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晶体三极管的识别和检测晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。
在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，它的基本功能是具有电流放大作用。
一、结构NPN和PNP型两类三极管的结构如图。
它有两个PN结（分别称为发射结和集电结），三个区（分别称为发射区、基区和集电区），从三个区域引出三个电极（分别称为发射极e、基极b和集电极c）。
发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。
为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：①使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子；②使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子；③使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。
半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。
按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。
按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
1、共射电流放大系数β：β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
2、反向击穿电压值U(BR)CEO ：指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。
3、最大集电极电流I CM ：指由于三极管集电极电流I C过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的I C值）。
实际管子在工作时超过I CM 并不一定损坏，但管子的性能将变差。
4、最大管耗P CM ：指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。
在实际工作中三极管的I C与U CE的乘积要小于P CM值，反之则可能烧坏管子。
5、穿透电流I CEO：指在三极管基极电流I B=0时，流过集电极的电流I C。
三极管的识别和检测方法三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
然而，在实际应用中，我们经常需要识别和检测三极管的好坏。
本文将介绍三极管的识别和检测方法。
一、三极管的识别1．标识识别：三极管的标识通常印在管子的外壳上。
标识包括型号、规格、生产厂家等信息。
通过查看标识，我们可以了解三极管的基本参数和使用范围。
2．管脚识别：三极管有三个管脚，分别是基极、发射极和集电极。
在识别管脚时，我们可以根据标识或者使用万用表进行测量。
通常，标识会标明管脚的排列顺序。
如果没有标识，我们可以通过万用表测量每个管脚之间的电阻值，从而确定管脚的排列顺序。
二、三极管的检测1．电阻法检测：使用万用表测量三极管的各个管脚之间的电阻值，可以判断三极管的好坏。
正常情况下，基极与集电极之间的电阻值应比发射极与集电极之间的电阻值大得多，同时基极与发射极之间的电阻值应比基极与集电极之间的电阻值小得多。
如果测量的电阻值不符合这些规律，则说明三极管可能存在故障。
2．放大倍数检测：使用示波器或信号发生器等设备，可以测量三极管的放大倍数。
将信号发生器产生的信号输入到基极，观察集电极的输出信号幅度，可以计算出三极管的放大倍数。
如果放大倍数正常，则说明三极管工作正常。
3．温度稳定性检测：将三极管放置在恒温箱中，观察在不同温度下的放大倍数变化情况。
如果放大倍数变化较大，则说明三极管的温度稳定性较差，可能存在故障。
4．稳定性检测：使用示波器观察三极管的输入和输出信号波形，可以判断三极管的稳定性。
如果输入和输出信号波形存在较大差异或不稳定，则说明三极管可能存在故障。
总之，识别和检测三极管是电子设备维修和调试的重要环节。
通过掌握正确的识别和检测方法，我们可以快速准确地判断三极管的好坏，为电子设备的正常运行提供保障。
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半导体三极管的识别与检测一、半导体三极管的结构与类型1．PNP型半导体三极管结构与符号图12．NPN型半导体三极管结构与符号图2二、半导体三极管的工作条件图3三、三极管的电流放大作用1．半导体三极管三个电流之间的关系图42．半导体三极管基极电流的控制作用通过实验可以发现，三极管中ＩＢ很小，但只要ＩＢ有很小的变化，就会引起ＩＥ和ＩＣ的大幅变化，这就是通常所说的三极管的放大作用。
因为三极管本身并不产生能量，根据能量守恒定律，能量不可能凭空产生，所以三极管的放大实质可以理解为较小的基极电流对较大的集电极电流的控制作用。
四、三极管的特性曲线图51．半导体三极管输入特性曲线图6 2．半导体三极管输出特性曲线图7五、三极管的主要参数１. 三极管的电流放大倍数(１) 共发射极交流电流放大倍数β共发射极交流电流放大倍数是指三极管有交流输入信号时，集电极电流的变化量ΔＩＣ和基极电流的变化量ΔＩＢ的比值。
图8２. 三极管的极间反向电流(１) 集电极－基极反向饱和电流ＩＣＢＯ集电极－基极反向饱和电流ＩＣＢＯ是指发射极开路，三极管Ｃ、Ｂ之间加反向电压时，测得的反向电流，该值越小越好。
由于ＩＣＢＯ由少数载流子产生，所以受温度的影响较大。
(２) 集电极－发射极反向饱和电流ＩＣＥＯ集电极－发射极反向饱和电流ＩＣＥＯ又称为穿透电流，是指基极开路，三极管Ｃ、Ｅ之间加一定电压时的电流，该值越小越好。
由于ＩＣＥＯ也是由少数载流子产生，所以它也会受温度的影响。
３. 三极管的极限参数(１) 集电极最大允许电流ＩＣＭ集电极电流ＩＣ过大时，三极管的β值要降低，一般规定β值下降到额定值的２/ ３时的ＩＣ值，称为集电极最大允许电流ＩＣＭ。
(２) 集电极－发射极反向击穿电压Ｕ(ＢＲ)ＣＥＯ集电极－发射极反向击穿电压Ｕ(ＢＲ)ＣＥＯ是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。
(３) 集电极最大允许耗散功率ＰＣＭ集电极电流ＩＣ流经集电结时将产生热量，使三极管温度升高，从而会引起其参数变化，三极管因受热而引起的参数变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率，称为集电极最大允许耗散功率ＰＣＭ。
判断基极和三极管的类型三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如图所示：三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档（蜂鸣档）标志符号如右图：正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。
集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。
如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。
尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。
要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。
在我们常用的万用表中，测试三极管时先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.半导体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
