SE2F100P60S绝缘型快恢复二极管模块
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8A、600V 快速恢复二极管产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SFR08S60T2 TO-220-2L SFR08S60T2 无铅料管SFR08S60F2 TO-220F-2L SFR08S60F2 无铅料管SFR08S60D TO-252-2L SFR08S60D 无铅料管SFR08S60DTR TO-252-2L SFR08S60D 无铅编带极限参数参数名称符号参数范围单位反向重复峰值电压VRRM700 V正向平均整流电流IF(AV)8.0 A正向峰值浪涌电流@8.3ms IFSM120 A工作结温范围TJ-50~+150 °C贮存温度范围Tstg-50~+150 °C热阻特性参数名称符号参数范围单位芯片对管壳热阻RθJC2.0 °C/W电气特性参数参数符号最小值典型值最大值单位最大正向电压I F=8.0Amps,T C=25°CV F-- 1.95 2.2 V最大反向漏电流在直流工作电压下,T C=25°C I R-- -- 10.0µA最大反向恢复时间I F=0.5 Amp,I R=1.0Amp,I REC=0.25Ampt rr-- -- 35 ns典型特性曲线封装外形图15.80±0.300.20封装外形图(续)声明:•士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。
•任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生!•产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!附:修改记录:日期版本号描述页码原版2010.08.30 1.0修改说明书模板2010.10.20 1.1增加TO-220F-2L封装2011.01.17 1.2修改“极限参数”、“电气特性参数”2011.05.30 1.3增加TO-252-2L封装2011.06.08 1.4。
"*" Trr TEST @ IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A /μs "△" Trr TEST @ IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A]The device number listed have a standard tolerance on the nominal Zener voltage of1SS1811S283680100 1.23000.58041SS1841S283880100 1.23000.58041SS1871SS22380100 1.23000.58041SS19080100 1.23000.58041SS1931SS22180100 1.23000.58041SS19680100 1.23000.58041SS2261SS12380100 1.23000.5804BAL99LT170100 1.25100 2.5706BAS116LT175200 1.253000.0575 3.0μS BAS16LT175200 1.253001759BAS19LT1125200 1.256250.112550BAS21LT1250200 1.25625125050BAV70LT170100 1.25200 2.5706BAV74LT150********.1504BAV99LT170100 1.252001706BAV199LT170100 1.25200570 3.0μS BAV170LT170150 1.25200570 3.0μS BAW56LT170200 1.25250 2.5706BAW156LT170200 1.25250 2.570 3.0μS BAS40-04/05/06402001400.2355BAS70-04/05/06702001150.2505BAT54-A/C/S 3020011002255MMBD914LT175200150 2.5754MMBD4148LT17530011005704MMBD2835LT135100 1.21000.1304MMBD2836LT175100 1.21000.1504MMBD2837LT135150 1.21000.1304MMBD2838LT175150 1.21000.1504MMBD6050LT170100 1.12000.1504MMBD6100LT170100 1.12000.1504MMBD7000LT11001001.110031004BZX8 SERIESIcbo (μA)Vcb (V)MIN MAX S9011LT12253030200.128200S9012LT1300-500-40-20-0.160300S9013LT130050040200.160300S9014LT122510040450.1601000SOT-23三极管 SOT-2TYPE PC (mW)IC (mA)Bvcbo(V)oohFEMIN Vdc Max IF mA Max μ A VR Vz=2.4-75V Pw=300mWSOT-23 开关二极管 SOT-23 SWITCHING DIODESTYPE CONCERNED TYPE VRIF m A VF Vdc IRTrr ns "*" Trr TEST @ IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A /μs "△" Trr TEST @ IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A]RU4Z 200270 1.33.510150DO-27S5295G 400130 1.41.05150DO-41S5295J 600130 1.41.05150DO-41TVR4J 600 1.540 1.24.051000SDO-15TVR4N10001.5401.24.051000SDO-151SS1811S283680100 1.23000.58041SS1841S283880100 1.23000.58041SS1871SS22380100 1.23000.58041SS19080100 1.23000.58041SS1931SS22180100 1.23000.58041SS19680100 1.23000.58041SS2261SS12380100 1.23000.5804BAL99LT170100 1.25100 2.5706BAS116LT175200 1.253000.0575 3.0μS BAS16LT175200 1.253001759BAS19LT1125200 1.256250.112550BAS21LT1250200 1.25625125050BAV70LT170100 1.25200 2.5706BAV74LT150********.1504BAV99LT170100 1.252001706BAV199LT170100 1.25200570 3.0μS BAV170LT170150 1.25200570 3.0μS BAW56LT170200 1.25250 2.5706BAW156LT170200 1.25250 2.570 3.0μS BAS40-04/05/06402001400.2355BAS70-04/05/06702001150.2505BAT54-A/C/S 3020011002255MMBD914LT175200150 