《电力电子技术》试题2

《电力电子技术》第一二章部分练习题一、选择题（含多选题）1、电力电子器件通常工作在（）状态。

A、导通B、截止C、开关D、任意2、下列器件中，电流容量最大的是（）A. GTOB. GTRC. IGBTD.SCR3、一只额定电流为100A的晶闸管所能送出的电流有效值为（）。

A. 100AB. 157AC. 64AD. 128A4、双向晶闸管的额定电流是以（）值定义的。

A. 平均值B. 有效值C.最大值D. 最小值1、下列对晶闸管特性的叙述中，正确的是（）A.晶闸管属于电流驱动双极型器件；B.晶闸管触发导通后，门极就失去了控制作用；C.晶闸管具有单相导电性；D.晶闸管的擎住电流大于维持电流。

2、下列电力电子器件中，存在电导调制效应的是（）A. GTOB. GTRC. Power MOSFETD.IGBT3、下列电力电子器件中，电流容量最大的是（）A. GTOB. GTRC. Power MOSFETD.IGBT4、下列电力电子器件中，开关频率最高的是（）A. GTOB. GTRC. Power MOSFETD.IGBT5、下列电力电子器件中，驱动功率较小的为（）A. SCRB. GTOC. GTRD.IGBT6、晶闸管刚由断态转入通态，并且去掉门极信号，仍能维持其导通所需的最小阳极电流，称为（）A. 维持电流B. 擎住电流C. 浪涌电流D. 额定电流7、由于二次击穿现象对GTR的危害极大，因此规定了GTR的安全工作区，此安全工作区的组成曲线为（）A. 2条B. 3条C. 4条D. 5条8、如下图所示的单相桥式半控整流电路中续流二极管VD的作用有（）A. 减轻晶闸管的负担B. 防止出现失控现象C. 提高整流电压的平均值D. 起电压钳位作用。

9、如上图所示的单相桥式半控整流电路，ωL＞＞R ，触发角为α，负载电流为I d，流过晶闸管的电流有效值为（ ） A. παπ2-I d B. παπ- I d C. παπ2-I d D. παπ-I d 10、单相桥式全控整流电路，阻感性负载，ωL ＞＞R ，设变压器二次侧电压为U 2，则晶闸管承受的最高正、反向电压分别为（ ）A. 22U 2, 22U 2 B. 22U 2,2U 2 C. 2U 2, 22U 2 D. 2U 2,2U 211、单相桥式全控整流电路带电阻性负载与阻感性负载（ωL ＞＞R ）情况下，晶闸管触发角的移相范围分别为（ ）A. 900，900B. 900，1800C. 1800，900D. 1800，180012、单相桥式全控整流电路，阻感性反电动势负载（ωL ＞＞R ），负载电压U d ，反电动势为E ，则负载电流为（ ）A. R U dB.R E U -dC. R E U +dD. RE U -2 13、下列电路中，存在变压器铁芯直流磁化现象的有（ ）A. 单相半波可控整流电路B. 单相桥式全控整流电路C. 单相桥式半控整流电路D. 单相全波可控整流电路14、三相半波可控整流电路与三相桥式全控整流电路，电阻性负载，晶闸管触发角的移相范围分别为（ ）A. 900，1200B. 900，1500C. 1200，1500D. 1500，120015、三相半波可控整流电路中，电阻性负载，晶闸管承受的最高正、反向电压分别为（ ）A. 2U 2，2U 2B. 2U 2，6U 2C. 6U 2，2U 2D. 6U 2，6U 2二、填空题1、晶闸管是一种由______层半导体材料构成的三端器件。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

精品文档考试试卷(1)卷一、填空题（本题共8 小题，每空 1 分，共 20 分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________ ，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步 _________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量 ______相等而 __形状 _____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 __MOSFET_，单管输出功率最大的是 __GTO_，应用最为广泛的是 __IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用 V1,VD1,V2,VD2 表示 )。

