿,费用和律师直接或间接引起 的,费用无害,人身伤害的任何索赔或与此类意外或未经授权的应用程序死亡.
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中.产品名称和标记.本文中也可以包含在一个或多个美国,国际或涉外商标.
Z
6.5
G
1.5
X
1.7
Y
2.5
C
4.0
重要的提醒
公司不做任何明示不作出任何保证或暗示的 ,关于这一文件, 包括但不限于适销性和针对特定用途的隐含担保（及其任何司法管辖范围内的法律等效） .
公司及其附属公司保留权利作出修改 ,增强,改进,修正或其他变化,恕不另行通知本文档及其所涉及的产品的权利 . Diodes公司不承担因使用或应用 本文档或本文所述的任何产品的任何责任;既没有Diodes公司转达根据其专利权或商标权的任何执照,也没有他人的权利.本文件或在这类应用产品本文所述的任何 客户或用户应承担所有使用风险 ,并同意举行Diodes公司,其产品代表在Diodes公司的网站,反对一切损害无害的所有公司.
• Case: SMA • 外壳材料：模压塑料. UL可燃性分类
等级94V-0 • 湿度敏感度：每J-STD-020 1级 • Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish) Solderable per
MIL-STD-202,方法208 • 极性：负极频带或阴极诺奇 • Weight: 0.064 grams (approximate)
公司不保证或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品承担任何责任 . 如果客户购买或使用Diodes公司产品的任何意外或未经授权的应用程序,客户应赔偿并Diodes公司及其代表的所有索赔,损害赔偿,费用和律师直接或间接引起 的,费用无害,人身伤害的任何索赔或与此类意外或未经授权的应用程序死亡.
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中.产品名称和标记.本文中也可以包含在一个或多个美国,国际或涉外商标.
Z
6.5
G
1.5
X
1.7
Y
2.5
C
4.0
重要的提醒
公司不做任何明示不作出任何保证或暗示的 ,关于这一文件, 包括但不限于适销性和针对特定用途的隐含担保（及其任何司法管辖范围内的法律等效） .
公司及其附属公司保留权利作出修改 ,增强,改进,修正或其他变化,恕不另行通知本文档及其所涉及的产品的权利 . Diodes公司不承担因使用或应用 本文档或本文所述的任何产品的任何责任;既没有Diodes公司转达根据其专利权或商标权的任何执照,也没有他人的权利.本文件或在这类应用产品本文所述的任何 客户或用户应承担所有使用风险 ,并同意举行Diodes公司,其产品代表在Diodes公司的网站,反对一切损害无害的所有公司.
ES1J中文资料(Won-Top Electronics)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
A C
B D
F HG E
SMA/DO-214AC
Dim
Min
A
2.50
B
4.00
C
1.20
D
0.152
E
4.80
F
2.00
G
0.051
H
0.76
在毫米所有尺寸
Max 2.90 4.60 1.60 0.305 5.28 2.44 0.203 1.52
最大额定值和电气特性
@TA = 25°C除非另有说明
100
1.0 1.2 1.4
Tj = 25 °C f = 1.0MHz
20 10
10 C,电j 容（pF）
,峰FS值M 正向浪涌电流（A）
I0
1
1
10
100
1
10
100
循环次数在60Hz
VR,反向电压（V）
图. 3峰值正向浪涌电流
图. 4典型结电容
50Ω NI（非感性）
10Ω NI
trr +0.5A
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T L ,焊接温度 图. 1正向电流降额曲线
( ° C)
30
Pulse width 8.3 ms single half-sine-wave
(JEDEC method)
,正F 向电流（A） I 0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VF,正向电压（V） 图. 2典型正向特性
出货数量
7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴
EEUEB1J101中文资料
■ Specifications
Category Temp. Range Rated W.V. Range Nominal Cap. Range Capacitance Tolerance DC Leakage Current tan δ –40 °C to +105 °C 10 V.DC to 63 V.DC 0.47 µF to 3300 µF ±20 % (120 Hz/+20 °C) I < 0.01 CV or 3 (µA) After 2 minutes application of rated working voltage at +20 °C (Whichever is greater) Please see the attached standard products list After following life test with DC voltage and +105 °C±2 °C ripple current value applied (The sum of DC and ripple peak voltage shall not exceed the rated working voltage), when the capacitors are restord to 20 °C, the capacitors shall meet the limits specified below. Duration : φ5 11 to φ8 11.5 : 5000 hours φ5 15 to φ6.3 15 : 7000 hours φ8 15 to φ12.5 25 : 10000 hours Capacitance change ±30 % of initial measured value tan δ < 300 % of initial specified value DC leakage current < initial specified value After storage for 1000 hours at +105 °C±2 °C with no voltage applied and then being stabilized at +20 °C, capacitors shall meet the limits specified in Endurance. (With voltage treatment)
