一、判断题1.传感器的传感元件通常情况下直接感受被测量；√2.对于所有的二阶传感器，总是希望其固有频率越高越好；×3.一般情况下，设计弹性敏感元件时，若提高灵敏度，则会使其线性变差、固有频率提高；×4.应变片的基长越长，则应变片的动态特性越好；×5.变磁阻式电感传感器属于互感型的电感传感器；×6.压电式传感器不能测量恒定不变的信号；√7.惯性式振幅计，在设计时尽量使其固有频率低。
√8.传感器的重复性误差是属于系统误差；×9.传感器的敏感元件通常情况下不直接感受被测量；×10.传感器实现波形测试不失真的条件是：传感器的幅频特性和相频特性均是常数；×11.传感器弹性敏感元件的固有频率越高，则传感器的灵敏度越低，线性度越差；×12.应变式传感器采用半桥连接时，若供桥电源波动的误差为2%，则由此引起的电桥信号输出波动的误差为1% 。
×13.压电片采用并联连接后，更适合于测量快速变化的信号；×14.圆柱形弹性元件受力产生的应变大小与圆柱的长度无关；√15.驱动电缆法实际上是一种等电位屏蔽法；√16.差动变压器采用差动整流电路后，次级电压的相位和零点残余电压都不必考虑；√17.希望压电传感器的电阻率高，介电常数小；×18.半导体光吸收型光纤温度传感器是属于传光型光纤传感器；√19.传感器的动态灵敏度就是传感器静态特性曲线的斜率；×20.按照能量关系分类传感器可分为结构型传感器和物性型传感器；×21.激波管产生激波压力的恒定时间越长，则可标定的下限频率越低；√22.压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小；√23.光导摄像管是一种固态图像传感器；×24.热释电型红外传感器必须进行调制。
√25.传感器的幅频特性为常数，则传感器进行信号的波形测量时就不会失真。
×26.等截面梁的不同部位所产生的应变是不相等的。
√27.一般来说，螺管型差动变压器的线性范围约为线圈骨架长度的二分之一。
×28.压电常数d32所表示的含义是：沿着z轴方向受力，在垂直于y轴的表面产生电荷；×29.涡流式电感传感器属于互感型的电感传感器；×30.金属丝的电阻应变效应中，引起电阻改变的主要原因是电阻率的改变；×31.压电常数d ij中的下标i表示晶体的极化方向，j表示晶体受力的性质；√32.压电常数d ij中的下标i的取值范围是1～6。
×33.时间常数τ越小越好。
×34.红外传感器在使用时必须进行调制。
×35.电容式传感器采用差动结构可以提高灵敏度、减小非线性。
√36.涡流渗透的深度与所加的信号频率成正比。
×37.IEEE1451定义了智能化网络传感器的相关内容。
√38.为了改善一阶传感器的动态特性，可以增大其时间常数。
×39.等强度梁的不同部位所产生的应变是不相等的。
×40.感应同步器中，感应正弦信号的绕组称为余弦绕组。
√41.对于所有的二阶传感器，总是希望其固有频率越高越好。
×42.压电式传感器不能测量静态信号。
√43.金属丝的灵敏度Ks恒小于同一材料金属应变片的灵敏系数K。
×44.透射式涡流传感器所加激励电源的频率越高越好。
×45.热电偶的热接点尺寸越大，则其动态响应特性越好。
×46.传感器的非线性误差属于随机误差。
×47.热电偶回路热电势的大小只与材料和端点温度有关，与热电偶的尺寸形状无关。
√48.红外探测器是红外传感器的核心，常见两大类：热探测器和光子探测器√49.把两种相同导体或半导体两端相接组成闭合回路，则回路产生热电势，这种现象称热电效应。
×50.功能型光纤传感器，光纤不是敏感元件。
×51.将温度变化转为热电势变化的传感器称为热电阻传感器。
×52.红外线与可见光、紫外线、X射线、微波以及无线电波一起构成了完整的无限连续的电磁波谱。
（√）53.红外辐射在大气中传播时，由于大气中的气体分子、水蒸气等物质的吸收和散射作用，使辐射在传播过程中逐渐衰减。
（×）54.热敏电阻型红外探测器的热敏电阻是由锰、镍、钴等氧化物混合烧结而制成的，热敏电阻一般制成圆柱状，当红外辐射照射在热敏电阻上时，其温度升高，内部粒子的无规则运动加剧，自由电子的数目随温度升高而增加，所以其电阻增大。
（×）55.当光辐射照在某些材料的表面上时，若入射光的光子能量足够大，就能使材料的电子逸出表面，向外发射出电子，这种现象叫内光电效应或光电子发射效应。
（×）56.辐射出射度表征辐射源单位面积所发出的辐射功率。
（√）57.当恒定的红外辐射照射在热释电传感器上时，传感器才有电信号输出。
（×）58.使用光电导传感器时，需要制冷和加上一定的偏压，否则会使响应率降低，噪声大．响应波段窄，以致使红外传感器损坏。
（√）59.当红外辐射照射在某些半导体材料的pn结上时，在结内电场的作用下，自由电子移向P区．空穴移向n区。
如果pn结开路，则在pn结两端便产生一个附加电势，称为光生电动势。
（×）60.光磁电传感器不需要致冷，响应波段可达7μm左右，时间常数小，响应速度快。
（√）二、选择题1.通常意义上说的传感器包括了敏感元件在内的两个组成部分，另外一个是：A:放大电路 B:数据采集电路C:转换电路 D:滤波电路答:C:转换电路2.传感技术，同计算机技术和_____ ，被列为现代信息技术的三大支柱。
