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模拟电子技术课件第2 微变等效电路法

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2.3放大电路的分析方法之二(微变等效电路法)

2.3放大电路的分析方法之二(微变等效电路法)

0
RO
IO
0
Ui Ri Rb // rbe Ii Ro Rc 3k
（2）
Ri 510 // 1.33 1.33k
Ri us Uo Ui Uo A Au s U Us Ui Rs Ri
Aus 1.33 ( 90 ) 36 2 1.33
ICQ IBQ 80 0.022 mA 1.77mA （ )
UCEQ VCC ICQRc (12 1.77 3)V 6.69 V
UCEQ大于UBEQ，说明Q点在晶体管的放大区。
UT rbe rbb ICQ
26 (150 80 ) 1.77 1.325 1.33k
2. 求静态工作点处的rbe的值； 3. 画出微变等效电路。可先画出三极管的等效模型， 然后画出放大电路其他部分的交流通路； 4. 列出电路方程求解。
画出交流等效电路如下：
I CQ I BQ
Uo Ic( Rc // RL) Ib( Rc // RL) Ui Ibrbe
Uo RL' u A Ui rbe
( RL' Rc // RL)
u 80 3 // 3 90 A 1.33
I CQ I BQ
（1）求出电路的Au、Ri和Ro;
（2）若所加信号源内阻为 Uo Rs，求出 Aus ? s U
解: (1)首先求出Q点和rbe，再求出Au、Ri和Ro。
VCC UBEQ 12 0.7 IBQ mA 0.022 mA 22.2A Rb 510
RS
I
Ib
U
RC
Rb
Re
(1 ) Ib

模拟电子技术第二章

模拟电子技术第二章

电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表 示，如图：
ui
Au
uo
放大电路放大的本质是能量的控制和转换。
放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下 放大才有意义。
2021/4/11
3
2.1.2.放大电路的性能指标
放大电路示意图
图2.1.2放大电路示意图
2021/4/11
4
一、放大倍数
表示放大器的放大能力
VCC
U BEQ Rb
(12 0.7 )mA 40 μA 280
做直流负载线，确定 Q 点
根据 UCEQ = VCC – ICQ Rc iC = 0，uCE = 12 V ； uCE = 0，iC = 4 mA .
2021/4/11
T
22
iC /mA
4 3 2 1 0
80 µA
60 µA
静态工作点 40 µA
U i →△uBE →△iB
→△iC（b△iB）
VBB
→△uCE（-△iC×Rc）
UI
→
•
Uo
+VCC （ +12V）
RC
IC +△IC
IB
B Rb 1
+△I B
3C ET2
U CE
U BE +△UBE
+△U CE
+
UO
-
电压放大倍数：
•
•
Au
Uo
•
Ui
2021/4/11
13
+VCC （+12V）
iC / mA
4
交流负载线 80
60
IC
Q
iC 2

模拟电子技术2.4(1)等效电路法.ppt

模拟电子技术2.4(1)等效电路法.ppt

0.81V
Au
UOL Ui
UOL UOC
UOC Ui
Ao
UOL UOC
Ao
RL Ro RL
90
带负载后放大倍数下降。
例题2:
已知:VCC=12V，Rb=510K，RC=3K；晶体管的rbb`=150， β=80，UBEQ=0.7V，RL=3K，耦合电容对交流信号视为短路。
Rb
_+
Rs
c1
u+_s
Rc Rb rbe
带上负载后电压放大倍数减小。
输入电阻：
Ri
Ui Ii
Rb
rbe
计算输出电阻Ro有两种方法：
（1）将负载RL去掉，信号源短路，保留其内阻；在输 出端加正弦信号Uo，产生电流Io，Ro= Uo/ Io.
Ii Rb +
b Ib +
Ib=0
ui
ube
rbe βIb
_
_
e
Ic c Ic=0
RS +
ui Rb
ube
US_ _
_
rbe βIb
e
交流等效电路
+
RC RL uo
_
R i R b//rbe
RO RC
R i RS R b//rbe ×
R o R C // RL ×
输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载无关。
•
• Aus
Uo •
Us
• ••
•
• Aus
Uo • Us
Uo • Ui
Rs
+
u_s
+Vcc
Rc
+
Rs
RL

