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双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化 2,触发导通 在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA 段左移，IGT越大，特性左移越快。
TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 (第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。
因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。
双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN 结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理1。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2.此时,电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2.这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT.在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上,加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大,特性左移越快。
TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC（TRI-ELECTRODE AC SWITCH）为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅. TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 （第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极)和G（控制极）亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switch）是一种常用的半导体器件，它具有双向导通的特性，可以在两个方向上控制电流的流动。
在电子电路中，双向可控硅常用于交流电的控制和开关电路中。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由两个PN结组成，其中一个PN结正向偏置，另一个PN结反向偏置。
当双向可控硅的正向电压超过其额定触发电压时，正向PN结会发生击穿，形成一个电流通路，此时双向可控硅处于导通状态。
当正向电压降低到一定程度时，正向PN结会恢复正常，双向可控硅进入封锁状态，不导电。
双向可控硅的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 初始状态：双向可控硅处于封锁状态，两个PN结都没有击穿，不导电。
2. 正向触发：当正向电压超过双向可控硅的额定触发电压时，正向PN结会发生击穿，形成一个电流通路。
此时，双向可控硅进入导通状态，电流可以从正向PN结流向负向PN结。
3. 反向触发：当反向电压超过双向可控硅的额定触发电压时，反向PN结会发生击穿，形成一个电流通路。
此时，双向可控硅同样处于导通状态，电流可以从负向PN结流向正向PN结。
4. 关断状态：当正向电压降低到一定程度时，正向PN结恢复正常，双向可控硅进入封锁状态，不导电。
同样地，当反向电压降低到一定程度时，反向PN结恢复正常，双向可控硅同样进入封锁状态，不导电。
二、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下所示：```+---|>|---|<|---+| |+---|<|---|>|---+```在原理图中，上方的箭头表示正向电流的流动方向，下方的箭头表示反向电流的流动方向。
双向可控硅由两个PN结组成，其中一个PN结正向偏置，另一个PN 结反向偏置。
通过控制正向电压和反向电压的大小，可以实现对双向可控硅的导通和封锁状态的控制。
三、双向可控硅的应用双向可控硅在电子电路中有广泛的应用。
以下是几个常见的应用场景：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如调光灯、电动窗帘等。
晶闸管和双向可控硅应用规则闸流管闸流管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
导通让门极相对阴极成正极性，使产生门极电流，闸流管立即导通。
当门极电压达到阀值电压VGT ，并导致门极电流达到阀值IGT，经过很短时间tgt（称作门极控制导通时间）负载电流从正极流向阴极。
假如门极电流由很窄的脉冲构成，比方说1μs，它的峰值应增大，以保证触发。
