ROM产品分析

ROM市场调查报告ROM市场调查报告一、市场概况ROM（Read-Only Memory）是一种只读存储器，用于存储固定数据和程序。

随着电子产品的普及和更新换代，ROM市场也在不断发展壮大。

本报告将对ROM市场进行调查分析，以了解当前市场状况和未来发展趋势。

二、市场规模根据调查数据显示，近年来ROM市场规模不断扩大。

这主要得益于消费电子产品的普及，如智能手机、平板电脑和智能家居设备等。

ROM作为这些设备的重要组成部分，需求量呈现出稳定增长的趋势。

预计未来几年，ROM市场将保持较高的增长率。

三、市场竞争格局ROM市场竞争激烈，主要有以下几个方面的竞争因素：1. 技术创新：随着科技的进步，ROM产品的性能和容量不断提升。

厂商需要不断推出新产品以满足市场需求，同时加强研发能力和技术创新，以保持竞争优势。

2. 价格竞争：ROM市场存在着多家厂商，价格竞争非常激烈。

厂商需要通过降低成本、提高生产效率等方式来降低产品价格，以吸引更多消费者。

3. 品牌影响力：一些知名厂商在ROM市场具有较高的品牌影响力，消费者更倾向于购买这些品牌的产品。

其他厂商需要通过提升品牌形象和产品质量来争夺市场份额。

四、市场需求分析ROM市场的需求主要来自两个方面：1. 个人消费市场：智能手机、平板电脑等个人电子设备的快速普及，推动了个人消费市场对ROM的需求。

消费者对设备性能和存储容量的要求越来越高，这对ROM厂商提出了更高的挑战。

2. 企业市场：随着云计算和大数据时代的到来，企业对存储设备的需求也在不断增加。

ROM作为数据存储的重要手段之一，受到了企业市场的青睐。

五、市场发展趋势1. 容量扩大：随着科技的进步，ROM的存储容量将不断扩大。

目前，市场上已经出现了高容量的ROM产品，未来将有更多的厂商推出更大容量的产品，以满足消费者的需求。

2. 高速传输：随着数据传输速度的要求越来越高，ROM市场将朝着高速传输的方向发展。

新一代ROM产品将支持更快的数据传输速度，以满足用户对高效率数据处理的需求。

固态电子器件作业EEPROM、Flash、RROM原理分析及比较专业：电子科学与技术学号：********姓名：***EEPROM原理：PROM是可编程器件,主流产品是采用双层栅(二层poly)结构,其中有EPROM和EEPROM 等,工作原理大体相同,主要结构如图所示：图1浮栅中没有电子注入时,在控制栅加电压时,浮栅中的电子跑到上层,下层出现空穴。

由于感应,便会吸引电子,并开启沟道。

如果浮栅中有电子的注入时,即加大的管子的阈值电压,沟道处于关闭状态。

这样就达成了开关功能。

图2如图2所示,这是EPROM的写入过程,在漏极加高压,电子从源极流向漏极沟道充分开启。

在高压的作用下,电子的拉力加强,能量使电子的温度极度上升,变为热电子(hot electron)。

这种电子几乎不受原子的振动作用引起的散射,在受控制栅的施加的高压时,热电子使能跃过SiO2的势垒,注入到浮栅中。

在没有别的外力的情况下,电子会很好的保持着。

在需要消去电子时,利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。

图3EEPROM的写入过程,是利用了隧道效应,即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。

量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时,电子将呈现波动性,这里就是表明物体要足够的小。

就pn结来看,当p和n的杂质浓度达到一定水平时,并且空间电荷极少时,电子就会因隧道效应向导带迁移。

电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为“带”,较低的能带称为价带,较高的能带称为导带。

电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动,这种运动就是电流。

EEPROM写入过程,如图3所示,根据隧道效应,包围浮栅的SiO2,必须极薄以降低势垒。

源漏极接地,处于导通状态。

在控制栅上施加高于阈值电压的高压,以减少电场作用,吸引电子穿越。

图4要达到消去电子的要求,EEPROM也是通过隧道效应达成的。

如图4所示,在漏极加高压,控制栅为0V,翻转拉力方向,将电子从浮栅中拉出。

ROM的选型ROM用来存储程序代码，系统配置参数及系统运行过程中需要记录的各种信息。

目前常用的存储类型有Serial Flash、串行F-RAM、NAND Flash等。

FLASH：在线进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。

低功耗、大容量，可整片或分扇区在线编程和擦除，通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

NOR FLASH的特点是芯片内执行(XIP，Execute In Place就位执行)，这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR 的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的存储单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

