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实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、三极管和场效应管的主要参数。
2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。
3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。
二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。
其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。
其它参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。
因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。
下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。
1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。
可用电流表测得。
（5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。
稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。
此值必须测定后才能使用稳压二极管。
可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。
（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
npn和pnp的测量方法-回复【npn和pnp的测量方法】引言：当谈到电子元件，特别是晶体管时，我们经常会遇到npn和pnp型晶体管。
这两种晶体管有着不同的极性，因此在测量它们的特性时需要采取不同的方法。
本文将介绍npn和pnp型晶体管的测量方法，帮助读者了解如何正确测量它们的参数。
一、npn型晶体管的测量方法：1. 材料准备：- 一个npn型晶体管- 一个数字万用表或示波器- 一个电流表- 电阻箱- 一个电源2. 测量基极和发射极之间的电阻：- 将电源的正极连接到基极，将负极连接到发射极。
- 将电阻箱的一个端口连接到基极，另一个端口连接到发射极。
- 使用数字万用表在电阻档位上测量电阻值。
- 记下测量结果。
3. 测量基极和集电极之间的电阻：- 将电源的正极连接到基极，将负极连接到集电极。
- 将电阻箱的一个端口连接到基极，另一个端口连接到集电极。
- 使用数字万用表在电阻档位上测量电阻值。
- 记下测量结果。
4. 测量输入电阻：- 将电源的正极连接到基极，将负极连接到发射极。
- 将电阻箱的一个端口连接到基极，另一个端口连接到发射极。
- 使用数字万用表在电阻档位上测量电阻值。
- 记下测量结果。
5. 测量输出电阻：- 将电源的正极连接到基极，将负极连接到集电极。
- 将电阻箱的一个端口连接到基极，另一个端口连接到集电极。
- 使用数字万用表在电阻档位上测量电阻值。
- 记下测量结果。
6. 测量电流放大倍数：- 将电源的正极连接到基极，将负极连接到发射极。
- 将电流表的正脚连接到发射极，负脚连接到集电极。
- 调节电源电压和电流表的量程，使其适合测量。
- 读取电流表上的电流值，并记录下来。
二、pnp型晶体管的测量方法：1. 材料准备：- 一个pnp型晶体管- 一个数字万用表或示波器- 一个电流表- 电阻箱- 一个电源2. 测量基极和发射极之间的电阻：- 将电源的负极连接到基极，将正极连接到发射极。
- 将电阻箱的一个端口连接到基极，另一个端口连接到发射极。
晶体管实验报告晶体管实验报告引言晶体管是一种重要的电子元件，广泛应用于各个领域。
本实验旨在通过实际操作，深入了解晶体管的工作原理、特性以及其在电路中的应用。
实验目的1. 了解晶体管的基本结构和工作原理；2. 掌握晶体管的静态特性和动态特性的测试方法；3. 理解晶体管在电路中的应用。
实验材料1. NPN型晶体管；2. 直流电源；3. 变阻器；4. 电流表；5. 电压表；6. 示波器。
实验步骤一、晶体管的基本结构和工作原理在实验开始之前，首先介绍晶体管的基本结构和工作原理。
晶体管由三个掺杂不同的半导体材料层组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区都是P型半导体，而基区是N型半导体。
当发射结和集电结正向偏置时，发射结和集电结都会导通，使得电流从发射区流向集电区。
而当发射结反向偏置时，发射结截止，晶体管处于关闭状态。
二、静态特性测试1. 搭建静态特性测试电路。
将晶体管连接到直流电源、变阻器、电流表和电压表上，确保电路连接正确。
2. 调节变阻器，改变基极电流的大小，记录集电极电流和基极电压的变化。
3. 根据实验数据，绘制集电极电流与基极电压的关系曲线，分析晶体管的静态特性。
三、动态特性测试1. 搭建动态特性测试电路。
将晶体管连接到信号源、电容器、电阻和示波器上，确保电路连接正确。
2. 调节信号源的频率和幅度，观察晶体管的输出波形。
3. 根据实验观察结果，分析晶体管的动态特性。
四、晶体管在电路中的应用1. 介绍晶体管在放大电路中的应用。
晶体管可以作为放大器，将微弱信号变为较大的信号输出。
