最新光刻胶的分类与效果PPT课件
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````4、光刻胶光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)等不同得材料按一定比例配制而成。
其中树脂就是粘合剂(Binder),感光剂就是一种光活性(Photoactivity)极强得化合物,它在光刻胶内得含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用.4、1 光刻胶得分类⑴负胶1.特点·曝光部分会产生交联(Cross Linking),使其结构加强而不溶于现像液;·而未曝光部分溶于现像液;·经曝光、现像时,会有膨润现像,导致图形转移不良,故负胶一般不用于特征尺寸小于3um得制作中。
2.分类(按感光性树脂得化学结构分类)常用得负胶主要有以下两类:·聚肉桂酸酯类光刻胶这类光刻胶得特点,就是在感光性树脂分子得侧链上带有肉桂酸基感光性官能团.如聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR胶)、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯(OSR胶)等。
·聚烃类—双叠氮类光刻胶这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。
它由聚烃类树脂(主要就是环化橡胶)、双叠氮型交联剂、增感剂与溶剂配制而成。
3.感光机理①肉桂酸酯类光刻胶KPR胶与OSR胶得感光性树脂分子结构如下:在紫外线作用下,它们侧链上得肉桂酰官能团里得炭-炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间得交联,转变为不溶于现像液得物质。
KPR胶得光化学交联反应式如下:这类光刻胶中得高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联,而且在一定温度以上也会发生交联,从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘得温度与时间.②聚烃类—双叠氮类光刻胶这类光刻胶得光化学反应机理与前者不同,在紫外线作用下,环化橡胶分子中双键本身不能交联,必须有作为交联剂得双叠氮化合物参加才能发生交联反应.交联剂在紫外线作用下产生双自由基,它与聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键,变为三维结构得不溶性物质。
其光化学反应工程如下:首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应:双叠氮交联剂分解后生成得双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成)与炭氢取代反应,机理如下:⑵正胶1.特点·本身难溶于现像液,曝光后会离解成一种溶于现像液得结构;·解像度高,耐Dry Etch性强等。
光刻胶知识简介光刻胶知识简介:一.光刻胶的定义(photoresist)又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。
经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。
二.光刻胶的分类光刻胶的技术复杂,品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。
②光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶.③光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链及链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。
三.光刻胶的化学性质a、传统光刻胶:正胶和负胶。
光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给及光刻胶的机械及化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。
负性光刻胶。
树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。
从而变得不溶于显影液。
负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易及氮气反应而抑制交联。
光刻胶的种类有哪些各有何特点光刻胶是微电子加工过程中的关键材料之一,它起到了良好的光刻功能,使得微电子芯片制造过程得以顺利进行。
而不同种类的光刻胶,由于其化学成分和性能特点的不同,也会在微电子芯片制造的过程中遇到不同的问题。
