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新型半导体材料的研究进展及其应用随着科学技术的不断发展，新型半导体材料的研究和应用也越来越受到关注。
半导体材料是电子技术和计算机技术的基础，具有广泛的应用前景。
本文将就新型半导体材料的研究进展及其应用进行探讨。
一、新型半导体材料的研究进展1、碳化硅材料碳化硅是一种优异的半导体材料，它的电学性质和热学性质都比硅好。
碳化硅材料既能够承受高温、高压环境，也能够实现高功率、高速、高频应用。
目前已有一些碳化硅材料被广泛应用在电源变换器、汽车电源、航空器电子设备等领域。
2、氮化硅材料氮化硅是一种新型的宽能隙半导体材料，具有优越的物理和化学性质。
它的电子迁移率高，能够实现高功率、高速、高频率应用，特别适用于射频电子设备的制造。
目前，氮化硅材料被广泛应用于5G通讯、高亮度LED、蓝色激光器等领域。
3、氧化锌材料氧化锌是一种新型的半导体材料，具有良好的光学、电学、磁学等性质。
它的能隙较宽，透明性好，可应用于薄膜电晶体管、太阳能电池等领域。
此外，氧化锌具有优异的生物相容性，可应用于生物医学器械等领域。
二、新型半导体材料的应用1、汽车电子随着汽车产业的不断发展，汽车电子产品也得到了极大的推广和应用。
新型半导体材料的应用为汽车电子开发提供了新的解决方案。
现在的汽车电子产品采用了许多半导体材料，如碳化硅材料的应用可以提高电源变换器的效率，氮化硅材料的应用可以提高电力转换效率，氧化锌材料的应用可以提高太阳能电池的效率。
2、LED照明LED照明是一种新型的环保、节能的照明技术，其应用范围越来越广泛。
新型半导体材料的应用可以提高LED照明产品的效率和品质。
如氮化硅材料的应用可以提高LED芯片的发光效率和亮度，碳化硅材料的应用可以提高LED器件的寿命和稳定性。
3、5G通讯5G通讯是一项颠覆性的技术革新，它将会给互联网、智能制造、智慧城市等领域带来巨大的变化。
新型半导体材料的应用对5G通讯的发展也有着重要的促进作用。
如氮化硅材料的应用可以提高5G收发信机的效率和速度，碳化硅材料的应用可以提高5G 通讯的频率和功率。
半导体材料的发展前景和趋势半导体材料，在现代科技领域具有举足轻重的地位，是电子产业和信息技术发展的基石。
随着科技的日新月异，半导体材料也展现出无限的发展潜力。
本文将对半导体材料的发展前景和趋势进行深入探讨。
一、新型半导体材料的崛起传统的半导体材料，如硅，虽然在许多领域中仍占据主导地位，但已逐渐不能满足日益增长的技术需求。
因此，新型半导体材料如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）等正逐渐崭露头角。
这些材料具有更高的电子迁移率、高热导率和大禁带宽度等特点，使得电子设备能够实现更高的频率、更大的功率以及更低的能耗。
二、柔性电子材料的广泛应用随着可穿戴设备和智能家居的普及，柔性电子材料的需求日益增长。
柔性电子材料具有良好的柔韧性和可延展性，能够适应各种复杂形状的表面，为电子产品提供了更大的设计空间。
同时，柔性电子材料在医疗、军事等领域也有着广泛的应用前景。
三、生物相容性半导体材料的研究进展在生物医学领域，半导体材料的应用越来越广泛。
生物相容性半导体材料是指那些对生物体无毒、无害、无刺激，且能与生物体相容的材料。
这类材料在组织工程、药物传递和生物成像等领域具有巨大的应用潜力。
随着研究的深入，未来有望为生物医学领域带来革命性的突破。
四、量子点及二维材料的潜力量子点和二维材料是近年来备受瞩目的新兴领域。
量子点材料具有独特的光电性能，可应用于显示、照明和太阳能电池等领域。
而二维材料如石墨烯和过渡金属二卤化物等则展现出超常的力学、电学和热学性能，为新一代电子器件和光电器件的发展提供了可能。
五、智能化和定制化趋势随着人工智能和物联网技术的发展，半导体材料的智能化和定制化成为未来发展的必然趋势。
通过集成各种传感器和执行器，半导体材料将能够实时感知环境变化并做出相应调整，从而实现智能化。
同时，基于3D打印等技术，可以根据特定需求定制化生产半导体材料，进一步提高生产效率和满足个性化需求。
六、绿色环保和可持续发展在可持续发展的大背景下，半导体材料的绿色环保和可持续发展也成为关注的焦点。
半导体10大研究成果
1.量子比特实现量子超越：在量子计算领域，实现了一些具有超越经典计算能力的重要里程碑，如量子比特的相干控制和纠缠。
2.新型半导体材料的研究：发现和研究了一些新型半导体材料，包括拓扑绝缘体、二维材料（如石墨烯）等，这些材料具有独特的电学和光学性质。
3.自组装技术的发展：自组装技术在芯片制造中取得了重要进展，能够有效地提高集成电路的制造密度，提高性能。
4.超导量子位的进展：在量子计算领域，实现了一些超导量子位的重要突破，包括提高了量子位的运行时间和减小了错误率。
5.神经元芯片的研究：半导体技术在神经科学领域的应用，研究了仿生学方向的芯片，模拟了神经元网络的行为。
6.自适应光学元件：在激光器和光通信领域，研究了一些自适应光学元件，以提高光通信系统的稳定性和性能。
7.极紫外光刻技术（EUV）：EUV技术在半导体芯片制造中取得了显著进展，实现了更小尺寸的制造工艺，提高了芯片集成度。