2.5754MMBD4148LT17530011005704MMBD2835LT135100 1.21000.1304MMBD2836LT175100 1.21000.1504MMBD2837LT135150 1.21000.1304MMBD2838LT175150 1.21000.1504MMBD6050LT170100 1.12000.1504MMBD6100LT170100 1.12000.1504MMBD7000LT11001001.110031004BZX8 SERIESVR SOT-23 开关二极管 SOT-23 SWITCHING DIODESTYPE CONCERNED TYPE VRVz=2.4-75V Pw=300mWMIN Vdc Max IF mA Max μ A IF m A VF Vdc IRTrr nsIcbo (μA)Vcb (V)MIN MAX IC (mA)S9011LT12253030200.1282001S9012LT1300-500-40-20-0.160300-50S9013LT130050040200.16030050S9014LT122510040450.16010001S9015LT1225-100-50-45-0.1601000-1S9016LT12252530200.1282001S9018LT12255030180.1282001S8050LT130050040250.18030050S8550LT1300-500-40-25-0.160300-502SA1015LT1225-150-50-50-0.170400-22SC1815sLT122510060500.19060012SC1815LT122515060500.17070022SC945LT122515060500.1707001MMBT5401LT1300-600-160-150-0.180250-10MMBT5551LT13006001801600.18025010MMBTA42LT13003003003000.18025010MMBTA92LT1300-300-310-305-0.2580250-10TYPE V CBO V V CEO V Ic mA P DmW BCW29LT1-32-32-100225120/2600.4-0.320BCW30LT1-32-32-100225215/5000.4-0.320BCW33LT13020100225420/800 2.0/5.00.2510/0.5BCW60ALT13232100225120/220 2.0/5.00.5550/1.25BCW60BLT13232100225175/310 2.0/5.00.5550/1.25BCW60DLT13232100225380/630 2.0/5.00.5550/1.25BCW61BLT1-32-32-100225140/3100.4-0.5540BCW61CLT1-32-32-100225250/4600.4-0.5540BCW61DLT1-32-32-100225380/6300.4-0.5540BCW65ALT1603280022575/22010/1.00.7500/50BCW68GLT1-60-45-800225120/40010-1.510BCW69LT1-45-100225120/2600.4-0.320BCW70LT1-45-100225215/5000.4-0.320BCW72LT15045100225200/450 2.0/5.00.2510/0.5BC807-16LT1-50-45-500225100/250100-0.710BC807-25LT1-50-45-500225160/400100-0.710BC807-40LT1-50-45-500225250/600100-0.710BC817-16LT15045500225100/250100/1.00.7500/50BC817-25LT15045500225160/400100/1.00.7500/50BC817-40LT15045500225250/600100/1.00.7500/50BC846ALT18065100225110/220 2.0/5.00.6100/5.0BC846BLT18065100225200/450 2.0/5.00.6100/5.0BC847ALT15045100225110/220 2.0/5.00.6100/5.0BC847BLT15045100225200/450 2.0/5.00.6100/5.0BC847CLT15045100225420/8002.0/5.00.6100/5.0SOT-23三极管 SOT-23 TRANSISTORTYPE PC (mW)IC (mA)Bvcbo(V)oohFESOT-23 TRANSISTORS h FEIc/VCE Min/MaxmA/Volts VCE (sat) Max Ic/IBVoltsmAD80-004152500。
常用稳压二极管的参数规格-稳压二极管参数大全[ 来源:不详| 作者:佚名| 时间:2008-3-27 1:17:23 | 浏览:本日:1 本周:24 本月:59 总数:118 ] 常用的稳压二极管常用的国产稳压二极管有2CW系列和2DW系列,常用的国产稳压二极管稳压二极管参数见表4-16和表4-17。
常用的进口稳压二极管有1N41××系列、1N46××系列、1N47××系列、1N52××系列、1N59××系列、1N6××系列、1N700系列、1N900系列、MTZ系列、MTZJ系列、RLZ系列、RLZJ系列及HZ系列、RD系列、05Z系列、PTZ系列、DTZ系列、,常用的进口稳压二极管参数见表4-18~表4-22。
快恢复二极管参数型号品牌电流电压时间极性IN5817GJ1A20V10nsIN5819GJ1A40V10nsIN5819MOT1A40V10nsIN5822MOT3A40V10ns21D-06FUI3A60V10nsSBR360GI3A60V10nsC81-004FUI3A40V10ns8TQ080IR8A80V10ns单管MBR1045MOT10A45V10ns单管MBR1545CTMOT15A45V10ns双管MBR1654MOT16A45V10ns双管16CTQ100IR16A100V10ns双管MBR2035CTMOT20A35V10ns双管MBR2045CTMOT20A45V10ns双管MBR2060CTMOT20A60V10ns双管MBR20100CTIR20A100V10ns双管025CTQ045IR25A45V10ns双管30CTQ045IR30A45V10ns双管C85-009*FUI20A90V10ns双管D83-004*FUI30A40V10ns双管D83-009*FUI30A90V10ns双管MBR4060*IR40A60V10ns双管MBR30045MOT300A45V10ns MUR120MOT1A200V35nsMUR160MOT1A600V35nsMUR180MOT1A800V35nsMUR460MOT4A600V35nsBYV95PHI1.5A1000V250nsBYV27-50PHI2A55V25nsBYV927-100PHI2A100V25nsBYV927-300PHI2A300V25ns BYW76PHI3A1000V200nsBYT56GPHI3A600V100nsBYT56MPHI3A1000V100nsBYV26CPHI1A600V30nsBYV26EPHI1A1000V30nsFR607GI6A1000V200nsMUR8100MOT8A1000V35ns单管HFA15TB60IR15A600V35ns单管HFA25TB60IR25A600V35ns单管MUR30100HAR30A1000V35ns单管MUR30120HAR30A1200V35ns单管MUR1620PHI16A200V35ns双管MUR1620CTMOT16A200V35ns双管MUR1620PMOT16A200V35ns双管MUR1660CTMOT16A600V35ns双管HFA16TA600IR16A600V35ns双管MUR3030GI30A300V35ns双管MUR3040MOT30A400V35ns双管MUR3060MOT30A600V35ns双管HFA30TA600IR30A600V35ns双管MUR20040MOT200A400V35ns双管B92M-02FUI20A200V35ns单管C92-02FUI20A200V35ns双管D92M-02FUI30A200V35ns双管D92M-03FUI30A300V35ns双管DSE130-06DSET30A600V35ns双管DSE160-06DSET60A600V35ns双管原创文章:"/public/tool/kbview/kid/686/cid/1" 【请保留版权,谢谢!】文章出自电子元件技术网。