ES51C1C15V-13.000M中文资料(Ecliptek)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
16.384, 16.800, 17.500, 18.432, 19.200, 19.440, 20.000, 20.480, 24.000, 24.5535, 24.576, 25.000,
和27.000MHz
- 工作温度范围
请参阅品名表示指南
与频率容差（25°C±2°C,V
= 5.0V , V= 1.5V) ±1.0ppm最大
产品规格
MIL-STD-883,方法1014,条件A MIL-STD-883,方法1014,条件C MIL-STD-202,方法213,条件C MIL-STD-883,方法2007,条件A MIL-STD-883,方法2003 MIL-STD-883,法1010 MIL-STD-202,方法210 MIL-STD-202,方法215
在100kHz偏移
-145dBc/Hz
5毫秒最大
-55°C至125°C
ES51C1
CERAMIC
5.0V
规格如有更改,恕不另行通知.
OS4J
.
11/08
芯片中文手册,看全文,戳
工作温度范围
A = 0°C至50℃ B = 0℃至70℃ C = -20°C至70℃ D = -30°C至85°C E = -40°C至85°C
频率稳定度
老化（ 25°C）
工作温度范围
电源电压（V
)
输入电流
输出电压 负载驱动能力 外部调整（电压控制选项） 线性 调制带宽 输入阻抗
典型相位噪声（在 12.800MHz）
启动时间 存储温度范围
ECLIPTEK CORP.
OSCILLATOR
10.000, 10.240, 10.245, 12.000, 12.288, 12.800, 13.000, 14.000, 14.400, 14.7456, 15.360, 16.000,
EETUQ2G391DJ中文资料(Panasonic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
4.0mm
Diamete22r mm
B
H
25mm
C
J
30mm
D
K
35mm
E
L
(Please see page 10 for details)
3 4.0mm
P Q R S
TS-UQ标 准 额 定 值
(part numbersshown with 2 pinsand 6.3mm length terminal)
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
芯片中文手册,看全文,戳
TS-UQ标准评定（续）
Cap.
尺寸（ mm）
(µF)
DxL
8200 12000 15000 18000
22000
27000 33000
39000 47000 56000 68000
160~450WV: 0.75 0.8 1.0 1.2 1.25 1.4
Multiplier: 1.0 1.3 1.4 1.5
编号系统
耐力：
用规定最大纹波电流2000小时在+ 85°C（参见第6页）
*Use of temperature ripple current multipliersmay limit life to the hoursspecified for the maximum operating temperature.
EETUQ 1H332B_ EETUQ 1H472B_ EETUQ 1H472C _ EETUQ 1H562B_ EETUQ 1H682B_ EETUQ 1H682C _ EETUQ 1H682D_ EETUQ 1H822B_ EETUQ 1H822C _ EETUQ 1H103B_ EETUQ 1H103C _ EETUQ 1H103D_ EETUQ 1H103E_ EETUQ 1H123C _ EETUQ 1H123D_ EETUQ 1H123E_
ES1J中文资料
NOTE
SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT
0.090”
0.085”
0.070”
元器件交易网
ES1A thru ES1M
Figure 1 Typical Forward Characteristics 20
10 6
4
2 Amps 1
.6 .4
25°C
.2 .1 .06 .04
.02
.01 .2
.4
.6
.8
1.0 1.2
Volts
Instantaneous Forward Current - Amperesversus Instantaneous Forward Voltage - Volts
MCC
Figure 2 Forward Derating Curve
MCC
Figure 5 New SMA Assembly
Round Lead Process
Figure 6 Reverse Recovery Time Characteristic And Test Circuit Diagram
50Ω
10Ω
25Vdc
1Ω
Notes: 1. Rise Time = 7ns max. Input impedance = 1 megohm, 22pF 2. Rise Time = 10ns max. Source impedance = 50 ohms 3. Resistors are non-inductive
IF(AV) IFSM
VF IR
1.0A 30A
TJ = 75°C 8.3ms, half sine
.975V 1.35V 1.60V
ES1J中文资料(fairchild)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
500
1.0
30
150 -55至150
1.47
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
ES1J
600
热特性
符号
参数
值
R JA
2. 关键部件是一个生命支持设备或系统,其不履行可以合 理预期造成生命支持设备或系统故障,或影响其安全性或有 效性任何组件.