模拟电子技术课件第2 讲.ppt

模拟电子技术课件第2 讲.ppt

i
R f 1
v R3
R2I f
R2 R1
vs
R'
+
vo
I3=I4+If
VR3 V0 VR3 VR3
R3
R2
R4
Avvfo vv-soR2R-3R2RRR312RR44RR12RRR42.3 基本线性运算放大器
2.3.2 反相放大电路
vR3
2. T型反馈网络
例.1)求Av表达式
第2章 运算放大器
上 讲回 顾 • 电子系统与信号 • 模拟信号与数字信号 • 电压信号与电流信号 • 输出电压与输出电流 • 等效电路 • 电路指标
1
第2章 运算放大器
2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性放大电路 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其它应用 2.5 SPICE仿真例题
vP
-
v+-NN
vI
-
_
＋VCC
ri _Av0vI+ r0
-VCC
+
v0
2.2.2 理想运放的开环传输特性
当vP＞vN时，V0=+V0m 当vP＜vP时，V0=-V0m
v0
+V0m
vI＝vP-vN
-V0m
8
2.2理想集成运算放大器
2.2.3 结论
1.开环理想运放的动态范围近似为零;
2.集成运放工作在线性区的必要条件: 接成负反馈
)vs
Avf
v o
vs
1 Rf R1
若Rf=0，R1=∞
v o
vs
12
2.3 基本线性运算放大器
2.3.1 同相放大电路

第二章电路的等效变换精品PPT课件

第二章电路的等效变换精品PPT课件

④功率
p1=R1i2， p2=R2i2，， pn=Rni2
p1: p2 : : pn= R1 : R2 : :Rn
总功率
表明
p=Reqi2 = (R1+ R2+ …+Rn ) i2 =R1i2+R2i2+ +Rni2 =p1+ p2++ pn
① 电阻串联时，各电阻消耗的功率与电阻大小成正比； ② 等效电阻消耗的功率等于各串联电阻消耗功率的总和。
OUT1A 1 OUT1B 21 OUT2A 2 OUT2B 5
23
220V~
直流 9V
5V稳压模块 DC +5V
100nF
3 IN OUT 2 GND OUT 4
1
10uF
22uF
14 RC1
22
L6219DS
3
12 RC2 6
4 7 18 19
电源电路
主控电路
电 路 理 论 分析
问题：变压器、电池为什么都满足手 机要求？
即：若 f1(i)= f2(i) ，则两个二端网络等效。
电 路 理 论 分析
等效变换：若两个二端网络等效，则可以用一个网络 替换另一个网络，称为网络的等效变换。
等效的网络可以为有源网络，也可为无源网络
对A电路(外电路）中的
电 路 理 论 分析
明确
对外等效，对内不等效
电 路 理 论 分析
电 路 理 论 分析
③ 串联电阻的分压
uk RkiRk RueqR Rekquu
串联同流,正比分压
例 两个电阻的分压：
u1
R1
R1 R2
u
u2
R2 R1 R2

《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1：试求输出电压uo。
－12V
解：两个二极管存在优先 导通现象。
R
D1 －5V
D2 0V
D2导通，D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2：试画出电压uo的波形。
EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称 禁带宽度 （Si：1.21eV，Ge：0.785eV）；
T=300K时，本征半导体中载流子的浓度比较低， 导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3
章目录 上一页 下一页
二、杂质半导体
掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按 掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、 离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本 的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力，可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和 锗Ge，它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时，稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路：
D1
u
符号：
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
（1）稳压值UZ；
（2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效

模拟电路基础第二章微变等效电路

模拟电路基础第二章微变等效电路

(Rs rbe R E )Uo rbe rce ] rce (Rs rbe
RE)
R o

Uo Io

rce

R
E (Rs rbe rce ) Rs rbe R E
通常， rce Rs rbe
R o
rce (1
R s
I b Au

Uo Ui

rbe
(1 )R E
Au

Uo Ui
Ib (rce // R C // R L ) Ib rbe (Ib Ib )R E
(rce // R C // R L ) rbe (1 )R E
求输出电阻Ro
Ii
B Ib
B’
Rs
RB
rce
e
二、晶体管共发H参数模型
iC
B
iB
uBE
E
将晶体管视为一二端
口网络，根据两个端
C 口的 电压和电流之间 的相互关系导出的模
型是网络模型，对H
uCE
参数模型，选择的自 变量为iB, 和uCE,因变量
为uBE和iC。
u BE f1 (iB , u CE )
iC f 2 (iB , u CE )
hie
Ic
hfeIb
1
h oe Uce
h ie rbb rbe rbe b Ib h fe g m rbe
h oe

