哈尔滨工程大学 哈工大 1999年电子技术基础 考研真题及答案解析
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答案1.1解:图示电路电流的参考方向是从a 指向b 。
当时间t <2s 时电流从a 流向b,与参考方向相同,电流为正值;当t >2s 时电流从b 流向a ,与参考方向相反,电流为负值。
所以电流i 的数学表达式为2A 2s -3A 2s t i t <⎧=⎨>⎩答案1.2解:当0=t 时0(0)(59e )V 4V u =-=-<0其真实极性与参考方向相反,即b 为高电位端,a 为低电位端;当∞→t 时()(59e )V 5V u -∞∞=-=>0其真实极性与参考方向相同,即a 为高电位端,b 为低电位端。
答案1.3解:(a)元件A 电压和电流为关联参考方向。
元件A 消耗的功率为A A A p u i =则A A A 10W 5V 2Ap u i === 真实方向与参考方向相同。
(b) 元件B 电压和电流为关联参考方向。
元件B 消耗的功率为B B B p u i =则B B B 10W 1A 10Vp i u -===- 真实方向与参考方向相反。
(c) 元件C 电压和电流为非关联参考方向。
元件C 发出的功率为C C C p u i =则C C C 10W 10V 1Ap u i -===-真实方向与参考方向相反。
答案1.4解:对节点列KCL 方程节点③: 42A 3A 0i --=,得42A 3A=5A i =+节点④: 348A 0i i --+=,得348A 3A i i =-+=节点①: 231A 0i i -++=,得231A 4A i i =+=节点⑤: 123A 8A 0i i -++-=,得123A 8A 1A i i =+-=-若只求2i ,可做闭合面如图(b)所示,对其列KCL 方程,得28A-3A+1A-2A 0i -+=解得28A 3A 1A 2A 4A i =-+-=(b)答案1.5解:如下图所示(1)由KCL 方程得节点①:12A 1A 3A i =--=-节点②:411A 2A i i =+=-节点③:341A 1A i i =+=-节点④:231A 0i i =--=若已知电流减少一个,不能求出全部未知电流。
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为08001)共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是()。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中()。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。
A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是()。
第8章组合数字电路8.1对课程内容掌握程度的建议8.2授课的几点建议8.2.1组合逻辑问题的描述方式逻辑图、逻辑式、真值表和卡诺图均可对同一个组合逻辑问题进行描述,知道其中的任何一个,就可以推出其余的三个。
当然也可以用文字说明,不过文字说明一般都不如这四种手段来得直接和明确。
这四种形式虽然可以互相转换,但毕竟各有特点,各有各的用途。
逻辑图用于电路的工艺设计、分析和电路功能的实验等方面;逻辑式用于逻辑关系的推演、变换、化简等;真值表用于逻辑关系的分析、判断,以及确定在什么样的输入下有什么样的输出;卡诺图用于化简和电路的设计等方面。
以全加器为例,表8.1为全加器的真值表 图8.1全加器的卡诺图表示法表8.1 全加器的真值表1SC B A C 00101001100000010110111101111111100000010000111( )a 10BC 0A 1111全加器的和S10000111( )b 10B C 0A1111全加器的进位C图8.1全加器的卡诺图全加器的逻辑式:00(1,2,4,7)S AC BC C C ABC m =+++=∑00(3,5,6,7)C BC AC AB m =++=∑全加器的逻辑图如图8.2所示B AC图8.2 全加器的逻辑图全加器是一个比较有代表性的组合数字电路,在后面中规模集成电路数据选择器应用设计、ROM 应用中是以此为例进行讲解的,因此,应对全加器的逻辑描述熟练掌握。
8.2.2组合逻辑电路的分析组合数字电路的框图如图8.3所示,每一个输出都是一个组合逻辑函数。
),,,,(12111n n X X X X f P -=Λ),,,,(12122n n X X X X f P -=Λ ……),,,,(121n n m m X X X X f P -=Λ在本章中要讨论四个问题,组合数字电路的分析;组合数字电路的设计;通用组合数字电路的应用和组 图8.3 组合数字电路框图在分析之前,要对电路的性质进行判断,是否是组合数字电路,如果是,则按组合数字电路的分析方法进行。