接口差别：NOR带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行存取数据，各个产品或厂商的方法个不相同。

8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本：NAND的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR占据了容量1-16MB闪存市场的大部分，而NAND只是用在8-128MB 的产品当中，这也就说明了NOR主要应用于代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

同时NAND受到位反转和坏块的影响其单元尺寸几乎是NOR FLASH的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了成本。

rom的名词解释ROM（Read-Only Memory）是指只读存储器，也称为只读存储器。

在计算机领域，ROM是一种非易失性存储器，用于存储固定的、不可更改的数据和程序指令。

与RAM（Random Access Memory）相比，ROM中的数据是永久性的，它不会因为断电或重新启动而丢失。

ROM的出现使得计算机能够在开机时加载启动程序和基本输入输出系统（BIOS），从而使系统正常启动。

一、ROM的基本原理ROM是一种硬件设备，它由许多可靠的、经过特殊处理的半导体材料制成。

与RAM不同，ROM的数据无法通过电子信号的动态变化来存储和访问。

ROM的数据在制造时就被固化进去，而且无法被改变。

这种特性使得ROM具有很高的稳定性和可靠性，适合储存那些不需要随时修改的数据。

二、不同类型的ROM1. Masked ROM：掩蔽式ROM是最早期的ROM类型之一。

在生产过程中，ROM芯片通过将金属层沉积在硅晶圆上来制造。

金属层决定了数据和指令的存储方式。

然后再将晶圆切割成不同的ROM芯片。

这种ROM芯片的数据无法更改。

2. Programmable ROM（PROM）：可编程只读存储器是一种允许用户在使用特定设备之前存储数据的存储器类型。

用户可以使用特殊的编程设备（如PROM 编程器）将所需的数据编程到PROM芯片中。

一旦编程完成，数据就无法修改。

PROM具有低制造成本和较快的编程速度。

3. Erasable Programmable ROM（EPROM）：可擦写可编程只读存储器是一种允许用户擦除和重新编程数据的存储器。

EPROM芯片在制造过程中使用了一层特殊的二氧化硅窗口。

当用户需要擦除数据时，可以使用紫外线照射EPROM芯片来清除所有数据，并使用编程设备重新编程所需的数据。

4. Electrically Erasable Programmable ROM（EEPROM）：电可擦写可编程只读存储器是一种在电子设备中广泛使用的存储器类型。

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。

这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。

这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是成本低、非常低，但是其风险比较大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了”！PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。

这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。

PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。

另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。

EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。

它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。

这一类芯片特别容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。

EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

百度首页 | 登录助突出贡献者DrakknighT十二级版本DVD-ROMCD-ROM开放分类：硬件、电脑、光盘、存储器、驱动器目录• CD-ROM的定义• CD-ROM的规格• CD-ROM的原理• CD-ROM的速度• CD-ROM的发展• CD-ROM的复制• CD-ROM的结构• 错误检测与纠正•• 观看DVD的方法• 其他相关的知识•Compact Disc Read-Only MemoryCD-ROM的定义CD-ROM ，只读光盘，一种能够存储大量数据的外部存储媒体，一张压缩光盘的直径大约是4.5英寸，1/8英寸厚，能容纳约660兆字节的数据。

所有的CD-ROM盘都是用一张母盘压制而成，然后封装到聚碳酸酯的保护外壳里。

记录在母盘上的数据呈螺旋状，由中心向外散开，磁盘表面有许许多多微小的坑，那就是记录的数字信息。

读CD-ROM上的数据时，是利用激光束扫描光盘，根据激光在小坑上的反射变化得到数字信息。

CD-ROM驱动器的速率以“X倍速”表示，其速率的标准有2倍速，4倍速，8倍速等，目前可达到50倍速。

随着技术的发展，已出现了数字多功能磁盘(DVD)，它的存储容量更大，现已达到9.4千兆字节，还有更高的，而且图像清晰度更好，高保真效果也更好。

CD-ROM 为计算机所使用的光盘规格，其读取光盘片的设备就称为光驱(CD-ROM)，储存在光盘片上的数据是以雷射光读取的，而非磁性方式读取，所以光盘的保存可长达数十年。