(1)0~t1 时间段内，电流的通路为___VD1_____ ； (2) t1~t2 时间段内，电流的通路为 ___V1____ ；(3)t2~t3 时间段内，电流的通路为__VD2_____ ；(4) t3~t4 时间段内，电流的通路为 __V2_____ ；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____ ；.精品文档二、选择题（本题共10 小题，前 4 题每题 2 分，其余每题 1 分，共 14 分）1、单相桥式PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B）A、V1 与 V4 导通， V2 与 V3 关断B、 V1 常通， V2 常断， V3 与 V4 交替通断C、V1 与 V4 关断， V2 与 V3 导通D、 V1 常断， V2 常通， V3 与 V4 交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（C）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180 度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2 时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。

答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。

（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。

2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。

（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶闸管的额定电压是700V 。

（ ）第 1 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β= ，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。

（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。

（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。

1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。

（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α= 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流平均值dVT I 。

（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α= 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。

（5分）i 0三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。

它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。

电力电子技术》试题(G)一、填空题 (每空 1 分，34分)1、实现有源逆变的条件为和2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流，一般采用α β 状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ；这说明电路的纹波系数比电路要小。

8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10 、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。

、判断题：（每题 2 分,20 分）对√，错×。

1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。

（）2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。

（）3、在半控桥整流带大电感负载，不加续流二极管电路中，电路不正常时可能会出现失控现象。

（）4、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则 120o。

α的移相范围只有5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。

（）6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。

（）7、KP2—5表示的是额定电压 200V，额定电流 500A 的普通型晶闸管。

（）8、在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。

（）9、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。

（）10、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。

大工14秋《电力电子技术》在线作业2
单选题多选题判断题
一、单选题（共6 道试题，共30 分。

）
1. 串联二极管式晶闸管逆变电路主要用于（）功率交流电动机调速系统。

A. 中小
B. 中等
C. 中大
D. 大
正确答案：D
2. 采用IGBT的电路的换流方式为（）。

A. 器件换流
B. 电网换流
C. 负载换流
D. 强迫换流
正确答案：A
3. 三相电压型桥式逆变电路各相开始导电的角度依次相差（）度。

A. 60
B. 90
C. 120
D. 150
正确答案：C
4. 单相半波可控整流电路带电阻负载情况下，晶闸管VT的触发角的移相范围为（）度。

A. 0-60
B. 0-90
C. 0-120
D. 0-180
正确答案：D
5. 下列哪项是最基本的三相可控整流电路？（）
A. 三相半波可控整流电路
B. 三相桥式全控整流电路
C. 双反星形可控整流电路
D. 12脉波可控整流电路
正确答案：A
6. 电压型逆变电路输出电压为（）。

A. 正弦波
B. 矩形波
C. 锯齿波
D. 三角波
正确答案：B。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子复习题一、概念题1、KP100-8元件是额定电压为800V，额定电流为100A的普通晶闸管2、已经导通的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流减小至维持电流I H以下3、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。

4、可关断晶闸管GTO，IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

5、当温度降低时，晶闸管的触发电流增加，反向漏电流减小。

6、电力场效晶体管MOSFET ，MOS控制晶闸管是SCR和MOSFET的复合管。

7、当加到单相全控桥式整流电路的电压为U2时，单相全控桥式整流电路的晶闸管所承受2U的最大反压是22U8、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为219、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值I T为d I310、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45 U2。

11、180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在同一相的上、下两个开关之间进行的。

12、在有源逆变电路中，逆变角 的移相范围应选35º~90º为最好。

13、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是0°~90°14、三相半波相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为30度。

15、三相桥式相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为60度。

16、用于晶闸管的过电压保护的元件有避雷器、阻容吸收电路、压敏电阻、硒堆17、电力晶体管的正偏安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压线，集电极最大允许功耗线，集电极最大允许电流线和二次击穿功率线18、降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U0=8V，周期Ts=4ms，则开通时间T on为2ms19、单相桥半控整流电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的发生21、单相交流调压电路中，负载是阻感性时移相范围是φ~180º。