8.量子点显示技术：在显示技术中，量子点显示技术取得了进展，提高了显示屏的颜色饱和度和能效。
9.能量高效的电源管理技术：针对便携设备和物联网设备，研究了一些能量高效的电源管理技术，以延长电池寿命和提高设备的能效。
10.半导体传感器的创新：开发了一些新型半导体传感器，应用于医疗、环境监测和工业生产等领域，提高了传感器的灵敏度和稳定性。
这仅仅是一小部分半导体领域的研究成果，该领域的研究一直在不断推进。
要了解最新的研究成果，建议查阅相关领域的学术期刊和会议论文。
半导体技术的发展现状与趋势半导体技术是当今世界上最具前景和发展潜力的技术之一，其在电子、通信、能源、医疗等领域都有着广泛的应用。
随着移动互联网、人工智能、物联网等新兴技术的兴起，半导体技术的发展也呈现出日新月异的趋势。
本文将对半导体技术的发展现状和趋势进行深入探讨，分析其在各个领域的应用和未来的发展方向。
一、半导体技术的发展现状半导体技术是一种以半导体材料为基础的电子器件制造技术，其最早的应用可以追溯到20世纪50年代，自那时起，半导体技术就开始不断地发展和进步。
目前，半导体技术已经成为现代电子工业的核心技术，其在微处理器、存储器、传感器、光电子器件、功率器件等领域都有广泛的应用。
1.微处理器微处理器是半导体技术的重要应用领域之一，它是现代电子设备的核心部件，其性能直接关系到整个设备的运行速度和稳定性。
当前，微处理器的制造技术已经进入到纳米级别，其性能和功耗方面都有了显著的提升。
随着人工智能、大数据等新兴技术的兴起，微处理器的需求也在不断增加，为了满足这些需求，半导体技术在微处理器领域的研发也在持续不断地进行着。
2.存储器存储器是另一个重要的半导体技术应用领域，其在电子设备中主要用于存储数据和程序。
当前，随着移动互联网、云计算等新兴技术的迅速发展，对存储器的需求也在不断增加。
为了提高存储器的容量和速度，半导体技术在存储器领域的研发也在进行着，目前，固态硬盘已经代替了传统的机械硬盘成为了主流产品。
3.传感器传感器是半导体技术在物联网、智能制造等领域的重要应用之一，它可以将各种信号转换为电信号，并通过电路进行处理，最终输出所需的信息。
随着物联网和智能制造的兴起，传感器的需求也在不断增加，为了满足这些需求，半导体技术在传感器领域的研发也在持续不断地进行着。
4.光电子器件光电子器件是半导体技术在光通信、光存储等领域的重要应用之一，它可以将电信号转换为光信号，并通过光纤进行传输。
当前，随着5G技术的逐步成熟和光纤网络的不断建设，对光电子器件的需求也在不断增加。
半导体材料的最新研究进展半导体材料是当今电子学和信息技术领域最重要的材料之一。
它们在手机、电脑、电视等设备的制造中发挥着关键作用。
随着技术不断进步和需求不断增长，半导体材料的研究也在不断深入。
本文将介绍半导体材料的最新研究进展，探讨如何提高半导体性能以及应用前景。
一、氧化物半导体材料氧化物半导体材料是近年来备受关注的研究领域。
它们是由几种不同的金属氧化物组成的结晶体，如锌氧化物、钨氧化物、氧化钙等。
这些材料具有优异的光电性质和化学稳定性，因此适用于各种电子和光电设备的制造。
最近，有学者提出了一种新型氧化物半导体材料——双层CuO薄膜。
该薄膜由两层厚约30纳米的CuO层构成，通过热处理后，它们之间会形成一层纳米间隙。
研究表明，这种纳米间隙可以显著提高CuO薄膜的电子传输性能和光学性能。
该材料的电子传输速率和光吸收能力比普通CuO薄膜提高了30%以上，可以应用于太阳能电池等设备中。
二、二维半导体材料二维半导体材料是由单层或几层原子组成的半导体材料。
它们厚度非常薄，仅有几个原子的厚度，可实现二维电子输运。
这种材料用于制造场效应晶体管等电子设备中，具有优异的电子特性和强制热耗散能力。
近年来，人们的研究重点已经从二维材料本身，转向了二维材料的组装和应用。
研究人员最近提出了一种新型二维半导体材料——MoS2/TMDs 异质结。
MoS2/TMDs异质结由单层MoS2片层和过渡金属二硫化物(TMDs)异质堆积而成。
因为两种材料具有不同的电特性和带隙，因此异质结可以用于晶体管、发光二极管以及光电探测器等电子学和光电学设备中。
此外，该异质结还具有高可控性和灵活性，可以用于现代柔性电子学的制造。
三、有机半导体材料有机半导体材料是一种由有机分子构成的半导体材料。
相比于无机半导体材料，它们具有可塑性和可加工性强的优点。
有机半导体材料可用于制造柔性OLED显示器、太阳能电池等设备。
因此，在有机电子学领域的研究一直是热点之一。
半导体材料未来的趋势
半导体材料是电子器件制造中的关键元素，随着科技的进步和应用的需求，半导体材料的发展呈现出以下的未来趋势：
1. 晶体管尺寸的缩小：随着制造工艺的进步，晶体管尺寸逐渐缩小，这将使得芯片更加紧凑和高效。
2. 高移动性材料的使用：为了提高芯片的性能，高移动性材料，如镓化合物半导体等在半导体材料中的应用将会增加。
3. 新型材料的发展：例如，石墨烯和二维材料等新型材料具有出色的电子和热性能，未来有望在半导体材料中得到更广泛的应用。
4. 能源效率的提高：半导体材料的优化和改进将使得电子器件更加节能和高效，推动能源的有效利用和节约。
5. 多功能集成：随着技术的进步，半导体材料可用于制造多功能集成电路，实现不同功能的集成，如计算、通信、感应等。