产品状态定义 术语定义
数据表标识 超前次生产 满负荷生产 不在生产中
定义
该数据表包含设计规范进行产品开发. 规格可以以任何方式更改,恕不另行通知.
该数据表包含初稿数据;补充资料将在晚些时候公布.飞兆半导体防护 留在任何时间更改,恕不另行通知,以提高设计权利.
该数据表包含最终规格.飞兆半导体防护留在任何时间更改,恕不另行通知 ,以提高设计权利. 此数据表包含已停产飞兆半导体产品技术规范.该数据表仅供参考信息.
Rev. I30
FIG.3- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS
FIG.4- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG.5- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
芯片中文手册,看全文,戳
包装尺寸
V ns uA pF
芯片中文手册,看全文,戳
典型性能特性
FIG.1- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FIG.2- MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT
1N4148T(TEMIC Semiconductors)中文数据手册「EasyDatasheet」
芯片中文手册,看全文,戳
初稿
固态器件,INC.
14830山谷规模大道*拉米拉达,钙90638 电话：（562）404-7855 *传真：（562）404-1773
设计师数据表
产品特点：
• 超快速恢复：5纳秒最大 • 超小型表面贴装封装 • 圆形标签安装（方形标签可用） • 密封式 • 平面钝化芯片 • 对于高效率应用
0.8 1.3
VDC
25 500
nA
35
:A
75
2.8
pF
5
nsec
案例外形：
ROUND TAB "SM"
2x C iB
尺寸
DIM MIN.
A
.130"
B
.056"
C
.010"
MAX. .146" .064" .022"
A
数据表＃：RC0061A
芯片中文手册,看全文,戳
1N4148SM
初稿
固态器件,INC. 14830山谷规模大道*拉米拉达,钙90638 电话：（562）404-7855 *传真：（562）404-1773
电气特性
符号
最大
UNITS
正向电压降
(TA = 25oC,300 - 500：s脉冲）
IF = 10mA
VF1
IF = 100mA
VF2
正向电压降
（300 - 500：s脉冲）
IF = 10mA, T A = 150oC
VF3
IF = 100mA, T A = -55oC
VF4
反向漏电流
(TA = 25oC, 300 :s 最小脉冲）
初稿
固态器件,INC.
14830山谷规模大道*拉米拉达,钙90638 电话：（562）404-7855 *传真：（562）404-1773
设计师数据表
产品特点：
• 超快速恢复：5纳秒最大 • 超小型表面贴装封装 • 圆形标签安装（方形标签可用） • 密封式 • 平面钝化芯片 • 对于高效率应用
0.8 1.3
VDC
25 500
nA
35
:A
75
2.8
pF
5
nsec
案例外形：
ROUND TAB "SM"
2x C iB
尺寸
DIM MIN.
A
.130"
B
.056"
C
.010"
MAX. .146" .064" .022"
A
数据表＃：RC0061A
芯片中文手册,看全文,戳
1N4148SM
初稿
固态器件,INC. 14830山谷规模大道*拉米拉达,钙90638 电话：（562）404-7855 *传真：（562）404-1773
电气特性
符号
最大
UNITS
正向电压降
(TA = 25oC,300 - 500：s脉冲）
IF = 10mA
VF1
IF = 100mA
VF2
正向电压降
（300 - 500：s脉冲）
IF = 10mA, T A = 150oC
VF3
IF = 100mA, T A = -55oC
VF4
反向漏电流
(TA = 25oC, 300 :s 最小脉冲）
SV01JC224JAA中文资料
min./max.