电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。

（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCRF.电力二极管 。

2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×”。

（6分）（1）某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是700V。

（）第 1 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β=o，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。

（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。

（6分）第 2 页 （共 8 页）试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。

1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。

（5分）u uu 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。

（5分） i VT103、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。

（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：三、H 型单极同频模式PWM 的功率转换电路如下图（a ）所示。

它由四个大功率IGBT 和四个续流二极管组成。

当控制指令0i u >时，1V 和2V 工作在交替开关状态，3V 截止关断 ，4V 饱和导通。

哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分）1. GTO的多元结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。

3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅,导通时管压降增大。

4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称为电流关断增益, 该值一般很小，只有 5 左右，这是GTO的一个主要缺点。

5. GTR导通的条件是：集电极承受正电压（NPN型）且基极施加驱动电流。

6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。

7. 电力MOSFET导通的条件是：漏源极间加正电源且在栅源极间加正电压U GS，且大于开启电压。

8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的放大区。

9.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。

10.IGBT是由MOSFET 和GTR 两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是面积等效原理，即冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组等幅不等宽的脉冲（宽度按正弦规律变化）来等效一个正弦波。

12.PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM 波是等效直流波形，SPWM控制得到的是等效正弦波形。

13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称单极性控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称双极性控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用双极性控制方式。

14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的幅值可改变基波幅值；改变调制信号u r的频率可改变基波频率；15.得到PWM波形的方法一般有两种，即计算法和调制法，实际中主要采用调制法。

电力电子复习题一、概念题1、KP100-8元件是额定电压为800V，额定电流为100A的普通晶闸管2、已经导通的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流减小至维持电流IH以下3、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。

4、可关断晶闸管 GTO，IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

5、当温度降低时，晶闸管的触发电流增加，反向漏电流减小。

6、电力场效晶体管 MOSFET ，MOS控制晶闸管是SCR和MOSFET的复合管。

7、当加到单相全控桥式整流电路的电压为U2时，单相全控桥式整流电路的晶闸管所承受的最大反压是22U8、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为22U9、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值IT 为dI3110、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45 U2。

11、180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在同一相的上、下两个开关之间进行的。

12、在有源逆变电路中，逆变角 的移相范围应选35º~90º为最好。

13、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是0°~90°14、三相半波相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为30度。

15、三相桥式相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为60度。

16、用于晶闸管的过电压保护的元件有避雷器、阻容吸收电路、压敏电阻、硒堆17、电力晶体管的正偏安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压线，集电极最大允许功耗线，集电极最大允许电流线和二次击穿功率线18、降压斩波电路中，已知电源电压Ud =16V，负载电压U=8V，周期Ts=4ms，则开通时间Ton为2ms19、单相桥半控整流电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的发生21、单相交流调压电路中，负载是阻感性时移相范围是φ~180º。

电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是MOSFET 和GTR 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V 伏、额定有效电流为100A 安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o 导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180o 度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120o度。

11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

！(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

注：卷面85分，平时成绩15分1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。

（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….）A.SCRF.电力二极管。

2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×”。

（6分）（1）某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是700V。

（）第 1 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β=，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。

（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。

（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。

1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。

（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ， Ω=5R ,当60α=时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=且负载电流连续，请在图中画出此时整流器平均值dVTI。

（5分）第 3 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。

它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。

当控制指令iu>时，1V和2V工作在交替开关状态，3V截止关断，4V饱和导通。

设该电路工作在轻载情况下（a MU E≈），1V、2V、3V和4V的栅极激励电压如图（b）所示。

1、试画出电机电枢电压au和电枢电流a i波形图（可直接画在图(b) 上）。

电力电子技术复习2011一、选择题（每小题10分,共20分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。