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式(右图)模块外型图、安装图M 562使用说明:一、使用条件及注意事项:1、使用环境应无剧烈振动和冲击,环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温:二极管为-40℃∽150℃;环境温度不得高于40℃;环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器,散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时,风速应大于6米∕秒。
二、安装注意事项:1、由于MD防反二极管模块是绝缘型(即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV 有效值),因此可以把多个模块安装在同一散热器上,或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑,不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时,在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前,用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉,然后用无水乙醇把表面擦干净,使接触良好,以减少热阻。
模块紧固到散热器表面时,采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈,并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排,并有光滑平整的接触面,使接触良好。
模块工作3小时后,各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时,必须考虑以下因素:①模块工作电流大小,以决定所需散热面积;②使用环境,据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷;中国·杭州国晶电子科技有限公司③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小,据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论,大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户,对我公司生产的各类模块,在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式:模块所需散热面积=(散热器周长)×(散热器长度)+(截面积)×2其中,模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值,散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到,散热器长度为待求量。
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US5A-US5MSMC Super Fast Recovery Diode特快恢复二极管■Features 特点High current capability 高电流能力Low forward voltage drop 低正向压降Super Fast Recovery time 特快恢复时间Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMC■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号US 5A US 5B US 5D US 5G US 5J US 5K US 5M Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570140280420560700V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 5A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 120AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 30℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号US5A-US5DUS5G US5J-US5MUnit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 1.01.3 1.7V I F =5A Reverse Current 反向电流I R 10(T A =25℃)200(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 5075nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J75pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US5A-US5M ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US5A-US5M ■Dimension外形封装尺寸。
随着电力电子技术的发展,各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大,这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管,还是采用有自关断能力的新型电力电子器件,如GTO,MCT,IGBT等,都需要一个与之并联的快速二极管,以通过负载中的无功电流,减小电容的充电时间,同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。
由于这些电力电子器件的频率和性能不断提高,为了与其关断过程相匹配,该二极管必须具有快速开通和高速关断能力,即具有短的反向恢复时间trr,较小的反向恢复电流IRRM和软恢复特性。
在高压、大电流的电路中,传统的PIN二极管具有较好的反向耐压性能,且正向时它可以在很低的电压下就会导通较大的电流,呈现低阻状态。
