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LMH6611LMH6611 和LMH6612 都是345MHz输出放大器，消耗仅３.２mA静态电流，在电源单一供电系统中提供高性能。
LMH6611 和LMH6612 具有低噪音，低失真性能，精确地输入偏置电压，适用于要求精度高的视频，测试，测量和通信的应用。
LMH6611 和LMH6612具有超常的电源性能比。
0.022mV修整过的输入偏置电压，103分贝的高开环增益，LMH6611 和LMH6612 遇到了高要求的直流敏感高速应用，如低通滤波在基带的Ｉ和Ｑ无线电频道。
100纳秒0.01%的时间设置，１０√Hz的低噪音和100KHz时１０２分贝的高噪音，这些规格结合在一起，使得这些放大器特别适合于10,12,14-bit的高速模数转换器。
４５ＭＨｚ，0.1分贝的带宽传送２Vpp到150Ω，允许放大器传送1080和720p的高清电视的应用。
共模输入范围延伸到200毫伏以下，负供应高达1.2V。
在一个５Ｖ电源提供的负载为150Ω的电路，输出波动范围为49毫伏以下；当负载为1ＫΩ时，波动范围在７７毫伏以下。
放大器将作用于单输入范围为2.7V 到11V，或分裂输入范围为±1.35V到±5.5V 的电路。
LMH6611可用于６管脚的TSOT23和独立活跃的管脚，可减少供应120uA的电流。
LMH6612可用于８管脚的SOIC。
LMH6611和LMH6612都可用在－40℃到+125℃的温度范围内。
产品特性：Vs=5V,Rl=1KΩ,Ta=25℃,Av=+1(除非另有说明)操作电压范围 2.7V 到11V电源电流 3.2mA小信号带宽345KHz开环路增益103dB输入偏置电压（限制在２５℃）±0.750mV转换速率460V/uS0.1分贝带宽45MHz0.1％的设置时间67ns0.01%的设置时间100nsSFDR(f=100KHz,Av=2,V out=2Vpp) 102dBc低电压噪音10nV/√Hz输出电流±100mAＣＭＶＲ-0.2v到3.8v温度范围－40℃到+125℃应用：模数转换器，数模缓冲器，有源滤波器，高速传感放大器，电流感应放大器，1080i 和720p的模拟视频放大器，机顶盒，电视视频放大器，视频交换混合电路。
常见的霍尔元件常见的霍尔元件有哪些种类，型号？单极性霍尔单极开关介绍:单极霍尔效应开关具有磁性工作阈值(Bop)。
如果霍尔单元承受的磁通密度大于工作阈值，那么输出晶体管将开启；当磁通密度降至低于工作阈值(Brp) 时，晶体管会关闭。
滞后(Bhys) 是两个阈值(Bop-Brp) 之间的差额。
即使存在外部机械振动及电气噪音，此内置滞后页可实现输出的净切换。
单极霍尔效应的数字输出可适应各种逻辑系统。
这些器件非常适合与简单的磁棒或磁杆一同使用。
Allegro 提供各种单极霍尔效应开关，各开关均具有与磁铁南极相关的不同工作阈值及滞后。
霍尔单极开关型号如下:类别品牌型号工作点（G）释放点（G）回差（G）工作电压工作温度单极霍尔开关AH AH3144E70~300 30~270 >30 4.5-24V -40-85℃AH AH3144L70~300 30~270 >30 4.5-24V -40-150℃AH AH54370~350 30~270 >30 4.5-24V -20-85℃DIODES ATS13770~300 30~270 >40 3.5-20V -40-85℃YH YH137<160 >20 60~80 4.5-24V -20-85℃YH YH3144E>30 <30 80 4.5-24V -20-85℃ALLEGRO A04E35~450 25~430 >20 3.8-24V -40-85℃ALLEGRO A1104EU-T35~450 25~430 >20 3.8-24V -40-85℃ALLEGRO A1104LU-T35~450 25~430 >20 3.8-24V -40-150℃ALLEGRO A1104EUA-T35~450 25~430 >20 3.8-24V -40-85℃AH3144E/L,霍尔开关集成电路应用霍尔效应原理，采用半导体集成技术制造的磁敏电路，它是由电压调整器、霍尔电压发生器、差分放大器、史密特触发器，温度补偿电路和集电极开路的输出级组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压讯号。
霍尔元件的结构及工作原理__霍尔集成电路霍尔元件是一种利用霍尔效应进行检测和测量的电子器件。
它的结构简单，主要由霍尔片、霍尔电源、输出电路和感应磁场组成。
一、霍尔片霍尔片是霍尔元件的核心部分，也是实现霍尔效应的关键元件。
它通常由n型半导体材料制成，采用非晶硅、晶硅或砷化镓等材料。
在霍尔片上面安装有电极，霍尔片的两侧还存在一个内部电源电压Vcc。