A、180°，B、60°， c、360°， D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。

A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。

4、可实现有源逆变的电路为。

A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。

5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。

A、30º-35º，B、10º-15º，C、0º-10º，D、0º。

6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种。

A、三相半波可控整流电路。

B、三相半控整流桥电路。

C、单相全控桥接续流二极管电路。

D、单相半控桥整流电路。

7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选为最好。

A、=90º∽180º，B、=35º∽90º，C、=0º∽90º，8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于。

A、U相换相时刻电压uU， B、V相换相时刻电压uV，C、等于uU +uV的一半即：9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。

请选择。

10、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变的大小，可使直流电动机负载电压Ud=0，使触发角α=90º。

达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。

B、同步电压， B、控制电压，C、偏移调正电压。

.实用文档. 大工15春《电力电子技术》在线作业2单选题多选题判断题一、单选题（共 6 道试题，共 30 分。

）1. 单相桥式全控整流电路带电阻负载时，晶闸管反向关断时的最大反向电压为（）U2。

A. 0.707B. 0.866C. 1.414D. 1.732-----------------选择：C2. 带电感性负载时三相桥式全控整流电路控制角的移相范围是（）。

A. 0-π/2B. 0-πC. π/2-πD. π-2π°-----------------选择：A3. 变压器漏感的存在影响整流电路，换相重叠角的出现使得整流输出电压平均值（）。

A. 增大B. 不定C. 降低D. 不变-----------------选择：C4. 三相半波有源逆变电路中，控制角和逆变角之间的关系为（）。

A. 二者之差为90度B. 二者之差为180度C. 二者之和为90度D. 二者之和为180度-----------------选择：D5. （）指的是设置附加的换流电路，给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压或反向电流的换流方式。

A. 器件换流B. 电网换流C. 负载换流D. 强迫换流-----------------选择：D6. 电流型逆变电路可看成（）的逆变电路。

A. 交流侧是电流源B. 交流侧是电压源C. 直流侧是电流源D. 直流侧是电压源°-----------------选择：C大工15春《电力电子技术》在线作业2.实用文档. 单选题多选题判断题二、多选题（共 6 道试题，共 30 分。

）1. 下列属于电压型逆变电路直流侧特点的是（）。

A. 直流侧可能为电压源B. 直流侧可以并联大电容做电压源C. 直流侧电压基本无脉动D. 直流侧电压脉动较大-----------------选择：ABC2. 下列各项中属于单相可控整流电路典型电路的是（）。

A. 单相半波可控整流电路B. 单相桥式全控整流电路C. 单相全波可控整流电路D. 单相桥式半控整流电路-----------------选择：ABCD3. 下列属于直流电源的是（）。

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题，每空1分,共２0分）1、电子技术包括__________＿＿＿_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者．2、为减少自身损耗，提高效率,电力电子器件一般都工作在＿____＿＿_＿状态。

当器件的工作频率较高时，__＿＿_____损耗会成为主要的损耗。

３、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为__＿______＿___，当它为常数时的调制方式称为____＿＿__＿调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步____＿____调制。

4、面积等效原理指的是,＿_＿冲量__＿＿_＿相等而＿_形状___＿_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

５、在ＧTR 、ＧTO、ＩGBT与MＯSFET中,开关速度最快的是__ＭOSFET_，单管输出功率最大的是＿_ＧTO_,应用最为广泛的是__ＩＧBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即，其承受的最大正向电压为.７、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路（用V1,VD１,V2，VD2表示)。