1 rce
Ub
rbe
e
c
Ic
Ib
rce Uce
e
Ib b
c Ic
Ube
rbe
Ib

小信号模型分析法(微变等效电路法)

小信号模型分析法(微变等效电路法)

参数）。
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
1 模型的简化
一般采用习惯符号
即 rbe= hie ur = hre
= hfe
rce= 1/hoe
ib hie vbe hrevce
ur很小，一般为10-310-4 ， rce很大，约为100k。故
一般可忽略它们的影响，
得到简化电路
BJT的H参数模型为
C 1
C

2

vi
T RL


vo

交流通路

vi
RB


T
RC RL vo

上页 下页
返回
模拟电子技术基础

vi
RB


T
RC RL vo

(2) 画出微变等效电路
Ib
T
bc
Ic

Vi
R B rbe

ib R C
e
将BJT微变 等效

R L Vo
放大电路的微 变等效电路

上页 下页 返回
hie

vB E iB
VCE
输出端交流短路时的输入电阻；
hfe
iC iB
VCE
输出端交流短路时的正向电流传输比或电 流放大系数；
hre

vBE vCE
IB
输入端电流恒定（交流开路）的反向电压传输比
hoe

iC vCE
IB
输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H (hybrid)
求输出电阻 的等效电路
当 VS 0 时

模拟电路基础第二章微变等效电路

模拟电路基础第二章微变等效电路
rbb’
rb’c
b’
rce
是输出交流 短路下的输 入电阻
Cb’
rb’e
e
gmuiB CE|QV IC T
rbe
e
2. Uce对ic和ib的控制作用: 电阻rce与 rb’c
由基区宽度调制效应造成，阻值很大，一般，
电阻rb’c达数百千欧至十兆欧，可视为开路。 rcec 在数十千欧，可视情况确定是否为断路。
Ri
R’
E
R’
Ro uo
A u u u io i Ib (rcIb /e rb R /C e /R /L ) (rc/e orR b /C e /R /L )
Ai
Ic Ib
Ii
B Ib
B
Rs R
’
rb’b
Ib
rb’e
B
Ri
R’
E
Ri
iU i Ii
R B // R i
R i
Ui Ib
rbe
rce
e
二、晶体管共发H参数模型
iC
B iB
uBE
将晶体管视为一二端
口网络，根据两个端
C
口的 电压和电流之间 的相互关系导出的模
型是网络模型，对H
uCE
参数模型，选择的自 变量为iB, 和uCE,因变量
为uBE和iC。
E
uBE f1(iB,uCE)
iC f2(iB,uCE)
duBE
uBE iB
diB
Rc
uo
R
RL
E
Ii
B
Rs
R
B
Ib
B
’ rb’b
Ic C Io
rce R c

微变等效电路分析方法课件

微变等效电路分析方法课件
等效替换原理的应用可以简化电路分析，减少计算量，提高 分析效率。
微变等效电路的构建
微变等效电路的构建是微变等效电路分析的关键步骤，它 需要根据实际电路的特性，选择适当的元件和参数，构建 出能够反映实际电路行为的等效电路。
微变等效电路的构建需要考虑元件的线性与非线性特性、 频率响应、温度影响等因素，以确保等效电路的精度和可 靠性。
生物医学工程
微变等效电路分析方法在生物医 学工程中用于研究生物电信号和
生理系统的特性。
航天工程
在航天工程中，微变等效电路分 析方法用于研究航天器的电磁环
境和电磁干扰问题。
汽车工程
在汽车工程中，微变等效电路分 析方法用于研究汽车电气系统和
电磁干扰问题。
CHAPTER 04
微变等效电路分析方法的优势与局 限性
微变等效电路分析方法的应用
在电子工程中的应用
电路设计
微变等效电路分析方法在 电子工程中广泛应用于电 路设计，如放大器、滤波 器、振荡器等。
元件参数提取
通过微变等效电路分析方 法，可以提取电子元件的 参数，如二极管、晶体管 、电容、电感等。
系统稳定性分析
利用微变等效电路分析方 法，可以分析电子系统的 稳定性，预测系统在不同 工作条件下的性能表现。
微变等效电路的求解方法
微变等效电路的求解方法包括解析法和数值法两大类。解析法是通过数学公式推 导求解等效电路参数的方法，而数值法则是通过迭代计算求解等效电路参数的方 法。
解析法适用于简单电路的分析，而数值法适用于复杂电路的分析。在实际应用中 ，可以根据需要选择适当的求解方法。
CHAPTER 03
可以考虑与其他电路分析方法结合使用， 形成优势互补，提高分析能力。