电源电压Vcc通过霍尔片产生的功耗供电，同时能够在霍尔片中建立电场，引起霍尔效应。
二、霍尔电源霍尔电源是为霍尔片提供所需电压的部分。
霍尔电源的作用是为霍尔片提供适当的电场。
霍尔电源通常由稳压电源组成，可以提供固定的电压，确保霍尔片的灵敏度和稳定性。
三、输出电路输出电路是将霍尔元件的输出信号转化为可用于测量或控制的电信号的部分。
它通常由运算放大器和滤波器等电子元件组成。
输出电路的作用是放大霍尔片的输出信号，并将其转换为适当的电压或电流信号，以便进行后续的处理。
四、感应磁场霍尔元件的工作原理是基于霍尔效应。
霍尔效应是指当电流通过一块载流子密度为n的导体时，在垂直于电流方向的磁场作用下，将在导体两侧的边界处产生一个电场，从而形成一个电势差，即霍尔电势差。
霍尔电势差的大小与磁感应强度、电流和导体的特定参数有关。
1. 在磁场存在时，电源电压Vcc产生电场，使得霍尔片内部形成一个电势差。
如果没有磁场作用，电势差为零。
2.当磁场作用在霍尔片上时，载流子受到洛伦兹力偏转，从而引发霍尔电势差。
3.霍尔电势差通过输出电路放大并转换为可测量或控制的电信号。
4.根据霍尔电势差的大小和方向，可以确定磁场强度和方向。
霍尔元件具有许多优点，如响应速度快、稳定性好、线性范围广等。
因此，它广泛应用于磁场检测、电流测量、电机控制、笔记本电脑、手机等电子设备中。
一，霍尔传感器(Hall Sensor)分类单极霍尔开关、双极霍尔开关、全极霍尔开关、无极霍尔开关、贴片霍尔开关、玩具霍尔开关、插件霍尔开关二，霍尔传感器(Hall Sensor)工作原理什么是霍尔传感器?霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。
若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁感应强度。
霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
直流电机在转动过程中，绕组中的电流要不断地改变方向，以使转子向一个方向转动。
其中，有刷电机是采用电刷与换相器通过机械接触的方式进行换相的。
所以电刷在高速转动的时候会产生很大磨损，需要经常清理碳屑，如果电刷完全磨损了需要更换电刷，这都使得有刷电机的使用保养难度大大增强。
而无刷电机则是通过霍尔传感器检测出绕组实时运转位置的信号，再通过微处理器或专用芯片对采集的信号进行处理，并实时控制相应的驱动电路对电机绕组进行控制。
由于无刷电机的换相是通过传感器及相关电路进行的，所以无刷电机没有电刷与换相器的机械接触与磨损，不需要经常换电刷等易损器件，从而可有效提高电机的使用寿命，减少维修费用。
手机中的霍尔传感器(Hall Sensor），作用原理是霍尔磁电效应，当电流通过一个位于磁场中的导体时，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力，从而在导体的两端产生电势差。
主要运用在翻盖解锁、合盖锁定屏幕等功能当中。
玩具用双输出霍尔开关DH482DH482是由混合信号CMOS工艺制造的霍尔IC，元件内部采用先进的斩波稳定技术，因而能提供准确和稳定的磁转换点。
DH482有两个输出，输出1对S极敏感，输出2对N极敏感。
产品特性及优点•微功耗电池供电应用•极性判断，在两个极性上都有输出（输出1：S极输出，输出2：N极输出）•工作电压可低至1.8V•高灵敏度•CMOS输出>> 产品应用领域•固态开关•无绳手机提醒开关•翻盖式手机屏保开关•磁极性传感器玩具用微功耗霍尔开关DH621是较新出现的类型，等同对待S极和N极，也被称为。
霍尔元件灵敏度参数单位霍尔元件是一种用来测量磁场的传感器元件。
它的灵敏度是指在给定的电场条件下，每个磁场单位变化对该元件输出电压的影响程度。
霍尔元件的灵敏度通常以电压/V（V/T）表示，其中V/T是对磁场单位的度量。
本文将详细介绍霍尔元件的灵敏度参数单位，并对其进行全面的分析。
一、霍尔元件的工作原理霍尔元件是由一块晶体片制成的，它包含有金属触点和感应结构。
当感应结构过电流时，它会在两个触点之间产生横向电场（霍尔电场），这个电场会受到磁场的影响，从而引起触点之间的电势差产生变化。
这种电势差的变化可以通过读取该元件的输出电压来衡量。
霍尔元件的灵敏度参数单位通常有两种：一种是电压/V（V/T），另一种是电流/A（V/A T）。
其中电压/V（V/T）是对于每个磁场单位的电势差变化量的度量，而电流/A（V/A T）是入射磁场下输出电流与磁力度之间的比例。
S = ΔV/ΔB其中S表示霍尔元件的灵敏度，ΔV表示输入磁场单位下的输出电势差变化量，ΔB表示磁场单位的变化量。
该公式可以用来计算霍尔元件在不同磁场条件下的灵敏度，从而确定将使用什么样的元件来实现所需的测量精度。
