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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
第一章(电路模型和定律)习题解答一、选择题1．KVL 和KCL 不适用于 D 。
A ．集总参数线性电路；B ．集总参数非线性电路；C ．集总参数时变电路；D ．分布参数电路2．图1—1所示电路中，外电路未知，则u 和i 分别为 D 。
A ．0==i u u S ,； B ．i u u S ,=未知；C ．0=-=i u u S ,；D ．i u u S ,-=未知/3．图1—2所示电路中，外电路未知，则u 和i 分别为 D 。
A ．S i i u =∞=, ；B ．S i i u -=∞=, ；C ．S i i u =未知， ；D ．S i i u -=未知，4．在图1—3所示的电路中，按照“节点是三条或三条以上支路的联接点”的定义，该电路的总节点个数为 A 。
A ．5个；B ．8个；C ．6个；D ．7个5．在图1—4所示电路中，电流源发出的功率为 C 。
A ．45W ； B ．27W ； C ．–27W ； D ．–51W|二、填空题 1．答：在图1—5所示各段电路中，图A 中电流、电压的参考方向是 关联 参考方向；图B 中的电流、电压的参考方向是 非关联 参考方向；图C 中电流、电压的参考方向是 关联 参考方向；图D 中电流、电压的参考方向是 非关联 参考方向。
2．答：图1—6所示电路中的u 和i 对元件A 而言是 非关联 参考方向；对元件B 而言是 关联 参考方向。
…3．答：在图1—7所示的四段电路中，A 、B 中的电压和电流为关联参考方向，C 、D 中的电压和电流为非关联参考方向。
4．答：电路如图1—8所示。
如果10=R Ω，则10=U V ，9-=I A ；如果1=R Ω，则 10=U V ，0=I A 。
5．答：在图1—9 (a)所示的电路中，当10=R Ω时，=2u 50V ，=2i 5A ；当5=R Ω时，=2u 50V, =2i 10A 。
在图1—9 (b)所示的电路中，当R =10Ω时，2002=u V,202=i A ；当5=R Ω时，1002=u V, 202=i A 。
电路原理江缉光答案【篇一：清华大学电路原理备考经验谈】两本都看看），这二本书可以当作教材和参考书。
其实我数学复习的60%的时间都在研读这两本书。
全书（或指南）建议看三遍，每遍侧重不一样，看个人安排了。
这项工作最晚要在考前100天做完。
2.李永乐的四百题，建议做两遍，第一遍可以二天一套，一天模拟考（卡点做，把答案按考场上要求写在纸上），一天总结，结合全书上相关知识点复习。
这项工作最好一个月之内做完。
3、李永乐的冲刺1354、真题，可以不全做，做做有代表性的还有最近两年的就行。
资料就这么多，关健是要反复看，一定要勤总结。
还有一定要注意提高自己的应试能力（我主要是靠模考来提高的）。
专业课：资料：1、清华的三本参考书（官方网站上有）2、红皮书。
3、清华大学硕士研究生入学考试《电路原理试题选编》（绿皮书）小绿皮—历年试题汇编貌似是红皮的5、清华内部的讲义。
清华大学电路原理考研秘籍1. 考研基本情况初试考察电路原理这门专业课有两个系：自动化系与电动系，两系实力非常强大，纵向看，全国第一地位无人敢撼动，横向分析，两系在清华校内各专业中也是炙手可热的专业。
. 因此，每年两系竞争火热，2010年考研自动化系报名500余人，实录取17普通工学，3人强军计划工学，15名工程，电机系350余人，实录8个工学，15个工程。
2011年自动化系报名400余人，实录12工学，3人强军工学+10余名工程，电机系报名250人左右，实录8名工学，10余名工程。
2011年分数线方面，自动化复试线378，进复试48名，分4个大方向，分数分布如下：419、418、415、413、411、409、408、407、406、404、401、399、397、395、394、393、392??..自动化系电路最高分139，电机系复试线375，进复试35名左右。