模拟电子技术教案2-PPT文档资料

模拟电子技术教案2-PPT文档资料

《模拟电子技术》
1.3 双极型晶体管
（晶体三极管、半导体三极管简称晶体管）
1.3.1 晶体管的结构及类型
晶体管的几种常见外形
《模拟电子技术》
1. 晶体管的结构（以NPN管为例）及符号 构成：三区、三极、两结
结构特点： ①发射区掺杂浓度高，几何尺寸小； ②集电区掺杂浓度低，几何尺寸大； ③基区掺杂浓度很低，且很薄。
设△uI=0
注意
晶体管工作于放大状态 时各极电流的实际方向 NPN管：从基极和集电 极流进，从发射极流出。
PNP管：从发射极流进， 从基极和集电极流出。
1.发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2.扩散到基区的自由电子与孔穴的复合运动形成基极电流IB 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC
《模拟电子技术》
复 习
1. 本征半导体、N型半导体、P型半导体的特点
2. PN结的形成及特性
3. PN结的电流方程 4. 二极管的主要参数（IF和UR）
《模拟电子技术》
1.2.4 二极管的等效电路
1.2 半导体二极管
等效的目的：将非线性的二极管线性化，以便分析和计算。
一、由伏安特性折线化得到的等效电路
说明
①动态电阻rd是交流电阻；
②动态电阻rd由静态工作点Q处切线斜率决定； ID为二极管的静态电流 ③静态工作点Q不同，r 就不同；
d
d [ I ( e 1 ] I 1 i d i S D D ④ D r u u d u U d D d D D T
u U T
rd
UT ID
《模拟电子技术》
1.2.6 其他类型二极管
一、发光二极管
①可见光
1. 类型 ②不可见光

微变等效电路分析方法

微变等效电路分析方法
总结词
电源电路是电子设备中的重要组成部分，通过微变等效电路分析方法，可以简化电路模型，提高分析效率。
详细描述
在电子设备中，电源电路负责提供稳定的直流电压或电流。由于电源电路通常包含电阻、电容、电感等元件，其 分析较为复杂。通过微变等效电路分析方法，可以将电源电路简化为一个等效模型，从而快速准确地计算出电路 的性能参数。
局限性
复杂度高
对于复杂电路，微变等效电路可能变得非常复杂，需要花费大量时 间和精力进行建模和计算。
近似性限制
该方法假设电路元件的特性在小信号下变化，对于大信号或非线性 电路，其预测精度可能会受到影响。
实际应用限制
由于该方法主要关注元件的动态特性，对于实际应用中需要考虑的其 他因素（如温度、噪声等）考虑不足。
利用微变等效电路分析方 法，可以对电子设备的性 能进行评估，如频率响应、 噪声系数等。
故障诊断
通过分析电子设备在不同 工作状态下的微变等效电 路，可以诊断设备是否存 在故障。
在电力网络中的应用
电力传输
微变等效电路分析方法可用于分析电力网络中的电压和电流分布， 优化电力传输。
故障定位
通过分析电力网络中的微变等效电路，可以快速定位故障点，提 高故障排除效率。
02
通过合理的构建微变等效电路，可以有效地简化电 路分析过程，提高分析效率。
03
构建微变等效电路是微变等效电路分析方法的关键 步骤。
03
微变等效电路分析方法的应 用
在电子设备中的应用
01
02
03
电路元件识别
通过微变等效电路分析方 法，可以识别电子设备中 的电路元件，如电阻、电 容、电感等。
性能评估
特点
适用于分析电路中的微小变化，能够 快速准确地得出电路的性能参数，适 用于各种类型的电路分析。

