用微波ECR等离子体溅射法在蓝宝石_0112_晶面上生长ZnO薄膜的研究

微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜3汪建华(武汉化工学院)　任兆杏　邬钦崇(中国科学院等离子体物理研究所)摘　要　ZnO薄膜具有强的压电和光电效应,广泛用于制作各种声电和声光器件中.本文报道了用微波ECR等离子体溅射法沉积了ZnO薄膜,并研究了该法制备ZnO膜的工艺.结果表明,所形成的ZnO膜的性质强烈地依赖于溅射沉积条件.关键词　氧化锌薄膜;微波ECR等离子体;溅射分类号　O484;O530　引　言ZnO薄膜具有介电常数低,机电耦合系数大,良好的光学性等特点,是一种十分优良的压电薄膜材料.广泛用于各种频段的声体波、声表面波、压电换能器、声光布喇格偏转器之类的声电和声光器件[1～4].ZnO薄膜的实用价值大大推动了成膜技术的发展.这些技术包括DC溅射、R F溅射、离子束蒸发、溅射外延、磁控溅射和化学气相沉积(CVD).由溅射沉积ZnO膜,其膜的晶体结构,如C轴取向,强烈地取决于溅射条件.采用常规方法溅射沉积,虽然能够生成高度C轴取向ZnO膜,但这些方法都必须在较高的基片温度下成膜,往往不适合耐热性较低的GaA s等基片材料的使用,并且膜的表面易被高能离子轰击,通常会损害膜的表面,改变膜的性能,使膜的重复性和质量都会受到影响.为了避免这些问题,通常采用增加气压,将高能粒子能量转变为碰撞热能.然而,在几个到几十个电子伏特范围内的离子会随着气压的增高也有一定的碰撞能量损失,而该范围内的离子能量是较为适宜沉积结晶性好的薄膜.为了补偿能量的损失,不得不通过增加基片温度来沉积薄膜[5].微波电子回旋共振(ECR)等离子体镀膜是近年来发展起来的成膜技术.ECR等离子体在低气压(10-3～10-1Pa)下形成,等离子体密度(1010～1013c m-3)高,电离度也高(一般在10%以上).在发散磁场的约束和推动下形成有方向性的等离子体流,电子能量高,平均能量4～14 eV,离子能量分布很窄,其高能粒子比M axw ell分布少得多,能大大减少高能粒子对沉积薄膜的辐射损伤[6],并可以通过调节磁场位形来控制沉积粒子的能量在几个到几十个eV,因此,利用ECR溅射法能在低气压下,在较低的基片温度下沉积出结晶性能优良的薄膜.本文将详细报告应用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法沉积ZnO膜的成膜过程及其膜的结晶性与工艺参数的关系.1　实验过程图1显示出溅射型微波ECR等离子体沉积装置的原理图.当频率为2.45GH z的微波由收稿日期:1995—11—06;修回日期:1997—03—103国家自然科学基金1997年6月JOU RNAL O F W U HAN I N ST ITU T E O F CH E M I CAL T ECHNOLO GY Jun.1997图1　ECR 等离子体溅射沉积装置矩形波导传播经石英窗进入作为微波共振腔的等离子体发生室,在P A r+O 2=10-3～10-1Pa 的低气压下,等离子体中的电子在共振层从微波获得能量,从而电离中性气体产生高密度、高电离度的氩、氧等离子体.该装置的磁场线圈起到约束等离子体和提供共振磁场(B =875×10-4T )的作用.它是一个典型的磁镜发散场.在从ECR 区到基片架这段距离内磁力线密度逐渐变小,它使得等离子体从等离子体产生室引至沉积室,由于微波等离子体中电子作回旋运动的速度大于离子回旋运动的速度,因而,电子首先到达基片表面,从而在基片表面建立起一个恒定的静电场,它使得等离子体流中的正离子加速具有一定的能量打到基片上.溅射气体(氩气)和反应气体(氧气)分别由质量流量计控制进入等离子体发生室和样品室.在等离子体流引出口放置了内径为90mm 圆筒形状的金属靶,并施加直流负偏置电压.真空抽气系统由机械泵和分子泵组成,本底真空抽至为1×10-4Pa .氧化锌膜的沉积机理是等离子体中的A r +离子在负靶电压的作用下轰击金属靶表面产生溅射.溅射出来的锌原子进入等离子体后又被电离,这些金属离子在磁场约束和基片电场的作用下,在样品室与电离的O 2气发生反应,沉积到基片上,形成ZnO 膜.在该装置中,基片架可以平行移动.使用的基片为玻璃、Si 片、N aC l 单晶.基片的温度可以在40～450℃.沉积的薄膜样品厚度为0.5～3.5Λm .腔体中等离子体参数采用朗谬尔静电探计测量.膜的结构,晶粒度大小,表面表貌,膜截面和透射率的测定,分别由XRD 、T E M 、SE M 和日立(荧光)光度计分析完成.2　结果和讨论2.1　薄膜的性能ZnO 压电薄膜,其电声性能与膜的结构有关.我们采用X 射线衍射分析了沉积在玻璃上的膜.图2显示出了典型的X 射线衍射图形.由图中可以看出,ZnO 薄膜(002)面衍射峰特别强,(004)面衍射峰也清晰可见,这表明ZnO 薄膜具有高度择优取向.ZnO 薄膜(002)峰的半高宽反映了膜结晶颗粒的平均尺寸.衍射峰的宽化度虽然可能是由层错等缺陷引起的,但对ZnO 这类六角结构的晶体而言,层错是不影响衍射宽化度的.薄膜的平均粒度尺寸可由Sgerrer’s 方程估算:d =0.94Κ(B 0co s Η).式中B 0是(002)峰的真空宽化度;Κ为衍射波长;Η为布喇格角.由上式测算出我们制备的ZnO 膜的平均晶粒度为15nm .T E M 的形貌观察也表明薄膜由d =10～20nm 的晶粒组成,晶粒尺寸比较均匀.用光谱仪分析测量了ZnO 玻璃双层结构,光透射率超过80%以上.典型的C 轴取向膜的透射谱,其波长的范围为250～850nm .2.2　工艺条件对薄膜晶体结构的影响ZnO 薄膜的质量强烈依赖于ECR 溅射成膜工艺条件,因此准确掌握溅射条件与薄膜性能的关系,对保证获得优质、高重复性薄膜极为重要.2.2.1　基片温度　基片温度是影响薄膜质量最主要的因素,它可以在很大程度上改变薄膜的结晶结构.因为温度会影响基片表面吸附原子的迁移率和再蒸发,冷的表面吸附原子的迁移率58第2期汪建华等:微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO 薄膜 较低,易凝聚成非晶态结构,生长的膜结晶性不好,透明度差.适当的温度则能增加吸附原子的迁移率,使结合不良的原子再蒸发,促使C 轴垂直的晶粒生长,形成取向好、表面光滑的薄膜.过高的温度,沉积的膜晶粒粗大,表面粗糙,取向变差,甚至会出现混合取向.图2　典型的ZnO 膜X射线衍射峰 图3　靶流和靶压的关系图4　靶流与气压之间的关系 图5　不同基片上的X 射线衍射图图6　基片离靶的不同距离的X 射线衍射图2.2.2　沉积特征　我们知道沉积速率首先取决于靶附近的离子流密度,其次是离子能量.实际上,对ECR 溅射,其速率正比于输入的微波功率.此外,ECR 共振层在腔中的位置,靶与基片的距离,气压等都有影响.图3示出了不同微波功率下靶流和靶压的关系曲线.图4示出了靶流与气压之间的关系.在其它工艺条件不变的条件下,一般都是用增加微波功率来提高沉积速率.适当的沉积速率能使薄膜形成的初期在基片上生成较多的核化中心,易于得到较细的晶粒,生长的薄膜更致密、光滑,取向也好.沉积率太低,薄膜的结晶取向差,表面粗糙,透明度差,呈白雾状.2.2.3　基片的种类及表面状态　生长ZnO 膜,基片类型和表面状态是非常重要的.图5显出了同等条件下不同基片的X 射线衍射图.此外,基片表面的清洁度和完整性对防止薄膜形成68武汉化工学院学报第19卷中的缺陷也是重要的,不仅会影响膜的附着力和早期成核率,而且可能导致不完整的结晶中心,引起点阵的畸变,形成高低不平的小丘,从而使膜的取向变差,针孔增多.2.2.4　基片位置　靶与基片的相对位置也是影响薄膜质量的重要因素,靶基片间距不仅影响沉积速率,而且对膜的质量有明显的影响,图6示出不同靶距的X 射线衍射图,基片为镀铝玻璃片.在ECR 溅射装置中,由于外加磁场的作用,通过改变磁场位形,可以改善等离子体密度N e 的均匀性,从而可以得到厚度均匀的薄膜.3　结　论 用微波ECR 溅射法能够在低气压、低温下制备高度C 轴取向的ZnO 压电薄膜,其晶粒大小为几个至几十个纳米,光透射率80%以上.并且膜的结构致密、膜表面平整.我们的研究还表明,膜的质量强烈依赖于ECR 溅射工艺条件,其沉积速率正比于输入的微波功率,此外还与ECR 共振层在腔中的位置、靶与基片的距离、气压等有关.膜的均匀性,可以在该系统通过调节磁场位形而得到改善.参　考　文　献1　Chernets A N ,Ken igsberg N L .P reparati on and p ropertis of th in fil m s of ZnO fo r hyperson ic tran sducers .T h in So lid F il m s ,1973,(18):247～2552　H ickernell F S .ZnO p rocessing fo r bu lk and su rface w ave deivces .IEEE U ltrason ics Sympo sium P roceed 2ings ,1980.785～7953　M itsuyu T ,Yanzak t O ,W asa K .A 4.4GH z SAW filter u sing a single cristal ZnO fil m on sapp line .IEEEU ltrason ics Sympo sium P roceedings ,1981.74～774　钱振型.ZnO 薄膜的应用.压电与声光,1982,(1):1～95　M o rito M atsuoka ,Ken’ich i O ne .C rystal structu res and op tical p roperties of ZnO fil m s p repared by spu t 2tering -type electron cyclo tron resonance m icrow ave p las m a .J V ac Sci T echno l ,1989,A 7(5):2975～29826　M o rito M atsuoka ,Ken’ch i O ne .M agnetic fileld gradien t effects on i on enery fo r electron cyclo tron reso 2nance m icrow ave p las m a stream .J V ac Sci T echno l ,1988,A 6(1):25～29Z i nc Ox ide Th i n F il m s Prepared Usi ng M icrowaveECR Pla s ma Sputter i ng M ethodW ang J ianhua R en Zhaox ing W u Q inchongAbstract Zinc ox ide (ZnO )th in fil m s w ith strong p iezoelectric and p iezoop tic effects havebeen w idely u sed in acou sto -electric and acou sto -op tic devices.T h is p ap er repo rts on structu ral p rop erties of ZnO fil m s by m icrow ave ECR p las m a sp u ttering depo siti on and stud 2ies ZnO fil m s p rocessed .T he resu lts show that p rop erties of the ZnO fil m s fo rm ed in ou r w o rk strongly rely on the sp u tter depo siti on conditi on .Key words ZnO th in fil m ;ECR p las m a ;Sp u tter78第2期汪建华等:微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO 薄膜 。