高分如下：424、418、416、414、413、409、406、404、401???...电机系电路原理最高分是149分。
武汉纺织大学第七章7 . 1 为什么小容量的直流电动机不允许直接起动,而小容量的三相异步电动机却可以直接起动?答: 直流电动机电压方程是a a a I R E U +=,感应电动势a E 与转速成正比, 起动瞬间电动机转速为零, 感应电动势亦为零,外加电压等于电枢电阻压降,而直流电动机的电枢电阻很小,使得起动电流很大,所以直流电动机不允许直接起动。
对三相异步电动机而言, 起动电流st I =2212211)()(X X R R U '++'+,起动时的阻抗中除了电阻(21R R '+)外,还有电抗 (21X X '+),小容量的三相异步电动机起动时阻抗比较大,所以可以直接起动。
7 . 2 三相异步电动机起动时,为什么起动电流很大,而起动转矩却不大?答: 三相异步电动机起动瞬间转速为零,定子旋转磁场相对于转子的切割速度最大,在转子绕组中产生的感应电动势最大,使得转子电流很大,从而使得定子电流即起动电流很大。
定子电压方程式是1U = -1E +1Z 1I ,起动电流很大,使得定子绕组的漏阻抗压降1Z 1I 增大,感应电动势1E 减小, 1E 与气隙磁通1Φ成正比,从而导致1Φ减小到额定值的一半;起动时n=0 ,s=1 ,转子电流频率112f sf f ==为最高, 转子电抗2X 为最大,使得转子功率因数cos 2ϕ比较小; 由电磁转矩表达式T=T C 1Φ2I ' cos 2ϕ可知,T 与1Φ、2I '和cos 2ϕ分别成正比关系,尽管起动时2I '很大,但是1Φ的减小和cos 2ϕ的减小,使得起动转矩却不够大。
7 . 3 什么情况下三相异步电动机不允许直接起动?答: 如果电源容量相对于电动机的容量而言不是足够大时就不允许直接起动电动机,一般可根据经验公式来判断,即起动电流倍数I K 应满足下述条件I K =N st I I ≤43+NN P S 4 电动机才允许直接起动,否则不允许直接起动。
哈⼯⼤电⽓考研电⽓基础习题解答（7）第7章集成逻辑门7.1对课程内容掌握程度的建议7.2 授课的⼏点建议7.2.1标准TTL 与⾮门电路的结构标准TTL 与⾮门如图7.1所⽰，TTL 与⾮门的重点是逻辑关系、特性曲线和参数，内部电路为曲线和参数服务，通过内部电路以便更好地了解曲线和参数，对集成数字电路内部结构做⼀般了解。
TTL 与⾮门由三部分组成：输⼊级、中间放⼤级、输出级。
输出有两个状态：即上⽌（VT 3、VD 4截⽌）下通（VT 5导通），输出低电平，称为开态；上通（VT 3、VD 4导通）下⽌（VT 5截⽌），输出⾼电平，也称为关态。
OBA V5CC =V 4图7.1 标准TTL 与⾮门在开态和关态时，对电路内部电流、电压的计算不作为重点，从逻辑关系了解如下逻辑状态的转换关系即可。
对开态有U A = U B = U IH ?→ I B1 = I B2 ?→VT 2饱和?→ VT 5饱和?→ U OL ↓↓↓↑U B1 =2.1V ←? U B2 =1.4V ←? U B5 =0.7V └? ?-┐↓∣ U C2 =1V ?→ VT 3、VD 4截⽌?┘对关态有BA ==U U B1B1==U I I -----→截⽌截⽌52VT VT ↓OH 43B3R2 VD VT U I I →→=饱和、↓7.2.2标准TTL 与⾮门电路的特性曲线及参数TTL 与⾮门的特性曲线有： u O = f (u I )---电压传输特性曲线；u OL = f (i OL )----输出低电平负载特性曲线； u OH = f (I OH )---输出⾼电平负载特性曲线； u I = f (R )---输⼊负载特性曲线。
对TTL 逻辑门，这五条特性曲线，输出低电平负载特性曲线和输出⾼电平负载特性曲线是反映输出端带负载能⼒的情况，输出⾼电平时，输出电流，即拉电流是向外流；输出低电平时，输出电流，即灌电流是向⾥流。
输出电流与逻辑门带负载的能⼒，⼯作速度有关，是重要的特性曲线。
