北理工《模拟电子技术》期末考试精选题汇总【含答案解析】 17

模拟电子技术复习试题及答案解析一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。

北京理工大学模电辅导课习题集本习题集为北理工辅导班内部练习习题集，按照测试卷形式分类，含十八套试卷，并提供参考答案，供辅导班学员练习用，严禁外传！《模拟电子技术》试卷一填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y），电路符号是（）。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

(单选题) 1: 要提高放大器的带载能力，提高输入电阻，应引入（）负反馈A: 电压并联B: 电流并联C: 电压串联D: 电流串联正确答案: C(单选题) 2: 电子电路中常用的半导体器件有（）。

A: 二极管B: 稳压管C: 双极型三极管D: 以上都是正确答案: D(单选题) 3: 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A: 可获得很大的放大倍数B: 可使温漂小C: 集成工艺难于制造大容量电容正确答案: C(单选题) 4: 杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（）。

A: N型半导体B: P型半导体C: 电子型半导体正确答案: B(单选题) 5: 在深度负反馈时，放大器的放大倍数（）A: 仅与基本放大器有关B: 仅与反馈网络有关C: 与二者密切相关D: 与二者均无关正确答案: B(单选题) 6: 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）。

A: 电压串联负反馈B: 电压并联负反馈C: 电流串联负反馈D: 电流并联负反馈正确答案: B(单选题) 7: 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）A: 输入电压幅值不变，改变频率B: 输入电压频率不变，改变幅值C: 输入电压的幅值与频率同时变化正确答案: A(单选题) 8: 典型差放的RE对（）有抑制作用A: 差模信号B: 共模信号C: 差模和共模性信号都D: 差模和共模信号都没正确答案: B(单选题) 9: 变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。

A: 正向运用B: 反向运用C: 不确定正确答案: B(单选题) 10: 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。

A: 电压串联负反馈B: 电压并联负反馈C: 电流串联负反馈D: 电流并联负反馈正确答案: C(多选题) 1: 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中，哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平？A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案：C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件？A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案：D. 电池3. 在模拟电子技术中，下面哪个元器件常用于放大电压信号？A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案：C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号？A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案：D. 调制器5. 在模拟电子技术中，以下哪个元器件常用于对电流进行控制？A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案：D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。

答案：欧姆（Ω）7. 二极管有两个基本电极，分别是阳极（A）和________。

答案：阴极（K）8. 在放大器中，输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平，这个功能叫做________。

答案：放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。

答案：线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号？答案：整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。

答案：电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。

电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理，通过在电子管中加入电场和磁场，可以控制电子流的流动和放大信号。

在模拟电子技术中，电子管经常用于放大电压信号。

它具有高放大系数和低噪声的特点，因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。

同时，电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。

12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。

答案：两种常见的放大器类型分别是：a. 甲类放大器：甲类放大器是一种线性放大器，输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大，即电流在整个传输特性曲线上运行。

,考试作弊将带来严重后果！理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类06级，2008.07.11）1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 选择题和填空题在试卷首页的相应空白处作答，其它题直接答在试卷纸上； 3．考试形式：闭卷；4. 本试卷共 四 大题，满分100分，考试时间120分钟。

选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每小题2分，共20分）1．在本征半导体中加入（ ）元素可形成N 型半导体，加入（ ）元素可形成P 型半导体。

A.五阶,四阶 B.四阶,三阶C.三阶,五阶D.五阶,三阶2．增强型N 沟道MOS FET 构成放大电路，要求则其栅源间电压GS u （ ） A ．GS(off )U > B.GS(off )U <C.GS(th )U > D.GS(th )U <3． 在共射基本放大电路中，适当增大集电极负载电阻R C ，电压放大倍数和输出电阻将( )A ．放大倍数变大，输出电阻变大B ．放大倍数变大，输出电阻不变C ．放大倍数变小，输出电阻变大D ．放大倍数变小，输出电阻变小4． 如右图所示电路中，晶体管≈100，估算该电路的电压放大倍数和输入电阻约为（ ）A ．011k u i A .,R ≈≈ΩB. 012k u i A .,R ≈≈ΩC.1200k u i A ,R ≈≈ΩD.1100k u i A ,R ≈≈Ω5．NPN 型三极管构成的基本共射放大电路中,输入信号为1kHz,10mV 的正弦波,当出现饱和失真时,其输出波形的( )将削去一部分。