微波ECR 等离子体增强磁控溅射制备SiN x 薄膜及其性能分析3丁万昱　徐　军　李艳琴　朴　勇　高　鹏　邓新绿　董　闯(大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,大连　116024)(2005年5月24日收到;2005年9月12日收到修改稿) 利用微波ECR 磁控反应溅射法在室温下制备无氢S iN x 薄膜.通过傅里叶红外光谱、X 射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N 2流量、S i 靶溅射功率等实验参数对S iN x 薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,S iN x 薄膜中S i 2N 结构、化学配比及机械性质与等离子体中的S i 元素含量关系密切,随着N 2流量的增加或者S i 靶溅射功率的降低,等离子体中的S i 元素含量降低,S iN x 薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移,硬度下降,沉积速率降低.关键词:SiN x ,磁控溅射,傅里叶变换红外吸收光谱,X 射线电子谱PACC :6855,6860,7830L3国家自然科学基金重大项目(批准号:50390060)资助的课题. E -mail :xujun @11引言SiN x ,由于它具有硬度高、抗腐蚀、耐高温、导热性与绝缘性好、光电性能优良等优点,因而在微电子领域、微机械系统、材料表面改性等诸多领域都得到广泛的应用[1—5].最近,Y en 等人发现SiN x 薄膜的膜厚极限非常低,达到115nm 厚度时仍能形成连续的薄膜,非常适用于计算机高密度磁盘保护膜[6],因此,对SiN x 薄膜的研究再一次在国内外引起重视.由于薄膜中成分配比将直接影响到SiN x 薄膜的性能,所以研究影响SiN x 薄膜成分配比的工艺参数也就具有重要意义.SiN x 薄膜的制备方法有多种,其中最常用的有物理气相沉积(PVD )法、离子束增强沉积(I BE D )法[7]和化学气相沉积(C VD )法[8—10]等.本实验利用微波ECR 等离子体增强磁控反应溅射法制备SiN x 薄膜[11].微波ECR 磁控反应溅射法是PVD 方法中的一种,它兼备了磁控溅射和反应溅射的优点,与C VD 方法相比较,可以在低温环境下(室温)制备SiN x 薄膜,解决了反应温度过高限制SiN x 薄膜应用问题,如SiN x 薄膜作为计算机磁盘保护膜[12,13];并且大大降低薄膜中的H 含量,提高薄膜机械性质,如硬度[12,13].此外,本方法在制备SiN x 薄膜过程中易于控制薄膜结构和成分,薄膜的许多性能可以与用C VD 方法、I BE D 方法制得的薄膜相媲美.21实　验本实验制备SiN x 薄膜设备采用自行研制的微波ECR 磁控溅射系统,关于该系统的详细描述请参阅相关文献[11,14,15].基片材料采用经过抛光处理的(100)取向单晶硅片,依次经过丙酮、酒精、去离子水超声清洗,然后吹干,最后固定在加射频偏压(RF )的载物台上.沉积前先对基片进行溅射清洗(Ar =20sccm ,-400V RF ,10min ),以去除单晶硅基片表面的氧化层,溅射靶材选取纯度为99199%的单晶硅靶,溅射硅靶同样加射频偏压.工作气体为高纯N 2(991999%)和高纯Ar (991999%);在实验过程中,真空室的本底真空抽至510×10-3Pa ;反应气压为012Pa 左右;微波功率为850W.本实验通过改变参数制备出不同的SiN x 薄膜.利用美国尼高利(Nicolet )仪器公司生产的智能型AVAT AR360傅里叶变换红外光谱仪(FT 2IR )(该仪器扫描范围在400—4000cm-1之间,扫描步长为第55卷第3期2006年3月100023290Π2006Π55(03)Π1363206物　理　学　报ACT A PHY SIC A SI NIC AV ol.55,N o.3,March ,2006ν2006Chin.Phys.S oc.2cm -1)、美国Acton 公司的SP 2305型单色仪、英国VG 公司MKII 型X 射线光电子能谱仪等设备分析薄膜的结构及成分,通过MTS XP 纳米硬度仪、Surfcorder ET 4000M 型膜厚仪、NanoScope Ⅲ原子力显微镜(AFM )等仪器分析薄膜的机械性质和表面形貌.实验参数如下表1所示,通过改变N 2流量或者Si 靶溅射功率,制备出不同成分、结构及化学配比的SiN x 薄膜.在改变N 2流量或者Si 靶溅射功率时,薄膜的沉积时间皆为120min ,载物台加的沉积偏压皆为-100V (RF ).表1　实验参数表样品N 2流量ΠsccmAr 流量ΠsccmS i 靶溅射功率ΠW111220350222035034203504820350515203506301035074203008420250942020010420150114205031结果与讨论3111红外光谱图1为在不同N 2流量下沉积的SiN x 薄膜的傅里叶变换红外光谱,图中各条谱线旁边的数字为样品编号.1号谱线为N 2流量为112sccm 时沉积的SiN x 薄膜的傅里叶红外变换光谱(FT 2IR ),从光谱中可以看到,谱线在611135cm -1,896178cm -1,110311cm -1处出现吸收峰,它们分别对应的是,Si 基底、Si 2N 伸缩振动峰、Si 2O 伸缩振动峰[16—18].其中Si 2O 伸缩振动峰主要是由于背底真空中或者样品在空气中吸附的O 2或者H 2O.从谱线中可以发现,与其他方法制备SiN x 薄膜的红外光谱相比较[16—18],本实验的光谱在2200cm -1和3400cm -1处并不存在明显的Si 2H 和N 2H 的伸缩振动峰[16,17],这表明利用本系统制备的SiN x 薄膜中H 杂质含量很低,同时也显示本方法对比PEC VD 方法的优势.从图1还可以发现,随着N 2流量的增加,在870cm -1处的Si -N 伸缩振动峰强度逐渐减弱,但是在1080cm -1处的Si 2O 伸缩振动峰强度逐渐增强,主图1　不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜傅里叶变换红外光谱峰逐渐由870cm -1处转移至1080cm -1处,这说明随着N 2气流量的增加,薄膜中的O 含量逐渐增加,当N 2气流量超过15sccm 时,Si 2O 伸缩振动峰变为主峰,即此时薄膜以Si 2O 结构为主[11].这种现象可以解释为如下原因:首先,由于背底真空中有少量的O 2分子,并且O 元素活泼性要远高于N 元素,因此,被溅射出来的Si 原子在沉积过程中首先与O 元素结合,形成SiO 2结构;其次,等离子体中引入N 元素会在Si 靶表面形成氮硅化合物,导致靶中毒现象.随着N 2流量的增加,靶中毒现象加剧,导致Si 靶溅射率降低.综合这两个原因,随着N 2流量增加,到达基片的Si 原子数量在减小,并且到达基片的Si 原子,首先与背底真空中残余的O 2反应形成SiO 2,这样就间接导致薄膜中的Si 2O 键含量增加而Si 2N 键含量减少,从而导致薄膜红外光谱主峰位置由870cm -1向1080cm -1处转移.同时,这种现象也说明利用本系统可以在N 2流量很小的情况下制备出优异的SiN x 薄膜,大大的提高了N 2的利用率,仅2sccm N 2流量就可以在红外光谱上产生强烈的Si 2N 伸缩振动峰.图2为在不同溅射功率下制备的SiN x 薄膜红外光谱,图中各条谱线旁边的数字为样品编号.从光谱中依然可以得出相同规律,即随着Si 靶溅射功率的降低,在SiN x 薄膜的红外光谱中,870cm -1处的Si 2N 伸缩振动峰强度逐渐减弱,但1080cm -1处的Si 2O伸缩振动峰强度逐渐增强.这种现象验证了由上文所提到的那两个原因,随Si 靶溅射功率的降低,Si 靶的溅射速率降低,即到达薄膜生长表面的溅射Si 原子密度减少,其效果等同于靶中毒.上述结果说明4631物 理 学 报55卷等离子体中Si 元素的密度是影响SiN x 薄膜成分和结构的重要条件.图2　不同溅射偏压下制备的S iN x 薄膜傅里叶变换红外光谱为了进一步验证等离子体中Si 元素密度的变化对薄膜成分和结构的影响,利用美国Acton 公司的SP 2305型单色仪发射光谱法(OES )对等离子体中Si 元素密度进行定性测量,结果如图3所示.图3中63312nm ,63417nm 处谱峰分别对应Si ,Si +的发射光谱谱峰[19],从图3中可以看出,随着Si 靶溅射功率的降低,等离子体中Si 元素的发射光谱谱峰强度单调降低,说明随着Si 靶溅射功率的降低,等离子体中Si 元素的密度单调降低,这与FT 2IR 结果中关于等离子体中Si 元素密度的推测很好地符合.同样,在图3中可以看出,随着N 2流量的增加,等离子体中Si 元素发射光谱谱峰强度单调降低,即等离子体中Si 元素的密度也相应降低,这也与FT 2IR 结果中关于等离子体中Si元素密度的推测很好地符合.通过这两个发射光谱检测结果,可以很好地验证FT 2IR 的结论,也与随后的XPS 结论相符合,从而直接验证了等离子体中Si 元素的密度是影响SiN x 薄膜成分和结构的重要条件.3121X 射线电子能谱为了进一步了解SiN x 薄膜的结构与成分,我们对薄膜进行了X 射线电子能谱(XPS )检测.通过对Si 2p 的高分辨XPS 谱进行解谱,可以发现三个高斯峰,结合能分别为9915eV ,10119eV 和10314eV ,这三个高斯峰分别对应Si 2Si 键结构、Si 2N 键结构、Si 2O 键结构[20—23],如图4所示.通过对不同N 2流量下制备的SiN x 薄膜的Si 2p 高分辨XPS 谱解谱比较(图4),可以发现,在N 2流图3　等离子体中S i 元素发射光谱谱峰强度随S i 靶溅射功率、N 2流量的变化图4　不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜中S i 2p 的高分辨XPS 谱及其解谱量较小时(112sccm ),SiN x 薄膜中Si 2Si 键结构含量较高,并且Si 2N 键结构中N ΠSi 比值偏小,见表2,薄膜呈现富Si 态.随着N 2流量的增加,SiN x 薄膜中的Si 2Si 键结构在减少,间接导致薄膜中的Si 2N 键结构相对含量增加,在N 2流量为4sccm 时,薄膜中的Si 2N 键结构相对含量达到最大值,此时通过对Si 2p 和N 1s 的高分辨XPS 谱面积计算并用灵敏度因子校56313期丁万昱等:微波ECR 等离子体增强磁控溅射制备S iN x 薄膜及其性能分析正,计算得出此时薄膜的Si 2N 键中N ΠSi 值为1133,与Si 3N 4的化学配比相符合,如表2所示,此时的薄膜也显示出了最好的红外光谱图像以及最好的机械性质.继续增加N 2流量,薄膜中Si 2O 结构相对增加.当N 2流量超过15sccm 时,薄膜由以SiN x 结构为主转变为以SiO 2结构为主,薄膜的红外光谱及机械性质也相应地逐渐向SiO 2结构转变.XPS 结果与FT 2IR 结果很好地符合,进一步证明了在SiN x 薄膜的沉积过程中,等离子体中Si 元素的密度直接影响薄膜的化学配比和机械性质.