第七章 电磁感应和暂态过程一、选择题1、一导体圆线在均匀磁场中运动，能使其中产生感应电流的一种情况是（）A 、线圈绕自身直径轴转动，轴与磁场方向平行。
B 、线圈绕自身直径轴转动，轴与磁场方向垂直C 、线圈平面垂直于磁场并沿垂直于磁场方向平移。
D 、线圈平面平行于磁场并沿垂直磁场方向平移。
答案：B 2、一闭合正方形线圈放在均匀场中，绕通过其中心且与一边平行的转轴OO`转动，转轴与磁场方向垂直，转动角速度为ω，如图所示，用下述哪一种办法可以使线圈中感应电流的幅值增加到原来的两倍（导线的电阻不能忽略）？（）A 、把线圈的匝数增加到原来的两倍。
B、把线圈的面积增加到原来的两倍，而形状不变C 、把线圈切割磁力线的两条边增长到原来的两倍D 、把线圈的角速度ω增大到原来的两倍 答案：D 3、两根无限长平行直导线载有大小相等方向相反的电流I,I 以dI/dt 的变化率增长,A 、线圈中无感应电流 B 、线圈中感应电流为顺时针方向C 、线圈中感应电流为逆时针方向D 、线圈感应电流方向不确定 答案：B 4、一块铜板放在磁感应强度正在增大的磁场中，铜板中出现涡流（感应电流），则涡流将（） A 、加速铜板中磁场的增加 B 、减缓铜板中磁场的增加C 、对磁场不起作用D 、使铜板中磁场反向 答案：B 5、一无限长直导体薄板宽为l ，板面与Z 轴垂直，板的长度方向沿Y 轴，板的两侧与一个伏特计相接，如图，整个系统放在磁感应强度为B 的均匀磁场中，B的方向沿Z 轴正方向，如果伏特计与导体平板均以速度v向 Y 轴正方向移动，则伏特计指示的电压值为（） A 、0 B 、vBl 21 C 、vBl D 、vBl2 答案：A6、半径为a 的圆线圈置于磁场强度为B 的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R ；当把线圈转动使其法向与B的夹角60=α时，线圈中已通过的电量与线圈面积及转动的时间的关系是（）A 、与线圈面积成正比，与时间无关B 、与线圈面积成正比，与时间成正比C 、与线圈面积成反比，与时间成正比D 、与线圈面积成反比，与时间无关 答案：A 7、将形状完全相同的铜环和木环静止放置，并使通过两环面的磁通量时间的变化率相等，则（） A 、铜环中有感应电动势，木环中无感应电动势 B 、铜环中感应电动势大，木环中感应电动势小C 、铜环中感应电动势小，木环中感应电动势大D 、两环中感应电动势相等 答案：D 8、在无限大长的载流直导线附近 放置一矩形闭合线圈，开始时线圈与导线在同一平面内，且线圈中两条边与导线平行，当线圈以相同的速率作如图所示的三种不同方向的平动时，线圈中的感应电流（） A 、以情况Ⅰ中为最大 B 、以情况Ⅱ中为最大C 、以情况Ⅲ中为最大D 、在情况Ⅰ和Ⅱ中相同 答案：B9、在两个永久磁极中间放置一圆形线圈，线圈的大小和磁极大小约相等，线圈平面和磁场方向垂直，今欲使线圈中产生逆时针方向（俯视）的瞬时感应电流I （如图），可选择下列哪一个方法？（）A 、把线圈在自身平面内绕圆心旋转一个小角度B 、把线圈绕通过其直径的OO`轴转一个小角度C 、把线圈向上平移D 、把线圈向右平移 答案：C10、 一个圆形线环，它的一半放在一分布在方形区域的匀强磁场B欲使圆线环中产生逆时针方向的感应电流，应使（）A 、线环向右平移B 、线环向上平移C 、线环向左平移D 、磁场强度减弱 答案：C 11、 如图所示，一载流螺线管的旁边有一圆形线圈，欲使线圈产生图示方向的感应电流I A 、载流螺线管向线圈靠近 B 、载流螺线管离开线圈C 、载流螺线管中电流增大D 、载流螺线管中插入铁芯 答案：B12、 在一通有电流I 的无限长直导线所在平面内，有一半径为r ，电阻为R 的导线环，环中心距直导线为a ，如图所示，且a 》r,当直导线的电流被切断后，沿着导线环流过的电量约为（）A 、⎪⎭⎫ ⎝⎛+-r a a R Ir 11220πμ B 、a ra R Ir +ln 20πμ C 、aRIr 220μ D 、rRIa 220μ13、 如图所示，一矩形线圈，放在一无限长载流直导线附近，开始时线圈与导线在同一平面内，矩形的长边与导线平行，若矩形线圈以图（1）、（2）、（3）、（4）A 、以图（1）所示方式运动。