《微变等效电路》课件

《微变等效电路》课件
单口网络是指具有一个入口和一个出口的电路。
单口网络的等效变换方法
通过串并联关系、电压电流关系、互易定理等，将复杂的单口网络化简为简单的等效电路。
含受控源电路的等效变换
要点一
受控源的概念
受控源是指在电路中，其电压或电方法
利用虚短、虚断的概念，将受控源转化为独立源的形式， 再进行等效变换。
电容元件
定义
电容元件是表示电场储能 的元件，其值由电极间距 离和电极面积决定。
特性
电容元件在交流电路中具 有容抗作用，其容抗值与 频率成反比，在直流电路 中容抗为无穷大。
应用
电容元件广泛应用于耦合 器、滤波器、调谐器等电 子设备中，用于控制电压 的幅度和频率。
电阻元件
定义
电阻元件是表示导体对电流阻碍 作用的元件，其值由导体的长度
戴维南定理和诺顿定理是两种常用的电路分析定理，它们可以将复杂电路等效为简单电路，从而简化分析过程。
详细描述
戴维南定理和诺顿定理都是用于简化电路分析的定理，它们可以将一个复杂电路等效为一个简单电路，从而方便 求解未知量。戴维南定理将一个有源二端网络等效为一个电压源和一个电阻的串联，而诺顿定理则将其等效为一 个电流源和一个电阻的并联。通过应用这些定理，可以大大简化复杂电路的分析过程。
LC振荡回路分析
总结词
LC振荡回路是一种常见的振荡电路，通过对 其微变等效电路的分析，可以深入理解振荡 回路的工作原理和特性。
详细描述
在LC振荡回路的微变等效电路中，电感和电 容被线性化，形成一个简单的RC振荡回路 。通过分析LC振荡回路的微变等效电路，可 以了解振荡频率、阻尼比等参数对振荡特性 的影响。
总结词
RL电路是另一种微变等效电路的实例， 其由一个电阻和一个电感串联而成。通 过对RL电路的微变等效电路进行分析， 可以进一步理解电感在交流电路中的作 用。
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i
引 入 Re 后，输入电阻 增大了。
Ic I
放大电路的输出电阻
将放大电路的输入 端短路，负载电阻 RL 开 路 ，一般 c 、e 之间的 内电阻 rce 比Re 大许多， 故
I b b b Ib
+
c
c c +
R U i Rb
b
rbe rbe
e
Ie
I b R I b Rc
+
uO
ui
¡¡
RL
-
-
分压式偏置电路
广东水利电力职业技术学院电力系WXH
第 22 页 22
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
2.5.2 工作点稳定电路
分压式偏置工作点稳定电路
+ V CC
ie Rb1 IB T ie Rb 2 ¡¡ Rc
+
I1 C1
+ +
UB I2
C2 UE Re Ce
26m V rbe 300 (1 ) 1.36K IE
' RL RC // RL 3 // 3 1.5K
' I b RL ' RL 60 1.5 66 1.36 rbe
AV

Vo


Vi
I b rbe
（2）. 输入电阻Ri
广东水利电力职业技术学院电力系WXH
第 17 页 17
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
2.5.1 温度对工作点的影响
1．温度对三极管参数的影响
（1）温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO将增大一倍。 在高温场合多选用硅管。 I CEO (1 ) I CBO ，随着温度的高，ICEO也急剧增大。 （2）温度对UBE的影响 温度每高1℃， U BE 减小2.2mV。 （3）温度对β的影响 温度每升高1℃，β增加0.5%~1%。
简化后的三极管等效电路
三极管简化的H参数等效电路图
广东水利电力职业技术学院电力系WXH
第3页 3
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
2.共射极基本放大电路的微变等效电路
图a
1.交流参数的计算 (1)电压放大倍数
R'L = Rc // RL
广东水利电力职业技术学院电力系WXH
广东水利电力职业技术学院电力系WXH
第 18 页 18
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
说明：在工业上批量生产电子产品时，由于三极管参数
的分散性，同一型号三极管的参数（如β）将有较大的不同，
因此它的影响和温度变化造成的影响很相似。 为了减少调试时间，降低生产成本，希望电路对三极管 参数具有较好的适应性，即当管子参数变化时，其静态电流 IC基本不变。固定偏流电路不能满足上述的要求。
第1页 1
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
（2）晶体管输出端的等效电路
在放大区，
在小信号条件下，β是常数。
△ic= βib ，即ic=受ib控制 ， 晶体管输出端可用一个受控电流源来等效代替。如上图所示。
广东水利电力职业技术学院电力系WXH
第2页 2
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
解：由直流通路估算静态工作点Q处的电流与电压值。 +VCC Rb C1 + + Ui Rc C2 + +
VT Re
RL
UO