A:汽车制造技术B:建筑技术C:通信技术 D:测量技术答案C:通信技术3.传感器按其敏感的工作原理，可以分为物理型、化学型和_____三大类。
A:生物型 B:电子型C:材料型 D:薄膜型答案A:生物型4.随着人们对各项产品技术含量的要求的不断提高，传感器也朝向智能化方面发展，其中，典型的传感器智能化结构模式是：A:传感器＋通信技术 B:传感器＋微处理器C:传感器＋计算机 D:传感器＋多媒体技术答案B:传感器＋微处理器5.近年来，仿生传感器的研究越来越热，其主要就是模仿人的_____的传感器。
A:视觉器官B:听觉器官C:嗅觉器官D:感觉器官答案D:感觉器官6.若将计算机比喻成人的大脑，那么传感器则可以比喻为 .A:眼睛 B:感觉器官C:手 D:皮肤答:B: 感觉器官7.精度，传感器的精度表征了给出值与_____ 相符合的程度。
A:估计值 B:被测值C:相对值 D:理论值答:B: 被测值8.示值稳定性是指在_____ 条件下仪器的示值保持不变的能力。
A:恒定输出 B:随机输出C:随机输入 D:恒定输入答:D: 恒定输入9.传感器的静态特性，是指当传感器输入、输出不随____变化时，其输出-输入的特性。
A: 时间 B: 被测量C: 环境 D: 地理位置答:A: 时间10.非线性度是测量装置的输出和输入是否保持_____ 关系的一种度量。
A: 相等 B: 相似C: 理想比例 D: 近似比例答:C: 理想比例11.回程误差表明的是在_____ 期间输出-输入特性曲线不重合的程度。
A: 多次测量 B: 同次测量C: 正反行程 D: 不同测量答:C: 正反行程12.金属丝的电阻随着它所受的机械变形(拉伸或压缩)的大小而发生相应的变化的现象称为金属的_______ 。
A: 电阻形变效应 B: 电阻应变效应C: 压电效应 D: 压阻效应答:B: 电阻应变效应13.箔式应变片的箔材厚度多在______之间。
A:0.001—0.01mm B:0.01—0.1mm C:0.01—0.1μmD:0.0001—0.001μm 答:A:0.001—0.01mm14. _____是采用真空蒸发或真空沉积等方法，将电阻材料在基底上制成一层各种形式敏感栅而形成应变片。
这种应变片灵敏系数高，易实现工业化生产，是一种很有前途的新型应变片。
A:箔式应变片 B:半导体应变片C:沉积膜应变片 D:薄膜应变片答:D:薄膜应变片15.目前，薄膜应变片在实际使用中的主要问题是较难控制其电阻对_____的变化关系。
A:电流和时间 B:电压和时间C:温度和时间 D:温度和电流答:C:温度和时间16.绝缘电阻，即敏感栅与基底间的电阻值，一般应大于_____。
A:10×e+10 Ω B:10×e+12 Ω C:10×e+9 Ω D:10×e+11 Ω答:A:10×e+10 Ω17.应变片的应变极限是指在温度一定时，指示应变值和真实应变的相对差值不超过一定数值时的最大真实应变数值，一般差值规定为_____，当指示应变值大于真实应变的该比例值时，真实应变值称为应变片的极限应变。
A:15％ B :20％C:8％ D:10％答:D:10％18.蠕变是指已粘贴好的应变片，在温度一定并承受一定的机械应变时，指示应变值随____的变化。
A:位移 B:压强C:时间 D:外力作用答:C:时间19.由_____和应变片．以及一些附件( 补偿元件、保护罩等) 组成的装置称为应变式传感器。
A:弹性元件 B:调理电路C:信号采集电路 D:敏感元件答:A:弹性元件20.红外线是位于可见光中红色光以外的光线，故称红外线。
它的波长范围大致在____到1000μｍ的频谱范围之内。
A:0.76nm B:1.76nm C:0.76μｍ D:1.76μｍ答:C:0.76μｍ21.在红外技术中，一般将红外辐射分为四个区域，即近红外区、中红外区、远红外区和____。
这里所说的“远近”是相对红外辐射在电磁波谱中与可见光的距离而言。
A:微波区 B:微红外区C:X 射线区 D:极远红外区答:D:极远红外区22.红外辐射在通过大气层时，有三个波段透过率高，它们是0.2～2.6μｍ、3～5μm 和____, 统称它们为“大气窗口”。
A:8～14μｍ B:7～15μｍC:8～18μｍ D:7～14.5μｍ答:A:8～14μｍ23.红外探测器的性能参数是衡量其性能好坏的依据。
其中响应波长范围（或称光谱响应），是表示探测器的____相应率与入射的红外辐射波长之间的关系。
A:电流 B:电压C:功率 D:电阻答:B:电压24.光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生___ 。
使材料的电学性质发生变化。
通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。
光子效应所制成的红外探测器。
A:光子效应 B:霍尔效应C:热电效应 D:压电效应答:A:光子效应25.当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫___ 。
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