霍尔元件的灵敏度参数受多种因素影响，其中包括：1. 硅片的薄膜质量：硅片的薄膜质量会影响霍尔晶体的导电性、生长质量和磁场响应。
2. 温度：温度是影响霍尔元件灵敏度的一个重要因素。
在不同的温度下，霍尔元件的灵敏度会发生变化。
3. 磁场的方向和大小：不同方向和大小的磁场对霍尔元件的灵敏度有影响。
对于特定方向和大小的磁场，霍尔元件会表现出不同的灵敏度值。
4. 霍尔元件的尺寸和形状：霍尔元件的尺寸和形状也会对其灵敏度产生影响。
对于不同的尺寸和形状的霍尔元件，其灵敏度也不同。
霍尔元件的灵敏度参数单位是电压/V（V/T）和电流/A（V/A T）。
灵敏度受多种因素影响，包括硅片的薄膜质量、温度、磁场的方向和大小以及霍尔元件的尺寸和形状。
了解这些因素对霍尔元件灵敏度的影响可以帮助我们选择合适的元件来实现所需的测量精度。
lem电流传感器原理LEM电流传感器原理引言:LEM电流传感器是一种常用的电流测量设备，它能够将电流转化为电压信号输出，并广泛应用于工业控制、电力系统、电子设备等领域。
本文将详细介绍LEM电流传感器的原理及其工作机制。
一、LEM电流传感器的基本原理LEM电流传感器采用了霍尔效应原理，通过在导体上加上外加磁场，使得电流产生磁场，进而通过霍尔效应感应出电流的大小。
具体原理如下：1.1 霍尔效应霍尔效应是指当电流通过导体时，垂直于电流方向的磁场作用下，导体的一侧会产生电势差。
这种现象是由于磁场作用下的洛伦兹力使电子偏转而产生的。
1.2 磁场感应当电流通过导体时，根据右手定则，电流产生的磁场方向垂直于电流方向。
而磁场的大小和电流成正比。
1.3 霍尔元件为了感应电流产生的磁场，LEM电流传感器中使用了霍尔元件。
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁敏元件，能够将磁场转化为电压信号输出。
二、LEM电流传感器的工作机制基于以上原理，LEM电流传感器的工作流程如下：2.1 封装和连接LEM电流传感器通常采用封装的形式，方便安装和连接。
它通常由传感器主体、输入输出端子和电源端子组成。
2.2 磁场感应当待测电流通过传感器主体时，会产生磁场。
传感器主体中的霍尔元件感应到这个磁场，并将其转化为电压信号。
2.3 信号处理通过对电压信号的处理，可以得到与电流大小成正比的输出信号。
通常，该信号经过放大、滤波等处理，以提高测量精度和减小噪声干扰。
2.4 输出结果经过信号处理后，LEM电流传感器将输出一个与待测电流大小成正比的电压信号。
用户可以通过测量该电压信号来得到电流的准确值。
三、LEM电流传感器的优势和应用LEM电流传感器具有以下优势：3.1 非接触式测量LEM电流传感器采用非接触式测量，不需要与被测电流直接接触，避免了测量过程中的安全隐患。
3.2 宽量程LEM电流传感器具有宽范围的量程选择，可以满足不同应用场景的需求。
3.3 高准确度LEM电流传感器采用高精度的霍尔元件和信号处理技术，具有较高的测量精度和稳定性。
霍尔元件的工作原理什么是霍尔元件？霍尔元件（Hall Sensor）是一种能够检测磁场的传感器，由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年发明。
它可以测量磁场的强度与方向，并将其转换成电压信号，因此常被用于电子设备中的位置检测、运动控制、电机驱动等场合。
霍尔元件一般由霍尔效应芯片、电流放大器和输出端口三部分组成。
其中，霍尔效应芯片是核心部件，它能够感知磁场并产生电场，在电流放大器的作用下输出电压信号。
霍尔效应要理解霍尔元件的工作原理，我们需要先了解霍尔效应。
霍尔效应是由于磁场对于流体电子力的侧向影响，使电子流体从一端向另一端偏移的现象。
当有磁场垂直于导电材料中的电流流动方向时，电子会偏转，产生电势差，这就是霍尔效应。
霍尔元件的工作原理霍尔元件利用霍尔效应来检测和测量磁场。
当磁场垂直于霍尔元件的感应面时，会使电子在晶体中沿着侧向移动，因而在晶体中的侧向出现电场。
产生的电场会使在材料中流动的电子在侧向发生偏转，从而在材料的两端产生一个电压，这就是霍尔电压。
霍尔元件通常有三种类型，分别为正常型、反向型和带宽型。
其中，正常型霍尔元件的工作原理如下：1.当正常型霍尔元件的感应面没有受到磁场的影响时，它的输出电压为零。
2.当垂直于感应面的磁场强度增加时，霍尔电压也随之增加，但变化幅度较小。
3.当垂直于感应面的磁场强度超过一定范围时，霍尔电压会急剧增大，达到饱和状态。
正常型霍尔元件的输出电压符号与磁场方向有关，分为正负两种。
当正常型霍尔元件的输入端面对着N极时，输出电压为负，当面对着S极时，输出电压为正。
除了正常型霍尔元件，反向型和带宽型霍尔元件也分别有自己的特点和应用场合。
霍尔元件的应用霍尔元件具有体积小、可靠性高、工作稳定、响应速度快等优点，因此被广泛应用于多种场合:1.位置检测：霍尔元件可以用于检测物体的位置、方向和运动状态，如电子门锁、汽车方向盘角度传感器等。
