无机材料科学基础第九章相变详解演示文稿
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第9章相变一、名词解释1.相变:2.一级相变与二级相变:3.均态核化与非均态核化:4.液相不混溶现象(玻璃的分相):12341.2345.液-为时,6. 均匀成核的成核速率由因子和因子所决定的。
填空答案1、化学势、化学势的一阶偏微熵、固相、液相、化学势、化学势的一阶偏微熵、化学势的二阶偏微熵2、成核-生长机理、斯宾那多分解、马氏体相变、有序-无序、一级相变、二级相变、扩散、无扩散、重键型扩散、位移型扩散3、成核、生长4、过冷度、过饱和浓度、过饱和蒸汽压5、90°6、成核、扩散三、熔体析晶过程中,质点成核需具有那些能量,这些能量从何得来。
需要:界面能来自于:1、过冷度 2、体积自由能变四、假设△H和△S与温度无关,说明为什么硅酸盐熔体在熔点或熔点以上不可能发生析晶,而加入适当的晶核剂时,往往在熔点就能析晶。
当温度过高时处于高温亚稳区域,生长速率过慢而晶体的成核速率近似为零,二者无重叠区域,故不可能发生析晶现象当加入晶核剂时、成核速率曲线发生偏移,在原本不能够析晶的温度下存在重叠区域,故能够发生析晶现象六、下图为晶核的半径r与△G间的关系,现有不同温度的三条曲线,请指出哪条温度最高?哪条温度最低?你的根据是什么?T越低,则r k越小,故T1>T2>T3七、试用图例说明过冷度对核化速率、晶化速率、析晶范围、析晶数量和晶粒尺寸等的影响。
并说明要获得细晶,温度应如何控制?一、过冷度过高或过低对成核和生长均不利,只有在合适的过冷度条件下才能获得最大的成核和生长速率二、生长速率和自发成核速率重叠区为析晶区三、过冷度大,控制在成核速率大的区域获得的晶体多而且晶粒小过冷度小,控制在生长速率大的区域获得的晶体少但是晶粒大。