钢模 精度+/-0.05mm,最小間距0.3mm,最小孔徑0.4mm 10萬次 高 3-5天
鐳射切割 精度+/-0.025mm,最小間距0.05mm,最小孔徑0.05mm N/A EQ
10.輔物料貼合
1. CVL在冷凍倉領料後要回溫4小時,再裁切成PNL,然後到 A50利用模具切成一個個SPCS,再到覆膜室貼合---假壓--快壓---烘烤,貼合方式是A60按C孔C線來貼合的
(2).原理: 曝光是實現圖像轉移一重要環節,其主要利用UV紫外線
照射把圖形轉移至幹膜上。通過黑白底片的遮擋,在曝光區 域，幹膜內的感光劑吸收光子分解成游離基，游離基引發 單體發生聚合反應，生成不溶於稀堿的空間網狀大分子結 構。而在未曝光區域，光致抗蝕劑保持原狀，不發生反應， 可溶於稀堿。利用二者在同種溶劑中具有不同的溶解性從 而達到影像轉移的目的。
CFP50 13
COMPEQ
注意:
(1).其中壓膜、曝光都是在無塵室內完成的。無塵室的等 級是10000級，溫度是21±2℃，濕度是55±5RH。
(2).前處理由酸洗+刷磨+SPS+酸洗+烘乾組成,間隔所用到 水洗暫未加入.
(3).幹膜的組成（有三層結構）：
外層是PET，聚脂類薄膜，在曝光後顯影前撕去。作 用是承載光阻劑，並有穿透UV光的能力，防止曝光時氧 氣向抗蝕劑層擴散，破壞游離基，引起感光度下降；
CFP50 20
COMPEQ
11.打靶:
1.原理: 根據X-RAY照出四角補正靶點,確認出板子漲縮,採用 124mil鑽頭進行鑽孔.(現有打靶機3台,機鑽靶為130mil) 注意事項: (1). 室內溫度要控制在25±2℃ (2).打靶機的倍率值=實際值(板漲或縮後的長箭靶兩孔的 距離)/原稿值(長箭靶兩孔設計時的距離) (3).抓4角補正靶,打出masslam對位T孔. (4).鑽孔500次需換鑽頭.