2. 介绍晶体管在开关电路中的应用。
晶体管可以作为开关，控制电路的通断。
实验结果与分析通过静态特性测试，我们得到了晶体管的集电极电流与基极电压的关系曲线。
从曲线可以看出，当基极电压增大时，集电极电流也随之增大，符合晶体管的工作原理。
通过动态特性测试，我们观察到了晶体管在不同频率和幅度下的输出波形，可以看出晶体管具有放大信号的能力。
場效應電晶體的檢測經驗介紹（一）結型場效應電晶體的檢測1．判別電極與管型用萬用表R×100檔或R×1k檔，用黑表筆任接一個電極，用紅表筆依次觸碰另外兩個電極。
若測出某一電極與另外兩個電極的阻值均很大（無窮大）或阻值均較小（幾百歐姆至一千歐姆），則可判斷黑表筆接的是柵極G，另外兩個電極分別是源S和漏極D。
在兩個阻值均爲高阻值的一次測量中，被測管爲P溝道結型場效應電晶體；在兩個阻值均爲低阻值的一次測量中，被測管爲N溝道結型場效應電晶體。
也可以任意測量結型場效應電晶體任意兩個電極之間的正、反向電阻值。
若測出某兩隻電極之間的正、反向電阻均相等，且爲幾千歐姆，則這兩個電極分別爲漏極D和源極S，另一個電極爲柵極G。
結型場效應電晶體的源極和漏極在結構上具有對稱性，可以互換使用。
若測得場效應電晶體某兩極之間的正、反向電阻值爲0或爲無窮大，則說明該管已擊穿或已開路損壞。
2．檢測其放大能力用萬用表R×100檔，紅表筆接場效應管的源極S，黑表筆接其漏極D，測出漏、源極之間的電阻值R SD後，再用手捏信柵極G，萬用表指標會向左或右擺動（多數場效應管的R SD會增大，錶針向左擺動；少數場效應管的R SD會減小，錶針向右擺動）。
只要錶針有較大幅度的擺動，即說明被測管有較大的放大能力。
也可用圖7-16所示的測試電路來檢測結型場效應電晶體的放大能力（以N溝道場效應電晶體爲例）。
將萬用表置於10V直流電壓檔，表紅筆接漏極D，黑表筆接源極S。
調節電位器RP，看萬用表指示的電壓值是否變化。
在調節RP過程中，萬用表指示的電壓值變化越大，則說明該管的放大能力越強。
若在調節RP時，萬用表的指標變化不大，則說明該管的放大能力很小或已失去放大能力。
（二）雙柵場效應電晶體的檢測1．電極的判別大多數雙柵場效應電晶體的管腳位置排列順序是相同的，即從場效應電晶體的底部（管體的背面）看，按逆時針方向依次爲漏極D、源極S、柵極G1和柵極G2，如圖7-17所示。
实验一、晶体二极管、三极管的识别和检测一、实训目的1.学会使用指针式万用表测定并判断二极管、三极管的管脚与管子的好坏。
2.学会测定常用二极管、三极管的工作特性。
二、实训电路和工作原理1.二极管好坏的判断指针式万用表的“*”端（黑棒）为电流流出端，在测量电阻时黑棒极性为正，红棒极性为负，（参见图1.1）（万用表内部为多个电阻并联与调零电位器构成的组合电路，此处仅为示意图）。
用万用表测二极管时，通常将电阻档拨到R ×100或R ×1k 档。
一般二极管的正向（如图中（a ））电阻为几百欧，反向（如图中（b ））电阻为几百千欧。
若二极管正向电阻很小，表明二极管内部已短路。
若正反向电阻都很大，则表明二极管内部已断路。
2.三极管好坏的判断1）检测PNP 型三有极管：用指针式万用表的R*1K 档，分别测量三极管的集电结的反向电阻跟正向电阻和发射结的反向电阻跟正向电阻。
将集电结跟发射结的正反向电阻比较，如果集电结，发射结的反向电阻小于正向电阻，且集电结跟发射结的正向电阻相等，则该PNP 型三极管正常。
2）检测NPN 型三极管：用指针式万用表的R*1K 档，分别测量三极管的集电结的反向电阻跟正向电阻和发射结的反向电阻跟正向电阻。
将集电结跟发射结的正反向电阻比较，如果集电结，发射结的反向电阻大于正向电阻，且集电结跟发射结的正向电阻相等，则该NPN 型三极管正常。
3.二极管性能的测定图1.2为二极管性能测试电路。
图中R 为限流电阻，R=200Ω。
图1.1 应用指针式万用表测试二极管xR4.三极管输出特性的测试1）三极管的输出特性是指在基极电流B i 一定的条件下，()C CE i f u =的关系。
其测试电路如图1.3所示。
2）NPN 三极管9013主要参数： 集电极最大功率 /CM P mW 400 集电极最大电流 /CM I mA 500mAi/V/图1.3 二极管伏安特性曲线集电极-发射极击穿电压 ()/CEO BR U V 25 集电极-发射极穿透电流 /C E O I m A 0.5 集电极-发射极饱和电压 ()/CE sat U V 0.6 截止频率 /T f M H z 150 电流放大倍数 β 64～144 三、实训设备1.电源与仪器：直流可调稳压电源、直流电源、电压表、毫安表、微安表（或万用表的A u 档）、万用表。
怎样检测晶闸管!不同类型晶闸管的检测办法晶闸管的根本检测办法1.判别单向晶闸管的阳极、阴极和操控极脱开电路板的单向晶闸管，阳极、阴极和操控极3个引脚一般没有特别的标明，辨认各个脚首要是经过检测各个引脚之间的正、负电阻值来进行的。
晶闸管各个引脚之间的阻值都较大，当检测呈现仅有一个小阻值时，此刻黑表笔接的是操控极（G），红表笔接的是阴极（K），别的一个引脚便是阳极（A）。
2.判别单向晶闸管的好坏脱开电路板的单向晶闸管，阳极（A）、阴极（K）和操控极（G）清晰标明；正常的单向闸管，阳极（A）、阴极（K）两个引脚之间的正、反向电阻，阳极（A）、操控极（G）两个引脚之间的正、反向电阻的阻值应该都很大，阴极（K）、操控极（G）两个引脚之间的正向电阻应该远小于反向电阻。
而且阳极（A）、阴极（K）两个引脚之间的正向电阻越大，单向晶闸管阳极的正向阻断特性越好;反向电阻越大，单向晶闸管阳极的反向阻断特性越好。