2.运动控制：霍尔元件可以用于实现精确测量和控制，如电机控制、舵机控制等。
霍尔传感器（HallSensor）分类和工作原理及其应用一，霍尔传感器(Hall Sensor)分类单极霍尔开关、双极霍尔开关、全极霍尔开关、无极霍尔开关、贴片霍尔开关、玩具霍尔开关、插件霍尔开关二，霍尔传感器(Hall Sensor)工作原理什么是霍尔传感器?霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。
若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁感应强度。
霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
直流电机在转动过程中，绕组中的电流要不断地改变方向，以使转子向一个方向转动。
其中，有刷电机是采用电刷与换相器通过机械接触的方式进行换相的。
所以电刷在高速转动的时候会产生很大磨损，需要经常清理碳屑，如果电刷完全磨损了需要更换电刷，这都使得有刷电机的使用保养难度大大增强。
而无刷电机则是通过霍尔传感器检测出绕组实时运转位置的信号，再通过微处理器或专用芯片对采集的信号进行处理，并实时控制相应的驱动电路对电机绕组进行控制。
由于无刷电机的换相是通过传感器及相关电路进行的，所以无刷电机没有电刷与换相器的机械接触与磨损，不需要经常换电刷等易损器件，从而可有效提高电机的使用寿命，减少维修费用。
手机中的霍尔传感器(Hall Sensor），作用原理是霍尔磁电效应，当电流通过一个位于磁场中的导体时，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力，从而在导体的两端产生电势差。
主要运用在翻盖解锁、合盖锁定屏幕等功能当中。
玩具用双输出霍尔开关DH482DH482是由混合信号CMOS工艺制造的霍尔IC，元件内部采用先进的斩波稳定技术，因而能提供准确和稳定的磁转换点。
DH482有两个输出，输出1对S极敏感，输出2对N极敏感。
微功耗霍尔元件YS251 高灵敏低电压霍尔开关
YS1251 微功耗霍尔元件是一款基于混合信号CMOS 技术的无极性霍尔开关，这款IC 采用了先进的斩波稳定，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
YS1251全级性霍尔元件灵敏度高、体积小、耐压强、寿命长、价格低等特点，适合玩具等小电压电子产品当中，元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器，它是一种双磁极性磁感应开关，能够感应到磁体的N极和S极的磁场强度，YS251通过周期性休眠和唤醒工作，达到降低功耗的作用。
，唤醒期间检测环境磁场强度，休眠状态保持最后输出状态。
微功耗霍尔元件YS251有贴片直插的两种封装，超小超薄DFN 封装，适合用于越来越轻薄的便携移动设备中，所有封装都符合RoSH 环保标准。
低功耗5uA，工作电压可低至1.65V，
YS251是看互补推挽输出，在电路的使用中是不需要加上拉电阻的，灵敏度温漂小，高灵敏度。
一致性稳定性好，被广泛应用在低功耗的产品上。
霍尔测速测速是工农业生产中经常遇到的问题，学会使用单片机技术设计测速仪表具有很重要的意义。
要测速，首先要解决是采样的问题。
在使用模拟技术制作测速表时，常用测速发电机的方法，即将测速发电机的转轴与待测轴相连，测速发电机的电压高低反映了转速的高低。
使用单片机进行测速，可以使用简单的脉冲计数法。
只要转轴每旋转一周，产生一个或固定的多个脉冲，并将脉冲送入单片机中进行计数，即可获得转速的信息。
下面以常见的玩具电机作为测速对象，用CS3020设计信号获取电路，通过电压比较器实现计数脉冲的输出，既可在单片机实验箱进行转速测量，也可直接将输出接到频率计或脉冲计数器，得到单位时间内的脉冲数，进行换算即可得电机转速。
这样可少用硬件，不需编程，但仅是对霍尔传感器测速应用的验证。
1 脉冲信号的获得霍尔传感器是对磁敏感的传感元件，常用于开关信号采集的有CS3020、CS3040等，这种传感器是一个3端器件，外形与三极管相似，只要接上电源、地，即可工作，输出通常是集电极开路（OC）门输出，工作电压范围宽，使用非常方便。
如图1所示是CS3020的外形图，将有字面对准自己，三根引脚从左向右分别是Vcc，地，输出。
图1 CS3020外形图使用霍尔传感器获得脉冲信号，其机械结构也可以做得较为简单，只要在转轴的圆周上粘上一粒磁钢，让霍尔开关靠近磁钢，就有信号输出，转轴旋转时，就会不断地产生脉冲信号输出。
如果在圆周上粘上多粒磁钢，可以实现旋转一周，获得多个脉冲输出。
在粘磁钢时要注意，霍尔传感器对磁场方向敏感，粘之前可以先手动接近一下传感器，如果没有信号输出，可以换一个方向再试。