2000V
min./max.
3000V
min./max.
4000V
min./max.
5000V
min./max.
100 pF 100 pF 100 pF 100 pF 1000 pF 100 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF .01 µF 100 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF .01 µF .01 µF .01 µF .01 µF .10 µF .01 µF .10 µF .10 µF .01 µF .01 µF .01 µF .01 µF .01 µF
10 10 10 10 100 10 100 100 100 100 100 1000 100 100 100 100 1000
pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF
/ 82 pF / 270 pF / 470 pF / 180 pF / 1200 pF / 560 pF / 2200 pF / 3900 pF / 6800 pF / 5600 pF / 8200 pF /0.015 µF / 820 pF / 1500 pF / 2700 pF / 6800 pF /0.012 µF
150 270 100 680 330 1200 2200 3900 3300 4700 8200 390 820 1800 3900 6800
pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF
10 10 10 10 10 10 100 100 100 100 100 10 10 100 100 100
2000V
min./max.
3000V
min./max.
4000V
min./max.
5000V
min./max.
100 pF 100 pF 100 pF 100 pF 1000 pF 100 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF .01 µF 100 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF 1000 pF .01 µF .01 µF .01 µF .01 µF .10 µF .01 µF .10 µF .10 µF .01 µF .01 µF .01 µF .01 µF .01 µF
10 10 10 10 100 10 100 100 100 100 100 1000 100 100 100 100 1000
pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF
/ 82 pF / 270 pF / 470 pF / 180 pF / 1200 pF / 560 pF / 2200 pF / 3900 pF / 6800 pF / 5600 pF / 8200 pF /0.015 µF / 820 pF / 1500 pF / 2700 pF / 6800 pF /0.012 µF
150 270 100 680 330 1200 2200 3900 3300 4700 8200 390 820 1800 3900 6800
pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF pF
10 10 10 10 10 10 100 100 100 100 100 10 10 100 100 100
ES1E中文资料
ES1A THRU ES1JSURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIERVOLTAGE - 50 to 600 Volts CURRENT - 1.0 AmpereFEATURESl For surface mounted applications l Low profile packagel Built-in strain relief l Easy pick and placel Superfast recovery times for high efficiency l Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O l Glass passivated junction l High temperature soldering: 260¢J /10 seconds at terminals MECHANICAL DA TACase: JEDEC DO-214AC molded plastic Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026Polarity: Indicated by cathode band Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)Weight: 0.002 ounce, 0.064 gramMAXIMUM RA TINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSRatings at 25¢J ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave 60Hz resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.SYMBOLS ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1JUNITSMaximum Recurrent Peak Reverse Voltage V RRM50100150200300400600Volts Maximum RMS VoltageV RMS3570105140210280420Volts Maximum DC Blocking VoltageV DC50100150200300400600Volts Maximum Average Forward Rectified Current,at T L =120¢JI (AV) 1.0Amps Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load(JEDEC method)I FSM 30.0Amps Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A V F0.951.251.7Volts Maximum DC Reverse Current T A =25¢J At Rated DC Blocking Voltage T A =100¢J I R 5.0100£g A Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)T RR 35.0n S Typical Junction capacitance (Note 2)C J 10.0P F Typical Thermal Resistance (Note 3)R £K JL 35¢J /W Operating and Storage Temperature Range T J ,T STG-50 to +150¢JNOTES:1. Reverse Recovery T est Conditions: I F =0.5A, I R =1.0A, Irr=0.25A2. Measured at 1 MHz and Applied reverse voltage of 4.0 volts3. 