第6章 逻辑代数基础6.1对课程内容掌握程度的建议6.2 授课的几点建议6.2.1 基本逻辑关系的描述基本逻辑关系有“与”、“或”、“非”三种,在本教材中采用文字叙述和常开触点、常闭触点的串、并联等形式来加以描述。
还有一种描述逻辑关系的图,称为文氏图(Venn diagram )。
图6.1(a)圆圈内是A ,圆圈外是A ;图6.1(b)圆圈A 与圆圈B 相交的部分是A 、B 的与逻辑,即AB ;图6.1(c)圆圈A 与圆圈B 所有的部分是A 、B 的或逻辑,即A +B 。
与逻辑AB 也称为A 与B 的交集(intersection );或逻辑A +B 也称为A 和B 的并集(union )。
(a) 单变量的文氏图 (b) 与逻辑的文氏图 (c) 或逻辑的文氏图图6.1 文氏图6.2.2 正逻辑和负逻辑的关系正逻辑是将双值逻辑的高电平H 定义为“1”,代表有信号;低电平L 定义为“0”,代表无信号。
负逻辑是将双值逻辑的高电平H 定义为“0”,代表无信号;低电平L 定义为“1”,代表有信号。
正逻辑和负逻辑对信号有无的定义正好相反,就好象“左”、“右”的规定一样,设正逻辑符合现在习惯的规定,而负逻辑正好反过来,把现在是“左”,定义为“右”,把现在是“右”,定义为“左”。
关于正、负逻辑的真值表,以两个变量为例,见表6.1。
由表6.1可以看出,对正逻辑的约定,表中相当是与逻辑;对负逻辑约定,则相当是或逻辑。
所以正逻辑的“与”相当负逻辑的“或”;正逻辑的“或”相当负逻辑的“与”。
正与和负或只是形式上的不同,不改变问题的实质。
6.2.3 形式定理本书介绍了17个形式定理,分成五类。
需要说明的是,许多书上对这些形式定理有各自的名称,可能是翻译上的缘故,有一些不太贴切,为此,将形式定理分成5种形式表述,更便于记忆。
所以称为形式定理,是因为这些定理在逻辑关系的形式上虽然不同,但实质上是相等的。
形式定理主要用于逻辑式的化简,或者在形式上对逻辑式进行变换,它有以下五种类型:1.变量与常量之间的关系; 2.变量自身之间的关系; 3.与或型的逻辑关系; 4.或与型的逻辑关系;5.求反的逻辑关系——摩根(Morgan )定理。
7. 1PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术。
即通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效地获得所需要波形(含形状和幅值)在采样控制理论中有一条重要的结论冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时其效果基本相同冲量即窄脉冲的面积。
效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。
述原理称为面积等效原理以正弦PWM控制为例。
把正弦半波分成N等份,就可把其看成是N个彼此相连的脉冲列所组成的波形。
这些脉冲宽度相等,都等于兀/N,但幅值不等且脉冲顶部不是水平直线而是曲线,各脉冲幅值按正弦规律变化。
如果把上述脉冲列利用相同数量的等幅而不等宽的矩形脉冲代替,使矩形脉冲的中点和相应止弦波部分的中点重合,且使矩形脉冲和相应的正弦波部分面积(冲量)相等,就得到PWM波形。
各PWM脉冲的幅值相等而宽度是按正弦规律变化的。
根据面积等效原理,PWM 波形和正弦半波是等效的。
对于正弦波的负半周,也可以用同样的方法得到PWM波形。
可见,所得到的PWM波形和期望得到的正弦波等效。
7.3 三角波载波在信号波正半周期或负半周期里只有单…的极性,所得的PWM波形在半个周期中也只在单极性范围内变化,称为单极性PWM 控制方式。
三角波载波始终是有正有负为双极性的,所得的PWM波形在半个周期中有正、有负,贝I」称之为双极性PWM控制方式。
三相桥式PWM 型逆变电路中,输出相电压有两种电平:0.5S和・0.5 S。
输出线电压有三种电平5、0、-C/d o7.4首先尽量使波形具有对称性,为消去偶次谐波,应使波形正负两个半周期对称,为消去谐波中的余弦项,使波形在正半周期前后1/4 周期以兀/2为轴线对称。
考虑到上述对称性,半周期内有5个开关时刻可以控制。
利用其中的1个自由度控制基波的大小,剩余的4个自由度可用于消除4种频率的谐波。
7.5载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。
在异步调制方式中,通常保持载波频率£固定不变,因而当信号波频率兀变化时,载波比N是变化的。
