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TLP521中文资料(2)*1: Ex. rank GB: TLP521-1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e. TLP521-1 (GB): TLP521-1, TLP521-2 (GB): TLP521-2Individual Electrical Characteristic单独的电气特性参数(Ta = 25 ℃ )Characteristic参数Symbol Test Condition测 Min Typ Max Unit 符号试条件最小典型最大单位Forward voltage正向电压VF IF = 10mA 1.0 1.15 1.3VLED Reverse current反向电流IR VR=5V——10μA Capacitance 电容CT V=0, f =1MHz—30—pFCollector-emitter breakdown vol tage 集电极发V(BR)IC = 0.5mA55——V 射极击穿电压CEOEmitter-collector breakdown voltage发射极集V(BR)IE = 0.1mA7——V接收电极击穿电压ECO 侧ICEO VCE = 24V—10100nACollector dark current集电极暗电流VCE=24V,Ta=85℃ —250μACapacitance (collector to emitter)电容（集电极CCE V =0, f =1MHz—10—pF 到发射极）Coupled Electrical Characteristic耦合电气特性参数s (Ta = 25 ℃ )Characteristic参数SymbolTest Condition 测试条件Min Typ Max Unit 符号最小典型最大单位Current transfer ratio经常转移的比率IC/IF IF=5mA, VCE =5V Rank GB 50— 600% 100— 600Saturated CTR饱和率IC/IFIF=1mA, VCE=0.4V Rank GB—60—% (sat)30——Collector-emitter saturation voltage集电极 - VCE IC = 2.4 mA, IF = 8 mA—— 0.4V发射极饱和电压(sat)IC=0.2mA, IF=1mA Rank GB—0.2 ——— 0.4Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25 ℃ )Characteristic 参数Symbol Test Condition测试条件Min Typ Max Unit符号最小 典型 最大 单位Capacitance(input to output) 电容（输入输CSVS = 0, f = 1 MHz—0.8—pF 出）Isolation resistance隔离电阻RS VS = 500 V, R.H.≤ 60%—10 11 —?AC, 1 Min 最小 ute2500 — —VrmsIsolation voltage隔离电压 BVSAC, 1 second, in oil— 5000 —DC, 1 Min 最小 ute, in oil —5000 —VdcSwitching Characteristic 开关特性参数 (Ta = 25 ℃ )Characteristic参数Symbol 符号Min Typ Max Unit Test Condition 测试条件典型 最大 单位最小Rise time 上升时间tr — 2 —Fall time 下降时间 tf— 3—μ sTurn-on timeton VCC=10V IC=2 mA RL=100?3开启时间 — —Turn-off time 关断时间 toff — 3 — Turn-on time 开启时间 tON — 2 —Storage time存储时间 ts RL = 1.9k Ω (Fig.1) VCC = 5V, IF = 15— μs— Turn-off timetOFF16mA25关断时间——图 3 TLP521-1 封装图 图 4 TLP521-2 封装图图 5 TLP521-4 封装图图 6 开关时间测试电路。
软件介绍:
p521中文资料,p521中文PDF应用资料:
东芝TLP521-1 --，2和-- 4包括一张照片晶体管光学对一镓砷化物红外麻省理工学院二极管连接。
TLP521-2在八中提供两个隔离的通道领导TLP521-4在十六种塑料的DIP包装中提供四个隔离的通道的塑料的DIP包装
集极电压50V（min）
电流转移比率50%（min）
等级GB 100%（min）
隔离电压2500Vrms(min)
Anode 阳极
cathode 阴极
emitter; (晶体管的)发射极
collector集电极
东芝连续不断地工作改进其产品的质量和可靠性。
然而，半导体设备能故障或者因为他们的易受物理的压力的固有的灵敏性和攻击而失败。
当利用东芝产品时为了在为了整个的系统做一个保险箱设计时遵照安全的标准同时，避免在其中这样东芝产品的一次故障或者失败能造成人类生活损失的形势对财产的身体的伤害或者破坏是购买者的责任。
推荐操作条件
特性最小值典型值最大值单位提供电
压 5 24 V
转换电流16 25 mA 发射极电
流 1 10 mA
工作温度-25 85 °C
TLP521照片晶体管光耦特点描述：
东芝TLP521 - 1 ， -2和4组成的照片晶体管
光耦合到砷化镓红外发光二极管。
该TLP521 - 2提供了两个孤立的渠道，在8引脚塑料DIP封装，而TLP521 - 4提供4个孤立的渠道
1 16塑料DIP封装。
TLP521照片晶体管光耦(图片）
TLP521照片晶体管光耦技术参数。
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图：应用电路：图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C∙扇出（驱动）能力： (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多∙HC Types- 工作电压：2V到6V- 高抗扰度: N IL = 30%, N IH= 30% of V CC at V CC = 5V∙HCT Types- 工作电压：4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, V IL= 0.8V (Max), V IH = 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, I l1μA at V OL, V O该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。
tlp521光耦参数
TLP521是一种可编程场效应晶体管（FET）光耦，其主要用途是将输入信号转换为输出信号并进行隔离。
本文将详细介绍TLP521的参数和特性。
1. 输入电流
TLP521的最大输入电流为50mA，这是光耦工作的关键参数之一。
输入电流过大可能会导致光电元件过热或损坏，因此需要在使用时仔细控制。
2. 工作温度
TLP521光耦的工作温度范围为-55℃到100℃。
正常情况下，光耦应该在其指定的工作温度范围内运行，以免影响性能或寿命。
3. 灵敏度
TLP521的最小发光电流（IFLH）为5mA，这是光耦的灵敏度的关键参数。
发光电流越低，光耦的灵敏度就越高。
因此，TLP521是相对较敏感的光耦。
4. 输出电压
TLP521的最大输出电压为80V，这是光耦输出电信号的关键参数。
如果需要更高的输出电压，可以考虑其他光耦型号。
5. 响应时间
TLP521的最大响应时间为4微秒，这也是光耦的关键参数之一。
响应时间越短，光耦的应用范围就越广。
6. 绝缘电阻
TLP521的最小绝缘电阻为10^10欧姆，这是光耦进行隔离的关键参数之一。
绝缘电阻越高，光耦进行隔离的效果就越好。
总之，TLP521是一种功能强大的光耦，适用于许多应用，包括自动化控制、通信、电力等领域。
了解TLP521的参数和特性有助于更好地选择和使用这种光耦。
摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。
文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。
关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。
近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。
1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。
光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）经常转移的比例：50 ％（最小）隔离电压：2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Characteristic 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2TLP521−4LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
(Note): Application type name for certification test, please use standard producttype name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2。
TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−(Ta≥50℃)−(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−−mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围Topr−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−−mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, .≤60%)Vrms注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
