高频电路基础分解
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高频电路基础知识高频电路组成基本上是由无源元件、有源器件和无源网络组成的。
高频电路中使用的与低频电路中使用的元器件的频率特性不同。
高频电路中无源线性元件主要是电阻器、电容器和电感器。
掌握本章内容是非常重要的。
2.1高频电路中的元器件2.1.1高频电路中的元件(1)电阻一个实际的电阻器,在低频时主要表现为电阻特性,但在高频时不仅表现有电阻特性的一面,而且还表现有电抗特性的一面。
电阻器的电抗特性反映的就是其高频特性。
一个电阻器的高频等效电路如图2-1所示,其中,CR为分布电容,LR为引线电感,R为电阻。
图2-l电阻器的高频等效电路(2)电容一个实际电容器的高频等效电路如图2-2(a)所示,其中RC 为损耗电阻,Lc 为引线电感。
容抗与频率的关系如图2-2(b )实线所示,其中f 为工作频率,f πω2=。
(a )电容器的高频等效电路(b )电容器的阻抗特性图2-2电容器的高频等效电路由介质隔开的两导体构成电容。
一个理想电容器的容抗为Cj ω1,电容器的容抗与频率的关系如图2-2(b )虚线所示,其中f 为工作频率,f πω2=。
(3)电感 理想高频电感器L 的感抗为L j ω,其中ω为工作角频率。
实际高频电感器存在分布电容和损耗电阻,自身谐振频率SRF 。
在SRF 上,高频电感阻抗的幅值最大,而相角为零,特性如图2-3所示。
图2-3高频电感器的自身谐振频率SRF2.1.2高频电路中的有源器件(1)二极管半导体二极管在高频电路中主要用在检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。
而变容二极管主要应用于压控振荡器、角度调制、角度解调及反馈控制电路中,如自动增益控制(AGC)、自动频率控制(AFC)、锁相环(PLL)等电路。
(2)晶体管与场效应管(FET)在高频电路中应用的晶体管仍然是双极型晶体管和各种场效应管,在外形结构方面有所不同。
高频晶体管有两大类型:一类是用作小信号放大的高频小功率管,对它们的主要要求是高增益和低噪声;另一类为高频功率管,其在高频工作时允许有较大管耗,且输出功率较大。
第二章一.串联谐振回路1. 串联谐振电路的阻抗为1()Z r j L Cωω=+-,0ωω<时1L Cωω<回路呈现容性而0ωω>时1L Cωω>回路呈现感性,0ωω=时0X =、||Z r =且0φ=,电压电流同相位即回路呈现纯阻性,此时的回路发生了“谐振”; 2.谐振频率为0ω=;3. 品质因数定义为谐振时回路储能和耗能之比即001L Q rCrωω==; 4. 幅频特性||II 22001||1I I Q ωωωω=⇒⎛⎫+- ⎪⎝⎭在“小量失谐的情况下”可表示为0||1I I ≈=⎛+ ;5. 相频特性ωϕQ 值越大曲线越陡峭,线性范围越小0000001||arctan 1j I Ie Q I I jQ ϕωωϕωωωωωω⎛⎫=⋅=⇒=-- ⎪⎛⎫⎝⎭+- ⎪⎝⎭6. 将两个半功率点之间的带宽定义为串联回路的通频带00.7B Qω=。
二.并联谐振回路1. 并联谐振回路的阻抗为1()11()L r j L j C C Z r j L r j L j C Cωωωωωω+⋅=≈+++-,0ωω<时1L C ωω<回路呈现感性而0ωω>时1L C ωω>回路呈现容性,0ωω=时10C L ωω-=、||LZ rC=且0φ=,电压电流同相位即回路呈现纯阻性,回路发生“谐振”; 2.谐振频率为0ω=;3. 品质因数0000011L C Q rCr G LGωωωω====; 4. 幅频特性和相频特性与串联回路相同; 5. 通频带00.7B Qω=。
三.抽头并联回路1. 抽头电路具有阻抗变换和电源变换的作用即21.2.13.TT TR p RV pV I I p ⎧⎪=⎪⎪=⎨⎪⎪=⋅⎪⎩四. 耦合振荡回路1.临界耦合时双调谐回路的带宽为0.70B =; 2. 单调谐回路的矩形系数为9.95而双调谐回路的矩形系数为3.15。
五.石英晶体滤波器 1. 石英晶片的电路模型:C q C q L qr2.石英晶体的串联谐振频率为q ω=,并联谐振频率为q ωω;3. q ωω<或p ωω>时晶体为容性而q p ωωω<<时晶体为感性。