表2　在不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜中S i 2p 的不同结构含量及S i 2N 结构中的N ΠS i 比值S i 2S iS i 2N S i 2O N ΠS i N 11220951692317900187N 44771675015431133N 858818651242111383131生长速率利用Surfcorder ET 4000M 型膜厚仪采用台阶法测得薄膜厚度,经计算可得到薄膜的生长速率.图5为SiN x 薄膜生长速率随N 2流量、溅射功率变化曲线.由图中可以得出,随着N 2流量的增加,SiN x 薄膜的生长速率单调降低;并且,随着Si 靶溅射偏压的降低,SiN x 薄膜的生长速率也单调降低.这种现象同样可以解释为随着N 2流量的增加,或者随着Si 靶溅射功率的降低,都会直接导致Si 靶表面溅射率降低,从而导致等离子体中Si 元素的含量降低,最终导致SiN x 薄膜沉积速率降低.综合薄膜的红外光谱和生长速率这两个结果,我们可以得出,Si 靶单位面积的溅射率,也就是等离子体中Si 元素的密度,在SiN x 薄膜沉积过程起着重要作用.314　薄膜硬度图6为SiN x 薄膜硬度随N 2流量、Si靶溅射功率变化曲线.从图中可以看出,随着Si 靶溅射功率的降低,SiN x 薄膜的硬度单调降低.这种现象同SiN x 薄膜的红外光谱相结合,可以解释为,当Si 靶溅射功率降低时,间接导致到达基片的Si 原子数量降低,薄膜SiN x 结构含量减少,薄膜的主要成分变为SiO 2结构.因此,薄膜硬度会降低,由SiN x 结构硬度转变为SiO 2结构硬度.随着N 2流量的增加,SiN x 薄膜硬度先增加后减小,在N 2流量为4sccm 时,图5　S iN x 薄膜生长速率随N 2流量、S i 靶溅射功率变化曲线图6　S iN x 薄膜硬度随N 2流量、S i 靶溅射功率变化曲线SiN x 薄膜得到最大硬度,为2219G Pa ,这一值与其他研究小组所得结果一致[6,12,13].结合SiN x 薄膜的XPS 及FT 2IR 结果,这种现象可以解释为,在N 2流量很小时,SiN x 薄膜呈现富Si 态,此时薄膜硬度是SiN x ,SiO 2,非晶硅三者的混合硬度,因此硬度值介于较软的SiO 2、非晶硅和较硬的SiN x 之间.随着N 2流量的增加,薄膜中的SiN x 含量逐渐增加,当N 流量为4sccm 时,薄膜中的N ΠSi 比例达到最佳的1133,因此薄膜硬度达到最大值,2219G Pa.继续增加N 2流量,由于靶中毒现象增加导致薄膜中SiN x 含量降低,薄膜由以SiN x 结构为主逐渐向以SiO 2结构为主转变,因此薄膜硬度随之向SiO 2硬度转变.当N 2流量增加至35sccm 时,薄膜中SiO 2含量较高,同时Si 2N 键结构中的N ΠSi 比值偏离标准值1133,薄膜的硬度也降低至11G Pa 左右,接近于SiO 2的硬度[24].6631物 理 学 报55卷图7　不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜表面形貌3151薄膜表面形貌由AFM 观测得到SiN x 薄膜的表面形貌及表面粗糙度.图7为在不同N 2流量下制备的SiN x 薄膜表面形貌,从图中可以看出薄膜表面光滑,没有明显的岛状生长模式.但是随着N 2流量的增加,薄膜的表面粗糙度程度增大.图8为由以上各图片得到的SiN x 薄膜表面粗糙度随N 2流量变化曲线.从图中可以看出,随着N 2流量的增加,薄膜的表面粗糙度略有增加,但总体保持在012nm 以下,这说明利用本技术制备的SiN x 薄膜可以达到在原子尺度上平滑.由本系统沉积的SiN x 薄膜的表面粗糙度低于由电弧离子镀、LPC VD 或者PEC VD 等其他方法制备的SiN x 薄膜的表面粗糙度1—2个数量级[21].这种现象是由于利用本系统沉积的SiN x 薄膜具有较低的生长速率(与电弧离子镀或者C VD 相比较),因此薄膜具有较低的表面粗糙度.图8　S iN x 薄膜表面粗糙度随N 2流量变化曲线41结　论由微波ECR 磁控溅射系统在室温下制备出具有较好结构及性能的无氢SiN x 薄膜.利用FT 2IR ,76313期丁万昱等:微波ECR 等离子体增强磁控溅射制备S iN x 薄膜及其性能分析XPS,纳米硬度仪,AFM,轮廓仪等设备对薄膜进行了结构和性能分析,结果表明,SiNx薄膜的结构和性能强烈依赖于等离子体中Si元素的含量.增加N2流量或者降低Si靶溅射功率,都会导致等离子体中Si元素含量减少,并最终改变SiN x薄膜的结构及化学配比,降低薄膜的机械性质.在N2流量为4sccm,溅射功率为350W时,等离子体中Si元素含量达到最大值,此时,SiNx薄膜的化学配比达到最佳,x值为1133,薄膜硬度亦达到最高值2219G Pa,同时薄膜显示出了最好的红外吸收光谱以及较低的表面粗糙度.[1]Skordas S,S irinakis G,Y u W et al2000Mater.Res.Soc.Symp.Proc109606[2]M orosanu C E1980Thin.Solid.Films17165[3]French P J,Sarro P M,M alle′e R et al1997Sens.Actuator s A14958[4]Bustillo J M,H owe R T1998Muller.R.S.Proc.IEEE861552[5]Eaton W P,Sm ith J H1997Smart.Mater.Struct6530[6]Y en B K,White R L,W altman R J et al2003J.App.Phys.938704[7]Xu D,Zhu H,T ang L J et al1995Acta.Meta.Sin.431(inChinese)[徐　东、朱　宏、汤丽娟等1995金属学报431] [8]Chen J F,Wu X Q,W ang D Q et al1999Acta.Phys.Sin.481310(in Chinese)[陈俊芳、吴先球、王德秋等1999物理学报481310][9]Zhang G W,Long F2001Semi.Opt.22201(in Chinese)[张顾万、龙　飞2001半导体光电22201][10]Y u W,Liu L H,H ou H H et al2003Acta.Phys.Sin.52687(inChinese)[于　威、刘丽辉、侯海虹等2003物理学报52687][11]Ding W Y,Xu J,Piao Y et al2005Chin.Phys.Lett.222332[12]Vila M,Ca′ceres D,Prieto C et al2003J.App.Phys.947868[13]Savall C,Bruyera J C,S toquert J P et al1995Thin.Solid.Films260174[14]Li X,T ang Z A,M a GJ et al2003Chin.Phys.Lett.20692[15]Xu J,M a T C,Lu W Q et al2000Chin.Phys.Lett.17586[16]Y ota J,Hander J,Saleh A A2000J.Vac.Sci.T echnol A18(2)372[17]Vargheese J K D,Rao G M2001J.Vac.Sci.Technol.A191336[18]Lu Z,Santos2Filho P,S tevens G et al2001J.Vac.Sci.Technol.A191336[19]NIST Atom ic S pectrum Database,ver.310,http:ΠΠphysics.nist.g ov[20]M oulder J F,S tickle W F,S obol P E et al1995Handbook o f X2rayPhotoelectron Spectroscopy,Physical Electronics Inc,page57and253[21]Y ang G R,Zhao Y P,Hu Y Z et al1998Thin.Solid.Films333219[22]Bustarret E,Bens ouda M,Habrard M C et al1988Phys.Revi.B388171[23]Xu S H,X in Y,Ning Z Y et al2003Acta.Phys.Sin.521287[24]Scanlon M R,Cammarata R C1994J.Appl.Phys.763387Characterization of silicon nitride films prepared byMW2ECR magnetron sputtering3Ding W an2Y u　Xu Jun Li Y an2Qin　Piao Y ong　G ao Peng　Deng X in2Lü　D ong Chuang (State K ey Laboratory o f Material Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Dalian Univer sity o f Technology Dalian　116024,China)(Received24M ay2005;revised manuscript received12September2005)AbstractHydrogen2free silicon nitride films were deposited at room tem perature by m icrowave electron cyclotron resonance(ECR) plasma source enhanced unbalanced magnetron sputtering system.F ourier2trans form in frared spectroscopy and X2ray photoelectron spectroscopy were used to study the bond type,the change of bond structures,and the stoichiometry of the silicon nitride films.Atom ic2force m icroscopy and nano2indentation were used to study the m orphological features and mechanical characteristics of the films.The results indicate that the structure and characteristics of the films deposited by this technique depend strongly on the density of sputtered S i in plasma and the films deposited at4sccm N2flow show excellent stoichiometry and properties.K eyw ords:silicon nitride,W M2ECR plasma sputtering,FT2IR,XPSPACC:6855,6860,7830L3Project supported by the National Natural Science F oundation of China(G rant N o.50390060).E-mail:xujun@8631物 理 学 报55卷。