3.判别双向晶闸管的好坏脱开电路板的双向晶闸管，榜首电极（T1）、第二电极（T2）、操控极（G）清晰。
判别双向晶闸管的好坏，首要是看短路前第二电极（T2）和榜首电极（T1）之间阻值挨近无穷大，第二电极（T2）与操控极（G）引脚短路，短路后晶闸管触发导通，第二电极（T2）·和榜首电极（T1）之间的电阻变小，有固定值。
能够判定该双向晶闸管具有双向触发才能，功能根本杰出。
4.晶闸管的代换准则晶闸管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，选用不同类型的晶闸管。
选用与代换晶闸管时，首要应考虑其额外峰值电压、额外电流、正向压降、门极触发电流及触发电压、开关速度等参数，额外峰值电压和额外电流均应高于作业电路的最大作业电压和最大作业电流1.5～2倍，代换时最好选用同类型、同特性、同外形的晶闸管替换。
一般晶闸管一般被用于交直流电压操控、可控整流、沟通调压、逆变电源，开关电源维护等电路。
双向晶闸管一般被用于沟通开关、沟通调压、沟通电动机线性凋速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路。
晶体管功放安全检修法高保真OCL、OTL功放电路，前级多采用差分放大输入，末级采用互补大功率对管输出，前后级之间直接耦合。
由于采用多管直接耦合，一旦某只元件变质或损坏，会造成整个电路工作点的改变，轻则导致声音小而失真，重则造成元器件大面积损坏，甚至烧毁扬声器系统。
根据维修经验，晶体管功放故障，大多是末级大功率对管击穿，当一管损坏时，由于采用多管直接耦合，会造成元件大面积损坏。
在检修此类功放时，如果故障元件排除不彻底，通电试机时往往引起故障再次发生，造成新更换的器件再次损坏。
笔者在检修实践中总结了一种安全检修方法，下面以常见OCL功放末级电路为例介绍给大家，如图1所示。
一、仔细测量，尽量查出和更换全部损坏元件引发重复损坏元件的原因是故障元件排查不彻底，因此维修晶体管功放，必须在全部排除和更换故障元件后，方能通电试机。
为了查找到全部损坏元件，可采取以下措施：1．精通功放电路结构，做到心中有数经常学习，了解常见的晶体管功放电路的结构，特别是末级互补大功率电路的结构(常见的末级互补功率输出电路如图1所示)。
没有电路图时，要对照实物画出功放部分原理图，弄清电路的工作原理和元器件参数。
2．用电阻测量法，围绕损坏的大功率管，查找损坏元件用电阻测量法对电路中可能损坏的元件进行一次在路测量，特别是与损坏的大功率管有关联的推动级、前置放大电路。
力争全部找出损坏元器件。
立体声功放电路常见故障只有一路功放电路损坏，如果对损坏的元件型号和参数不确定，可与没有损坏的另一路相同部位测量结果进行比较，或查阅另一路同一位置的元件型号和参数。
3．数字和指针式万用表兼用，提高测量精度测量电阻时用数字表。
由于数字表内阻大，向被测电路提供的电流小，不会使二极管、三极管的PN结导通，相当于开路，可减小对电阻测量的影响。
测量晶体管时用指针表。
测量PN结正向电阻时用R×1挡，既可向PN结提供较大的正向电流，检查其正向特性，又可减小在路其他元件对测试的影响。
晶体检波器的校准及阻抗测量实验心得
晶体检波器的校准及阻抗测量实验是电子技术实验中非常重要的一个环节，它可以帮助我们了解晶振的基本特性和性能，从而更好地应用在实际的电路设计中！
在进行晶体检波器的校准及阻抗测量实验时，需要注意以下几点：
1、准备工作：首先需要准备好晶检波器、信号发生器、示波器等实验仪器，并对这些仪器进行正确的连接和设置。
2、校准：在校准过程中，需要将晶检波器与信号发生器相连，然后使用标准频率源对晶检波器进行校准。
具体操作方法可以参考晶检波器的使用说明书。
3、阻抗测量：在阻抗测量过程中，需要将晶检波器与示波器相连，然后通过示波器观察晶检波器的输出信号，从而计算出晶检波器的阻抗值。
4、结果分析：根据测量结果，可以对晶检波器的性能进行评估和分析，例如确定晶检波器的频率精度、稳定性等指标。
总之，在进行晶体检波器的校准及阻抗测量实验时，需要仔细阅读相关的实验手册和操作指南，严格按照操作步骤进行实验，以确保实验结果的准确性和可靠性。
同时，还需要不断积累实践经验，加深对晶检波器的理解和掌握。
晶体管的简单快速测试法
许多电子爱好者、修理部、门市部、工厂废品库都存有大量各种极性和型号的晶体管，不知其好坏，即不知道能否业余使用；也不知极性是PNP或NPN；有的虽有标记，却是国外的，从型号上也分辨不出极性和种类。
下图电路是晶体管测试仪电路中最简单而测量速度最快的一种。
BG1是NPN管，BG2是PNP管。
两只晶体管组成一个互补音频振荡器。
电阻R的阻值决定音调的高低，选择合适的阻值，使电路产生最悦耳的音调频率。
两只晶体管用插座接入电路（可用一只小型七脚电子管管座）。
先用已知良好的两只不同极性的晶体管插入管座，使电路正常工作。
鉴别未知管时，拔下一只已知管如PNP管，就可鉴别PNP管。
插入一只未知管，如扬声器中无振荡声，表明刚插入的管子是坏的或者是NPN管（极性不对），待所有的好PNP管挑选出以后，再将振荡器上的已知NPN管拔下，把原来拔下的已知PNP管插回原处，把上面挑剩下的管子(扬声器不发声）再测试一遍，分出NPN 管和坏管。
当挑选电视机用的晶体管时，最好将电源电压升到12 ~15V，这样更符合电视机中晶体管的实际工作状态，提高所选管子的上机百分率。
需要指出的是，这里介绍的方法只能判断被测管极性和是否有放大能力。
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一）晶体管材料与极性的判别
