乾照光电：关于公司获得发明专利的公告 2011-05-05

乾照光电LED及太阳能电池扩产项目环境影响报告书(简本)华侨大学环境保护设计研究所(持国环评证乙字第2201号)厦门大学(持国环评证甲字第2203号)二○○九年五月一、项目工程概况1.1地理位置乾照光电LED及太阳能电池扩产项目位于厦门火炬(翔安)产业园内(西坂路以北，莲塘北路以东)。

其东面与迎辉光电相邻；西临莲塘北路，隔着莲塘北路是上庄村；南面隔着西坂路与晶宇光电相邻；北面与均豪精密工业(厦门)有限公司相邻；东北面是鹿宏科技；西南面是安台创新科技。

其地理位置及区域位置分别见图1.1和图1.2。

本项目位置图1.1 乾照光电LED 及太阳能电池扩产项目地理位置图图1.2 乾照光电LED及太阳能电池扩产项目区域地理位置图1.2工程组成乾照光电LED及太阳能电池扩产项目总投资25000万元，选址于厦门火炬(翔安)产业园内(西坂路以北，莲塘北路以东)，占地面积约37614m2，建筑面积16390m2，周边绿化等面积15000m2。

本项目建设内容包括红、黄LED外延片和芯片生产线、砷化镓太阳能电池外延片生产线以及相应的研发中心。

其生产规模为生产红、黄LED外延片240000片/年；太阳能电池外延片18000片/年；红、黄LED 芯粒92亿粒/年。

1.3环境保护工程本项目配套建设的环境保护工程主要包括：污水处理站、生产废气中特殊气体处置的尾气处理器、尾气碳纤维废气处理器以及全厂设备的隔声减振措施等。

1.4项目水耗及能源1.4.1水资源消耗本项目用水量为8000m3/月，供水水源取自开发区城市自来水供水管网，进口为φ200mm。

1.4.2能源消耗(供电)经计算，该项目的全厂用电量300000kWh/月，用电来自翔安火炬园区220KV区域变电站。

二、工程环境影响评价结论2.1大气环境影响评价结论2.1.1大气环境保护目标据项目性质和周围环境特征，确定评价区内的大气环境保护目标为西坂医院、上庄村。

2.1.2大气环境质量监测期间各测点PM10、SO2和NO2日均浓度符合《环境空气质量标准》(GB3095-1996)二级标准限值。

Enterprise Development专业品质权威Analysis Report企业发展分析报告扬州乾照光电有限公司免责声明:本报告通过对该企业公开数据进行分析生成，并不完全代表我方对该企业的意见，如有错误请及时联系;本报告出于对企业发展研究目的产生，仅供参考，在任何情况下，使用本报告所引起的一切后果，我方不承担任何责任:本报告不得用于一切商业用途，如需引用或合作，请与我方联系:扬州乾照光电有限公司1企业发展分析结果1.1 企业发展指数得分企业发展指数得分扬州乾照光电有限公司综合得分说明：企业发展指数根据企业规模、企业创新、企业风险、企业活力四个维度对企业发展情况进行评价。

该企业的综合评价得分需要您得到该公司授权后，我们将协助您分析给出。

1.2 企业画像类别内容行业空资质增值税一般纳税人产品服务：半导体照明器件制造；半导体照明器件销售；1.3 发展历程2工商2.1工商信息2.2工商变更2.3股东结构2.4主要人员2.5分支机构2.6对外投资2.7企业年报2.8股权出质2.9动产抵押2.10司法协助2.11清算2.12注销3投融资3.1融资历史3.2投资事件3.3核心团队3.4企业业务4企业信用4.1企业信用4.2行政许可-工商局4.3行政处罚-信用中国4.5税务评级4.6税务处罚4.7经营异常4.8经营异常-工商局4.9采购不良行为4.10产品抽查4.12欠税公告4.13环保处罚4.14被执行人5司法文书5.1法律诉讼（当事人）5.2法律诉讼（相关人）5.3开庭公告5.4被执行人5.5法院公告5.6破产暂无破产数据6企业资质6.1资质许可6.2人员资质6.3产品许可6.4特殊许可7知识产权7.1商标7.2专利7.3软件著作权7.4作品著作权7.5网站备案7.6应用APP7.7微信公众号8招标中标8.1政府招标8.2政府中标8.3央企招标8.4央企中标9标准9.1国家标准9.2行业标准9.3团体标准9.4地方标准10成果奖励10.1国家奖励10.2省部奖励10.3社会奖励10.4科技成果11 土地11.1大块土地出让11.2出让公告11.3土地抵押11.4地块公示11.5大企业购地11.6土地出租11.7土地结果11.8土地转让12基金12.1国家自然基金12.2国家自然基金成果12.3国家社科基金13招聘13.1招聘信息感谢阅读:感谢您耐心地阅读这份企业调查分析报告。

专利名称：高聚光倍数太阳能电池的散热器
专利类型：实用新型专利
发明人：林志伟,张银桥,蔡建九,张永,陈凯轩,单智发,张双翔,占荣,王向武
申请号：CN201120163361.X
申请日：20110520
公开号：CN202159691U
公开日：
20120307
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。

