单结晶体管触发电路

单结晶体管触发电路工作原理单结晶体管触发电路是一种非常重要的电路，在各个行业中都得到了广泛应用。

它主要应用在高斯脉冲发生器、时基电路、定时器、闪烁灯、时间测量等领域。

单结晶体管触发电路的工作原理非常简单，它是由一个晶体管和其他一些电子元件组成的。

当你给电路添加上电源后，将会形成一个初始电流。

当电路中的电容充电到一定的程度后，会导致晶体管的基极电压达到一个足够高的值，从而使其进入工作区域。

此时，晶体管的电流会发生突变，从而使电路上的其他元件也会产生相应的变化。

在单结晶体管触发电路中，晶体管发挥着重要的作用。

它在电路中扮演着开关的角色，即只有当它工作时，电路中才会有电流通过。

而当电路中的电容充满电荷后，晶体管就会被关闭，从而停止电流的流动。

这样，我们就可以利用电路中电容的充电过程，来控制晶体管的启闭状态。

除了晶体管之外，单结晶体管触发电路中其它的元件也起到了不可忽视的作用。

例如电容、电阻、二极管、放大器等。

它们每一个都有着特定的功能，从而保证了整个电路的正常运转。

还有一点要注意的是，单结晶体管触发电路是一种非常敏感的电路。

它对电压、电流、温度等因素都非常敏感，一旦受到外界干扰，就会导致电路的不稳定或失效。

综上所述，单结晶体管触发电路是一种非常重要的电路，其工作原理简单，但是应用领域非常广泛。

在实际应用中，我们需要注意电路的稳定性，同时也需要合理地搭配各个电子元件，以便使电路正常地工作。

优点：单结晶体管触发电路比较简单，温度性能比较好，有一定的抗干扰能力，
缺点：脉冲前沿陡，输入功率较小，脉冲宽度较窄，只能承受调节RP （电位器R2）,无法加入其它信号，移相范围≤180°，
一般为150°此电路可以用在单相可控硅整流电路要求不高的场合，能触发50A 以下的晶闸管。

交流电压经桥式整流和稳压后削波后得到梯形电压。

脉冲电压形成时梯形同步电压经R2、R3对电容C 充电，
C 两端电压上升到单结晶体管峰点电压UP(BT33的峰点电压）时，单结晶体管由截止变为导通，通过e---b1---R5放电，
放电电流在电阻RB1（放电电阻R5)上产生一组尖顶脉冲电压，由RB1(放电电阻R5)输出一组触发脉冲，其中第一个脉冲使晶闸管触发导通，后面的脉冲对晶闸管工作没有影响。

随着C 的放电，当电容两端电压下降到单结晶体管谷点电压UV(BT33谷底电压）时单结晶体管重新截止，
C 重新充电，重复上述过程。

RB1(放电电阻R5)上又输出一组峰顶脉冲电压，这个过程重复进行。

当梯形电压过零点时，电容C 两端电压也为零，因此电容每一次连续充放电的起点就是电源电压过零点，这样就保证输出电压的频率和电源频率同步。

移相是通过改变RP(电位器R2)的大小实现的，改变RP(电位器R2)的大小可以改变C 的充电速度，因此就改变了第一个脉冲出现的时间，从而达到了移相的目的。

单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验报告实验目的：研究单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路的特性。

实验器材：单结晶体管、电阻、电容、整流电路板、交流电源。

实验原理：1.单结晶体管触发电路：单结晶体管触发电路是一种常用的触发电路，可用于控制开关电路，使电路开启或关闭。

单结晶体管的基极和发射极之间的电流可以通过控制功率电源的输入电压来调节，从而实现对整个触发电路的控制。

2.单相半波可控整流电路：单相半波可控整流电路主要包括一个可控硅管和一个载流电阻。

通过控制可控硅管的导通角，可以实现对交流电的半波整流，将交流电转换为直流电。

实验步骤：1.搭建单结晶体管触发电路：根据实验要求，接入单结晶体管、电阻和电容，连接交流电源。

确定合适的电流和电压参数。

2.调节交流电源输出电压，观察并记录单结晶体管的调节情况。

3.搭建单相半波可控整流电路：根据实验要求，接入可控硅管和载流电阻，连接交流电源。

确定合适的电流和电压参数。

4.调节交流电源输出电压，观察并记录可控硅管的导通角度和整流电路的输出情况。

实验结果：1.单结晶体管触发电路的调节情况：在不同的输入电压下，单结晶体管的输出电流变化情况。

2.单相半波可控整流电路的输出情况：记录不同导通角度下，整流电路的输出电流和输出电压。

实验讨论：根据实验结果，分析单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路的特性和工作原理。

对于单结晶体管触发电路，可以控制电路的开启和关闭，实现对电路的控制。

对于单相半波可控整流电路，可以将交流电转换为直流电，实现对电流的整流。

单结晶体管触发电路浏览2695发布时间2009-03-20单结晶体管触发电路之一图1（a）是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。

可从电阻R1上取出脉冲电压ug。

(a) 张弛振荡电路(b) 电压波形图1 单结晶体管张弛振荡电路假设在接通电源之前，图1(a)中电容C上的电压uc为零。

接通电源U后，它就经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。

电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B1之间。

当uc等于单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电阻RB1急剧减小（约20Ω），电容器向R1放电。

由于电阻R1取得较小，放电很快，放电电流在R1上形成一个脉冲电压ug，如图1(b)所示。

由于电阻R取得较大，当电容电压下降到单结晶体管的谷点电压时，电源经过电阻R供给的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单结晶体管截止。

电源再次经R向电容C充电，重复上述过程。

于是在电阻R1上就得到一个脉冲电压ug。

但由于图1（a）的电路起不到如后述的“同步”作用，不能用来触发晶闸管。

单结晶体管触发电路之二单结晶体管触发电路如图2所示，带有放大器。

晶体管T1和T2组成直接耦合直流放大电路。

T1是NPN型管，T2是PNP型管。

UI是触发电路的输入电压，由各种信号叠加在一起而得。

UI经T1放大后加到T2。

当UI增大时，IC1就增大，而使T1的集电极电位UC1，即T2的基极电位UB2降低，T2更为导通，IC2增大，这相当于晶体管T2的电阻变小。

同理，UI减小时，T2的电阻变大。

因此，T2相当于一个可变电阻，随着UI的变化来改变它的阻值，对输出脉冲起移相作用，达到调压的目的。

输出脉冲可以直接从电阻R1上引出，也可以通过脉冲变压器输出。

图2 单结晶体管触发电路因为晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小，为了防止反向击穿，在脉冲变压器副边串联二极管D1，可将反向电压隔开，而并联D2，可将反向电压短路。

单结晶体管触发电路之三——单相半控桥式整流电路图3 由单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路改变电位器R P的数值可以调节输出脉冲电压的频率。