当负载电流达到闸流管的闩锁电流值 I L 时，即使断开门极电流，负载电流将维持不变。
只要有足够的电流继续流动，闸流管将继续在没有门极电流的条件下导通。
这种状态称作闩锁状态。
注意，VGT ，IGT和IL参数的值都是25℃下的数据。
在低温下这些值将增大，所以驱动电路必须提供足够的电压、电流振幅和持续时间，按可能遇到的、最低的运行温度考虑。
规则 1 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧I GT ，直至负载电流达到≧I L 。
这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。
灵敏的门极控制闸流管，如 BT150，容易在高温下因阳极至阴极的漏电而导通。
假如结温 T j 高于 T jmax , 将达到一种状态，此时漏电流足以触发灵敏的闸流管门极。
闸流管将丧失维持截止状态的能力，没有门极电流触发已处于导通。
要避免这种自发导通，可采用下列解决办法中的一种或几种：1. 确保温度不超过Tjmax。
2. 采用门极灵敏度较低的闸流管，如BT151，或在门极和阴极间串入1kΩ或阻值更小的电阻，降低已有闸流管的灵敏度。
3. 若由于电路要求，不能选用低灵敏度的闸流管，可在截止周期采用较小的门极反向偏流。
这措施能增大IL。
应用负门极电流时，特别要注意降低门极的功率耗散。
截止（换向）要断开闸流管的电流，需把负载电流降到维持电流 I H 之下，并历经必要时间，让所有的载流子撤出结。
在直流电路中可用“强迫换向”，而在交流电路中则在导通半周终点实现。
（负载电路使负载电流降到零，导致闸流管断开，称作强迫换向。
双向可控硅的⼯作原理双向可控硅的⼯作原理BT137 800E 8A 800V TO-220中间为阳极A，左边为阴极K，右边为控制极GBTA41 800B 41A 800V TO-3P左边为阳极A，中间为阴极K，右边为控制极GBTA24-1200B左边为阳极A，中间为阴极K，右边为控制极G可调电炉原理：从中间阳极A进，通过电阻，从电位器下进，中间出，（1、进⼊电容。
2、进另⼀电阻，⾄控制极G，控制阴极输出）。
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由⼀个PNP管和⼀个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放⼤状态。
此时，如果从控制极G输⼊⼀个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放⼤，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放⼤，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流⼜流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增⼤，如此正向馈循环的结果，两个管⼦的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作⽤，所以⼀旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作⽤，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种⼯作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要⼀定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加⼊正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空⽳时⼊N2区，N2区的电⼦进⼊P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作⽤（见图2）的基础上，加上IGT的作⽤，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越⼤，特性左移越快。
⼀、可控硅的概念和结构？晶闸管⼜叫可控硅。
⾃从20世纪50年代问世以来已经发展成了⼀个⼤的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
双向可控硅详解双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作晶闸管。
这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
因此，它被广泛应用于各种电器调速、调光、调压、调温以及各种电器过载自动保护等电子电路中。
双向可控硅的外型及内部结构从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。
但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。
它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。