（b）直流通路
例1图
接有发射极电阻的放大电路
第7页 7
广东水利电力职业技术学院电力系WXH
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
根据微变等效电路列方程 U I r I R
第4页 4
第2章 半导体三极管及基本放大电路 第 2 章 基本放大电路
(2)输入电阻
对于共发射极低频电压放 大倍数，rbe约为1KΩ左右。 通常RB》 rbe，所以Ri≈ rbe。 Ri越大，放大电路从信号源取得的信号也越大。
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所谓的稳定工作点，主要指稳定工作点的电流IC 。 一种能自动稳 定工作点的偏置电 路如右图所示，该 电路称为分压式偏 置电路或射极偏置 电路。分压式偏置 电路是目前应用最 广泛的一种偏置电 路。
I1 C1
+ +
+ V CC
ie Rb1 IB T ie Rb 2 ¡¡ Rc
+
UB I2
C2 UE Re Ce
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练习
1.根据直流通路求静态参数
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2.根据微变等效电路求动态参数 （1）. 电压放大倍数
UB I2
C2 UE Re Ce
+
uO
UCE VCC IC Rc I E Re VCC IC (Rc Re )
+ V CC
+
Rc C2 +
+ uO + VCC
Rb C1
+
Rc iC + T uBE
+
+ C2 iB uCE RL
+
uO
Rs + us
ui
-
-
-
-
-
-
-
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解：（1）
（2）当β=100时，IB的计算同上，仍为55μA I C I B 100 55μ A 5.5mA
R rbe 1.36K
' i
' Ri Rb // Ri' 15// 1.36 1.25K
（3）. 输出电阻Ro
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Ro RC 3K
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●如考虑信号源内阻RS，则电压放大倍数的计算应为
Re Re
c
RLU o RL

Ro Rc
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Ie
e
例2图 (c)
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讨论
引入 Re 后对输出电阻的影响。
UO UO Ue IO I C 其中 I C Ib RC rce e U 因为 U i 0， I b Ic Ib rbe IO b c UO Ue Ue I b IC + rce rce rce rbe rbe e ~_ U o U 1 Rc Rb O ( )U e rce rce rbe I e Re UO 1 ( ) I C Re rce rce rbe 例2图 （d） UO 求例2图电路输出电阻的等效电路 rce rce (1 ) Re Re Re // rbe 式中 rbe
i b be e e
其中
Ie (1 ) Ib
而
U O I C RL I b RL
UO RL Au Ui rbe (1 ) Re
引入发射极电阻 后， Au 降低了。
Ic
e
Ie
若满足(1 + ) Re >> rbe Ib b + RL Au rbe Re
可见，当RS》ri时，电压放大倍数将下降很多。
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2.5 工作点稳定电路
设计和调试放大电路时，为获得较好的性能，必须首先设 置一个合适的Q点。 VCC U BE IB 共射基本放大电路中， Rb 当VCC和Rb确定后，基极偏流IB是“固定”的，其偏置电路 实际上是由一个偏置电阻Rb构成的。 +V
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微变等效电路法就是在小信号条件下，在给定的工作范围内，将晶体管看 成一个线性元件。把晶体管放大电路等效成一个线性电路来进行分析、计算。
1.三极管的微变等效模型
（1）晶体管输入回路的等效电路
rbe为晶体管的交流输入电阻，
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固定偏置电路结构简单，调试方便。
但当更换管子或环境温度变化引起三极管参数变化时， 电路的工作点（IC、UCE）将发生变化，使Q点发生移动， 很可能移到不合适的位置而使放大电路无法正常工作。
+ V CC
+
Rc C2 +
+ uO + VCC
Rb C1
+
Rc iC + T uBE
+
+ C2 iB uCE RL
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[ 例 2] 在 图 所 示 的 固 定 偏 流 电 路 中 ， 若 VCC=9V ， Rb=150kΩ,Rc=2kΩ. 三 极 管 3DG4 的 UBE=0.7V ， UCES=0.3V ， β=50。 （1）试确定静态工作点； （2）若更换管子，使β变为100，其他参数不变，确定此 时的静态工作点。