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2018.8.15目录第1章习题及答案1第2章习题及答案15第3章习题及答案37第4章习题及答案46第5章习题及答案55第6章习题及答案71第7章习题及答案87第8章习题及答案106第9章习题及答案118第10章习题及答案134模拟电子技术试卷1147模拟电子技术试卷2153模拟电子技术试卷3159第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价（2）P N结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C（2）A（3）A（4）C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V（2）二极管截止U O2=2V（3）二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V（2）二极管导通U O2=-1.3V（3）二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示，已知u i＝10s i nωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V时，D导通，u o=u i；当u i≤0V时，D截止，u o=0V。
u i和u o的波形如解图1.3.2所示。
第七章(一阶电路)习题解答一、选择题1．由于线性电路具有叠加性，所以 C 。
A ．电路的全响应与激励成正比；B ．响应的暂态分量与激励成正比；C ．电路的零状态响应与激励成正比；D ．初始值与激励成正比2．动态电路在换路后出现过渡过程的原因是 A 。
A ． 储能元件中的能量不能跃变；B ． 电路的结构或参数发生变化；C ． 电路有独立电源存在；D ． 电路中有开关元件存在3．图7—1所示电路中的时间常数为 C 。
A ．212121)(C C C C R R ++； B ．21212C C C C R +；C ．)(212C C R +；D ．))((2121C C R R ++解：图7—1中1C 和2C 并联的等效电容为21C C +，而将两个电容摘除后，余下一端口电路的戴维南等效电阻为2R ，所以此电路的时间常数为)(212C C R +。
４．图7—2所示电路中，换路后时间常数最大的电路是 A 。
解：图7—2（A ）、（B ）、（C ）、（D ）所示四个电路中的等效电感eq L 分别为M L L 221++、21L L +、M L L 221-+和M L L 221++。
0>t 时，将图6—2（A ）、（B ）、（C ）、（D ）中的电感摘除后所得一端口电路的戴维南等效电阻eq R 分别为2R 、2R 、2R 和21R R +。
由于RL 电路的时间常数等于eqeq R L ，所以图7—2（A ）所示电路的时间常数最大。
5．RC 一阶电路的全响应)e610(10tc u --=V ，若初始状态不变而输入增加一倍，则全响应c u 变为 D 。
A ．t10e1220--； B ．t10e620--；C ．t10e1210--； Ｄ．t10e1620--解：由求解一阶电路的三要素法 τtc c c c u u u u -+∞-+∞=e)]()0([)( 可知在原电路中10)(=∞c u V ，4)0(=+c u V 。
当初始状态不变而输入增加一倍时，有)e 1620(e]204[201010t tc u ---=-+=V 二、填空题1．换路前电路已处于稳态，已知V 101=s U ，V 12=s U ，F 6.01μ=C ，F 4.02μ=C 。
0=t 时，开关由a 掷向b ，则图7—3所示电路在换路后瞬间的电容电压=+)0(1c u 4.6V ，)0(2+c u 4.6=V 。