A. 底部B. 顶部C. 中间D. 顶部和底部同时6． RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将( ),放大电路通频带BW 将( ).A.上升,变宽B.下降,变宽C.上升,变窄D.下降,变窄7． 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，便可以得到幅频特性和相频特性，条件是（ ）。

北理工《模拟电子技术》在线作业试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 30 分)5. 能很好的克服零点漂移的电路是（）A. 固定偏置式电路B. 功放电路C. 差放电路D. 积分电路满分：3 分正确答案:C2. 为了减小放大电路的输入电阻，应引入（）负反馈。

A. 电压B. 电流C. 串联D. 并联满分：3 分正确答案:D3. 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）A. 共射放大电路B. 共集放大电路C. 共基放大电路满分：3 分正确答案:A4. 双极型三极管有两种类型：NPN型和PNP型，无论何种类型，内部均包含（）PN结，并引出（）电极。

A. 一个两个B. 两个三个C. 两个两个D. 三个两个满分：3 分正确答案:B5. 差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益（）A. 增加一倍B. 为双端输入时的1/2C. 不变D. 不确定满分：3 分正确答案:C6. UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管满分：3 分正确答案:B2. 改变输入电阻和输出电阻，应引入（）。

A. 直流负反馈B. 交流负反馈C. 正反馈满分：3 分正确答案:B8. 一三极管三个极的对地电位分别是-6V，-3V，-3.2V，则该管是（）A. PNP硅管B. NPN锗管C. NPN硅管D. PNP锗管满分：3 分正确答案:D9. NPN三极管的输出特性曲线，一般将IB≤0的区域称为（），三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。

A. 截止区B. 放大区C. 饱和区满分：3 分正确答案:A1. 稳压管的稳压区是其工作在（）。

A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿满分：3 分正确答案:C二、多选题 (共 10 道试题,共 40 分)9. 要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，二级应采用( )。

A. 共源电路B. 共集电路C. 共基电路D. 共射电路满分：4 分正确答案:AD10. 关于集成运算放大器，下列说法正确的是（）A. 集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器B. 集成运放只能放大直流信号C. 希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小D. 集成运放的CMRR大满分：4 分正确答案:ACD1. 欲实现Au＝－100的放大电路，应选用( )；欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。

1《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案（A ）一、填空（18分，每空1分）1、实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证发射结正偏 ；而集电结 反偏 。

针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。

3、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。

多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。

4、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。

二、选择正确答案填空（20分 每空2分）ADCDA DBDCC三. （15分）解：（1）静态分析：V 7.5)(A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQEQ BQ ef BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥ （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，ef 'L R R R A u+-≈ ≈－1.92。

四. （4分）解：（a ）可能 （b ）不能 五. （20分）7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω六.（15分）8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β2。

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详情请查阅理硕教育官网一、填空题（每空1分，共15分）1.N型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，P型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，PN结具有﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍特性。

2.发射结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，集电结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，则三极管处于饱和状态。

3.当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管。

4.两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。

5.差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V，共模输入电压Uic为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V。

6.集成运算放大器在比例运算电路中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区，在比较器中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区。

7.在放大电路中为了提高输入电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈，为了降低输出电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈。

二、选择题1、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。

A、有微弱电流B、无电流C、有瞬间微弱电流2、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）。

A、增加B、下降C、不变3、三极管的反向电流I CBO是由（）组成的。

A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。

精品《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20分）1 、二极管最主要的特性是。

2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。

3 、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有、、。

4 、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。

5 、正弦波振荡电路的振荡条件为、。

二、选择题（ 20 分）1 、P 型半导体中的多数载流子是，N 型半导体中的多数载流子是。

A 、电子 B、空穴 C、正离子2 、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。

A 、大于B、小于 C、等于3 、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。

A 、增大B、减小C、不变4 、如图所示复合管，已知V 1的1=30，V2的2=50 ，则复合后的V1V 2 约为（）。

A ． 1500 B.80 C.505 、 RC 串并联网络在f=f 0=1 /2 RC 时呈。

A 、感性B、阻性C、容性三、判断题（10 分）（对的打“√”，错的打“×”）1 、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。