计算机所使用的光盘片格式与普通家中雷射唱盘所播放的音乐光盘(CD)格式相同，一片光盘片的数据容量高达650MB (74 min)，约为450片的1.44MB软盘片之多。

一般软盘片是可擦写的，但光盘片只能读取数据，而不能写入数据 (如果有CD-R可烧录式光驱及CD-R空白片加上烧写软件，则可以在光盘片上写入数据)。

目前大多数的计算机都将CD-ROM 列为标准配备，而 CD-ROM的转速从1倍、2倍.....24倍、32倍，到现今最快的40倍...，速度的世代交替非常快，另计算机系统所使用的光盘片也称为CD-Title。

一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。

用来存储和保存数据。

ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。

即使是断电，ROM也能够保留数据。

ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。

特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。

这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。

具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。

因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。

是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。

它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。

RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。

静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。

动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

ROM的分类ROM（只读存储器）按其内容写⼊⽅式，⼀般分为3种：固定内容ROM；可⼀次编程PROM；可擦除ROM，⼜分为EPROM（紫外线擦除电写⼊）和E2PROM（电擦除电写⼊）等类型。

(1)、固定内容ROM是采⽤掩模⼯艺制作的，其内容在出⼚时已按要求固定，⽤户⽆法修改。

由于固定ROM所存信息不能修改，断电后信息不消失，所以常⽤来存储固定的程序和数据。

如在计算机中，⽤来存放监控、管理等专⽤程序。

(2)、PROM(Programmable ROM)是可⼀次编程ROM。

这种存储器在出⼚时未存⼊数据信息。

单元可视为全“0”或全“1”，⽤户可按设计要求将所需存⼊的数码“⼀次性地写⼊”，⼀旦写⼊后就不能再改变了。

PROM在每⼀个存储单元中都接有快速熔断丝，在⽤户写⼊数据前，各存储单元相当于存⼊“1”。

写⼊数据时，将应该存“0”的单元，通以⾜够⼤的电流脉冲将熔丝烧断即可。

(3)、EPROM是为了克服PROM只能写⼊⼀次的缺点，出现了可多次擦除和编程的存储器。

这种存储器在擦除⽅式上有两种：⼀种是电写⼊紫外线擦除的存储器EPROM(ErasablePro-grammable Read-only Memory)；另⼀种是电写⼊电擦除的存储器，称为EEPROM或E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)。

EPROM内容的改写不像RAM那么容易，在使⽤过程中，EPROM的内容是不能擦除重写的，所以仍属于只读存储器。

要想改写EPROM中的内容，必须将芯⽚从电路板上拔下，将存储器上⾯的⼀块⽯英玻璃窗⼝对准紫外灯光照射数分钟，使存储的数据消失。

擦除时间⼤约为10min~30min，视型号不同⽽异。

为便于擦除操作，在器件外壳上装有透明的⽯英盖板，便于紫外线通过。

在写好数据以后应使⽤不透明的纸将⽯英盖板遮蔽，以防⽌数据丢失。

数据的写⼊可⽤软件编程，⽣成电脉冲来实现。

百度云ROM系统分析报告一、产品战略：1.布局移动互联网如果说移动应用是一棵树，那么手机操作系统则更像是一片森林，种了树结了果实只不过才拿到门票而已，成为森林之王才能掌控全局，手机操作系统必将在未来的移动互联网领域中成为争夺的制高点。

百度重金收购91助手后，在移动应用的分发能力占据领先地位，但是在移动搜索和移动应用方面地位并不稳固。

搜索有360和搜狗跃跃欲试，移动应用大多呈现一个追赶的趋势，特别是百度没有杀手级的移动应用，要想巩固百度在PC端的搜索核心地位提高百度移动应用的占有率，绕过搜狗输入法、UC浏览器、360手机卫士等这些占有率高的应用软件，就必须把眼光瞄准未来，像苹果一样构建一个硬件、软件的完善的生态系统。