微波ECR等离子体化学气相沉积GaN薄膜的特性研究1陈俊芳，符斯列，吴先球，何琴玉，叶穗红，张茂平，胡社军华南师范大学物理与电信工程学院 广州石牌 510631摘要：首先使用朗缪尔单静电探针测量并分析了轴对称发散磁场型ECR-PECVD装置反应室内ECR氮等离子体的空间分布,获得优化的等离子体工艺条件。

然后采用ECR等离子体增强有机金属化学气相沉积法在T=450℃条件下在α-Al2O3（0001）面上低温生长了GaN薄膜，XRD显示GaN薄膜 的（0002）峰位置为2θ=34.75°，半峰宽为18'。

说明了微波ECR-MOPECVD法具有在低温下生长GaN薄膜的优势。

关键词：ECR等离子体；ECR-PEMOCVD；GaN薄膜1．实验设备和薄膜生长过程作为第三代半导体材料的GaN基蓝光薄膜材料，由于其宽禁带、高亮度、低能耗，并因其和红光、绿光一起构成白光的三基色，在平板显示、光存储、蓝光激光器和功率晶体管等光电子领域将发挥广泛的应用[1~3]。

预计到2006年将达到30亿美元的产值，占化合物半导体市场总额的20％，成为半导体光电材料工业的主流材料。

根据电子回旋共振吸收微波原理产生的微波电子回旋共振等离子体增强有机金属化学气相沉积（ECR-MOPECVD）技术具有等离子体密度高、电离度高、无内电极放电、无高能离子、易于大面积均匀沉积等优点。

可在低温乃至室温下制备优质、均匀、结构致密的薄膜材料[4~5]。

ECR-MOPECVD法能够在400~600℃的低温下生长GaN薄膜，因此减少了晶格缺陷的产生。

电子回旋共振是指在磁场中受洛伦兹力作用作回旋运动的电子，在磁场强度为875Gauss 处它的回旋频率和沿磁场方向传播的右旋极化微波频率2450MHz相等，电子在微波电场中将被不断同步、无碰撞加速而获得的能量大于离子获得的能量，使得既使在接近常温下，如果在两次碰撞之间电子共振吸收微波的能量大于气体粒子的电离能、分子离解能或某一状态的激发能，那么将产生碰撞电离、分子离解和粒子激活，从而实现等离子体放电和获得活性反应粒子，形成高密度的ECR低温等离子体。

在现代技术中，微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜是一项重要的工艺。

这种技术以其高质量、均匀性和良好的薄膜结构而广泛应用于各种工业领域。

本文将就微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜这一主题展开讨论，并深入探究其工艺原理、应用前景和发展趋势。

一、微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜的工艺原理微波ECR磁控溅射是一种利用微波功率和磁场共同作用、通过控制溅射材料并将其沉积在衬底上形成薄膜的工艺。

在制备Al2O3薄膜时，首先需要将铝靶材置于真空腔内，然后在腔内加入氧气，并通过微波ECR磁场加热氧气，使其成为等离子体状态。

这样，铝靶材上的铝原子将被氧等离子体击中，产生氧化反应，从而在衬底上形成Al2O3薄膜。

二、微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜的应用前景由于微波ECR磁控溅射制备的Al2O3薄膜具有高质量、均匀性和良好的薄膜结构，因此在各种工业领域都有广泛的应用前景。

Al2O3薄膜可以用于制备电子器件、光学薄膜、陶瓷材料等，为这些领域的发展提供了重要的技术支持。

Al2O3薄膜还可以在生物医学、能源存储等领域发挥重要作用，有望为这些领域的技术发展带来新的突破。

三、微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜的发展趋势随着科学技术的不断进步，微波ECR磁控溅射技术也在不断发展和完善。

未来，微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜的工艺将更加智能化和自动化，可以实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制。

随着对新型材料和新工艺的不断探索，微波ECR磁控溅射制备的Al2O3薄膜也将不断拓展新的应用领域，为人类社会的发展做出更大的贡献。

总结回顾：微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜是一项具有重要意义的工艺技术，其在各种工业领域都有着广泛的应用前景。

通过深入探讨微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜的工艺原理、应用前景和发展趋势，我们对这一主题有了更全面、深刻和灵活的理解。

在未来的研究和应用中，我们可以更好地利用这一技术，推动科技的不断进步。

陕西师范大学硕士学位论文射频磁控溅射法制备氧化锌薄膜及其特性的研究姓名：余花娃申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：张建民20070401因此，归纳起来射频磁控溅射成膜的特点是：镀制的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点，可以有效地提高器件的性能及可靠性，很好地满足实验和生产的要求，有较好的实用性。

§２．２．２超高真空磁控与离子束复合溅射设备在实验中本课题采用了ＦＪＬ５２０型超高真空磁控与离子束复合溅射设备（如图２—２所示）来制备ＺｎＯ薄膜。

其工作频率为１３．５６ＭＨｚ。

溅射室里面有五个阴极靶位：两个直流、一个射频、两个离子束。

它可以用于超高真空下，冲入高纯度氩气，采用磁控溅射法制备各种金属膜、半导体膜、介质膜等。

其中射频靶位，其直径为６ｃｍ，可以安装靶材料。

靶上方是挡板，然后是转盘，转盘上有六个样品台。

在镀膜工艺条件下，采用微机控制样品转盘和挡板，既可以制备单层膜，也可以制备各种多层膜。

图２．２ＦＪＬ５２０型超高真空磁控与离子束复合溅射设备照片设备上有一台ＲＦ－５００Ｗ的射频电源，接在溅射室的一个永磁靶上，打开电源开关预热５分钟后就可以工作。

如果起辉不当或未起辉，可调一下匹配即可。

靶和样品距离可以在真空条件下调节４０—８０ｍｍ，以改善成膜均匀性。

真空镀膜的前提就是保证靶正常起辉，一般来说，起辉压强在设定进气量恒定情况下，调节闸板阀使溅射室真空度维持在３－５Ｐａ；溅射工作压强根据工艺要求，适当调节ＭＦＣ进气量，使溅射室真空度维持在０．５Ｐａ以下，此时磁控靶应能稳定工作而不熄灭。

图３－３不同退火温度的ＡＦＭ图化如图５－６所示，由图可以发现表面粗糙度的变化规律是随着沉积温度的升高而升高，在５００℃时粗糙度达到最大，７５０℃时又有所减小。

在室温一５００℃的范围内，ｚｎＯ薄膜表面形貌随沉积温度的这种变化规律与薄膜生长的热力学理论基本上是一致的。

根据非自发成核条件下的成核热力学理论【５ｌＪ，薄膜的临界成核密度随沉积温度的增加而下降，晶粒尺寸增加。

磁控溅射zno薄膜的退火热力学行为研究近年来，研究受控材料结构和性能的热力学行为已成为材料研究的重要课题。

尤其是在近来宽带低噪声技术、蓝宝石激光器件和光传感技术等新兴应用领域，对各种功能性材料的热力学行为的研究日渐受重视。

其中，ZnO是一种多功能材料，具有优异的电、光、磁和热性能，具有巨大的应用前景。

因此，研究ZnO的热力学行为变得越来越重要。

在近年来，采用磁控溅射（PMA）技术在各种基底上制备ZnO薄膜已经取得了重大进展。

PMA技术由磁场控制其原料流体，可以有效避免样品面污染，使制备过程更加简单，并且可以有效地调节样品的结构，从而实现调节其功能性能。

然而，由于ZnO薄膜通常存在高度的结构不均匀性和结晶缺陷，因此，如何改善其表面形貌和结构、改善其热力学行为非常重要。

因此，从热力学行为的角度来研究PMA制备的ZnO薄膜是很有价值的。

本研究以磁控溅射制备的ZnO薄膜为研究对象，通过实验测试，研究了其在退火前后的热力学行为。

主要结果如下：1）经过退火处理后，样品的结构发生了显著改变。

可以观察到，在原始状态下，样品表面有明显缺陷，而退火后，缺陷大大减少，样品表面平整更加具有高度的均匀性和稳定性。

2）在退火前后，样品的热膨胀系数有所不同。

从实验数据来看，退火后，样品的热膨胀系数显著降低，而收缩温度也有所提高。

3）通过X射线衍射（XRD）表征，可以看到，退火后，样品的晶体结构有所改善，结晶度增加，晶粒尺寸也有所增大，表明了样品的结晶结构有了显著的改善。

研究表明，通过退火处理可以改善PMA制备的ZnO薄膜的结构，从而改善热力学行为。

这对于改善ZnO薄膜的功能性能，特别是在宽带低噪声技术、蓝宝石激光器件和光传感技术等领域具有重要意义。

声明：本文仅用于学术交流目的，不作任何商业用途。

微波ecr磁控溅射制备al2o3薄膜随着科技的发展，薄膜技术在各个领域中扮演着越来越重要的角色。

薄膜具有广泛的应用，可以用于陶瓷、电子、光学和纳米材料等领域中。

而微波ECR磁控溅射技术在薄膜制备中起到了至关重要的作用，而Al2O3薄膜又因其特殊的性质在材料工程中得到了广泛应用。

本文将重点讨论微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜的原理、优势以及应用。

1. 原理微波ECR磁控溅射是一种基于电离和反应的薄膜制备技术。

其主要原理可以分为以下几个步骤：首先，载体材料（在此例中为Al2O3）通过靶材被溅射出来。

这个过程中，电子枪产生的电子束促使靶材电离，释放出高能粒子。

然后，高能粒子会沉积在衬底表面，形成薄膜。

沉积薄膜的特性取决于各项参数的设置，例如溅射速率、分子束能量以及气体压强等。

最后，通过调整处理参数，可以对薄膜进行定制化的制备，以满足具体应用的需求。

2. 优势微波ECR磁控溅射制备Al2O3薄膜具有以下优势：2.1 高纯度：薄膜表面几乎没有杂质，能够满足某些高要求场合的使用。

2.2 厚度均匀性：通过微波ECR磁控溅射技术制备的Al2O3薄膜具有较好的厚度均匀性，能够提高器件的性能。

2.3 抗腐蚀性：Al2O3薄膜具有良好的化学稳定性和抗腐蚀性，能够在恶劣的环境下稳定工作。

2.4 可控性：微波ECR磁控溅射技术可以对制备过程进行精确控制，可以制备出满足特定需求的Al2O3薄膜。

3. 应用微波ECR磁控溅射制备的Al2O3薄膜在各种领域中得到了广泛应用。

3.1 陶瓷领域：Al2O3薄膜可以用于增强陶瓷材料的耐磨性和耐腐蚀性，提高其使用寿命。

3.2 电子领域：Al2O3薄膜具有良好的绝缘性能和热稳定性，可用于制备电子器件的绝缘层和保护层。

3.3 光学领域：Al2O3薄膜在光学器件中具有重要的应用，可用于制备光学薄膜、镀膜和增透膜等。

3.4 纳米材料领域：Al2O3薄膜可以作为一种纳米载体，制备纳米材料，如纳米颗粒和纳米线。

微波ECR等离子体技术及制备GaN薄膜研究的开题报告一、研究背景及意义近年来，氮化镓（GaN）由于其具有优异的电学、光学性能，在射频电子学、微波器件、蓝光半导体激光等领域得到了广泛的应用。