本实用新型的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的AlO陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。

申请人：厦门乾照光电股份有限公司
地址：361000 福建省厦门市火炬(翔安)产业区翔岳路19号
国籍：CN
代理机构：厦门市新华专利商标代理有限公司
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专利名称：一种LED高杆灯
专利类型：发明专利
发明人：徐卓,吴枞林,张雷,黄秉文,肖桥生,黄敏,叶就信,叶凯申请号：CN201610669257.5
申请日：20160815
公开号：CN106090770A
公开日：
20161109
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种LED高杆灯，包括第一支架、第二支架、桥接架、多个散热器模块和驱动装置；第一支架和第二支架之间连接桥接架，第一支架上形成两端封闭的第一卡槽，第一支架上设置第一切口，第一切口与第一卡槽贯通，第二支架上形成两端封闭的第二卡槽，第二支架上设置第二切口，第二切口与第二卡槽贯通；多个散热器模块的一端由第一支架的第一切口依次卡入第一卡槽中，多个散热器模块的另一端由第二支架的第二切口依次卡入第二卡槽中，该多个散热器模块组成散热器，在散热器上安装LED灯板；驱动装置固定安装在第一切口和第二切口中限制散热器模块滑出。

本发明使得整体结构稳定，进而使得散热器模块不会脱落，使用安全性较好。

申请人：厦门乾照照明有限公司
地址：361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路269号2楼、3楼
国籍：CN
代理机构：厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人：廖吉保
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专利名称：发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法专利类型：发明专利
发明人：刘英策,刘兆,李俊贤,魏振东,邬新根
申请号：CN201810885637.1
申请日：20180806
公开号：CN109244209A
公开日：
20190118
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。

申请人：厦门乾照光电股份有限公司
地址：361101 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
国籍：CN
代理机构：宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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专利名称：一种折射率连续渐变的光学薄膜制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈亮,李俊贤,吕奇孟,吴奇隆,陈凯轩,张永
申请号：CN201610770888.6
申请日：20160830
公开号：CN106435508A
公开日：
20170222
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种折射率连续渐变的光学薄膜制备方法，包括以下步骤：一、样品台设置：提供一基底，将基底设置在通过转动轴实现转动的样品台上，且样品台的转动轴与基底表面平行，二、材料源设置：提供一蒸镀源或溅射靶材，调整蒸镀源或溅射靶材位置，使其向基底入射的方向与样品台的转动轴垂直，蒸镀源或溅射靶材入射方向与基底之间形成可变化的夹角；三、镀膜控制：蒸镀源或溅射靶材向样品台上的基底送入镀膜材料，此时不断转动样品台并控制转速，使基底与蒸镀源或溅射靶材之间的夹角在0‑90°内连续变化，制得密度连续变化的光学薄膜。

本发明实现蒸镀光学薄膜的折射率的连续控制，制得光学薄膜产品具有更好的光学性能，可有效增加对光的穿透或反射的控制。

申请人：厦门乾照光电股份有限公司
地址：361000 福建省厦门市火炬(翔安)产业区翔天路259-269号
国籍：CN
代理机构：厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人：廖吉保
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专利名称：一种深紫外发光二极管的芯片结构及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：林志伟,陈凯轩,张永,卓祥景,姜伟,汪洋,童吉楚,方天足
申请号：CN201610557362.X
申请日：20160715
公开号：CN106025007A
公开日：
20161012
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种深紫外发光二极管的芯片结构，在芯片周围设置与第一电极相连接的第一型扩展电极，第一型扩展电极与第一电极设置于第一型欧姆接触层之上，通过电极隔离层隔离第一电极、第一型扩展电极与外延结构的连接；第一型欧姆接触层置于第一型导电层之上，且通过电极隔离层隔离第一型欧姆接触层与外延结构的连接。

本发明还公开一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法。

本发明有效降低深紫外发光二极管的工作电压，且提高内量子效率。

申请人：厦门乾照光电股份有限公司
地址：361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
国籍：CN
代理机构：厦门市新华专利商标代理有限公司
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专利名称：一种LED芯片结构的制作方法专利类型：发明专利
发明人：邬新根,刘兆,卢利香,李俊贤,吴奇隆申请号：CN201810088382.6
申请日：20180130
公开号：CN108231961A
公开日：
20180629
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法，通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层，合金完成后，以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层，该掺杂膜层相比较纯的透明导电层的方阻更低，与第二型半导体层之间的接触电阻更高，且在第二型半导体层表面的Al层形成AlO层，即绝缘层，进而可以实现电流在透明导电层保留位置强制分布的需求。

也就是说，实现在透明导电层开孔位置电流阻挡以及透明导电层保留位置电流扩散的目的，实现电流的强制分布，通过设计不同的开孔位置实现电流在芯片不同位置电流均匀分布。

申请人：厦门乾照光电股份有限公司
地址：361100 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：王宝筠
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