这种传感器不怕灰尘、油污，在工业现场应用广泛。
2 硬件电路设计测速的方法决定了测速信号的硬件连接，测速实际上就是测频，因此，频率测量的一些原则同样适用于测速。
通常可以用计数法、测脉宽法和等精度法来进行测试。
所谓计数法，就是给定一个闸门时间，在闸门时间内计数输入的脉冲个数；测脉宽法是利用待测信号的脉宽来控制计数门，对一个高精度的高频计数信号进行计数。
北京德威特电力系统自动化集团系统硬件系列DVP – 661/662/663微机电动机综合保护装置使用说明书北京德威特电力系统自动化集团北京中关村中国科学院电工研究所科技公寓目录1.本保护装置的保护范围 (3)2.装置配备的保护及保护原理 (3)3．技术数据 (6)4．结构说明 (8)4.1装置组成 (8)4.2安装与开孔 (10)5．保护装置的原理图与装置端子接线说明 (11)5.1保护装置的原理图 (11)5．2保护装置的端子图及端子接线说明 (14)6. 数码管的六种显示及按键的使用说明 (16)6.1数码管的六种显示 (16)6.2按键使用说明: (16)6.2.1输入密码的方法: (16)6.2.2搜索的三种方法(适用于定点显示和进入定值区的显示): (16)6.3几种显示列表: (16)6.3.1循环显示（供运行人员使用） (16)6.3.2定点显示 (17)6.3.3进入定值区的显示(输入密码1111) (18)6.3.4有报警或预告时的显示: (19)7.调试大纲(适用于现场调试人员及检修维护人员) (21)7.1查看、输入或修改保护定值: (21)7.2开关量的检查 (21)7.3监控操作 (21)7.4保护继电器的出口检查 (21)7.5模拟量输入检查及精度检查 (22)7.6保护定值的整定方法与实例(可供定值计算人员和调试人员参考) (22)7．6．1额定电流整定 (22)7.6.2启动时间整定 (23)7.6.3差动保护整定 (23)7.6.4速断保护整定 (23)7.6.5过热保护整定 (23)7.6.6零序过流保护整定 (23)7.6.7负序过流保护整定 (24)7.6.8低压保护整定 (24)7.6.9自启动时间整定 (24)7.7保护试验 (24)7.7.1差动试验（用于DVP－662和663） (24)7.7.2速断试验（用于DVP－661） (24)7.7.3过热特性测试 (24)7.7.4堵转试验 (25)7.7.5启动时间过长试验 (25)7.7.6零序过流试验 (25)7.7.7负序过流试验 (25)7.7.8低电压试验 (25)7.7.9自启动试验 (25)7．9．10失磁,失步保护 (25)7.7.11动作时间试验 (25)7.7.12FC回路熔断器熔断报警 (26)7.7.13PT回路断线报警 (26)7.7.14控制回路断线报警试验 (26)7.7.15定值错误报警试验 (26)8.运行人员注意事项及要求 (26)9.检修及维护: (26)1.本保护装置的保护范围DVP-661适用于 3～10KV 电动机，该装置由监控和保护两套完全独立的系统组成，作为电动机的成套保护、控制、测量和监视报警装置．其保护部分电流速断保护、过热（过负荷）保护、堵转保护、启动时间过长保护、零序过流保护、负序过流保护、低电压保护组成．控制部分由电动机启动～自启动控制、手动跳合闸及跳合闸联锁控制组成，测量部分由电流测量、电压测量、频率测量、功率测量、功率因数测量、电度测量组成。
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点击进入万联芯城点击进入万联芯城霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。
一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。
霍尔元件灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小。
霍尔元件工作原理霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。
金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。
半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。
利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。
霍尔电位差UH的基本关系为：UH=RHIB/d （1） RH=1/nq（金属）（2）式中 RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的磁感应强度；d――导体的厚度。