6. 光电材料的应用：近年来，光电材料在太阳能电池和光通信等领域取得了重要的突破，未来半导体材料的发展也将趋向于更好的光电转换性能。
总之，半导体材料的未来趋势将是尺寸缩小、高性能材料的应用、新型材料的发展、能源效率的提高、多功能集成以及光电材料的应用等方面的进步。
这些趋势将推动半导体行业的发展，为各种电子器件和应用提供更好的性能和功能。
新型有机半导体材料的研究与应用近年来，随着电子产品的迅猛发展，有机半导体材料作为一种新型材料，备受人们关注。
有机半导体材料具有较高的光、电学性能，可用于制造高效、柔性、低成本的光电器件。
本文将介绍有机半导体材料的研究进展以及其在实际应用中的表现。
一、有机半导体材料的研究进展有机半导体材料最早是在1970年代发现的，当时人们只是将其视为一种新型有机化合物。
直到20世纪80年代，随着有机半导体材料的应用领域逐渐拓宽，有机半导体材料的研究进入到一个黄金时期。
有机半导体材料相比于传统的无机半导体材料，具有制备简单、成本低、柔性好等优势。
但是，由于有机半导体材料的分子结构和性质复杂，研究工作难度较大。
在近些年中，通过利用先进的合成手段和精密物理特性表征方法，研究人员不断地提高有机半导体材料的制备工艺和性能。
目前，有机半导体材料已经达到了非常高的水平。
二、有机半导体材料在光电器件中的应用1. 有机发光二极管有机发光二极管（OLED）是有机半导体材料的一个代表性应用。
从1990年代开始，OLED就进入到了实际生产领域。
OLED 具有高亮度、高对比度、低功耗等优点。
它可以制成柔性或半透明的显示屏，并且有望替代传统液晶显示屏。
2. 有机薄膜太阳能电池有机薄膜太阳能电池（OPV）是应用有机半导体材料最受关注的领域之一。
与硅基太阳能电池相比，OPV具有柔性、轻质等特点，可以制成具有多样性的形态，因此具有更广泛的应用前景。
目前，OPV的能量转换效率已经达到17%。
3. 有机场效应晶体管有机场效应晶体管（OFET）是由有机半导体材料制成的晶体管。
OFET可以应用于各种传感器、电荷耦合器、驱动晶片等器件中。
三、有机半导体材料未来发展前景有机半导体材料作为一种新型材料，由于其制备工艺简单、成本低、柔性好等特点，其未来发展前景十分广阔。
随着美国、日本、德国等国家对有机半导体材料的研究不断深入，国内研究人员也在积极攻克相关技术难点。
半导体技术的最新进展和未来发展趋势近年来，随着科技的不断进步和人类对高效能电子产品的需求增加，半导体技术作为电子行业的核心技术受到了广泛的关注和研究。
本文将介绍半导体技术的最新进展以及未来的发展趋势。
1. 3D芯片技术的突破3D芯片技术是近年来取得突破性进展的一个重要方向。
传统的芯片平面结构容纳的元器件数量和功能有限，而采用3D芯片技术可以在垂直方向上增加层次，大幅度提升芯片的处理能力和存储能力。
目前，3D芯片技术已被广泛应用于智能手机、云计算、人工智能等领域。
2. 新一代制程技术的发展制程技术是半导体技术进步的重要推动力之一。
过去几十年间，半导体技术的制程技术取得了长足的发展，从20纳米到7纳米，再到5纳米的工艺，每一次突破都带来了半导体器件尺寸的缩小和性能的提升。
未来，随着更高精度的制程技术的研究和应用，半导体器件将进一步实现微纳级尺寸，从而推动芯片处理性能的提升。
3. 宽禁带半导体材料的研究宽禁带半导体材料具有较大的能带间隙，对高温、高功率等极端环境具有较好的适应性。
近年来，宽禁带半导体材料的研究逐渐成为半导体技术发展的热点。
例如，氮化镓材料具有宽禁带特性，可以应用于高效能电子器件、激光器等领域。
随着对宽禁带半导体材料研究的深入，未来将会有更多新材料被开发和应用于半导体技术中。
4. 半导体器件的多样化和集成化随着电子产品功能的不断增强和多样化需求的出现，半导体器件也在朝着多样化和集成化方向发展。
例如，传感器、RFID芯片、功率器件等不同类型的半导体器件得到了广泛应用。
未来，这些半导体器件的集成度将会更高，通过多功能芯片的设计和制造，实现各种功能的集成，提高整个系统的性能和效率。
5. 生态系统合作与互联互通半导体技术的发展不仅仅依赖于单个研究机构或企业，更需要各方共同合作和互相支持。
未来，半导体技术的发展趋势将更加强调生态系统的合作与互联互通。
不同研究机构、企业、产业链的紧密合作，将促进技术的共享和创新，提高整个行业的竞争力。
半导体材料研究的新进展作者简介王占国，1938年生，半导体材料物理学家，中科学院院士。
现任中科院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任和多个国际会议顾问委员会委员。
主要从事半导体材料和材料物理研究，在半导体深能级物理和光谱物理研究，半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面，取得多项成果。
先后获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖，中科院自然科学一等奖和科技进步一、二和三等奖及何梁何利科技进步奖等多项，在国内外学术刊物和国际会议发表论文180多篇，被引用数百次。
摘要本文重点对半导体硅材料，GaAs和InP单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导体材料，光子晶体材料，量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。
