此处加标题
集成电路设计基础 Ch03
眼镜小生制作
华•侨•大•学
• 专用集成电路系统实验室
第3章 IC制造工艺
3.1 外延生长 3.2 掩膜制作
3.3 光刻
3.4 刻蚀
3.5 掺杂
3.6 绝缘层形成
3.7 金属层形成
2021/1/15
2
华•侨•大•学
• 专用集成电路系统实验室
3.1 外延生长(Epitaxy)
将初缩版装入步进重复照相机, 进一步缩小到 22 cm2或3.53.5 cm2, 一步一幅印到铬(Cr)板 上, 形成一个阵列.
2021/1/15
不同的外延工艺可制出不同的材料系统.
2021/1/15
3
华•侨•大•学
• 专用集成电路系统实验室
液态生长(LPE: Liquid Phase Epitaxy)
LPE意味着在晶体衬底上用金属性的溶液形成一 个薄层。在加热过的饱和溶液里放上晶体,再把 溶液降温,外延层便可形成在晶体表面。原因在 于溶解度随温度变化而变化。
2021/1/15
6
华•侨•大•学
• 专用集成电路系统实验室
金属有机物气相外延生长
(MOVPE: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)
III-V材料的MOVPE中,所需要生长的III, V族元素的源材料以气体混和物的形式 进入反应炉中已加热的生长区里,在 那里进行热分解与沉淀反应。
LPE是最简单最廉价的外延生长方法.在III/IV族 化合物器件制造中有广泛的应用.但其外延层的 质 量 不 高 . 尽 管 大 部 分 AlGaAs/GaAs 和 InGaAsP/InP器件可用LPE来制作, 目前, LPE逐渐 被VPE, MOCVD, MBE法代替.