对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同，此处从略。
由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。
利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。
其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
tb6612fng电机驱动模块工作原理TB6612FNG电机驱动模块是一种常用的电机驱动芯片，广泛应用于各种机器人、智能小车、舵机等电机驱动控制系统中。
它采用了双H桥驱动结构，可以实现直流电机的正反转控制以及PWM调速功能。
下面将详细介绍TB6612FNG电机驱动模块的工作原理。
首先要了解TB6612FNG电机驱动模块的基本结构。
它由两个独立的H桥驱动器组成，每个H桥包含了四个晶体管，分别是两个N 沟道MOSFET和两个P沟道MOSFET。
通过控制这些晶体管的导通和截止，可以实现对电机的控制。
当需要让电机正转时，通过控制其中一个H桥的两个N沟道MOSFET导通，同时让另一个H桥的两个N沟道MOSFET截止，这样电流就可以从电源正极经过一个H桥，然后流入电机，再从电机流回另一个H桥，最后返回电源负极，从而实现电机的正转。
而当需要让电机反转时，只需要控制两个H桥的P沟道MOSFET导通，而N沟道MOSFET截止，电流的流动方向就会发生改变，从而实现电机的反转。
通过这种方式，TB6612FNG电机驱动模块可以实现对电机的正反转控制。
除了正反转控制外，TB6612FNG电机驱动模块还可以通过PWM信号来控制电机的转速。
PWM信号可以使电机以不同的占空比工作，从而实现对电机转速的调节。
当PWM信号的占空比越大时，电机的转速就会越快；反之，占空比越小，电机的转速就会越慢。
在实际应用中，通过微控制器发送控制信号给TB6612FNG电机驱动模块，从而实现对电机的控制。
通过控制信号的高低电平和PWM 信号的占空比，可以精准地控制电机的运动，实现各种复杂的运动控制功能。
总的来说，TB6612FNG电机驱动模块通过双H桥驱动结构和PWM 调速功能，实现了对电机的正反转控制和转速调节。
它在机器人、智能小车等领域有着广泛的应用，为电机驱动控制系统提供了稳定可靠的解决方案。
希望通过本文的介绍，读者对TB6612FNG电机驱动模块的工作原理有了更深入的了解。
Applications
Cover detector Battery-operated
Hand Held Equipment
Features
Micro-power(5~7uW(typ):Vcc=3.0V) 2.4V to 3.5V operation range
Built-in dynamic offset cancellation Small size
High balance and low thermal drift magnetic sensing Micro power Operation
ESD protected to 5KV(HBM)
Order information
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter
Symbol Conditions Rating
Units Maximum supply voltage V DD max 7 V Allowable power dissipation Pd SOT23 300* mW Operating temperature Ta -40~+85 ℃ Storage temperature Ts
-55~+150
℃
Max. output current
I OMAX
5 mA
*: On 50mm x 50mm x 1.6mm glass epoxy board
Specifications
All PROLIFIC products described or contained herein do not have specifications that can handle applications require extremely high levels
of reliability, such as life-support systems, aircraft control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your PROLIFIC representative nearest you before using any PROLIFIC products described or contained herein in such applications.