解： 由-=0t 时刻电路得：V 10)0(s11==-U u c ， V 1)0(s22==-U u c换路后，电容1C ,2C 构成纯电容的回路（两电容并联）,电容电压发生强迫跃变，此时应由电荷守恒原理求解换路后瞬刻的电容电压。
由KVL 得：)0()0(21++=c c u u …… ①)0()0()0()0(22112211++--+=+c c c c u C u C u C u C …… ②由以上两式解得 V 4.6)0()0(21221121=++==++C C U C U C u u s s c c2．图7—4所示电路的时间常数 =τs 1.0。
解：将储能元件开路，独立电源置0后，可得求戴维南等效电阻的电路如图7—4(a)所示。
由于电路中含有受控源，因此需用外加电压法求戴维南等效电阻R 。
由图7—4(a ）得)34(411i i i U ++=， i i U 441-=即 1204i U =于是 Ω=5R ，s 1.0==RLτ 3．某RC 串联电路中，c u 随时间的变化曲线如图6—5所示，则0≥t 时V ]e 33[)(2t c t u -+=。
解：由图7—5可得V 6)(0=+c u ， 3V )(=∞c u 而 τt c c c c u u u u -+∞-+∞=e )]()0([)(τt -+=e33由图7—5可见46d d 0-==t c tu 。
将c u 的表达式代入此式得463-=τ-， 即s 2=τ 因此 0)( V ]e 33[ e)3(63)(2≥+=-+=--t t u tτtc4．换路后瞬间（+=0t ），电容可用 电压源 等效替代，电感可用 电流源 等效替代。
若储能元件初值为零，则电容相当于 短路 ，电感相当于 开路 。
5．图7—6所示电路，开关在0=t 时刻动作，开关动作前电路已处于稳态，则A 25.0)0(1=+i 。
解：-=0t 时刻，电路处于直流稳态，电感相当于短路，电容相当于开路，等效电路如图7—6（a ）所示。
由图7—6（a ）解得A 1)0(=-L i ，V 20)(0=-C u 。
0时刻的等效电路如图7—6（b ），由此图解得A 25.0)0(1=+i 。
三、计算题1．图7—7所示电路，电容原未充电，,V 100=s U Ω=500R ，F 10μ=C 。
0=t 时开关S 闭合，求：1）．0≥t 时的c u 和i ；2）．c u 达到V 80所需时间。
解：1）．由于电容的初始电压为0，所以)e1(τ--=ts c U u将 s 105101050036--⨯=⨯⨯==RC τ，及V 100=s U 代入上式得V )e 1(100200t c u --=（0≥t ）而0)(A 0.2e e d d 200≥===--t RU t u C i t RCtS c 2）．设开关闭合后经过1t 秒c u 充电至V 80，则80)1(1001200=--t e ， 即 2.01200=-t e 由此可得 ms 045.8200ln(0.2)1=-=t2．图7—8所示电路，开关S 在0=t 时刻闭合，开关动作前电路已处于稳态，求0≥t 时的)(t i 。
解：电流i 为电感中的电流，适用换路定则，即A 4)(0)(0==-+i i 而 A 5210)(==∞i ， s 23==R L τ于是 0)(A ]e 5[e)5(45)(3232≥-=-+=--t t i t t3．图7—9所示电路，开关S 在0=t 时刻从a 掷向b ，开关动作前电路已处于稳态。
求：1）．)(t i L （0≥t ）； 2）．)(1t i （0≥t ）。
解：1）．A 2.132212113)(0)0(-=⨯+⨯+-==-+L L i i ，A 2.1)(=∞Lis 8.1212113=+⨯+==RL τ于是 τt L L L L i i i t i -+∞-+∞=e )]()0([)()(0)(A e4.22.195≥-=-t t2)．注意到)(1t i 为电阻中的电流，不能直接应用换路定则。
画出+=0t 时刻电路如图6—9(a)所示，等效变换后的电路如图7—9(b)所示。