最后，提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体1 半导体材料的战略地位上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。
超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。
纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
2 几种主要半导体材料的发展现状与趋势2.1 硅材料从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si发展的总趋势。
目前直径为8英寸（200mm）的Si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（IC’s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。
目前300mm，0．18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm,0．13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。
18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。
从进一步提高硅IC’S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。
另外，SOI材料，包括智能剥离（Smart cut）和SIMOX 材料等也发展很快。
目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。
理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。
这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。
尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2），低K 介电互连材料，用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。
为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。
2.2 GaAs和InP单晶材料GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（V GF）和水平（HB）方法生长的2－3英寸的导电GaAs衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4,6和8英寸）的SI－GaAs发展很快。
美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI－GaAs集成电路生产线。
InP具有比GaAs更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
GaAs和InP单晶的发展趋势是：（1）．增大晶体直径，目前4英寸的SI－GaAs已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI－GaAs也将投入工业应用。
(2)．提高材料的电学和光学微区均匀性。
（3）．降低单晶的缺陷密度，特别是位错。
（4）．GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。
2.3 半导体超晶格、量子阱材料半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（MBE，MOCVD）的新一代人工构造材料。
它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。
(1)Ⅲ－V 族超晶格、量子阱材料。
GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。
高电子迁移率晶体管(H EMT），赝配高电子迁移率晶体管（P－HEMT）器件最好水平已达fmax=600GHz，输出功率58 mW,功率增益6.4db;双异质结双极晶体管（HBT）的最高频率fmax也已高达500GHz,HEMT逻辑电路研制也发展很快。
基于上述材料体系的光通信用1．3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。
目前，研制高质量的1．5μm分布反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输4 0km的实验。
另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。
虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄(～0．01μm）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。
采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。
我国早在1999年，就研制成功980nm InGaAs带间量子级联激光器，输出功率达5W以上；2000年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。
最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。
为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。
自从1994年InGaAs／InAIAs／InP量子级联激光器（QCLs）发明以来，Bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，QCLs在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。
2001年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9．1μm的QCLs的工作温度高达312K，连续输出功率3mW。
量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。
中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K 5μm和250K 8μm的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3．7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。
目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的MBE和M0CVD设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3．75×104片4英寸或1．5×104片6英寸。
英国卡迪夫的MOCVD中心，法国的Picogiga MBE基地，美国的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有这种外延材料出售。
生产型MBE和MOCVD设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。
(2)硅基应变异质结构材料。
硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。
但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。
虽经多年研究，但进展缓慢。
人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米Si／SiO2），硅基SiGeC体系的Si1－yCy/Si1－xGe x低维结构，Ge／Si量子点和量子点超晶格材料，Si／SiC量子点材料，GaN／BP／Si以及Ga N／Si材料。
最近，在GaN／Si上成功地研制出LED发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。
另一方面，GeSi／Si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。
Si/GeSi MODFET和MOSFET的最高截止频率已达200GHz，HBT最高振荡频率为160GHz，噪音在10GHz下为0．9db，其性能可与GaAs器件相媲美。
尽管GaAs／Si和InP／Si是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。
最近，Motol ora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层（柔性层），成功的生长了器件级的GaAs外延薄膜，取得了突破性的进展。
2.4 一维量子线、零维量子点半导体微结构材料基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造（通过能带工程实施）的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。
它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。
目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如GaAlAs／GaA s，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP,InG aAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。