在GaN制备中，ECR（电子回旋共振）等离子体技术由于其高等离子体密度和低温制备的优势，成为了一种重要的制备技术。

但是，目前对于微波ECR等离子体技术和制备GaN薄膜的研究还不够深入。

本研究旨在利用微波ECR等离子体技术制备高质量的GaN薄膜。

通过对微波ECR等离子体条件的优化，调控等离子体中的NH3源流量、微波功率等参数，优化薄膜质量和生长速率，并对其结构和性能进行研究与分析，为GaN薄膜的制备提供理论依据和实际指导。

二、研究内容和方法1.微波ECR等离子体技术制备GaN薄膜2.调节NH3源流量、微波功率等参数，优化GaN薄膜的生长速率和质量3.通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段，分析GaN薄膜的结构和性能4.基于研究结果，分析微波ECR等离子体制备GaN薄膜的优缺点三、研究计划和进度1.第一阶段：文献综述及理论分析（2周）2.第二阶段：准备样品并制备GaN薄膜（4周）3.第三阶段：对制备的GaN薄膜进行XRD、SEM、TEM等结构和性能分析（3周）4.第四阶段：数据分析和讨论，撰写论文（3周）四、参考文献1. Hu X X, Cai Y Q, Luo X T, et al. Low-temperature GaN epitaxial growth on Si substrate using NH3/H2 plasma generated by electron cyclotron resonance. Thin Solid Films, 2009, 518(22): 6581-6584.2. Miao J, Zhang J C, Tang X Y, et al. Study of GaN thin film growth on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma assisted molecular beam epitaxy. Vacuum, 2007, 81(9): 1080-1083.3. Kim H J, Won C H, Kim M Y, et al. Growth optimization of GaN thin films on Si(111) substrates by ECR-MBE. Journal of Crystal Growth, 2010, 312(14): 1979-1983.。

射频磁控溅射法制备ZnO/Al2O3薄膜及其界面特性研究摘要：近些年来，由于ZnO薄膜优异的性能，吸引着越来越多的人对其进行研究。

人们尝试利用不同的方法制备ZnO薄膜，并研究了不同的实验参数对ZnO薄膜的生长和特性的影响。

本文主要介绍了射频磁控溅射法制备出的ZnO/Al2O3薄膜的一些重要特性及外界条件对薄膜的影响，重点介绍了在Al2O3（0001）表面ZnO薄膜的成核及生长机制，并与Si （100）、（111）衬底上ZnO薄膜的生长机制作比照。

讨论了不同条件下界面的特性对ZnO 薄膜生长的影响。

关键词：ZnO 界面特性磁控溅射沉积时间引言ZnO是一种新型的II-VI族宽禁带化合物半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37eV【1】，原料易得廉价，而且具有更高的熔点和激子束缚能以及良好的机电耦合性和较低的电子诱生缺陷。

此外，ZnO薄膜的外延生长温度较低，有利于降低设备成本，抑制固相外扩散，提高薄膜质量，也易于实现掺杂。

ZnO薄膜所具有的这些优异特性，使其在表面声波器件、太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用。

随着ZnO泵浦紫外受激辐射的获得和p型掺杂的实现，ZnO薄膜作为一种新型的光电材料，在紫外探测器、LED等领域也有着巨大的发展潜力。

此外，ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用也很广泛。

然而，ZnO薄膜虽然在多个领域应用广泛，但是其界面特性依然是影响其制作的半导体元件的性能的重要因素。

目前对于界面的研究和优化的措施还相对较少。

对于产生不同界面特性的影响因素，不同的人也有着不同的看法，赵朝阳，李锐鹏【2】等人认为由于ZnO 外延膜和衬底之间有较大的晶格失配和热失配，会导致ZnO薄膜的晶格畸变，从而影响它的光学和电学性能。

所以,了解ZnO 外延膜与衬底界面处的结构，是十分必要的。

本文主要介绍了射频磁控溅射法制备出的ZnO/Al2O3薄膜的一些重要特性，讨论了不同条件下界面的特性对ZnO薄膜生长的影响。

微波ECR 等离子体溅射沉积T iN 薄膜的研究汪建华(武汉化工学院)　邬钦崇　任兆杏(中国科学院等离子体物理研究所)摘　要　用微波电子回旋共振(ECR )等离子体溅射法在常温下制备出优质的T i N 薄膜1采用静电探针技术,对ECR 等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数与装置运行参数之间的关系,探讨了等离子体参数对成膜工艺过程的影响1关键词　ECR 等离子体;溅射;氮化钛膜分类号　O 484;O 530　引　言T i N 薄膜具有熔点高,热稳定和抗蚀性很好,并以其较高的硬度和低的电阻率,受到人们日益广泛的关注1在集成电路金属化系统中,T i N 薄膜是一种很好的扩散势垒材料,并得到成功的应用1T i N 膜还可以做成栅材料和互连材料1除此之外,它的优良特性分别在高速工具钢,防腐蚀镀层以及金黄色泽等在装饰膜上得到广泛的应用[1,2]1目前,沉积T i N 主要采用的涂层技术为化学气相沉积和多弧离子物理气相沉积1这些方法把T i N 膜应用到工具表面已经实现了商用1然而,由于基体过高的温度和某些形状物体的不均匀性及分步镀的不良性,使其限制了在其它领域的应用1最近几年,因大规模集成电路的应用而发展起来的微波ECR 等离子体镀膜技术,突出地显示出低温,大面积均匀沉积特性[3,4]1如Si 3N 4、A l 2O 3、Si O 2、ZnO 、A l N 等1但用ECR 溅射法沉积T i N 薄膜的工作还未见报导1本文报道了采用ECR 离子体溅射法在常温下沉积了T i N 薄膜1研究了等离子体参数和装置的运行参数之间的关系1探讨了工艺参数对沉积的T i N 薄膜性质的影响11　实验方法111　装置和原理图1　ECR 等离子体沉积装置ECR 等离子体溅射装置(见图1),频率为2.45GH z 的微波沿矩形波导传输,经石英窗口进入等离子体共振腔.由外磁场提供一发散形磁场1在腔内,微波能被电子在ECR 层无碰撞地强烈吸收.获得能量的电子,通过扩散不断与中性分子,离子碰撞,使它们激发和电离,从而产生高密度的等离子体.与此同时,由电离产生的A r +在发散形磁场作用下向靶区运动,在靶区受T i 靶上的负电位加速而轰击靶,使靶上的T i 粒子溅射出来.在沉积室引入反应气体收稿日期:1995—11—03　3国家自然科学基金赞助项目11997年3月JOU RNAL O F W U HAN I N ST ITU T E O F CH E M I CAL T ECHNOLO GY M ar .1997N 2,N 2和溅射出来的T i 的分子或原子,在等离子体中受到电子和离子的碰撞,也发生一定程度的电离和激发1激发状态的氮和T i 很容易化合反应生成T i N ,沉积于基片表面1112　测　量用自制的静电探针对系统的等离子体参数进行了诊断1用p h ilp s pw 1700型X 射线衍射仪(XRD )和JEN —200CX 透射电镜(T E M )对薄膜进行了结构、形貌观察和电子衍射分析1膜的硬度和粘附力分别用HX —200显微硬度计和划痕仪进行了测定12　实验结果和讨论211　放电特性静电探针测量等离子体的典型参数如下:密度(N e )范围是1010c m -3至1011c m -3,电子温度(T e )为几个至十几个eV ,悬浮电位可达几十伏特1等离子体参数随装置运行参数之间的变化规律是等离子体密度N e 和电离度随着微波功率增加而呈线性的关系,电子温度受微波功率的影响很弱,V f 有类似于T e 的分布1图2显示出气体压强与等离子体参数N e 、T e 、V f 、Κd (等离子体鞘层的厚度)之间的关系曲线1曲线表明:N e 随着气体压强的增加而增大.电子温度T e 随着气体压强的增加而单调减小.鞘层厚度ΚD 随着气压的升高会变薄,它反映了T e 和图2　等离子体N e ,T e ,V f ,ΚD 与气体压强P A r 的关系曲线图3　磁场电流与等离子体密度之间的关系曲线N e 相对压强的敏感程度.在低气压下,T e 更“敏感”,随着气压的升高,电子与中性粒子和其它粒子碰频率增加,其平均自由程会降低,电子在两次碰撞之间所能得到的能量变少.图3显出了装置不同位置处,磁场电流I m 与N e 之间的关系.由图可见,当I m =180A 时,ECR 共振面位于微波输入窗口附近时,腔内能获得高的等离子体密度1这表明,ECR 共振面在腔内的位置以及磁场位形对腔内等离子体密度影响很大1212　等离子体参数与成膜工艺参数之间的关系该装置的工艺参数中,靶流I t 是反映等离子体行为的最直观的量1图4是靶流随微波功率变化的曲线1由图可见,靶流随着微波功率增加而增大,这是因为高的微波功率,产生高的等离子体密度和电离度,使得离子轰击靶的数目增加,从而提高了靶的溅射速率,测量到的靶流增加1图5显示了靶流与气体压强之间的关系,图中的I t 与N e 随气压的变化情况极为相28武汉化工学院学报第19卷图4　靶流随微波功率变化的关系曲线图5　靶流与气体压强之间的关系曲线图6　靶流与氮气流量的关系曲线213　氮分压在沉积T i N 膜中的特殊作用 图6是靶流与氮气流量之间的关系曲线1该图是在条件:P A r =9×10-2Pa ,P w =375W ,基片压V s =-50,靶压V t =-640V ,I m =180A ,由图可见,随着氮气流量的增加,其靶流呈明显的下降趋势1其原因是由于N 2气增多时,钛靶表面吸附了N ,容易生成T i N ,而使靶的溅射速率降低,即靶流减少1氮化钛膜中的N T i 的比值是取决于溅射出来的金属和反应气体N 21由于其N T i 的比值不同如欠量比或过量比,都会使T i N 膜的成份改变1在该实验中,T i N 成份的改变显示在膜的不同颜色中1随着氮气分压强的升高(流量增大)T i N 膜的颜色由浅变深,即银白、浅黄、金黄、红黄、褐色1这情况实际是遵守化合反应化学计量学原则,因为氮分压低时,靶的状态类型为金属状态类型,溅射的钛原子在基板上生成具有密排六方晶格的为ΑT i 相,高纯钛银灰色1随着氮分压的增加,开始生成具有四方结构的ΕT i N 相,颜色为浅黄色,当氮分压增加到饱和值时,生成具有面心立方晶格的∆T i N 相为金黄色[5,6]1214　T i N 膜结构和特性分析21411　透射电镜(T E M )对膜表面形貌和结构分析用T E M 对沉积的T i N 薄膜进行了表面形貌结构分析1如图7所示,T i N 膜非常致密,呈晶粒状,颗粒细小而均匀,晶粒大小为15～30nm .由电子衍射图观察到了(111)、(200)、(220)等明亮衍射环并由这些环可以计算推出膜的结构为面心立方晶体,点阵常数为a =4.229.与块体材料的点阵常数a =4.24相比,T i N 膜层的点阵常数略有偏差1这种偏差在完全符合化学计量的情况下也会发生1这可解释为,由于小晶粒,高缺陷密度以及氩和氮的间隙式混入会产生内应力从而引起点阵常数的偏差[7]1 图7　T E M 形貌和电子衍射图图8　膜的颜色与硬度之间的关系21412　T i N 薄膜的硬度　用HX 200显微硬度计,测量了不锈钢基底上不同颜色的膜,其结果为图81从图可知膜层的硬度有一个峰值,即为2942N mm 2,并且受氮分压强的影响,在N 2分压强的高端和低端膜层硬度会下降138第1期汪建华等:ECR 等微波离子体溅射沉积T i N 薄膜的研究 48武汉化工学院学报第19卷21413　膜层附着力的测定　在不锈钢衬底上得到的T i N膜,当为红黄颜色时,其临界载荷为1.3kg,其摩擦力有突变,其幅度为26g左右;当膜为金黄色时,不锈钢上临界载荷为1.7kg,其摩擦为突变值幅度为102g左右1这表明,金黄颜色的膜附着力优于红黄颜色的膜13　结　论a.微波ECR放电,等离子体密度为1010～1011c m-3,电子温度为几个到十几个eV,等离子体悬浮电位为零到几十伏特,并且等离子体的行为与磁场位形以及ECR层在腔内的位置有关系1N e是随着微波功率的增加呈线性变化,而对电子温度的增长效果很弱1电子能量分布是压强的函数,随着压强的降低,测量到的T e是增加的;b.在微波ECR镀膜装置中,等离子体诊断对确定其最佳工艺参数是极为重要;c.T i N膜的工艺过程表明,氮气分压强是一重要的工艺参数,对其T i N膜的性能影响很大,在其它工艺参数一定时,严格控制氮气分压强,就可稳定地控制膜的成份1随着氮气分压强的不同,其T i N膜的颜色会改变,并且膜的硬度和附着力,是不同的;d.在低气压,基片不加热的情况下沉积的T i N膜,T E M分析表明,结构为面心立方结构(f cc),膜层致密,呈晶粒状,细小而均匀,晶粒大小约15～30nm,点阵常数为a=4. 299.参　考　文　献1　高玉芝,张春利.T i N薄膜特性及其应用,薄膜科学与技术,1989,2(4)2　H atschek R L.Coatings:R evo lu ti on in H SS too ls.Am erican M ach in ist,1983,127,(3):121～1443　Seitaro M atsuo,M ik iho k iuch i.L ow temperatu re Chem ical vapo r depo siti on m ethod u tilizing an electron cyclo tron resonance p las m a.Japanese Jou rnal of A pp lied Physics,1983,A part :210～2124　M o rito M atsuoka,ken’ich i O no.C rystal structu res and op tical p roperties of Zno fil m s p repared by spu ttering-type electron cyclo tron resonance m icrow ave p las m a.U.V ac.Sci.T echno l,1989,A7(5): 2975～29825　闻立时,姜辛,斯重遥.T i N涂层晶体择优取向的电子衍射法研究.无机材料学报,1986,1(4):153～1586　杨树贵,周单.反应磷控溅射离子镀氮化钛薄膜质量与工艺参数的关系1无机材料学报,1989,3(2):155～1607　田成波,刘德令.薄膜科学与技术手册1北京:机械工业出版社1Study of T iN Th i n F il m by M icrowave ECR Pla s maReaction Sputter i ng D epositionW ang J ianhua W u Q inchong R en Zhaox ingAbstract　T h is p ap er repo rts on u sing m icrow are ECR p las m a sp u ttering m ethod p rep ared h igh quality T i N fil m s on low-tem p eratu re sub strates.P las m a diagno tic in ECR p las m a app aratu s has been m ade by longm u ir p robe techn ique.T he relati on sh i p betw een p las m a p arem eters and app aratu s op erati on p arem eters have been studied.T he infuences of p las m a p arem eters to depo siti on th in fil m p rocessed are exp lo rated.Key words　ECR p las m a;Sp u tter;T i N th in fil m。