然而,正向大注入的少数载流子的存在使得少子寿命较长,二极管的开关速度相应较低,为提高其开关速度,可采用掺杂重金属杂质和通过电子辐照的办法减小少子寿命,但这又会不同程度的造成二极管的硬恢复特性,在电路中引起较高的感应电压,对整个电路的正常工作产生重要影响。
目前现状目前,国内快速二极管一般采用电子辐照控制少子寿命,其软度因子在0.35左右,特性很硬。
国际上快速二级管的水平已达到2500A/3000V,300ns,软度因子较小。
采用外延工艺制作的快恢复二极管的软度因子较大(0.7),但它必须采用小方片串并联的方式使用,以达到大电流、高电压的目的。
这样做不仅增加了工艺的复杂性,而且使产品的可靠性变差。
我国的外延工艺水平较低,尚停留在研究阶段,成品率较低,相对成本较高;而采用电力半导体常规工艺制作的快恢复二极管的软度因子较小。
工作原理及影响因素恢复过程很短的二极管,特别是反向恢复过程很短的二极管称为快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)。
高频化的电力电子电路不仅要求快速恢复二极管的正向恢复特性较好,即正向瞬态压降小,恢复时间短;更要求反向恢复特性也较好,即反向恢复时间短,反向恢复电荷少,并具有软恢复特性。
30A 60V的快恢复二极管是一种电子元件,主要用于整流和续流。
这种二极管具有快速恢复特性和高耐压能力,适用于各种电源转换器和马达控制等应用。
- 快速恢复特性:在快速变化的高频率交流电(如电源的交变电流)中,二极管可以快速恢复,允许电流正向和反向流动。
这使得30A 60V的快恢复二极管在开关电源、逆变器等高频应用中表现优异。
- 高耐压能力:60V的耐压能力使得该二极管能够承受较高的电压,适用于电压较高的电路。
- 应用领域:除了电源转换器和马达控制,30A 60V的快恢复二极管还可用于电焊机、光伏逆变器、不间断电源(UPS)等。
需要注意的是,使用30A 60V的快恢复二极管时,应确保其工作电流不超过30A,以免过热或损坏。
同时,应选择合适的散热片或散热器,以确保二极管在正常工作时能够有效地散热。
以上内容仅供参考,如需了解更多信息,请查阅电子工程类书籍或咨询专业技术人员。
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1A-ES1MSMA Super Fast Recovery Diode超快恢复二极管■Features 特点Built-in Strain Relief 内应力释放Fast Switching Speed 快的开关速度Super Fast Recovery time 超快恢复时间Surface Mount Device 表面贴装器件Case 封装:SMA■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES 1A ES 1B ES 1C ES 1D ES 1E ES 1G ES 1J ES 1M Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501001502003004006001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501001502003004006001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570105140210280420700V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 1A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 30AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 80℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES1A-ES1DES1E-ES1GES1J-ES1MUnit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 0.951.25 1.7V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)500(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 35nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J10pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1A-ES1M ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1A-ES1M ■Dimension外形封装尺寸。
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US2A-US2MSMA Super Fast Recovery Diode特快恢复二极管■Features 特点High current capability 高电流能力Low forward voltage drop 低正向压降Super Fast Recovery time 特快恢复时间Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMA■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号US 2A US 2B US 2D US 2G US 2J US 2K US 2M Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570140280420560700V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 2A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 60AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 50℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号US2A-US2DUS2G US2J-US2MUnit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 1.01.3 1.65V I F =2A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)150(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 5070nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J30pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US2A-US2M ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US2A-US2M ■Dimension外形封装尺寸。
快恢复超快恢复二极管参数超快恢复二极管是一种特殊类型的二极管,具有较快的恢复速度和较低的反向恢复时间。
它是一种用于高频电子设备和电源应用的重要元件,主要用于电源开关、变频器、高速开关和功率逆变器等领域。
超快恢复二极管与普通二极管相比,其主要优势在于其快速恢复能力。