1．从晶体管的型号命名上识别其材料与极性国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A~ D表示晶体管的材料和极性。
其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母A~D来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。
其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。
通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料（不表示NPN或PNP 型极性）。
其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。
2．从封装外形上识别晶体管的引脚在使用权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。
通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3．用万用表判别晶体管的极性与材料对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于一般小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。
在测量中会发现：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。
此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）连接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和发射极E。
若基极接的是红表笔，则该管为PNP管；若基极接的是黑表笔，则该管国NPN管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分别接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为发射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。
通常，正向电阻值较大的电极为发射极E，正向电阻值较小的为集电极C。
PNP型晶体管，可以将红表笔接基极B，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极C；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极E。
NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。
用红表笔去分别接触另外两个引脚。
在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极C；在阻值较大一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极E。
通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可判断出晶体管的材料（区分出是硅管还是锗管）及好坏。
一般锗管PN结（B、E极之间或B、C极之间）的正向电阻值为200~500Ω，反向电阻值大于100kΩ；硅管PN结的正向电阻值为3~15kΩ，反向电阻值大于500kΩ。
若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该管已击穿或开路损坏。
（二）晶体管性能的检测
1．反向击穿电流的检测
普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E
与集电极C之间的电阻值来估测。
测量时，将万用表置于R×1k档，NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。
正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ（用R×10档测）以上。
硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ（用R×10k档测），实测值一般为500kΩ以上。
若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大；若测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。
若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。
也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。
测试时，先将h FE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。
2．放大能力的检测
晶体管的放大能力可以用万用表的hFE档测量。
测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、