ZnO薄膜制备及其光、电性能研究六方纤锌矿结构的ZnO材料由于其具有独特的电学和光学性能,在压电、气体传感器、光电器件等领域有广泛的应用。

本文采用Sol-gel法和RF磁控溅射法在玻璃和Si(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌、电学性能和光学性能等进行了表征。

以二水合醋酸锌、乙二醇甲醚、乙醇胺、二水合氯化镁等为前驱物,在载玻片衬底上Sol-gel法制备了ZnO薄膜,系统研究了掺杂量、溶液浓度、热处理温度等对薄膜性能的影响。

实验结果表明,适量Li或Mg的掺杂可促进薄膜(002)定向生长,并明显提高材料的电阻率;溶液浓度为0.45mol/L、旋涂7次、在610℃下热处理的Li/Mg共掺(Li/Zn = 0.10, Mg/Zn = 0.04)ZnO薄膜呈现极好的(002)定向性,定向指数达0.961,电阻率达6.0×107?cm。

薄膜从光致发光研究表明, Li掺杂ZnO薄膜在PL谱上出现了403nm的发光峰,同时ZnO的带边发射(NBE)峰(371nm)消失,而Mg掺杂后不改变NBE峰的位置。

随Li和/或Mg掺杂浓度的升高,ZnO薄膜材料的深能级发光峰(DLE)变弱。

首次采用高RF磁控溅射功率(550W)制备了(100)择优取向的ZnO,其定向指数可达0.752,而在较低的功率(200～380W)下溅射,薄膜呈现很好的(101)取向,定向指数达0.799;基片加热至250℃、溅射功率200W时,制备的ZnO薄膜则表现为(002)择优取向性,定向指数为0.742。

从原子堆积方式的角度提出了不同择优取向薄膜的生长机理。

对三种择优取向薄膜的晶格常数的测试结果表明,(002)取向的晶胞较小,而(101)取向的薄膜晶胞最大。

(100)取向薄膜的PL谱以Li的杂质能级峰(399nm)为主,(002)取向的薄膜以Zni缺陷的能级峰(420nm)为主,而(101)取向薄膜主要为带边发射(384nm);薄膜的电阻率随溅射功率的增加而增大;薄膜的表面形貌表明,(100)取向的薄膜与其它取向薄膜相比晶粒更加细密。

ZnO-LNO薄膜的磁控溅射制备与性能研究ZnO/LNO薄膜的磁控溅射制备与性能研究随着科技的不断进步，材料科学领域也取得了许多重要的发现和突破。

在这个领域中，磁控溅射技术被广泛应用于薄膜的制备。

近年来，ZnO（氧化锌）和LNO（氮化锆锂）薄膜的磁控溅射制备方法备受关注，并且在研究中取得了显著的成果。

ZnO和LNO是两种重要的功能材料，它们在许多领域都有广泛的应用。

ZnO是一种半导体材料，具有优异的电学和光学性能，可以用于太阳能电池、发光二极管和激光器等器件的制备。

而LNO是一种铁电材料，具有优异的压电和介电性能，可以用于传感器、声波滤波器和存储器等领域。

因此，研究ZnO/LNO薄膜的制备方法和性能对于进一步拓展它们的应用具有重要意义。

磁控溅射是一种常用的薄膜制备技术，它通过在真空环境中将靶材溅射到衬底上，形成所需的薄膜。

在ZnO/LNO薄膜的制备中，磁控溅射技术可以实现高质量的薄膜生长，并具有较高的沉积速率和较低的制备成本。

此外，通过调节工艺参数，还可以控制薄膜的晶体结构、成分和性能。

在制备ZnO/LNO薄膜时，磁控溅射方法通常需要考虑靶材的选择、沉积温度和气氛等因素。

例如，选择适合的靶材可以提高薄膜的质量和性能。

同时，调节沉积温度和气氛可以控制薄膜的晶体结构和形貌，进而影响其电学和光学性能。

通过对ZnO/LNO薄膜的性能研究，研究人员发现了一些重要的结果。

例如，ZnO/LNO薄膜的晶体结构与沉积温度和气氛密切相关。

较高的沉积温度和氧气氛有助于薄膜的结晶度和取向性的提高。

此外，研究还发现，掺杂和界面调控等方法可以进一步改善ZnO/LNO薄膜的性能。

总之，ZnO/LNO薄膜的磁控溅射制备方法和性能研究对于拓展其应用具有重要意义。

通过研究薄膜的制备参数和性能特点，可以为其在光电、电子和传感器等领域的应用提供理论和实验依据。

此外，磁控溅射技术的发展也将推动材料科学领域的进步，促使新材料和器件的出现。

射频磁控溅射法制备ZnO/Al2O3薄膜及其界面特性研究摘要：近些年来，由于ZnO薄膜优异的性能，吸引着越来越多的人对其进行研究。

人们尝试利用不同的方法制备ZnO薄膜，并研究了不同的实验参数对ZnO薄膜的生长和特性的影响。

本文主要介绍了射频磁控溅射法制备出的ZnO/Al2O3薄膜的一些重要特性及外界条件对薄膜的影响，重点介绍了在Al2O3（0001）表面ZnO薄膜的成核及生长机制，并与Si （100）、（111）衬底上ZnO薄膜的生长机制作比照。

讨论了不同条件下界面的特性对ZnO 薄膜生长的影响。

关键词：ZnO 界面特性磁控溅射沉积时间引言ZnO是一种新型的II-VI族宽禁带化合物半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37eV【1】，原料易得廉价，而且具有更高的熔点和激子束缚能以及良好的机电耦合性和较低的电子诱生缺陷。

此外，ZnO薄膜的外延生长温度较低，有利于降低设备成本，抑制固相外扩散，提高薄膜质量，也易于实现掺杂。

ZnO薄膜所具有的这些优异特性，使其在表面声波器件、太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用。