8.0mm 2(.013mm thick) land areasSMA/DO-214ACRATING AND CHARACTERISTIC CURVES ES1A THRU ES1JNOTE:1.Rise Time = 7ns max.Input Impedance = 1 megohm. 22pF 2.Rise Time = 10ns max.Source Impedance = 50 Ohms50 ns/cmLEAD TEMPERA TURE, ¢JFig. 1-REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC ANDTEST CIRCUIT DIAGRAMFig. 2-MAXIMUM AVERAGE FORWARDCURRENT RATING% OF PIV. VOLTS INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE VOLTSFig. 3-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSFig. 4-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICSNUMBER OF CYCLES AT 60HzREVERSE VOLTAGE, VOLTSFig. 5-MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGECURRENTFig. 6-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE。
EEUFC1J101中文资料(panasonic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
（单位：mm）
体直径. φD 体长度L 铅直径. φd 铅空间F
L11
L=7
45Biblioteka 6.3810
12.5
16 18
4
5 6.3
15 to 25 30 to 40
0.45 0.5 0.5 0.6 0.6 0.6 0.8 0.8 0.8 0.45 0.45 0.45
1.5 2.0 2.5 3.5 5.0 5.0 5.0 7.5 7.5 1.5 2.0 2.5
10 30 0.035 0.070 1815
12.5 15 0.065 0.130 1205
12.5 20 0.038 0.076 1655
12.5 25 0.030 0.060 1945
12.5 30 0.025 0.050 2310
12.5 35 0.022 0.044 2510
12.5 40 0.018 0.036 2655
0.040 0.080
0.034 0.068
0.030 0.060
0.080 0.160
0.048 0.096
0.034 0.068
0.028 0.056
0.025 0.050
0.023 0.046
0.068 0.136
0.042 0.084
0.029 0.058
0.025 0.050
0.023 0.046
0.450 1.20
200
1.30 2.60
120 2.50 5.00
90 3.50 7.00
80
2.40 ½14.80 ½1 ½3
0.800 1.60
175 ½2, ½3 ½2, ½3 ½3 2.00 4.00
ES1G-T1中文资料
ES1A – ES1J1.0A SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIERCharacteristic Symbol ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J UnitPeak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRMV RWMV R50100150200300400600VRMS Reverse Voltage V R(RMS)3570105140210280420V Average Rectified Output Current @T L = 120°C I O 1.0A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current8.3ms Single half sine-wave superimposed onrated load (JEDEC Method)I FSM30A Forward Voltage @I F = 1.0A V FM0.95 1.25 1.7VPeak Reverse Current @T A = 25°C At Rated DC Blocking Voltage @T A = 100°C I RM5.0500µAReverse Recovery Time (Note 1)t rr35nS Typical Junction Capacitance (Note 2)C j10pF Typical Thermal Resistance (Note 3)R JL35K/W Operating and Storage Temperature Range T j, T STG-65 to +150°CNote: 1. Measured with I F = 0.5A, I R = 1.0A, I rr = 0.25A,2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm2 land area.WTE0.010.11.0100.20.40.60.81.01.21.4I ,I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A )F V ,INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)Fig.2Typical Forward CharacteristicsF1020300110100I ,P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T (A )F S M NUMBER OF CYCLES AT 60Hz Fig.3Peak Forward Surge Current50NI (Non-inductive)Ω10NIΩSet time base for 5/10ns/cm+0.5A0A -0.25A-1.0ANotes:1.Rise Time =7.0ns max.Input Impedance =1.0M ,22pF.2.Rise Time =10ns max.Input Impedance =50.