它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。
双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。
目前市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列如下图1所示。
双向可控硅的电路符号如图2所示。
双向可控硅的外形结构和普通可控硅没有多大区别，几十安以下的，则通常采用图1所示塑封外形结构。
几十安到一百余安电流大小的则采用螺栓型；额定电流在200安以上的一般都是平板型的；从内部结构来看，双向可控硅是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件，见图3(a)。
为了便于说明问题，我们不妨把图3(a）看成是由左右两部分组合而成的，如图3(b)。
这样一来，原来的双向可控硅就被分解成两个P—N—P—N型结构的普通可控硅了。
如果把左边从下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的话，那么右边从下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成为反向，它们之间正好是一正一反地并联在一起。
我们把这种联接叫做反向并联。
因此，从电路功能上可以把它等效成图3(c)，也就是说，一个双向可控硅在电路中的作用是和两只普通可控硅反向并联起来等效的。
双向可控硅开关电路电路显示使用的三端双向可控硅开关作为简单的静态AC电源开关，提供与先前DC电路类似的“ON” - “OFF”功能。
当开关SW1打开时，三端双向可控硅作为开路开关，灯泡通过零电流。
当SW1闭合时，三端双向可控硅通过限流电阻R接通“ON”，并在每个半周期开始后不久自锁，从而将全功率切换到灯负载。
由于电源为正弦交流，三端双向可控硅开关在每个交流半周期结束时自动解锁，因为瞬时供电电压因此负载电流暂时降至零，但再次使用只要开关保持闭合，下半个周期就会有相反的晶闸管半。
这种类型的开关控制通常被称为全波控制，因为正在控制正弦波的两半。
由于三端双向可控硅实际上是两个背对背连接的SCR，我们可以通过修改如何触发门来进一步采用此三端双向可控硅开关电路。
修改后的三端双向可控硅开关电路如上所述，如果开关SW1在位置A处打开，则没有门电流且灯泡为“OFF”。
如果开关移动到位置B，则栅极电流在每半个周期流动，与之前相同，并且当三端双向可控硅开关以Ι+模式工作时，灯会汲取全功率。
ΙΙΙ-。
但是，当开关连接到C位置时，当MT2为负时，二极管将阻止触发门控因为二极管是反向偏置的。
因此，三端双向可控硅仅在仅在模式I +下工作的正半周期上导通，并且灯将以半功率点亮。
然后根据开关的位置，负载Off，Half Power或Full ON。
三端双向可控硅相位控制另一种常见类型的三端双向可控硅开关电路使用相位控制来改变电压量，从而改变输入波形的正半部和负半部的负载（在本例中为电机）的功率。
这种类型的交流电机速度控制提供完全可变的线性控制，因为电压可以从零调整到完全施加的电压，如图所示。
三端双向可控硅相位控制这个基本相位触发电路使用三端双向可控硅开关与电动机串联，交流正弦电源。
可变电阻器VR1用于控制三端双向可控硅开关的栅极上的相移量，进而通过在AC周期的不同时间将其接通来控制施加到电机的电压量。
三端双向可控硅开关的触发电压来自VR1 - C1组合，通过Diac （双向可控硅是双向半导体器件，有助于提供尖锐的触发电流脉冲以完全接通三端双向可控硅开关。
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Controlled Silicon, BCT）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
它具有双向导通特性，可以在正向和反向电压下控制电流的导通和截止。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由四个层状结构的半导体材料构成，分别是P型半导体（P），N 型半导体（N），P型半导体（P）和N型半导体（N）。
其中，两个P型半导体层分别与两个N型半导体层形成PN结。
在正向电压作用下，当P1区域施加正向电压，P1-N1结处于正向偏置状态，电子从N1区域注入到P1区域，形成电流。
同时，P2-N2结处于反向偏置状态，电子不能从N2区域注入到P2区域，无法形成电流。
此时，双向可控硅处于导通状态。
在反向电压作用下，当P2区域施加反向电压，P2-N2结处于反向偏置状态，电子从P2区域注入到N2区域，形成电流。
同时，P1-N1结处于正向偏置状态，电子不能从P1区域注入到N1区域，无法形成电流。
此时，双向可控硅处于截止状态。
双向可控硅的导通与截止状态可以通过控制终端之间的触发电压和触发电流来实现。
当触发电压和触发电流达到一定的阈值时，双向可控硅将从截止状态切换到导通状态。
当触发电压和触发电流降低到一定的阈值时，双向可控硅将从导通状态切换到截止状态。
二、双向可控硅的原理图下图为双向可控硅的原理图示意图：```+---|>|---|<|---+| |+---|<|---|>|---+```其中，箭头表示PN结的方向。