随着ZnO泵浦紫外受激辐射的获得和p型掺杂的实现，ZnO薄膜作为一种新型的光电材料，在紫外探测器、LED等领域也有着巨大的发展潜力。

此外，ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用也很广泛。

然而，ZnO薄膜虽然在多个领域应用广泛，但是其界面特性依然是影响其制作的半导体元件的性能的重要因素。

目前对于界面的研究和优化的措施还相对较少。

对于产生不同界面特性的影响因素，不同的人也有着不同的看法，赵朝阳，李锐鹏【2】等人认为由于ZnO 外延膜和衬底之间有较大的晶格失配和热失配，会导致ZnO薄膜的晶格畸变，从而影响它的光学和电学性能。

所以,了解ZnO 外延膜与衬底界面处的结构，是十分必要的。

本文主要介绍了射频磁控溅射法制备出的ZnO/Al2O3薄膜的一些重要特性，讨论了不同条件下界面的特性对ZnO薄膜生长的影响。

射频磁控溅射法生长p型氧化锌（ZnO）薄膜及特性研究王鹏ZnO是一种II－VI族直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，拥有较高的激子束缚能（～60meV）。

是制造蓝光、紫光甚至紫外光发光器件的理想材料。

最近，ZnO薄膜的p型掺杂成为研究的热点。

目前，p型ZnO虽已有大量的报道，但是其重复性和性能还不理想。

而且，受主杂质在ZnO中的形成机理还不清楚。

这些都制约着ZnO基短波长光电器件的实现。

本工作采用射频磁控溅射方法，以五氧化二磷（P2O5）粉末作为磷源按一定比例与ZnO粉末混合制成溅射靶材，在Si（111）衬底上溅射生长磷（P）掺杂的ZnO薄膜材料。

研究了在750℃原位退火处理过程中，不同的氧气压强对样品的电学特性的影响。

室温下的霍尔测试表明：样品在没有氧气的情况下进行退火处理后，表现为n型导电类型，电子浓度为～1017cm-3。

当氧气作为退火气氛，压强在1.3×10-3～3.9×10-3Pa时，样品转变为p型导电类型。

空穴浓度为1016～1017cm-3，载流子迁移率为4～13cm2/Vs。

当退火过程中采用更高的氧气压强时（5.2×10-3、6.5×10-3Pa），样品的导电类型又转变为n型。

并且电子浓度随着氧气压强的增强而升高。

我们的实验结果表明：原位退火过程中是否通入氧气，以及氧气的压强大小对P掺杂的ZnO薄膜的导电性有重要的影响。

在退火温度一定的情况下，一定压强范围内的氧气作为退火气氛能够实现ZnO薄膜的p型掺杂。

另外，我们还对P杂质在ZnO中的存在状态进行了简单的讨论。

认为P在ZnO中有可能存在P Zn（施主）和P O（受主）两种状态，其导电类型是这两种杂质竞争作用的结果，并且退火过程中氧气的多少对这两种杂质的多少有重要影响。

由于衬底为n型的Si，与p型ZnO薄膜形成了异质p-n结结构。

于是我们测量了该结构的I-V特性。

结果表现具有明显的整流特性。

文章编号：1001－9731（2016）增刊（Ⅱ）－081－04基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究*艾春鹏1，赵晓锋1，白忆楠1，冯清茂2，温殿忠1（1．黑龙江大学黑龙江省高校电子工程重点实验室，哈尔滨150080；2．黑龙江大学化学化工与材料学院，哈尔滨150080）摘要：研究射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，采用X射线衍射仪(XＲD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响，并分析ZnO薄膜阻变特性。

实验结果表明，沉积态薄膜择优取向为〈002〉晶向，随溅射功率和退火温度增加，择优取向显著增强，溅射功率120W时薄膜生长速率可达4．8nm/min，薄膜厚度92nm的ZnO薄膜具有阻变特性且开关比可达104。

关键词：ZnO薄膜；射频磁控溅射；微结构；阻变特性中图分类号：TM614文献标识码：A DOI：10．3969/j．issn．1001－9731．2016．增刊（Ⅱ）．0150引言对ZnO的研究最早可以追溯到1935年［1］，六角纤锌矿结构ZnO作为宽带隙化合物半导体（Eg= 3．37eV），其具有良好的压电、气敏和湿敏等优异特性，并且其透光率可高达90%（可见光区域），可广泛应用于压力传感器、加速度传感器、气敏传感器、透明电极和太阳能电池等领域［2－6］。

近年研究发现ZnO薄膜具有电致阻变特性，Nauman等［7］通过电流体动力喷墨打印技术（EHDP）制备出ZnO薄膜，阻变特性开关比为103，Ocampo等［8］采用溶胶－凝胶法（Sol－gel）在多孔硅中注入ZnO，阻变特性开关比为2 3，Shamistha 等［9］采用纳米粒子旋涂方法制备出ZnO薄膜，阻变特性开关比为2．2ˑ104。

随着纳米材料制备技术的发展，ZnO薄膜制备方法主要有溶胶－凝胶法（Sol－gel）、脉冲激光沉积（PLD）、分子束外延（MBE）以及磁控溅射等［11－13］。

本文采用射频磁控溅射法，以P型〈100〉晶向单晶硅片为衬底研究ZnO薄膜制备工艺，并通过X射线衍射仪（XＲD）、扫描电子显微镜（SEM）和台阶仪分析ZnO薄膜微结构特性和生长速率，探究溅射功率、溅射时间和退火温度对ZnO薄膜特性的影响，并使用Keithley 4200半导体参数测试仪研究ZnO薄膜阻变特性。

