折射率椭球
- 格式:ppt
- 大小:663.50 KB
- 文档页数:59


实验二~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~主笔实验二电光调制实验一、实验目的:1.了解熟悉电光效应(Electro-Optical Effect)。
二、实验内容:1.KDP光调制(EOM)组基本特性的测量2.EOM对频率的响应三、实验原理:电光效应(electro-optic effect)早在年就由普克尔(Pockels)发现,所以又称普克尔效应,它是由电场的一次项所引起的折射率变化而产生,是一线性的电光效应,其时间响应可达飞秒量级。
基本上,此效应是将电场加在晶体上,改变其介电张量(dielectric tensor),因而使通过此晶体的光极化方向被调整,再利用极化器(polarizer)及分析器(analyzer) ,使极化之调变转换成光振幅之调变,因此调变正比于外加电场。
普克尔效应只发生在光学性质是各向异性(anisotropic)的晶体中,也就是不具中心对称的晶体才有此效应,例如:砷化镓(GaAs)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、锌化锑(ZnTe)等,而硅(Si)则无此效应。
由于普克尔效应的反应速度极快,因此与超快雷射结合后,亦可作高频电子电路的量测,可利用半导体基底(substrate)本身的普克尔效应.,或是利用电光晶体,作成一针头的形状靠近待测电路,来侦测电路上的电场。
利用此效应的优点是量测的位置较有弹性,甚至集成电路的表面有保护层(passivation)时,亦可做量测,缺点则是灵敏度较差,因此,侦测出之信号噪声较大。
对一些特定的集成电路,如:天线即主动组件等,其电场方向之量测亦很重要,利用普克尔效应也可做到。
四、实验器材:1.He-Ne laser2.Polarizer (P1, P2)3.Pockels cell (内为KDP晶体)4.高压电源供应器5.光度计6.光具座7.示波器8.波形产生器9.信号放大器(OP amp)五、实验步骤:1.KDP光调制(EOM)组,基本特性的测量:(1)实验装置图:图2.1 电光调制实验装置图(2)依照图2.1的次序,将各光学组件与电路安装完成,且完成光学路径的准直工作。