2.整合百度系产品，构建互联网云端体系百度旗下有百度输入法、百度浏览器、百度音乐、百度地图、百度网盘等N多移动应用，这些应用是百度云rom系统的独特资源，应用带来用户，系统整合用户的操作习惯反过来促进用户的粘性。

云端跨平台、跨应用的数据存储、传输是互联网的趋势，百度云rom拥有强大的云计算技术，可以便捷的在手机系统中云存储通讯录、短信、便签等，真正做到数据的永久存储。

3.产品差异小米的MIUI系统在视觉体验上领先一步，上千款主题壁纸上万款个性搭配，拟物化的设计思维使得MIUI酷炫十足。

锤子系统则在某英语老师的带领下，有条不紊的开创者强烈个人色彩的美观大方人文关怀手机系统，朴素耐用。

百度云rom系统充分继承了百度在搜索方面的强大技术优势，点滴搜索、划词搜索、拍照搜索，同时整合语音功能，试图在功能方面深挖，让手机系统更加智能化。

二、产品理念：1.统一化：单点登录，无缝切换百度云rom内置了诸多的百度系应用，如百度输入法、百度浏览器、百度云盘、百度地图等，只要你拥有一个百度账号无论登陆任何一个应用，均可以实现其它百度应用的直接登陆，而且无需再繁琐的输入用户名和密码，非常nice。

2.智能化：随便说，随便搜新短信可以语音播报内容，天气预报可以语音，甚至搜索和下载都能语音操作。

网络营销案例分析3篇#络营销案例指描述某一特定的营销活动的内容、情景与过程的一种客观性的材料。

为大家整理的相关的#络营销案例分析,供大家参考选择。

锤子ROM是罗永浩社会化营销的代表之作。

从宣布做手机到锤子ROM正式提供下载，罗永浩的社会化营销烙印始终深刻其中。

老罗罗永浩是名人，之前新东方教英语的竟然也要做手机系统?老罗的这大跨界，配合形象的广告图片，从一开始就吸引了大家的眼球，觉得老罗真是一个颠覆性的人物。

而老罗也一直持续地在#上兴风作浪，多次制造话题，吊足了#民的胃口，使得锤子ROM发布这一事件在当今这样海量信息的世界里得以持续发酵，让#民和媒体对于锤子ROM始终保持高度的关注，并产生了极大的期许。

老罗的自我营销方式，首先就是吹牛，老罗说他的公司的未来比Google还牛。

吹牛也是营销手段的一种，而且看起来效果很不错。

别人赞也好，喷也好，反正人气和知名度是提高了;吹产品、吹团队、吹福利，天价办公椅、百万年薪找人、补贴鼓足了劲吹嘘锤子。

既能向众人展示自己公司产品的良好形象及价值观也能鼓励手下人，还让人觉得他们的团队很和谐、很有实力，自然也能让人觉得这样的团队做出来的产品也不会错。

然后就是各种攀高枝和找垫背的，他不断高调的向HTC、苹果等品牌进行挑衅，吐槽其他品牌的操作系统;宣称自家的锤子ROM将秒杀魅族Flyme和小米MIUI，而且还是毫秒我们可以吐槽老罗的产品，不屑他的品格，但是不能否认罗永浩在锤子ROM 营销中取得的巨大成功。

他用最低的成本，最大限度的宣传了自己的产品一、#络营销渠道概述#络营销逐渐成为企业或不可缺的营销手段，而#络营销渠道是#络营销重要一部分。

(一)#络营销渠道的概念#络营销，就是以国际互联#为基础，利用数字化的信息和#络媒体的交互性来辅助营销目标实现的一种新型的市场营销方式，#络营销极具发展前景，必将成为21世纪企业营销的主流。

#络营销渠道是#络经济时代的一种崭新的营销理念和营销模式，是指借助于互联#络、电脑通信技术和数字交互式媒体来实现营销目标的一种营销方式，是商品和服务从生产者向消费者转移过程的具体通道或路径，主要分为通过互联#实现的从生产者到消费(使用)者的#络直接营销渠道和通过融入互联#技术后的中间商机构提供的#络间接营销渠道。

FLASH闪存FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash"。

闪存则是一种非易失性（Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

各类DDR 、SDRAM 或者RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。

快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。

这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。

闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。

早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。

NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。

在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。

与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。

Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。

1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。

它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。

後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。

它结合EPROM和EEPROM两项技术，并拥有一个SRAM接口。

第二种闪存称为NAND闪存。

它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。

NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。

NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。

鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、and PC cards、USB sticks等存储卡上。

NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND 的存储块大小为8 到32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB 容量的NAND 产品相当普遍，NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。

固态电子器件作业EEPROM、Flash、RROM原理分析及比较专业：电子科学与技术学号：05121114姓名：孙晶EEPROM原理：PROM是可编程器件,主流产品是采用双层栅(二层poly)结构,其中有EPROM和EEPROM等,工作原理大体相同,主要结构如图所示：图1浮栅中没有电子注入时,在控制栅加电压时,浮栅中的电子跑到上层,下层出现空穴。

由于感应,便会吸引电子,并开启沟道。

如果浮栅中有电子的注入时,即加大的管子的阈值电压,沟道处于关闭状态。

这样就达成了开关功能。

图2如图2所示,这是EPROM的写入过程,在漏极加高压,电子从源极流向漏极沟道充分开启。

在高压的作用下,电子的拉力加强,能量使电子的温度极度上升,变为热电子(hot electron)。

这种电子几乎不受原子的振动作用引起的散射,在受控制栅的施加的高压时,热电子使能跃过SiO2的势垒,注入到浮栅中。

在没有别的外力的情况下,电子会很好的保持着。

在需要消去电子时,利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。

图3EEPROM的写入过程,是利用了隧道效应,即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。

量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时,电子将呈现波动性,这里就是表明物体要足够的小。

就pn结来看,当p和n的杂质浓度达到一定水平时,并且空间电荷极少时,电子就会因隧道效应向导带迁移。

电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为“带”,较低的能带称为价带,较高的能带称为导带。

电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动,这种运动就是电流。

EEPROM写入过程,如图3所示,根据隧道效应,包围浮栅的SiO2,必须极薄以降低势垒。

源漏极接地,处于导通状态。

在控制栅上施加高于阈值电压的高压,以减少电场作用,吸引电子穿越。

图4要达到消去电子的要求,EEPROM也是通过隧道效应达成的。

如图4所示,在漏极加高压,控制栅为0V,翻转拉力方向,将电子从浮栅中拉出。

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。

电子产品硬件设计分析摘要：伴随着我国经济以及科学技术的飞速发展，我国渐渐成为一个信息化的大社会，电子产业的发展在社会发展的过程中也在不断创新与改革，特别是在大数据时代来临的时候，许多与网络有关的行业也都在飞速地发展。

电子行业是我国国民经济的支柱产业，如何提高电子产品的实用性，是当前电子行业研究的重点，也是本文的研究重点。

关键词：电子产品；硬件设计；产品实用性引言随着电子时代科学技术的快速发展，对各种电子设备性能的技术要求自然也是在随之日益的增加，怎样进一步增强电子设备其实用价值，增强其产品在国际市场上应有的市场竞争的能力，是我国当前的电子行业发展亟待研究解决好的一个主要问题。

不过，因为这些电子产品本身的潜在实用的价值往往与实现它需要的复杂硬件的设计思想有着很大程度的内在关联，所以还需要我们对它本身的潜在实用性问题去展开更深层次的研究。

一、对于电子产品硬件设计的分析就电子产品的市场与使用者来说，其竞争状况大致可分为内部的硬件设计与外部的设计。

在一定的前提下，电子产品的实际应用价值取决于硬件的设计，使用者在选购电子产品时，都会根据自己的需要，在硬件上作出更好的选择。

在国内，硬件的设计可以直接影响到企业的生产成本，也就是说，高质量的硬件可以帮助企业减少生产成本，提高企业的盈利能力。

[1]就拿手机来说，如果两款手机的外观质量差不多，所以很多消费者购机也都会先按照自己手机产品的实际性能情况来进行挑选，而产品好的实际性能也正是厂家保证产品销量增长的重要保障，好的产品性能也可以用来让一些其他手机厂家来升级优化你自己的手机产品，争取获得更多产品的潜在市场份额，进而来建立一个良性竞争环境。

二、硬件设计的流程在以上分析了电子设备的硬件设计的重要意义之后，我们还有一个问题，那就是：硬件的设计过程是怎样的？什么是决定硬件设计的关键要素？针对上述问题，本文从三个方面进行了详细的探讨，即：前期的准备工作，电路板的制作，以及有关的组件的安装。