本文将重点介绍光刻胶的种类及其特点。
一、光刻胶的种类1. 正型光刻胶(Positive photoresist)正型光刻胶在微细加工过程中,通过光暴露后生成可溶性膜丝,再通过显影去除未暴露部分的胶膜,形成图形,并在这部分形成图形的区域进行加工工艺。
正型光刻胶多数采用溶液显影方式,显影后形成的结构具有边缘清晰,分辨率高的特点,特别适用于制作细微结构。
2. 反型光刻胶(Negative photoresist)反型光刻胶与正型光刻胶相反,是在曝光未受光照射的区域形成可溶性膜丝,在显影之后去除已曝光部分的胶膜,形成所需加工的图形构件。
反型光刻胶则主要用于一些特殊用途,如用于蚀刻和电子束光刻加工中。
3. 混合型光刻胶(Hybrid photoresist)混合型光刻胶则是前两者的混合物,拥有两种光刻胶的优点,是相对理想的光刻胶。
其中,许多混合型光刻胶概念在电子束光刻加工中得到了广泛应用,可以同时满足其高分辨率需求和较长的品质寿命。
二、光刻胶的特点1. 分辨率(Resolution)光刻胶最重要的物理特性之一就是分辨率。
分辨率定义为影像的最小宽度,从图形的一个纹理结构的特征尺度来说就是边缘渐进的斜率之变化。
分辨率决定了影像造成的图形在纵横向尺寸上的限制程度,越高的分辨率使得制作更小、更紧凑的结构成为了可能。
2. 漏光(Tolerance)漏光可以被视为光刻胶性能的指标之一,意味着胶上的图形逐渐被严格建立的边界包围。
开发过程还能够承受某些胶的倾向吸收不同程度的对比度。
这样的不一致的吸收能力称为装备项,而且如果不恰当的使用就会阻碍漏光的控制,从而严重损害影像质量。
3. 敏感度(Sensitivity)光刻胶的敏感度也是一个不容忽视的特性。
光刻胶分类光刻胶是一种在半导体制造过程中广泛应用的材料,其主要作用是在芯片制作过程中对光进行精确控制,从而实现微米级甚至纳米级的图形化。
根据不同的特性和用途,光刻胶可以分为不同的类型,下面将介绍几种常见的光刻胶分类。
一、紫外光刻胶紫外光刻胶是应用最为广泛的一类光刻胶,其特点是对紫外光具有很好的敏感性,可以在紫外光的照射下发生化学反应,形成所需的图形。
紫外光刻胶通常用于制作晶体管、集成电路等微米级器件。
二、电子束光刻胶电子束光刻胶是另一种常见的光刻胶类型,其特点是对电子束具有很好的敏感性,可以在电子束的照射下发生化学反应,实现微米级甚至纳米级的图形化。
电子束光刻胶通常用于制作高精度、高密度的微电子器件。
三、X射线光刻胶X射线光刻胶是一种对X射线具有很好敏感性的光刻胶,可以在X 射线的照射下发生化学反应,实现纳米级甚至更高分辨率的图形化。
X射线光刻胶通常用于制作特殊要求的微纳米器件,如MEMS器件、光子器件等。
四、多层光刻胶多层光刻胶是一种将不同类型的光刻胶层叠加在一起使用的光刻胶,通过控制不同层光刻胶的性质和厚度,可以实现复杂的器件结构和功能。
多层光刻胶通常用于制作具有多层次结构的微纳米器件,如光子晶体、纳米线阵列等。
五、化学增强光刻胶化学增强光刻胶是一种利用化学反应增强图形分辨率和形状控制的光刻胶,通过添加特定的化学试剂或催化剂,可以实现更高分辨率和更复杂的图形化。
化学增强光刻胶通常用于制作高分辨率、高精度的微纳米器件,如生物芯片、传感器等。
光刻胶的分类不仅仅是根据其对光或电子束的敏感性,还包括了其具体的应用领域和要求。
不同类型的光刻胶在半导体制造和微纳米器件制作中扮演着不同的角色,通过选择合适的光刻胶类型和工艺参数,可以实现更高效、更精确的器件制作。
在未来的微纳米制造中,光刻胶的分类和研究将继续发挥重要作用,推动着微电子技术和纳米技术的发展。
光刻胶概念一览表
光刻胶是一种特殊的材料,用于制作微电子和微加工领域的器件。
它的主要作
用是用于印刷图形或电路模式,让电路图案可以被传输到硅片上。
光刻胶的定义
光刻胶是一种高分子化合物,常见于半导体制造工艺中,用于制造芯片、电路板、半导体元件等微型加工产品的过程中。
它主要作为一种遮盖层,在显影过程中会被去掉,然后在后续的加工过程中,通过对被保护的区域进行刻蚀或沉积等处理,得到我们所需要的所需的模式或装配。
光刻胶的分类
各种光刻胶类型
•喷雾光刻胶
•溶液光刻胶
•热致变色光刻胶
•电子束光刻胶
•紫外线光刻胶
光刻胶的性质
•光刻胶的敏感性和消光度
•光刻胶的分辨率
•光刻胶的粘附力和刚性
•光刻胶的耐化学性和耐热性
光刻胶的应用
•与硅片的结合
•完成常用的光阻工艺
•用于制作光学元器件和显示器组件
光刻胶的未来发展
由于半导体行业和移动设备市场的快速增长,越来越多的光刻胶技术得到了广
泛应用。
光刻胶一直在不断地发展和创新,未来将继续向更高的分辨率、更高的灵敏性、更快的曝光速度和更低的成本方面发展。
结论
光刻胶是一种非常重要的材料,广泛应用于微电子和微加工领域,随着新技术的出现,它的性能和应用范围也在不断提升。
虽然光刻胶已经成为了半导体器件和光学器件的主流材料之一,但是它在未来的发展过程中,仍然需要更多的技术创新和应用探索。