ΩΩFig.5Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit110100110100C ,C A P A C I T A N C E (p F )j V ,REVERSE VOLTAGE (V)Fig.4Typical Junction CapacitanceR 00.250.500.751.00255075100125150175I ,A V E R A G E F W D R E C T I F I E D C U R R E N T (A )(A V )T ,LEAD TEMPERATURE ( C)Fig.1Forward Current Derating CurveL °ORDERING INFORMATIONProduct No.!Package TypeShipping QuantityES1A-T1SMA 1800/Tape &Reel ES1A-T3SMA 7500/Tape & Reel ES1B-T1SMA 1800/Tape & Reel ES1B-T3SMA 7500/Tape & Reel ES1C-T1SMA 1800/Tape & Reel ES1C-T3SMA 7500/Tape & Reel ES1D-T1SMA 1800/Tape & Reel ES1D-T3SMA 7500/Tape & Reel ES1E-T1SMA 1800/Tape & Reel ES1E-T3SMA 7500/Tape & Reel ES1G-T1SMA 1800/Tape & Reel ES1G-T3SMA 7500/Tape & Reel ES1J-T1SMA 1800/Tape & Reel ES1J-T3SMA7500/Tape & ReelProducts listed in bold are WTE Preferred devices.!T1 suffix refers to a 7” reel. T3 suffix refers to a 13” reel.Shipping quantity given is for minimum packing quantity only. For minimum order quantity, please consult the Sales Department.RECOMMENDED FOOTPRINTinches(mm)Won-Top Electronics Co., Ltd (WTE) has checked all information carefully and believes it to be correct and accurate. However, WTE cannot assume any responsibility for inaccuracies. Furthermore, this information does not give the purchaser of semiconductor devices any license under patent rights to manufacturer. WTE reserves the right to change any or all information herein without further notice.WARNING : DO NOT USE IN LIFE SUPPORT EQUIPMENT. WTE power semiconductor products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written approval.We power your everyday.Won-Top Electronics Co., Ltd.No. 44 Yu Kang North 3rd Road, Chine Chen Dist., Kaohsiung, Taiwan Phone: 886-7-822-5408 or 886-7-822-5410Fax: 886-7-822-5417Email: sales@Internet: 。
ERJ1GEJ181V中文资料(PANASONIC)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
0.25
0.15 g
0.35
0.8 g
0.45
2g
0.60
4g
0.60
10 g
0.60
16 g
0.60
27 g
0.60
27 g
0.60
45 g
s 额定值
额定功率限制元件最大过载
Type
（英寸）
在70¡ç
电压（最大电压
(W)
RCWV)(V)
(V)
ERJ1G
0.05
15
30
(0201)
ERJ2G (0402)
6G 4.00
0.84
8G
Type A B W F E P
14 2.80 3.50 8.00 3.50
尺寸
(mm)
12 3.50 12Z 2.80
4.80 5.30 12.00 5.50
1.75
4.00
1T 3.60 6.90
Type P
P
BD
t
BD
14
1分钟.
尺寸
(mm)
12 2.00
12Z
4.00
10000个/卷（2毫米间距） 10000个/卷（2毫米间距） 5000,10000件/卷 5000,10000件/卷
5000,10000件/卷
浮雕编带
（4 mm间距）
5000件/卷 5000件/卷 4000件/卷
q 散装盒
散装盒
50000件/案例 25000件/案例 10000件/案例
(mm)
Type BA BB BC W
0.25
(0201)
ERJ2G
0.35(040Βιβλιοθήκη )ERJ3G0.45
ES0191芯片手册
ES0191低压电力线通信调制解调芯片应用手册版本：V1.01、简述ES0191是一款采用基带扩展频谱BPSK通信技术的低压电力线通信调制解调器，该芯片设计目标是在恶劣的通信信道（低压电力线）上实现可靠的数据通信，达到电力线网络上的设备互连互通的目的。
ES0191应用了自适应数字信号处理和模糊处理技术，并采用噪声抑制和畸变纠正的算法，可有效纠正电力线信号中多种干扰。
ES0191集成了载波通信调制解调器物理层所需的所有模块，由低噪声放大器、过零点检测电路、全数字AC 同步检测锁相环电路、DSP 运算模块、扩频调制/解调器、数字上变频/下变频等部分组成。
ES0191可广泛应用于电表、水表、气表等远程抄表 (AMR)系统以及智能家居控制、路灯控制等领域。
其主要性能参数如下：电力线电压频率范围: 45Hz～65Hz载波频率与带宽: 可调整通信速率: 可调整接收灵敏度: 100μVRMS输出功率: 0.6W有效通信距离 单级传输距离超过1000m。
抗干扰能力 抗20倍功率的噪声，抗衰减：-80dB接口类型: I2C电源: 5±0.5V应用领域：●远程自动抄表●能源管理●智能家居控制●路灯控制系统2、载波频率与通信速率ES0191芯片载波频率和通信速率可根据实际需要进行相应调整，适用的载波频率如下：晶体频率 载波频率与带宽 通信速率 陶瓷滤波器参数1.8432M 23.04±1.44K 96bps 92.16K4M 50K±3.125K 208.3bps 200K6.4M 80K±5K 333.3bps 320K9.6M(推荐) 120K±7.5K 500bps 480K12M 150K±9.375K 625bps 600K19.44M 240K±15.1875K 1012.5bps 975K21.6M 270K±16.875K 1125bps 1080K25M 312.5K±19.53K 1302bps 1250K 3、管脚定义及功能描述图1.0 ES0191俯视图管脚定义序号 管脚名称 输入输出 管脚说明1 FSO I 模拟信号经陶瓷滤波后的输入脚。
ES1J中文资料(Won-Top Electronics)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
2. To order RoHS / Lead Free version (with Lead Free finish), add “-LF” suffix
to part number above. For example, ES1A-T3-LF.