习 题【5-1】填空题1.电压负反馈可以稳定输出_______,也就是放大电路带负载能力______,相当于输出电阻_______,输出电压在内阻上的电压降就_______,输出电压稳定性______。
理论推导可以证明电压负反馈可以使输出电阻变为_________。
(电压,强,减小,小,强,原来的1/(1+AF ))√2.电流负反馈可以使输出电流稳定,使放大电路接近电流源,因此放大电路的输出电阻________。
理论推导可以证明电流负反馈可以使输出电阻__________倍。
(增加,增加到原来的1+AF 倍)3.交流放大电路放大倍数基本不变的频段为_______。
(中频段)4.负反馈只是对反馈环______的产生的噪声、干扰和温度漂移有效,对环 的无效。
(内,外)5.放大电路无反馈称为_____,放大电路有反馈称为_________。
(开环,闭环)6.FA 1称为________,它反映了反馈对放大电路影响的程度。
可分为下列三种情况 (1) 当 F A 1 ______1时, f A < A ,电压增益下降,相当于负反馈 (2) 当 F A 1 ______1时, f A > A ,电压增益上升,相当于正反馈 (3)当 F A 1 ______0 时, fA = ∞,相当于自激状态 (反馈深度,>,<,=)7. 反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的同一个电极,则为________反馈,此时反馈信号与输入信号是电流相加减的关系。
反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的两个电极,则为_________反馈,此时反馈信号与输入信号是 相加减的关系。
(并联,串联,电压)8. 有一个宽带放大器,上限截止频率等于100MHz ,下限截止频率等于10Hz ,对于100Hz 、50%占空比的矩形脉冲输入,输出的上升时间是 ;顶部降落是 。
(3.5ns ,31.4%)【5-2】试分析图5-2(a)和(b)电路的级间反馈组态。
哈尔滨工业大学1999年数据结构考研试题(图2、3缺失)一. 名词分析(15分)1.广义表2.最小生成树3.散列表4.堆5.随机文件二. 试分别画出具有3个结点的树和3个结点的二元树的所有不同形态(同构的算一个)。
(6分)三. 本题给出一个子程序的框图,如图2,试填完完善此算法框图。
该子程序用来寻找第一个均出现在三个整数单向链表F1,F2,F3中的相同整数。
假定调用该子程序前,这三个整数链表已按从小到大的次序排序,单向链表的形式如下图1的例子所示。
(15分)(注:在图2中的框图中:found和exit均为布尔型的变量,可取值为true和false。
Val是整型变量,用来存放F1,F2,F3中无相同的整数found 的值为false,否则found的值为true。
F1^.link表示访问found结点的link域)。
四假设一株二元树,按其后根顺序的结点排序为:H,I,D,J,E,B,F,G,C,A而按中根顺序的结点排序为:H,D,I,B,E,J,A,C,F,G(1)试画出这株二元树。
(7分)(2)画出它的线索二元树。
(7分)五已知集合S={7,3,4,6,19,14,16,9,22,11},试按照自左而右的顺序依次取出S中的每个元素,逐步建立一株对应于S的二元查找树。
试画出所得到的二元查找树(不要求给算法)。
(8分)六本题给出的是将数组a的元素a1,a3…,an从大到小排序的子程序的框图,如图3,填空完善此算法框图。
该子程序采用改进的选择排序方法,该方法基本于以下思想:在选择第一大元过程中:a1与aj ( j = n , n –1…,2)逐个比较,若发现aj1>a1,则aj1与a1交换,交换后新的aj1有性质aj1>= at ( j1<t<n )。
若再有aj2 > ai ( j2 < j1 ),aj2与at (j2 < t <= n )。
如在挑选第一大元过程中,与a1交换的元素有k ( k >= 0 )个,依次为aj1,aj2,…,ajk,哈尔滨工业大学2001年数据结构考研试题考试科目:数据结构报考专业:计算机科学与技术一.填空(总分:10分,每一题2分)1.对于一个具有n个结点的单链表,在已知的结点*p后插入一个新结点的时间复杂度为________, 在给定为x的结点后插入一个新结点的时间复杂度为________。
习题【2-1】填空、选择正确答案1.对于阻容耦合放大电路,耦合电容器的作用是A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;√B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;同时防止偏置电流被信号源旁路;C.将输入交流信号加到晶体管的基极。
2.在基本放大电路中,如果集电极的负载电阻是R c,那么R c中:A.只有直流;B.只有交流;√ C.既有直流,又有交流。