在实际电路中，双向可控硅通常由两个PNP型晶体管和两个NPN型晶体管组成。
在原理图中，上方的PNP型晶体管与下方的NPN型晶体管共同构成一个双向可控硅。
当上方的PNP型晶体管的基极接收到正向触发电压时，PNP型晶体管将导通，形成正向电流。
当下方的NPN型晶体管的基极接收到反向触发电压时，NPN型晶体管将导通，形成反向电流。
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。
又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
1、可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
见图1。
它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
2、工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则 1，正确触发 要打开一个双向可控硅开，栅极驱动电路必须提供一个“活力”的栅极电流来保证快速有效的触发。 栅极电流的振幅： 门极电流（IG）要比指定的最大门触发电流高得多(IGTmax)。此参数是温度Tj = 25度时给定的。 在较低的温度下，用曲线表现为门极触发电流随温度的相对变化。设计预期的最低工作温度的栅极驱动。高IG值提供了一个高效触发（看§2）。 作为一个实际的原则，我们建议：
门电路的设计：
这里： VDD (min) = minimum value of the power supply VDD(最小)=电源电压的最小值 VOL = output voltage of the microcontroller (at 0 logic level) VOL=微处理器的输出电压 VG = voltage across the gate of the triac. Take the specified VGT. 在双向晶闸管的栅极电压。采取指定的VGT
IG = required gate current (IG > 2. IGT max) 所需的栅极电流 栅极电流持续时间： （对于ON-OFF开关） 脉宽的操作可以明显的降低栅极驱动功耗。 采用栅电流Ig直到负载电流达到闭锁电流（IL） 建议使用连续的栅极直流电流，避免流过的负载电流(IT < 50 or 100 mA)低于维持电流和擎住电流而引起电流的不连续性。 象限： 在新的项目中，为了是双向可控硅高性能运行，应避免在第4象限工作，仅在指定的1、2、3象限。 2，平滑导通 当可控硅导通，确保了通态电流上升率不超过规定的最高值。例如在有缓冲网络跨接在双向可控硅时，在电容放电的情况下，检查这一点是非常重要的。 如果di / dt的超过规定值，然后栅区周围的电流密度过高时，产生过热。高重复性的di / dt可能引起硅晶片的逐步退化，引起栅极电流的增加和阻断能力的丧失。 在大多数情况下开关零电压大大降低了通态di / dt和浪涌电流。 提醒： &一个强大的栅极电流提高了可控硅的di / dt的能力，并提高通态的换向的可靠性：IG >> IGT (at least 2 or 3 times IGT max，至少2或3倍IGT max)。 &在三端双向可控硅跨接有RC网络的情况下，串联电阻的值必须足以限制通过双向可控硅的峰值电流和di / dt。 我们推荐：
*在门极两端不要使用电容。 该电容显著降低di / dt的能力，此外，这种电容并不能改善静态dv / dt特性。 图2 为了尽量减少在打开时的di / dt的应力： R必须是大于47Ω更高； 不能并接栅极电容（CGK） 3，导通状态可靠工作 控制持续结温 Tj < Tj max specified（指定最大结温） 在任何时刻，关键是要知道流过器件的电流，和因此而产生的功耗。 功耗评估（P）： &通过数据手册给定的P = f(ITRMS)曲线。 &由下面的公式计算最大耗散功率：
这里：Vto = threshold voltage of on-state V (refer to the datasheet) characteristic Vto是导通状态的电压阀值特性（参考数据手册） Rd = dynamic on-state resistance (refer to the datasheet) Rd是通态动态电阻（参考数据手册） ITRMS = current through the triac ITRMS=通过可控硅的电流
无散热器的操作： 三端双向可控硅是在印刷电路板上直接安装没有任何冷却装置。
这里： Tamb是最大环境温度； Rth(j-a)是规定的结到环境的热阻（参考数据手册） P是双向可控硅导通时的耗散功率 在这些条件下，可控制负载电流低于2安培。
有散热器时的操作：