在普通二极管中,当正向电流通过二极管时,载流子将增加,并在介质中积聚。
当正向电流停止时,载流子会在介质中产生逆向电流,导致恢复时间较长。
而超快恢复二极管采用了特殊的设计与工艺,可以更快地消除介质中的载流子,并实现更快的恢复时间。
超快恢复二极管的参数包括反向电压、正向电流和逆向恢复时间等。
其中,反向电压是指二极管能够承受的最大反向电压。
正向电流是指二极管能够通过的最大正向电流。
逆向恢复时间是指从正向电流到恢复到一定程度的时间。
超快恢复二极管的反向电压范围通常较大,可以达到几百伏特甚至更高。
这使得超快恢复二极管能够在高压应用中使用,从而更好地满足电源应用的需求。
此外,正向电流参数通常较大,可以支持更大的功率输出。
逆向恢复时间参数通常较短,一般在几纳秒至几十纳秒之间。
这使得超快恢复二极管能够在高频应用中实现更快的开关速度和更高的效率。
除了上述参数外,超快恢复二极管还具有其他一些特点。
例如,具有较低的正向压降和较小的开关损耗。
这使得它能够在高频电子设备中实现更低的功耗和更高的效率。
此外,超快恢复二极管还具有较低的漏电流和较高的温度稳定性,能够在宽温度范围内稳定工作。
总之,超快恢复二极管是一种重要的电子元件,具有快速恢复能力和较低的反向恢复时间。
它广泛应用于高频电子设备和电源领域,能够实现更高的开关速度和效率。
随着科技的不断发展,超快恢复二极管的参数将进一步优化和提高,为电子设备的发展提供更好的支持。
塑封快恢复整流二极管反向电压 50 --- 1000 V正向电流 1.0 AFR 101FR 102FR 103FR 104FR 105FR 106FR 10710005010020040060080050 100200400600800100035701402804205607006530301.01.35.0100150300FR 101FR 102FR 103FR 104FR 105FR 106FR 107最大可重复峰值反向电压Maximum repetitive peak reverse voltage最大均方根电压Maximum RMS voltage最大直流阻断电压Maximum DC blocking voltage最大正向平均整流电流Maximum average forward rectified current峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave最大反向峰值电流Maximum peak reverse current full cycle典型热阻 Typical thermal resistance工作结温和存储温度 Operating junction and storage temperature range-50 --- +150 V V V A A µA℃ /WV RRMV RMS V DC I F(AVI FSM I R(AV特征 Features·低的反向漏电流 Low reverse leakage·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:250℃ /10 秒 , 0.375" (9.5mm引线长度。
快和超快恢复二极管型号参数二极管(Diode)是一种最简单的电子器件,它是由由P型和N型半导体材料构成的。
快恢复二极管和超快恢复二极管是其中两种常见的类型。
它们的主要区别在于其恢复时间不同,快恢复二极管的恢复时间较快。
为了更好地了解快恢复二极管和超快恢复二极管的参数,我们需要先了解它们的主要特点和应用领域。
1.快恢复二极管快恢复二极管(Fast Recovery Diode)是一种具有较快恢复时间的二极管。
其主要特点包括:- 快恢复时间(Reverse Recovery Time)较短,通常为几纳秒至几十纳秒。
- 反向漏电流(Reverse Leakage Current)较小,通常在几毫安。
- 正向电压降(Forward Voltage Drop)较低,通常在0.6V至1.2V之间。
- 能承受较高的反向电压(Reverse Voltage),通常在100V至1000V之间。
快恢复二极管广泛应用于以下领域:- 电源(Power Supply)电路中的整流器。
- 开关电源(Switching Power Supply)中的反向恢复二极管。
-高频电路中的削峰/整流应用,如开关电源的输出滤波电路。
一些常见的快恢复二极管型号参数有:-1N4148:正向电流为200mA,正向电压降为0.7V,反向漏电流为5μA。
-UF5408:正向电流为3A,正向电压降为1.2V,反向漏电流为50μA。
-FR107:正向电流为1A,正向电压降为1V,反向漏电流为5μA。
2.超快恢复二极管超快恢复二极管(Ultrafast Recovery Diode)是一种具有更快恢复时间的二极管。
它与快恢复二极管相比,具有以下特点:-恢复时间更短,通常在几纳秒至几十纳秒以下。
-反向漏电流较小。
-正向电压降较低。
-能承受较高的反向电压。
超快恢复二极管广泛应用于以下领域:-高频开关电源。
-高频整流电路。
-高频放大器。
-脉冲电源。
一些常见的超快恢复二极管型号参数有:-UF4007:正向电流为1A,正向电压降为1V,反向漏电流为5μA。
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US3A-US3MSMC Super Fast Recovery Diode特快恢复二极管■Features 特点High current capability 高电流能力Low forward voltage drop 低正向压降Super Fast Recovery time 特快恢复时间Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMC■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号US 3A US 3B US 3D US 3G US 3J US 3K US 3M Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570140280420560700V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 3A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 100AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 30℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号US3A-US3DUS3G US3J-US3MUnit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 1.01.3 1.85V I F =3A Reverse Current 反向电流I R 10(T A =25℃)200(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 5075nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J75pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US3A-US3M ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.US3A-US3M ■Dimension外形封装尺寸。