3.基本放大电路在静态时,它的集电极电流的平均值是();动态时,在不失真的条件下,它的集电极电流的平均值是()。
(I CQ;I CQ)4.下列说法哪个正确:A.基本放大电路,是将信号源的功率加以放大;√B.在基本放大电路中,晶体管受信号的控制,将直流电源的功率转换为输出的信号功率;C.基本放大电路中,输出功率是由晶体管提供的。
5.放大电路如图2.1.7所示,试选择以下三种情形之一填空。
a:增大、b:减少、c:不变(包括基本不变)(1) 要使静态工作电流I c减少,则R b1应。
(a)(2) R b1在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。
(b;a;c)(3) R e在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。
(b;a;c)(4) 从输出端开路到接上R L,静态工作点将,交流输出电压幅度要。
(c;b)(5) V cc减少时,直流负载线的斜率。
(c)6.放大电路的输出电阻越小,放大电路输出电压的稳定性()。
(越好)7.放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的()而引起的非线性失真。
(饱和区)8.在共射基本放大电路中,若适当增加 ,放大电路的电压增益将()。
(基本不增加)9.在共射基本放大电路中,若适当增加I E,电压放大倍数将如何变化()。
(增加)10.在共射基本放大电路中,适当增大R c,电压放大倍数和输出电阻将有何变化。
√ A.放大倍数变大,输出电阻变大B.放大倍数变大,输出电阻不变C.放大倍数变小,输出电阻变大D.放大倍数变小,输出电阻变小11.有两个电压放大电路甲和乙,它们的电压放大倍数相同,但它们的输入输出电阻不同。
基础电子技术试题一、填空或选择(20分)1. N 型半导体是在本征半导体中掺入 价元素,其中多数载流子是 。
2. 在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的 区;在数字电路中三极管一般工作在 区或 区,此时也称它工作在 状态。
3. 电路如图1.1所示,TG 为CMOS 传输门,G 为TTL 与非门,则当C=0时 P= ;当C=1时P= 。
B &TG ACCΩk 10PG图1.14. 乙类功放电路如图1.2所示。
已知V 12CC=V 、Ω=8L R 、CES 0U =,i u 为正弦输入,则负载上可能得到的最大输出功率为 ;每个管子的管耗至少应为 。
Lu图1.25. 低电平有效的最小项译码器有n 个输入端,有 输出端。
每个输出对应一个 (最大项,最小项)。
6. 当TTL 门电路的输入端悬空时,应视为 (高电平,低电平,不定)。
此时,如用万用表测量其输入端电压,读数约为 (0V ,1.4V ,3.6V )。
7. 某电路的电压放大倍数的频率特性表达式为:⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+=642u1011011015.0f j f j f j fA该电路的上限截止频率f H 为 ,下限截止频率f L 为 。
8. 组合逻辑电路如图1.3所示。
该电路输出逻辑函数P 的最简与或式为 ;该电路实现 逻辑功能。
A B图1.3二、(20分)已知某放大电路如图3a)所示,设Ω=k 6L R 、Ω=200bb'r ,U BE 忽略不计,请回答:1. 请画出该电路的直流通路、微变等效电路;2. 该电路的直流负载线和交流负载线如图3b)所示,请计算电路参数R B 、R C1、R C2、V CC 和β;3. 计算电路的电压放大倍数i o u U U A=; 4. 计算电路的输入阻抗R i 、输出阻抗R o ;5. 定性说明若将电容3C 开路,对电路会产生什么影响?6. 当(mV )sin 25it u ω=时,o u 波形是否会产生失真?R LA CE Va) b)图3 三、(10分)差分放大电路如图3所示。
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七、依次读入数据元素序列{a,b,c,d,e,f,g}j进栈每进一个元素,机器可要求下一个元素进栈或弹栈,如此进行则栈空时弹出的元素构成的序列是以下那些序列?(
{d ,e,c,f,b,g,a}, {f,e,g,d,a,c,b}
(低电平有效)作访作读
作读写命令信号(高电平为读,低电平为写)。
有一系统程序编译后为
根数据线,允许输出,允许写,片选
允许写,
允许输出,片选
允许输出,片选,允许写。