在这里：Tamb是最大环境温度； Rth(j-c)是结到壳的热阻(参考数据手册)； Rth(c-hs)是外壳到散热器的热阻； 例如：对于TO-220封装的Rth（C-HS）≤0.5℃/W(（导热硅脂) Rth(hs)是散热器的热阻； P是可控硅导通时的耗散功率； 4，安全关闭 为了保证安全关闭操作（无重复触发的风险），首先以通过应用电路的最大(dI/dt)c来选择元件。 1——标准可控硅与灵敏可控硅的情况： 监测(di/dt)c是不够的。在电感负载情况下，必须用RC缓冲网络把重复(dV/dt)c的值限制在规定的值（看图3）。 图3 (dV/dt)c限制于缓冲
最大允许值的范围一般是1 to 20 V/μs（参考数据手册） RC的实际计算关系式： 这里： Va是可控硅关断后的线电压(Va = VM . sinφ). L是负载电感 (dV/dt)c是规定的最小值 2——无缓冲双向可控硅的情况 仅检查最大的(dI/dt)c指定值。换向性能没有给出(dV/dt)c限制。必须是没有RC网络。
温馨提示： 当电流为正弦波（一般情况下）时的(dI/dt)c是：
这里： ITRMS是通过负载的RMS; F是电源频率。 在50HZ，(dI/dt)c是：
示例：对于一个8 A RMS正弦电流通过负载，在断态的电流下降速率是：(dI/dt)c = 3.5 A /ms； 注意： 在非正弦波情况下，在应用电路中必须仔细测量(dI/dt)c，以便选择合适的可控硅。 在通用电机或通过桥式整流驱动感性负载的情况下，要特别注意。 3——晶闸管的情况下 可控硅的导通之后，延迟时间（TQ）在晶闸管（即SCR连接在整流桥之后的情况下）再次加直流电压之前，还得保持。当然，如果重新施加负电压时，可控硅能够在安全地自然关断。 另一方面，如果电压是正的，而且是过早或过快（dV / dt）C地重新上电，那么，晶闸管可能自行导通。
对标准晶闸管来说，这种延迟一般大约50μs；而非常敏感的可控硅这个延迟时间，可达到200μS。 如果延迟时间TQ不能延长，电压斜率（dV / dt）C可以用缓冲网络来减小。 注意，TQ延迟时间还取决于电源关断时，电流下降的斜率（di / dt）C，电流下降斜率（di / dt）C越大，延迟时间TQ越长。
5，保持阻塞下的控制 1——最大断态电压 横跨三端双向可控硅的电压必须始终比指定的最大阻断电压低：正常操作电压VDRM /VRRM和瞬态过压VDSM / VRSM。 双向可控硅技术是在最大额定电压(VDRM / VRRM)下可靠操作的。超过这个值，会引起可控硅不可逆的阻断能力下降。 而且，如果在可控硅电压达到击穿电压(VBO)，器件将导通。在大多数应用中，开关上的过电压会对双向晶闸管产生危险结果。事实上，这样的触发是不受控制，由于高的瞬时耗散功率不是均匀的分布在结，因此会产生过热。在一些极端的情况下，由于高di / dt，三端双向可控硅失效短路。 A, 保护免受外部瞬变。 可控硅必须要保护，避免承受叠加在电源电压上的过电压。使用钳位器件（Transil二极管或压敏电阻）横跨三端双向可控硅提供额外的保护，通常在设备的线路输入端使用电源钳位和滤波级来实现。 B，关断时防止过压（防止过压关断） 小的负载，如继电器线圈或高度感性阀门。当三端双向可控硅关断，负荷相当于一个电流发生器，提供保持电流（IH）。这个电流的中断产生的过电压可能横跨三端双向可控硅使其达到危险水平。我们建议通过VDR（压敏电阻）或RC网络，限制这些尖峰，使其低于VRSM/ VDSM。 2——消除不必要的触发风险。 杂散触发只能发生的原因如下： 高的dV/dt作用于可控硅 控制栅噪声 阻断能力丧失 超压 A,作用于可控硅的dV/dt 双向可控硅可以通过施加超过规定值较高的dV / dt来开启（静态dV/dt）。由于设备换向而来的快速瞬变的情况下（特别是机械开关）或从电源来的尖峰。有必要使用RC网络（缓冲网络） 对于RC值计算的实际关系： dV/dt是指定的最大值 图4 针对静态dV/dt保护
注意： 对于纯阻性负载，附加一个小电感是必要的 现有的钳位器件是用来避免过电压，但它们并不限制dV / dt。 对于一个三端双向可控硅，一个电阻并联连接在栅极（RGK）不会大幅度提高DV / dt的性能。 B，门噪声 如果在栅极上的电压保持低于指定VGD，三端双向可控硅保持在阻断状态（参考数据手册） 另一方面，通常指定一个最小触发电流（IGT最小），不可能把三端双向可控硅打开。 栅极端子是低阻抗电路（敏感器件小于1K或其他大约在100欧），所以设计驱动电路时，只要遵守一般规则，通过使用去耦和滤波很容易实现这些值。 避免直接在栅极连接滤波电容（看章节2） C，阻断能力的丧失 双向可控硅能自发的开-关： 在关断状态，如果结温过高而超过规定的最大值。在这种情况下，泄漏电流达到几毫安有热失控和双向晶闸管的失效风险：设置适当的冷却（看章节3）。 导通后，如果导通状态到关闭状态不满足换向的条件：超出(dI/dt)c或(dV/dt)c的条件，或结温度过高（看节4）. D,超压 如果可控硅两端的电压超过VDSM or VRSM的值-即使是瞬时的-设备将导通: 有效的钳位电路是必需的(看节5).
总结： 开发一个新的电路时，如本文所述，要充分利用性能和今天的双向可控硅的可靠性，设计人员必须应用一些简单的规则。 灾难性故障的风险可以通过下电流（di/ dt）的低速率增加，通过实施有效的过电压保护，以避免击穿发射打开可控硅上被淘汰。 长续航时间将得到保证得益于严格的监控通过选择合适的可控硅的额定电流方面取得的结温（预计最坏的情况下），通过设计一个高效率的冷却。