B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分别与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的放大倍数。
若万用表无hFE档，则也可使用万用表的R×1k档来估测晶体管放大能力。
测量PNP管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极E，红表笔接晶体管的集电极C，再在晶体管的集电结（B、C极之间）上并接1只电阻（硅管为100kΩ锗管为20 kΩ），然后观察万用表的阻值变化情况。
若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。
若万用表指针不变或摆动幅较小，则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。
测量NPN管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C，红表笔接晶体管的发射极E，在集电结上并接1只电阻，然后观察万用表的阻值变化情况。
万用表指针摆动幅度越大，说明晶体管的放大能力越强。
也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量放大能力。
测量时，先将测试表的h FE/ICEO档置于hFE–100档或hFE–300档，选择晶体管的极性，将晶体管插入测试孔后，按动相应的hFE键，再从表中读出hFE值即可。
3．反向击穿电压的检测
晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V（BR）测试功能来测量。
测量时，先选择被测晶体管的极性，然后将晶体管插入测试孔，按动相应的V（BR）键，再从表中读出反向击穿电压值。
对于反向击穿电压低于50V的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测试。
将待测晶体管VT的集电极C、发射极E与测试电路的A端、B端相连（PNP 管的E极接A点，C极接B 点；NPN管的E有接B点，C极接A点）后，调节电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。
（三）特殊晶体管的检测
1．带阻尼行输出管的检测
用万用表R×1档，测量发射结（基极B与发射极E之间）的正、反向电阻值。
正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20~50Ω。
用万用表R×1k档，测量行输出管集电结（基极B与集电极C之间）的正、反向电阻值。
正常时，正向电阻值（黑表笔接基极B，红表笔接集电极C）为3~10kΩ，反向电阻值为无穷大。
若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表R×1k档，测量行输出管C、E极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6~7 kΩ），反向电阻值为无穷大，若测得C、E极之间的正反向电阻值均很小，则是行输出管C、E极之间短路或阻尼二极管击穿损坏。
若测得C、E极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。
带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与普通晶体管相同。
带阻尼行输出管的放大能力（交流电流放大系数β值）不能用万用表的hFE档直接测量，因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。
测量时可在行输出管的集电极C 与基极B之间并接1只30 kΩ的电位器，然后再将行输出管各电极与hFE插孔连接。
适当调节电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。
2．带阻晶体管的检测
因带阻晶体管内部含有1只或2只电阻器，故检测的方法与普通晶体管略有不同。
检测之前应先了解管内电阻器的阻值。
测量时，将万用表置于R×1k档，测量带阻晶体管集电极C与发射极E之间的电阻值（测N PN管时，应将黑表笔接C极，红表笔接E极；测PNP管时，应将红表笔接C极，黑表笔接E 极），正常时，阻值应为无穷大，且在测量的同时，若将带阻晶体管的基极B与集电极C之间短路后，则应有小于50kΩ的电阻值。
否则，可确定为晶体管不良。
也可以用测量带阻晶体管BE极、CB极及CE极之间正、反向电阻值的方法（应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响）来估测晶体管是否损坏。
3．光敏三极管的检测
光敏三极管只有集电极C和发射极E两个引脚，基极B为受窗口。
通常，较长（或靠近管键的一端）的引脚为E极，较短的引脚的C极。
达林顿型光敏三极管封装缺圆的一侧为C极。
检测时，先测量光敏三极管的暗电阻：将光敏三极管的受光窗口用黑纸或黑布遮住，再将万用表置于R×1k档。
红表笔和黑表笔分别接光敏三极管的两个引脚。
正常时，正、反向电阻均为无穷大。
若测出一定阻值或阻值接近0，则说明该光敏三极管已漏电或已击穿短路。
测量光敏三极管的亮电阻：在暗电阻测量状态下，若将遮挡受光窗口的黑纸或黑布移开，将受光窗口靠近光源，正常时应有15~30kΩ的电阻值。
则说明光敏三极管已开路损坏或灵敏度偏低。
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