模拟电子技术期末复习

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。

3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。

4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。

5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。

为了稳定输出电流，采用（）负反馈。

8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。

9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。

10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。

11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。

12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。

13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。

15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。

二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。

A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。

模拟电子技术期末考试复习要点第一章晶体二极管1、杂质半导体P型半导体：多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子；N型半导体：多数载流子是自由电子，少数载流子是孔穴；2、PN结形成的物理过程；伏安特性：正向特性：外加正向电压即正偏，空间电荷区变窄（或变薄），形成较大的正向扩散电流。

反向特性：外加反向电压即反偏，空间电荷区变宽（或变厚），形成很小的反向漂移电流；击穿特性：稳压二极管；3、晶体二极管主要特性：单向导电性。

当外加电压大于导通电压时，晶体二极管导通；当外加电压小于导通电压时，晶体二极管截止。

模型：简化电路模型（理想模型、恒压降模型）；电路分析方法：简化分析法（估算法、画输出信号波形方法）；应用：整流电路、限幅电路；（重点）作业：P45：1-15、1-18、1-22第二章晶体三极管1、类型：NPN和PNP；2、基本结构三个区：基区、发射区、集电区；三个极：基极、发射极、集电极；两个结：发射结、集电结；3、工作模式放大模式：发射结正偏，集电结反偏——正向受控特性；饱和模式：发射结正偏，集电结正偏——受控开关特性；截止模式：发射结反偏，集电结反偏——受控开关特性；4、放大模式下的工作原理内部载流子传输过程；直流电流传输方程；直流简化电路模型；5、伏安特性曲线输入特性曲线族；输出特性曲线族：分为四个区——放大区、饱和区、截止区、击穿区；6、小信号电路模型：简化小信号电路模型；7、电路分析方法直流分析法：工程近似分析法——估算法；（P78-80：2-3-3 分压式偏置电路）交流分析法：小信号等效电路分析法；第四章放大器基础1、偏置电路和耦合方式偏置电路要求：提供合适的静态工作点，保证器件工作在放大模式；当环境温度等因素变化时，能稳定电路的静态工作点；分压式偏置电路；（重点）耦合方式：电容耦合、直接耦合（级间直流电平配置问题、零点漂移问题）；2、基本组态放大器（共发、共集）（重点）直流通路、直流等效电路、交流通路、交流等效电路、静态工作点的计算（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）、性能指标（输入电阻、输出电阻、电压增益）的计算、三种组态放大器的性能比较（P189）；3、 差分放大器（重点）差模信号和共模性号：大小相等、极性相反；大小相等、极性相同；（P192：例4-3-1和4-3-2）差模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路差模交流通路、差模性能指标（差模输入电阻、差模输出电阻、差模电压增益）计算；共模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路共模交流通路、共模性能指标（共模输入电阻、共模输出电阻、共模电压增益）计算；共模抑制比；作业：P254：4-1（a ）（b ）、4-11、4-16、4-18、4-38第五章 放大器中的负反馈1、 正反馈和负反馈正反馈：使净输入量增大；负反馈：使净输入量减小；2、 反馈极性与类型的判别判断反馈类型：短路法；判断极性：瞬时极性法；3、 负反馈对放大器性能的影响：降低增益、减小增益灵敏度（提高增益稳定性）、改变输入、输出电阻（如何改变的？）；4、 引入负反馈的原则：要稳定直流量（如静态工作点）：引入直流负反馈；要稳定交流量（如电压放大倍数）：引入交流负反馈；要稳定输出电压：引入电压负反馈；要稳定输出电流：引入电流负反馈；要增大输入电阻：引入串联负反馈；要减小输入电阻：引入并联负反馈；要增大输出电阻：引入电流负反馈；要减小输出电阻：引入电压负反馈； 作业：第5章课件 例3第六章 集成运算放大器及其应用电路1、 理想条件下的两条重要法则：虚短：v v +-=、虚断：0i i +-==； 2、 基本应用电路：反相放大器（虚地：0v v +-==）、同相放大器（同相跟随器）； 3、 运算电路：反相加法器、同相加法器、减法器、积分器、微分器；4、 三运放仪器放大器；作业：P382：6-1、6-4。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共1基组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基2极偏置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。

2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。

3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。

4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。

5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。

6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。

（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。

（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。

（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。

（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。

（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。

（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。

（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。

（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。

（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。

（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。

（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。

A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。

模拟电子技术基础期末复习work Information Technology Company.2020YEAR一、填空1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。

2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。

３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。

４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。

５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。

６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。

7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ，产生这种现象的原因是。

8. 测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。

9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。

10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。

11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。

12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。

13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。

14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。

15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。

当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。

16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。

17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。

18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。

第一章本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。

其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。

两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。

P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。

二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。

三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（U BE>0,U BC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（U BE>0,U BC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(U BE<0,U BC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，i c= i b有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，i c主要受的影响u ce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，i c≈0,无放大作用。

基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。

要求隔“直”，又能使信号顺利通过。

放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。

三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。

分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。

图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配： 1、 当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。

模拟电子技术基础期末复习总结内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。

其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。

两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。

P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。

二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。

三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（UBE >0,UBC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（UBE >0,UBC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(UBE <0,UBC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，ic = ib有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，ic 主要受的影响uce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，ic≈0,无放大作用。

基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。

要求隔“直”，又能使信号顺利通过。

放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。

三种基本组态的判别三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。

分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为或，锗管（PNP）为，），代入方程，求出静态工作点。

图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配：1、当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN型的(UC >UB>UE);PNP型的UC<UB<UE。

模拟电子技术期末试题及答案一、选择题1. 下列哪个元器件是用来放大电流信号的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：C. 晶体管2. 下列哪个元器件是用来存储电荷的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：A. 电容器3. 以下哪个不属于模拟电子技术的基本元器件？A. 电容器B. 晶体管C. 可编程逻辑门D. 电感器答案：C. 可编程逻辑门4. 模拟信号与数字信号最主要的区别在于：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的B. 模拟信号是离散的，数字信号是连续的C. 模拟信号只有两种状态，数字信号有多种状态D. 模拟信号只能用模拟器件处理，数字信号只能用数字器件处理答案：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的5. 下列哪个元器件是用来稳压降压的？A. 二极管B. 可变电阻C. 三极管D. 电容器答案：A. 二极管二、填空题1. 以下哪个公式可以计算功率？答案：功率 = 电压 ×电流2. 电流的单位是什么？答案：安培（A）3. 以下哪个单位可以表示电压？答案：伏特（V）4. 以下哪个单位可以表示电阻？答案：欧姆（Ω）5. 模拟信号的频率单位是什么？答案：赫兹（Hz）三、简答题1. 请解释什么是反馈电路，并说明其作用。

答案：反馈电路是将输出信号的一部分再次输入到输入端，用来改变输入端的输入量，以达到控制输出信号的目的。

反馈电路的作用是能够稳定放大器的放大倍数、提高频率响应和抑制信号失真。

2. 简述运放的作用和基本构造。

答案：运放（操作放大器）是一种重要的模拟电子元件，可以放大电压信号，具有高放大倍数、输入阻抗高、输出阻抗低等特点。

它的基本构造包括差分放大电路、级联放大电路和输出级电路。

3. 请解释什么是滤波器，并列举两种常见的滤波器类型。

答案：滤波器是用于剔除或选择特定频率范围内信号的电路。

常见的滤波器类型有低通滤波器（只允许低于截止频率的信号通过）和高通滤波器（只允许高于截止频率的信号通过）。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。

《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。

答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。

答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。

答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。

A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。

A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。

A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。

A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。

（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。

A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。

A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。

A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。