由图7—9（b ）可得A 2.036.0)0(1==+i ， A 8.1212113)(1=+⨯+=∞i s 8.1=τ因而 0)(A ]6.11.8[e]8.12.0[8.1)(95951≥-=-+=--t et i t t4．图7—10所示电路，开关S 在0=t 时刻打开，开关动作前电路已处于稳态。
求：0≥t 时的)(t u c 。
解：0)(0)(0c ==-+u u c 。
稳态时电容相当于开路，)(∞c u （即电容的开路电压）和0R 可由图7—10(a)的电路计算。
由图7—10（a ）得 ： )15.1(2)5.14(11+-+-=u i u i u ……（1） )15.1(211+-=u i u ……（2） 由（2）得 1)(5.01+=i u ，将此带入（1）式，得5.25.1-=i u由此可见 V 5.2)(-=∞c u ， Ω= 1.5R而 s 43==RC τ0)( V ]e5.25.2[e)]5.2(0[5.23434≥+-=--+-=--t u t t c5．图7—11中，F 2.0=C 时零状态响应V )e1(20 5.0tc u --=。
若电容C 改为F 05.0，且5V )(0=-c u ，其它条件不变，再求)(t u c 。
解：以储能元件为外电路，线性含源电阻网络可用相应的戴维南等效电路替代，如图7—11(a)所示。
由题意可知s 25.01===RC τ， Ω=10R 而 V 20)(=∞=c s u u 当C 改为F 05.0，且V 5)0(c =-u 时，s 5.0==RC τ， V 5)0()0(c ==-+u u c因而 0)( V )e 1520(e)205(20)(250c ≥-=-+=--t t u t .t6．图7—12中，)(81t u s ε=V ，)(10e 2t u ts ε=-V ，全响应=)(t u c V )()2e 3e 5(2t t t ε+---。
求：1）．s1u 、s2u 单独作用时的零状态响应c u '和c u ''；2）．零输入响应3c u 。
解：图7—12的全响c u 应等于零状态响应加零输入响应，即3c c cc u u u u +''+'= …… ① 而 τtc c cu u t u -∞'-∞'='e )()()( …… ②τtc c u u -+=e )0(3 …… ③将图7—12等效为图7—12（a ），设图中的)(e )(t B t A u ts ε+ε=-。
当)(e t B tε-单独作用时，有t ccB u t u RCed d -=''+'' 其通解为 t τt c k k u --+=''e e 21 （其中RCBk -=12）将上式及②、③代入①得=c u τtc cu u -∞'-∞'e )()(+ t τt k k --+e e 21+τt c u -+e )0( …… ④ 考虑到cu '是1s u 激励时的零状态响应，并将④和题中给出的c u 的全响应的表达式对比，可得V 2)(=∞'cu ， V 52=k ， V 4)0(u C =+， V 51-=k ， s 5.0=τ因此 tct u 2e 22)(--=' （0≥t ）t t cu --+-=''e 5e 5 2 (0≥t )tc e u 234-= (0≥t )7．图7—13所示电路中，激励s u 的波形如图7—13（a ）所示，求响应c u 。
解：本题的激励可用三个阶跃函数之和表示，即：V )]6(10)2(30)(20[-ε+-ε-ε=t t t u s电路的响应就是上述三个阶跃函数分别作用产生的零状态响应之和。
将图7—13等效为如图7—13(b)所示的电路。
)(20t ε作用时的响应为)()e 1(10t u t cε-='- )2(30-ε-t 作用时的响应为)2()e 1(15)2(-ε--=''--t u t c)6(10-εt 作用时的响应为)6()e 1(5)6(-ε-='''--t u t c总的零状态响应为V )]6()e 1(5)2()e 1(15)()e 1(10[)()6()2(-ε-+-ε--ε-=-----t t t t u t t t c 8．图7—14所示电路中，激励为单位冲激函数 )(δt A ，求零状态响应)(t i L 。