哈工大数字电子技术基础习题册2010-答案6-7章————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:2第6章 触发器【6-1】已知由与非门构成的基本RS 触发器的直接置“0”端和直接置“1”端的输入波形如图6.1所示,试画出触发器Q 端和Q 端的波形。
R d S d Q Q图 6.1解:基本RS 触发器Q 端和Q 端的波形可按真值表确定,要注意的是,当d R 和d S 同时为“0”时,Q 端和Q 端都等于“1”。
d R 和d S 同时撤消,即同时变为“1”时,Q 端和Q 端的状态不定。
见图6.1(b )所示,图中Q 端和Q 端的最右侧的虚线表示状态不定。
R d S d QQ不定状态图6.1(b ) 题6-1答案的波形图【6-2】触发器电路如图 6.2(a)所示,在图(b)中画出电路的输出端波形,设触发器初态为“0”。
QQR d S dd S d Q QR(a) (b)图6.2解:此题是由或非门构成的RS 触发器,工作原理与由与非门构成的基本RS 触发器一样,只不过此电路对输入触发信号是高电平有效。
参照题6-1的求解方法,即可画出输出端的波形,见图6.2(c)。
d S d Q QR 不定状态图6.2(c)【6-3】试画出图6.3所示的电路,在给定输入时钟作用下的输出波形,设触发器的初态为“0”。
C11J 1K R SQ“1”CPYZCP图 6.3解:见图6.3(b)所示,此电路可获得双相时钟。
CPQQYZ图6.3(b)【6-4】分析图6.4所示电路,列出真值表,写出特性方程,说明其逻辑功能。
Q QD CP图6.4解:1.真值表(CP=0时,保持;CP=1时,如下表)D n Q n Q n+10 0 00 1 01 0 11 1 12.特性方程Q n+1=D n3.该电路为锁存器(时钟型D触发器)。
CP=0时,不接收D的数据;CP=1时,把数据锁存,但该电路有空翻。
电子技术基础、选择题:1•在杂质半导体中,少子浓度主要取决于()(A)掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度2 •测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V, 则该管工作于()(A)放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使3值由50变为100,则电路的放大倍数()(A)约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变4 .在OCL电路中,引起交越失真的原因是( )(A)输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容5.差动放大器中,用恒流源代替长尾Re是为了((A)提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围(C)提高共模抑制比6 .若A+B=A+C 贝^((A) B=C ; (B) B= C ; (C)在A=0的条件下,B=C7 •同步计数器中的同步是指((A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变;(C)各触发器受同一时钟脉冲的控制&由NPNt组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是(A)饱和失真(B) 截止失真(C) 频率失真9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是(A)多数载流子(B)少数载流子(C) 既有多数载流子又有少数载流子10•当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量(A)增加(B)减少(C)不变11•通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的(A、输入电阻高 B 、输出电阻低C 、共模抑制比大D 、电压放大倍数大12.对于桥式整流电路,正确的接法是13 .将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为(D.17. 多谐振荡器有(空穴浓度(A 、等于、大于、小于B 、小于、等于、大于C 、等于、小于、大于19.稳压管构成的稳压电路, 其接法是(A 、 (01000011)2B 、(01010011)2C 、(10000011)2D 、 (000100110001)214. N 个变量的逻辑函数应该有最小项( A 、2n 个 B 、n2 个 C 、2n 个 D. (2n-1)个15 •函数F=AB +AB 转换成或非-或非式为 A 、A +B +A +B B 、A +B +A +B 、AB +AB D 、A +B +A +B16•图示触发器电路的特征方程 Qn+1 =(A.—n — nTQ +TQ nB. T Q +TQnC.A 、两个稳定状态 、一个稳定状态, 一个暂稳态 C 、两个暂稳态、记忆二进制数的功能18•本征半导体电子浓度空穴浓度,N 型半导体的电子浓度空穴浓度,P 型半导体的电子浓度A 、稳压二极管与负载电阻串联B 、稳压二极管与负载电阻并联。