(1) 0~ｔ1时间段内，电流的通路为_＿_VD１_＿_＿_;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1＿___;（３) t2～t3时间段内，电流的通路为_＿VＤ２＿＿__＿；（4) ｔ3~t4时间段内，电流的通路为＿_V2_____;(5）ｔ4～ｔ５时间段内,电流的通路为___VＤ１____;二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PＷM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是（B )A、V１与V4导通，V2与Ｖ3关断Ｂ、V1常通,Ｖ2常断,Ｖ3与V4交替通断Ｃ、V1与V４关断,V2与V3导通D、Ｖ1常断，V ２常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(Ｃ)Ａ、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于１8０度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通.A、1个B、2个Ｃ、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图,在t1～ｔ2时间段内，P组晶闸管变流装置与Ｎ组晶闸管变流装置的工作状态是()Ａ、P组阻断,Ｎ组整流B、P组阻断,N组逆变C、Ｎ组阻断,P组整流D、N组阻断,Ｐ组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是( D )A、3０°～150B、0°~120°Ｃ、1５°~125°Ｄ、0°~１50°6、桓流驱动电路中加速电容Ｃ的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件７、直流斩波电路是一种（ C ）变换电路。

电力电子技术试题(第二章)一、填空题1、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。

1、同步、时刻。

2、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。

2、正弦波、锯齿波。

3、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。

3、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。

4、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。

4、关断过电压。

5、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。

5、硒堆、压敏电阻。

6、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。

6、快速熔断器。

7、晶闸管整流装置的功率因数定义为侧与之比。

7、交流、有功功率、视在功率8、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波，对电网的影响。

8、愈大，愈大。

9、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有补偿，最常用的方法是在负载侧。

9、无功功率；并联电容。

二、判断题对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分）1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。

（√）2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。

（×）3、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。

（×）4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。

（×）5、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。

（√）6、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。

（×）7、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。

（√）8、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。

（×）9、在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。

（×）10、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。

（√）11、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。

（√）12、采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性较差。

长风破浪会有时，直挂云帆济沧海。

住在富人区的她全文为Word 可编辑，若为PDF 皆为盗版，请谨慎购买！天津大学智慧树知到“电气工程及其自动化”《电力电子技术》网课测试题答案（图片大小可自由调整） 第1卷一.综合考核(共10题)1.自动喷水灭火系统按( )的开闭形式分为开式自动喷水灭火系统和闭式自动喷水灭火系统。

2.混凝土结构工程中所选用的混凝土是不是标号越高越好?(6分)3.影响建筑吸声材料的因素有：材料的厚度、()。

A.隔音的材料 B.吸声的材料正确答案：B4.螺栓的公称尺寸为中径。

() 此题为判断题(对，错)。

5.链传动为具有中间挠性件的啮合传动，能获得准确的平均传动比和瞬时传动比。

() 此题为判断题(对，错)。

6.墙面抹灰装修的底层厚10m ～15mm ，主要起粘接和初步找平作用。

施工上称刮糙;中层厚5mm ～12mm ，主要起进一步找平作用。

() 此题为判断题(对，错)。

正确答案：√7.定理表述如下:如果一个物理现象可由n 个物理量构成的物理方程式描述，在n 个物理量中有k 个独立的物理量，则该物理现象也可以用这些量组成的n －k 个无量纲群的关系来描述。

定理的意义在于：()。

A 、相似判据不一定存在。

B 、相似判据一定存在，而且只存在一个C 、相似判据一定存在，而且至少存在一个D 、相似判据一定不存在8.钢材表面镀金属常用的方法有()、镀锡(如马口铁)、镀铜和镀铬等。

A.镀铅B.镀锌(如白铁皮)正确答案：B9.以尖顶从动件作出的凸轮轮廓为理论轮廓。

( ) 此题为判断题(对，错)。

10.下列各项中，()项属于动荷加载方法。

A 、气压加载法 B 、重物加载法 C 、激振器加载法 D 、机械式加载法第1卷参考答案一.综合考核1.参考答案：喷头2.参考答案：不是，高标号耐火性不好，易爆裂对于板构件，标号越高越浪费。

4.参考答案:错误5.参考答案:错误7.参考答案：C9.参考答案：对10.参考答案：C。