-1.0A
5 / 10ns的/厘米设定的时基
芯片中文手册,看全文,戳
标识信息
WTE ES1x
阴极
WTE ES1x x
=极性带 =制造商的标志 =设备号 = A,B,C,D,E,G或按J
推荐的足迹
0.050 MIN (1.27 MIN)
0.083 MAX (2.11 MAX)
0.058 MIN (1.47 MIN)
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T L ,焊接温度 图. 1正向电流降额曲线
( ° C)
30
Pulse width 8.3 ms single half-sine-wave
(JEDEC method)
,正F 向电流（A） I 0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VF,正向电压（V） 图. 2典型正向特性
0.95
1.25
5.0 500
35
10
35
-65到+150
1.7
V
µA
nS pF °C/W °C
注：1.测量与我
F = 0.5A, I R = 1.0A, I rr = 0.25A.见图5.
2.测得1.0 MHz和应用4.0 V DC反向电压.
3.安装在交媾后董事会8.0毫米
2 土地面积.
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外箱尺寸
长×宽×高（mm）
to part number above. For example, ES1A-T3-LF.
-1.0A
5 / 10ns的/厘米设定的时基
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标识信息
WTE ES1x
阴极
WTE ES1x x
=极性带 =制造商的标志 =设备号 = A,B,C,D,E,G或按J
推荐的足迹
0.050 MIN (1.27 MIN)
0.083 MAX (2.11 MAX)
0.058 MIN (1.47 MIN)
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T L ,焊接温度 图. 1正向电流降额曲线
( ° C)
30
Pulse width 8.3 ms single half-sine-wave
(JEDEC method)
,正F 向电流（A） I 0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VF,正向电压（V） 图. 2典型正向特性
0.95
1.25
5.0 500
35
10
35
-65到+150
1.7
V
µA
nS pF °C/W °C
注：1.测量与我
F = 0.5A, I R = 1.0A, I rr = 0.25A.见图5.
2.测得1.0 MHz和应用4.0 V DC反向电压.
3.安装在交媾后董事会8.0毫米
2 土地面积.
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外箱尺寸
长×宽×高（mm）
ECJZEC1E100M中文资料
Standard Products for Type “06” (EIA “0201”) , Taped Version
Class 1
ECJZEC1E0R5C ECJZEC1E010 ECJZEC1E1R5 ECJZEC1E020 ECJZEC1E030 ECJZEC1E040 ECJZEC1E050 ECJZEC1E060D ECJZEC1E070D ECJZEC1E080D ECJZEC1E090D ECJZEC1E100 ECJZEC1E120 ECJZEC1E150 ECJZEC1E180 ECJZEC1E220 ECJZEC1E270 ECJZEC1E330 ECJZEC1C390 ECJZEC1C470 ECJZEC1C560 ECJZEC1C680 ECJZEC1C820 ECJZEC1C101
% % %
% % %
% % %
元器件交易网
Multilayer Ceramic Capacitors (For General )
Item Specification Class 1 Class 2 Test Method
% % % < < + + % > % +
% % % + < % % >
ECJZEB1C152 ECJZEB1C222 ECJZEB1C332
ECJZEB1A332 ECJZEB1A472 ECJZEB1A682 ECJZEB1A103
ECJZEB0J472 ECJZEB0J682 ECJZEB0J103 ECJZEB0J104M
K E M
元器件交易网
2
3
Type“13” 1206
元器件交易网
Multilayer Ceramic Capacitors (For General )
Class 1
ECJZEC1E0R5C ECJZEC1E010 ECJZEC1E1R5 ECJZEC1E020 ECJZEC1E030 ECJZEC1E040 ECJZEC1E050 ECJZEC1E060D ECJZEC1E070D ECJZEC1E080D ECJZEC1E090D ECJZEC1E100 ECJZEC1E120 ECJZEC1E150 ECJZEC1E180 ECJZEC1E220 ECJZEC1E270 ECJZEC1E330 ECJZEC1C390 ECJZEC1C470 ECJZEC1C560 ECJZEC1C680 ECJZEC1C820 ECJZEC1C101
% % %
% % %
% % %
元器件交易网
Multilayer Ceramic Capacitors (For General )
Item Specification Class 1 Class 2 Test Method
% % % < < + + % > % +