答案2.1解:本题练习分流、分压公式。
设电压、电流参考方向如图所示。
(a) 由分流公式得:23A 2A 23I R Ω⨯==Ω+解得75R =Ω(b) 由分压公式得:3V 2V 23R U R ⨯==Ω+解得47R =Ω答案2.2解:电路等效如图(b)所示。
20k Ω1U +-20k Ω(b)+_U图中等效电阻(13)520(13)k //5k k k 1359R +⨯=+ΩΩ=Ω=Ω++由分流公式得:220mA 2mA 20k RI R =⨯=+Ω电压220k 40V U I =Ω⨯= 再对图(a)使用分压公式得:13==30V 1+3U U ⨯答案2.3解:设2R 与5k Ω的并联等效电阻为2325k 5k R R R ⨯Ω=+Ω(1) 由已知条件得如下联立方程:32113130.05(2) 40k (3)eqR U UR R R R R ⎧==⎪+⎨⎪=+=Ω⎩由方程(2)、(3)解得138k R =Ω 32k R =Ω 再将3R 代入(1)式得210k 3R =Ω答案2.4解:由并联电路分流公式,得1820mA 8mA (128)I Ω=⨯=+Ω2620mA 12mA (46)I Ω=⨯=+Ω由节点①的KCL 得128mA 12mA 4mA I I I =-=-=-答案2.5解:首先将电路化简成图(b)。
图 题2.5120Ω(a)图中1(140100)240R =+Ω=Ω2(200160)120270360(200160)120R ⎡⎤+⨯=+Ω=Ω⎢⎥++⎣⎦ 由并联电路分流公式得211210A 6A R I R R =⨯=+及21104A I I =-= 再由图(a)得321201A 360120I I =⨯=+由KVL 得,3131200100400V U U U I I =-=-=-答案2.6xRx(a-1)图2.6解:(a )设R 和r 为1级,则图题2.6(a)为2级再加x R 。
习题解答【1-1】填空:1.本征半导体是,其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
漂移电流是在作用下形成的。
3.二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和。
4.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。
5.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
6.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。
7.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称做器件。
8.场效应管属于控制型器件,而双极型晶体管是控制型器件。
9.当温度升高时,双极性晶体管的β将,反向饱和电流I CEO将,正向结压降U BE将。
10.用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时,测出最为方便。
11.晶体管工作有三个区域,在放大区时,应保证和;在饱和区,应保证和;在截止区,,应保证和。
12.当温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
解:1.完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。
2.杂质浓度,温度,少数载流子,(内)电场力。
3.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
4.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z),工作电流(I Emin),最大管耗(P Zmax)和动态电阻(r Z)5.增大;6.NPN,PNP,自由电子,空穴(多子,少子)。
7.结型,绝缘栅型,多数,单极型。
8.电压,电流。
9.变大,变大,变小。
10.各管脚对地电压;11.发射结正偏,集电结反偏;发射结正偏,集电结正偏;发射结反偏,集电结反偏。
12.左移,上移,增大.。
sin V,二极管D视为理想二极管,试分【1-2】在图1-2的各电路图中,E=5V,u i=10t别画出输出电压u o的波形。