单片机的存储结构单片机作为一种集成电路芯片，是现代电子产品中不可或缺的组成元素。

单片机具有存储和处理信息的功能，而其存储结构则起着至关重要的作用。

本文将介绍单片机的存储结构，包括ROM、RAM和Flash存储器以及EEPROM和外部存储器等方面的内容。

一、ROM（只读存储器）ROM是单片机中一种常见的存储器类型，其中存储的数据通常是在生产过程中被写入的，且在芯片被制造后无法被改变。

ROM中的数据在单片机启动时被直接读取，可供程序使用。

ROM又可分为Mask ROM和EPROM，其中Mask ROM在制造过程中被编程，无法被擦除和写入新的数据；EPROM则可通过特殊设备进行擦写和编程操作。

二、RAM（随机存储器）RAM是单片机中的一种易失性存储器，数据在断电后会丢失。

RAM被用来存储程序运行时需要的临时数据和变量。

单片机中常见的RAM类型包括静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。

SRAM 速度较快，且易于控制，但占用空间较大；DRAM则容量较大，但需要定期刷新以保持数据的正确性。

三、Flash存储器Flash存储器是一种具有非易失性特性的存储器，它在断电后可以保持数据。

Flash存储器通常用于存储单片机的程序。

与EEPROM相比，Flash存储器具有容量大、速度快和擦写次数多等优势，但在擦写操作时需要整体擦除，而无法对单个字节进行擦写。

四、EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）EEPROM是一种可以通过电子方法擦除和编程的存储器。

与Flash存储器相似，EEPROM具有非易失性特性，但相比之下擦写速度较慢，擦写次数也相对较少。

EEPROM的应用范围广泛，常用于存储单片机中需要修改的配置信息、用户数据等。

五、外部存储器除了上述的内部存储器之外，单片机还可以通过外部存储器进行扩展。

外部存储器可以是闪存卡、SD卡、硬盘等，通过外部接口与单片机进行数据交互。

外部存储器的主要优势是容量大且便于数据的传输和存储，但也会增加系统的复杂性和成本。

Memory是涉及整个存储行业的统称，细分RAM和ROMRAM说白了就是真正的内存，就是SRAM（静态存储，品牌如ISSI等）、DRAM（动态存储，依次升级有DDR1、DDR2、DDR3及低功耗级别也就是前缀带LP的…），特殊的叫SDRAM（品牌例如华邦、Etron、ESMT…）ROM就是Flash，说白了也可以理解为硬盘，用于大容量存储，分Nor flash（如华邦、MXIC、GD）、NAND flash（HY、Samsung、Micron、Toshiba…），现最新发展升级有eMMC （内部集成了一个控制IC，便于客户灵活研发、产品升级、缩短开发周期）MCP产品是RAM和ROM的结合集成产品，封在一起，也就是2合1功能，也叫行动式内存，是目前消费类市场主流。

应用分类：消费类产品(Consumer)行业泛指包括智能手机、平板电脑、MID…主力品牌HY（价格最好，超联价格好）、Samsung（友尚价格好）、Micron（安富利价格好）、Toshiba、Sandisk （威健、增你强价格好）…非消费类产品泛指除了以上所说销售类之外排除的全部分，该部分是华邦、南亚等台系的重点推广领域。

以下以智能手机为例说明：随着智能终端处理的数据量越来越大，速度越来越快，主频越来越高，Memory在手机中的地位也越来越重要了，这里表现在不仅对性能与功耗的影响，也表现在对BOM单的影响，Memory在BOM单中的地位早已升至前三甲，比如目前最高端的eMCP 32+16报价大于40美元，这已比价目前顶级的手机CPU的价格。

手机的Memory由两大块组成，俗称RAM与ROM。

RAM则是上面提到的DRAM，相当于电脑中的内存，对智能手机的性能影响最大，价格也贵，特别是目前新一代的LPDDR2的价格，同等容量时比电脑中采用的PC DDR3的价格贵一倍左右。

今年底，下一代LPDDR3也将被一些高端平台采用，价格将更昂贵。

ROM则是Flash指标，用来存储智能手机中的各种数据。