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ECJZEB1C152 ECJZEB1C222 ECJZEB1C332
ECJZEB1A332 ECJZEB1A472 ECJZEB1A682 ECJZEB1A103
ECJZEB0J472 ECJZEB0J682 ECJZEB0J103 ECJZEB0J104M
K E M
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2
3
Type“13” 1206
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Multilayer Ceramic Capacitors (For General )
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最大额定值和电气特性
等级25 ℃ 环境温度,除非另有规定. 单相,半波,60赫兹,电阻或电感性负载. 对于容性负载,减免电流20％
型号数量
最大经常峰值反向电压 最大RMS电压 最大直流阻断电压 最大正向平均整流电流 峰值正向浪涌电流,8.3毫秒单半正弦波 叠加额定负荷（JEDEC方法） 最大正向电压（注1）
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1.0AMP.表面贴装超快速整流器
ES1A - ES1J
SMA/DO-214AC Pb
特征
玻璃钝化结芯片 对于表面安装应用程序 薄型封装 内置应变rellef 非常适于自动贴片 方便取放 超快恢复时间高效率 玻璃钝化结 高温焊接：
RoHS
260℃/ 10秒码头
0.95 5 100 35 16 85 35 - 55到+ 150 - 55到+ 150 =0.25A
1.3
1.7
V uA uA nS pF C/W C C
18
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额定值和特性曲线（ES1A THRU ES1J）
FIG.1- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING CURVE
使用塑料材料进行包销商 实验室分类94V-0 合格根据AEC-Q101 对包装绿色化合物与后缀"G" 代码和对日期代码前缀"G"
机械数据
案例：模压塑料 终端：纯锡电镀,无铅 极性：由阴极频带指示 包装：每EIA STD RS-48112毫米带 重量：0.064克
尺寸以英寸（毫米） 标记图
ES1X =具体设备守则 G =绿色复合 Y =年 M =工作月
1.2 A 1
FIG. 2- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISRICS 100 TA=25℃ Pulse Width=300us 1% Duty Cycle A 10 ES1A-D CURRENT (A) FORWARD 1 INSTANTANEOUS ES1F-1G
符
V V V I I V @ T =25 ℃ @ T =125 ℃ I Trr Cj R R T T =0.5A, I =1.0A, I = 4.0伏特
ES 1A 50 35 50
ES 1B 100 70 100
ES 1C 150 105 150
ES 1D 200 140 200 1 30
ES 1F 300 210 300
ES 1G 400 280 400
ES 1H 500 350 500
ES 1J 600 420 600
Units V V V A A
@1A
反向电流最大DC额定 阻断电压DC 最大反向恢复时间（注2） 典型结电容（注3） 最大热阻 工作温度范围 存储温度范围 注1：PW = 300微秒脉冲测试,1％占空比 注2：反向恢复测试条件：I 注3：测量在1 MHz和应用V
TA=75℃
CURRENT (uA) REVERSE INSTANTANEOUS
FIG. 4- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
100 1 TA=25℃ ES1F-J 0.1
10 JUNCTION CAPACபைடு நூலகம்TANCE (pF)
ES1A-D 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
1 0.1 1 10 100 REVERSE VOLTAGE (V)
RESISTER OR 0.8 INDUCTIVE LOAD CURRENT (A) 0.6 AVERAGE FORWARD 0.4 0.2 0 80 90 100 110 120 130 140 150 LEAD TEMPERATURE ( C)
0.1
ES1H-1J
0.01 30 A 25 20 CURRENT 15 (A) FIG. 5- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS 10 PEAK FORWARD SURGE 5 0 1 10 NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz 100 A 10 100 TA=125℃ 1000 FIG. 3- MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD PEAK SURGE CURRENT 8.3mS Single Half Sine Wave (JEDEC Method) 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 FORWARD VOLTAGE (V) 1.6 1.8