PROLIFIC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, the
rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all PROLIFCI products described or contained herein.
Package Type
深圳凯祥科技有限公司
ＤＨ６６１
ＤＨ６６１Ｇ ／ＰＫＧ：ＳＯＴ２３
General Specifications
held equipment such as
cellular and cordless phone, PDA and pagers application. The built-in dynamic offset
cancellation of pre-amplifier stage achieves optimal symmetrical magnetic sensing. The supply voltage range is from 2.4V to 3.5V and the max output current is 5mA.
This Hall effect sensor IC integrate a sensor, pre-amplifier with dynamic offset cancellation and the differential hysteresis comparator in single chip . The architecture block diagram is shown in Fig. 1.
Fig 1. Function Diagram
The micro power operation is achieved by the awake/sleep timing control as shown Fig2. The chip will be automatic at awake mode for 45uS and is at sleep mode (shutdown) for the remainder of the period (90mS). At awake mode, the sensor of chip will be enable and normal operation. The sensor will be disabled to save the power and the output is latched in the previous state during sleep mode.
I I Fig 2. Awake/Sleep timing
Protection
深圳凯祥科技有限公司
ＤＨ６６１
The DH661G is designed for battery-operated, hand-
深圳凯祥科技有限公司ＤＨ６６１
Electrical Characteristics (T A=+25°C, V DD=3.0V)
Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Units Supply Voltage V DD Operating 2.4 - 3.5 V Output Sink Voltage V DS(ON)I OUT=1mA,V DD=3.0V - 0.1 0.25 V Supply Current
I AWK Awake, V DD=3.0V - 3 5 mA
I SLP Sleep, V DD=3.0V - 2 4 µA
I AVG V DD=3.0V - 5 9 µA Awake Time T AWK Operating - 45 90 µS Period T P Operating - 90 180 mS Duty Cycle - 0.05 - % Magnetic Characteristics (T A=+25°C, V DD=3.0V)
Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Units Operate Point B OP South operate point 15 47 G Release Point B RP South release point 8 42 G Operate Point B ON North operate point -31 -60 G Release Point B RN North release point -24 -55 G Hysteresis B HYS| B OPX - B RPX | 5 12 G
Output sink voltage versus temperature
0100200300400500
20
40
6080100
T A o
C
V D S (O N )(m V
)
VDS(ON)
B OP , B RP versus temperature
-100
-75-50-2502550751000
20
406085
T A ,o C
B O P /B R
P
BOP BPR
BON BRN
Application circuits
NOTE :
C0: 0.1uF decoupling capacitor
R1: >470Kohm is recommended Ordering information
Part NO. Marking NO. Package
Temperature
PT3661G-BC 661 SOT-23 -40~85C Extended *BC : BON -31G ~ -60G
Solder-Pad Layout
DH661G-BC 661 SOT-23 -40~85C Extended
Package Outline
A
Z
DIMENSIONS IN MILLIMETERS(mm)
SYMBOLS
MIN NOM MAX
A 1.00 1.10
1.30
A1 0.00 - 0.10
A2 0.70 0.80 0.90
b 0.35 0.40 0.50
C 0.10 0.15 0.25
D 2.70 2.90 3.10
E 1.40 1.80 2.00
F 0.35 0.50 0.65
H 2.60 2.8 3.00
e 1.7 1.9 2.1
L 0.20 - -
SENSOR LOCATION
X - 0.96 -
Y - 1.49 -
Z - 0.50 -
Sensor Location
Bottom view
ＤＨ６６１深圳凯祥科技有限公司。