收稿日期:1998210211.汪建华,男,1955年生,副教授;武汉,武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室(430070).3国家自然科学基金资助项目(19175046).微波ECR 等离子体高速溅射装置的研制3汪建华　袁润章武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室邬钦崇　任兆杏中科院等离子体物理研究所摘　要　研制了一台高速率溅射的ECR 等离子体沉积装置.采用微波真空波导及反常模式或输入技术,利用腔内双靶构成的电场镜,使高能Χ电子在电场镜中振荡,从而获得高密度的等离子体.并且,导电膜能连续高速沉积,在2.7×10-2Pa 的低气压下,铜膜的沉积速率可达120nm m in .关键词　ECR 等离子体;高速溅率;电场镜分类号　TN 304.05 用微波ECR 溅射技术已成功地制备出高质量的ZnO ,A l N ,A l 2O 3和T i N 薄膜[1,2],然而,采用常规的ECR 溅射法在溅射过程中,金属粒子会覆盖微波输入窗口,影响装置的正常工作,必须要定时更换石英窗口.另一方面,由外磁场在腔内产生的磁通会穿过圆筒靶表面,绕着磁力线作圆周或螺旋运动的电子,很容易撞在腔壁被复合消耗,使靶的溅射速率低,影响薄膜的沉积速率.为此,研制了一台新型的ECR 溅射装置.本文介绍该装置的原理、结构和性能,研究了装置的溅射放电特性及在薄膜制备中的初步应用.1　实验装置及靶的结构特点1.1　实验装置由图1可见,频率为2.45GH z 的微波,经过图1　双靶结构的ECR 溅射装置垂直连接在共振腔壁上的真空波导,以反常波模式耦合进入腔内,共振腔长290mm ,直径为<150mm ,共振腔外绕有冷却腔体的通水铜管,在共振腔与沉积腔之间设置一平面靶<120mm ,圆筒靶<70mm (圆筒靶长60mm ),两靶之间的距离可以调节,靶基座和圆筒靶之间放有软铁环和不锈钢环,工作气体为A r ,靶材为Cu ,共振腔内产生的等离子体由发散场引入沉积室,等离体诊断使用单探针.1.2　磁控方式溅射用的圆筒靶结构将筒状靶设计成磁控溅射的方式,即利用磁场来改变电子的运动轨道将它较长时间地约束在靶表面附近,这样不但可以减少电子的散失和消耗,而且还可以增加它在靶上的运动路程,使电子与等离子体的碰撞几率和离化效率增加,从而提高气体的离化率.圆筒状溅射靶结构示如图2,靶与一个接地直流电源的靶基座相接,并且用水冷却靶基座,靶由5个支持环支撑,四个用软铁制作,中间的用不锈钢制作.图2　圆筒靶的结构和磁场的示意图1—圆筒靶;2—铁环;3—不锈钢环;4—磁力线;5—局部磁场;6—磁控管放电区域;7—发散磁场由图2可见,由于利用了4个软铁支撑环,发第27卷第2期 华　中　理　工　大　学　学　报 V o l .27　N o.21999年　2月 J.H uazhong U n iv .of Sci .&T ech . Feb .　1999散磁场在靶表面上容易形成局部磁场,此局部磁场有效地产生磁控放电(E ×B ).为了形成等离子体流仍维持发散磁场,局部磁场从靶表面扩张很小,实验观察到放电时,圆筒靶表面有2个界限分明的明亮光环,每条光环长度对应着铁环的长度.这表明:靶表面形成的局部磁场产生了磁控放电,在靶表面上形成了高密度的等离子体.1.3　电场镜2双靶溅射结构微波从侧面输入进入共振腔,对解决微波窗口的污染是行之有效的[3].因为微波输入窗口置于靶的死角,能避免金属粒子对窗口的污染.但该法的微波以X 模式耦合进入共振腔,产生的等离子体密度N e 受截止区的影响,不可能像R 模式波耦合到共振腔所产生的等离子体密度那样高,因而会使靶的溅射速率受到影响,为提高共振腔内的等离子体密度和靶的溅射速率,在新型ECR 溅射装置中,采用了双靶结构,即圆筒状靶和一平面靶.当两靶有负电压时,则构成一电场镜,如图3所示,由图可见,从靶表面发出的Χ电子被加速到相对面的靶上,到达对面靶的电子由于受靶的图3　有电场镜的ECR 溅射装置中的电子运动图负电压作用而被反射,因此,高能Χ电子在靶的电位势阱中振荡,加速了两靶之间的中性气体的电离,在有电场镜的ECR 等离子体中,电子与微波等离子体有直接的相互作用[4,5].两靶之间振荡的电子形成的电子束和等离子体之间的相互作用相同于空间电荷(Ξb +ΒV b )与等离子体波(Ξ),或相同于减慢回旋波(Slow Cyclo tron W ave )(Ξc +ΒV b )与等离子体波(Ξ)的作用.这里Ξb 为Χ电子的等离子体电子频率;Ξc 为Χ电子的回旋频率;Β为电子束的波数;V b 为Χ电子的初速度;当等离子体波频率与空间电荷波或减慢回旋波相等时,即Ξ=Ξb +ΒV b 或Ξc +ΒV b 时,相互作用增加.由于Χ电子在两个靶之间振荡,Β=n Π z ,z 为靶距.当不连续的n 为整数满足此方程时,电子束和等离子体之间的相互作用交替增长,在这里等离子体波的频率Ξ近似为磁场中上混杂波频率(Ξ2P +Ξ2c ),ΞP 为等离子体电子频率.因此,在电镜场中,不仅有电子和等离子体中的中性粒子之间的直接碰撞电离,还有电子束和等离子体之间的非线性相互作用[6],从而得到高密度的等离子体.这种双靶结构对产生高速溅射起到重要作用.2　实验结果与讨论2.1　溅射放电特性图4给出电场镜型ECR 溅射装置放电的伏安特性曲线,放电条件:气体压强P =1.3×10-2Pa ,微波功率保持在360W ,磁场电流I m =(a )当V c =-640V 时,筒靶　(b )当V p =-420V 时,流I c (圆圈)和平面靶流I c (圆圈)和I p (圆I p (圆点)与平面靶压之点)与筒状靶压之间的关系间的关系图4　电场镜型ECR 溅射装置放电的伏安特性曲线210A .平面靶压V p 与平面靶流(I p ),平面靶压V p 与筒状靶流(I c )之间的关系由图4(a )给出,这里筒状靶的电压V c =-640V .当V p =-420V 时,平面靶靶流I p ,筒状靶靶流与筒状靶靶压之间的关系由图4(b )给出.由前所述,该溅射放电是微波ECR 等离子体和有电场镜的等离子体的混合产生的.由图4(a )可见,I c 和I p 随着V p 的增加而增加;当V p 为400V 时,I c 和I p 达到峰值,随着V p 的继续增加,I c 和I p 呈下降趋势,V p 再增加至600V 以后,I c 和I p 又将增加.图4(a )中,靶电流的峰值的出现,可能意味着两个靶之间形成的电子束在产生高密度的等离子体中起主要作用,即放电曲线的起伏表明放电效率随靶压(即Χ电子的速率)起伏变化.由图4(b )可见,筒状靶靶压较低时,靶流(I p 和I c )较小,当靶压高于450V 时,靶电流急剧增大,对沉积腔的等离子体参数,用单探针进行了测量,在气压1.3×10-2Pa 范围,P w =400W ,典型的等离子体参数为:等离子体密度N e =2.6×1010c m -3,电子温度为21eV ,等离子体悬浮电位V f 为-64V .2.2　薄膜的沉积用该装置作了金属Cu 薄膜的沉积实验,结果表明:在低气压2.7×10-2,微波功率为17第2期 汪建华等:微波ECR 等离子体高速溅射装置的研制 400W时,薄膜的沉积速率可达120nm m in.如果继续提高微波功率则可获得更高的速率.2.3　讨论所研制的高速率溅射的ECR等离子体装置,具有以下的特点.a.微波从侧面经过一段真空波导管,进入共振腔,从而避免了金属粒子对石英窗口的污染.b.腔内的发散形磁场仍由腔外线圈产生,但在圆筒靶后面加了铁环,从而在靶表面形成了局部磁场,能有效产生磁控放电,提高了靶的溅射速率.c.腔内的双靶构成一电场镜,通过高能Χ电子在电位势阱中的振荡能形成电子与微波等离子体之间相互作用,从而获得高密度的等离子体,它对产生高速溅射起了重要作用.利用该装置溅射制备的Cu膜沉积速率可达120nm m in,实现了膜的快速沉积,可望为高质量薄膜的制备提供一种实用的新手段.参考文献1　汪建华,邬钦崇,任兆杏.微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜.武汉化工学院学报,1997,19(1):84～872　汪建华,邬钦崇,任兆杏.微波ECR等离子体反应溅射沉积T i N薄膜的研究.武汉化工学院学报,1997, 19(1):239～2433　汪建华,袁润章,邬钦崇等.X模耦合微波的ECR溅射装置的放电特性.华中理工大学学报,1998,26(8): 53～554　M atsuoka M,O ne K.A N ew Spu ttering2T ypeE lectron Cyclo tron R esonance M icrow are P las m aU sing an E lectric M irro r and H igh2R ate D epo siti on.J.A pp l.Phys.,1989,65(11):4403～44095　M atsuoka M,O ne K.I on Ex trocti on from M icow ave P las m a Excited by A rdinary and Ex traodinang W aves and A pp licati on s to the Spu ttering D epo siti on.J.V ac.Sci.T echno l.,1991,A9(3):691～6956　M atsuoka M,O ne K.D en se P las m a P roduceti on fo rH igh R ate Spu ttering byM ean s of an E lectricM irro r.A pp l,Phys,L ett,1988,53(21):2025～2028A Study of the H igh Ra te Sputter i ng-Type ECRM icrowave Pla s ma Appara tusW ang J ianhua　Y uan R unz hang　W u Q inchong　R en Z haox ingAbstract　A h igh rate sp u ttering2typ e ECR m icrow ave p las m a app aratu s has been studied.T he app aratu s is characterized by u tilizing a techn ique vacuum w avegu ide and an ex trao rdinary w ave m ode coup ling u sing an electric m irro r by m ean of the tw o targets in the cavity.T he h igh energyΧelectron o scillating betw een the tw o targets p lay a m aj o r ro le in generati on the den se p las m a.T he conducto r fil m can be con tinuou sly depo sited by th is sp u ttering m ethod at h igh rate.Cu fil m is depo sited at rates above120nm m in under low gas p ressu res of2.7×10-2Pa.Keywords　ECR p las m a;h igh rate sp u ttering;electric m irro rW ang J i anhua　A ssoc.P rof.;State Key L abo rato ry of A dvanced T echno logy fo rM aterials Syn thesis and P rocessing,W U T,W uhan430070,Ch ina.27 华　中　理　工　大　学　学　报 1999年。

用微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积法在玻璃上镀膜孙洪福;汤华娟;王承遇;陶瑛;邓新绿
【期刊名称】《玻璃与搪瓷》
【年(卷),期】2004(32)2
【摘要】利用微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积技术在玻璃表面制备了硅膜.研究了所得硅膜的表面形貌、附着力和化学稳定性及其红外-可见光谱特性.结果表明此法制备的硅膜均匀性好,附着力及化学稳定性高,对近红外波段有较低的透过率和较高的反射率.
【总页数】4页(P34-37)
【作者】孙洪福;汤华娟;王承遇;陶瑛;邓新绿
【作者单位】大连轻工业学院玻璃及无机新材料研究所,辽宁,大连,116034;大连轻工业学院玻璃及无机新材料研究所,辽宁,大连,116034;大连轻工业学院玻璃及无机新材料研究所,辽宁,大连,116034;大连轻工业学院玻璃及无机新材料研究所,辽宁,大连,116034;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024【正文语种】中文
【中图分类】TQ171.73+1
【相关文献】
1.微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射DLC膜的制备与表征 [J], 李新;唐祯安;邓新绿;徐军;张虹霞;杨梅
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3.双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术 [J], 徐军;邓新绿;张家良;陆文棋;马腾才
4.微波多极场ECR等离子体镀膜技术—原理和应用 [J], 宁兆元;张燕陵
ngmuir探针诊断微波ECR非平衡磁控溅射等离子体 [J], 张治国;陈小锰;刘天伟;徐军;邓新禄;董闯
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(110)和(002)择优取向ZnO薄膜的制备及光学性能研究苏德志;赵全亮;李中翔
【期刊名称】《北方工业大学学报》
【年(卷),期】2014(026)001
【摘要】运用射频溅射法在Si和LaNiO3/Si衬底上分别制备了高度(002)和(110)取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征,发现
ZnO/LaNiO3/Si薄膜的(110)取向度高达96％,ZnO/Si薄膜为(002)择优取向,两种薄膜表面均致密平整,晶粒尺寸小于80nm.光致发光结果表明,ZnO/LaNiO3/Si薄膜的光致发光峰主要为带边发射的紫外光,而ZnO/Si薄膜的光致发光峰主要为过量氧导致的缺陷引起的缺陷发光峰.因此,采用LaNiO3薄膜作为ZnO在Si衬底上生长的过渡层,能够有效抑制缺陷发光,改善ZnO薄膜的发光性能.
【总页数】6页(P44-48,94)
【作者】苏德志;赵全亮;李中翔
【作者单位】北方工业大学机电工程学院,100144,北京;北方工业大学机电工程学院,100144,北京;北方工业大学机电工程学院,100144,北京
【正文语种】中文
【中图分类】TB34
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5.直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜 [J], 王质武;刘文;杨清斗;卫静婷因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

蓝宝石衬底上磁控溅射法室温制备外延ZnO薄膜周阳;仇满德;付跃举;邢金柱;霍骥川;彭英才;刘保亭【期刊名称】《人工晶体学报》【年(卷),期】2009()1【摘要】在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的ZnO薄膜。

采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外分光光度计系统研究了ZnO薄膜微观结构和光学特性。

AFM测量结果表明ZnO薄膜具有较为均匀的ZnO晶粒,表面平整,具有较小的均方根粗糙度(0.9 nm);X射线衍射结果表明制备的ZnO薄膜为具有六角纤锌矿结构的外延薄膜;光学透射谱显示样品在可见光范围内具有较高的透过性,并在370 nm附近出现一个较陡的吸收边,表明在室温下制备出了具有较高质量的ZnO薄膜。

【总页数】5页(P74-78)【关键词】ZnO薄膜;射频磁控溅射;外延生长【作者】周阳;仇满德;付跃举;邢金柱;霍骥川;彭英才;刘保亭【作者单位】河北大学物理科学与技术学院;河北大学化学与环境科学学院;河北大学电子信息工程学院【正文语种】中文【中图分类】O484.1【相关文献】1.PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜∗ [J], 张蕾;方龙;刘攀克;刘越彦;黎明锴;何云斌2.衬底温度对磁控溅射制备外延ZnO薄膜结构特性的影响 [J], 周阳;仇满德;赵庆勋;李晓红;彭英才;刘保亭3.直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜 [J], 王新建;宋航;黎大兵;蒋红;李志明;缪国庆;孙晓娟;陈一仁;贾辉4.Mg预处理蓝宝石衬底法制备的Zn极性ZnO外延薄膜的结构研究 [J], 王勇;袁洪涛;杜小龙;梅增霞;曾兆权;邹进;贾金峰;薛其坤;张泽5.m面蓝宝石衬底上ZnO外延薄膜的性能 [J], 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。