（）2 、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（）3 、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

( )4 、负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）5 、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（）四、简答题：（ 25 分）1 ．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝ 0.7V 。

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？+v ccR2R FR1 V 2+ V 1 +R S￥u i R4 uo+ -R3 R5u i + u o+- - C1 -R L(a) (b)3 、电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题（25 分）1 、电路如下图所示，试求出电路 A U、 R i、和 R0的表达式。

2 、电路如下图所示，求下列情况下U 0和 U I的关系式。

习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。

（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。

（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。

（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。

（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。

（）（6）在集成电路中元件的对称性差。

（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。

（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。

A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。

题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。

北交《模拟电子技术（含实验）》复习题解析A一、填空题1．共模信号是指大小相等，极性 的信号。

考核知识点解析：共模信号的定义答案：相同2．零点漂移产生的因素很多，其中以 变化所引起的漂移最为严重。

考核知识点解析：零点漂移产生的原因答案：温度3．集成运放实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路，内部通常包含四个基本组成部分，即输入级、中间级、输出级和 。

考核知识点解析：集成运放的组成答案：偏置电路4．晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结 。

考核知识点解析：晶体管的工作特性答案：反偏5．对共射放大电路来说，发生在输出信号正半周期的失真是截止失真，发生在输出信号负半周期的失真是 。

考核知识点解析：失真的分类及定义答案：饱和失真二、计算题6． 电路如图1所示，电容容量足够大，三极管的Ω==Ω==k 120V ,6.0,200,501'B BE bb R U r β。

V ,12V ,k 1.2,k 4,k 40CC 2=Ω=Ω==Ω=E L C B R R R R 信号源内阻Ω=k 10S R 。

求：（1）估算电路的静态工作点CEQ EQ BQ U I I ,,（2）计算电路的放大倍数UA ，输入电阻和输出电阻的值。

考核知识点解析：三极管放大电路的计算答案：V 46.5,mA 09.1,mA 02.0===CEQ EQ BQ U I I,图17. 图2示电路中二极管的正向压降忽略不计，已知输入电压u i 的波形如图，试画出对应的输出电压u O 的和二极管的电压u D 波形。

图2 考核知识点解析：二极管的工作特性及含有二极管电路的分析 2 t －8 u i (V)06 u u R D + u D ─。

北理工《模拟电子技术》在线作业-0005要提高放大器的带载能力，提高输入电阻，应引入（）负反馈A:电压并联
B:电流并联
C:电压串联
D:电流串联
答案：C
电子电路中常用的半导体器件有（）。

A:二极管
B:稳压管
C:双极型三极管
D:以上都是
答案：D
集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）
A:可获得很大的放大倍数
B:可使温漂小
C:集成工艺难于制造大容量电容
答案：C
杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（）。

A:N型半导体
B:P型半导体
C:电子型半导体
答案：B
在深度负反馈时，放大器的放大倍数（）
A:仅与基本放大器有关
B:仅与反馈网络有关
C:与二者密切相关
D:与二者均无关
答案：B
欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）。

A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈。

第 1 页 共4页 课程编号：（01200025） 北京理工大学北京理工大学 2009- 2010学年第1学期学期2007级模拟电子技术基础B 期末试题 A 卷注：试题答案必须书写在答题纸上，在试题和草稿纸上答题无效。

班级班级 学号学号 姓名姓名 成绩成绩一、（10分）判断题1. 本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ ）2. 放大电路中输出的能量是由有源器件提供的。

（ ）3. 任何单管放大电路的输入电阻均与负载电阻无关。

（ ）4. 理想情况下，集成运放的共模抑制比为0。

（ ）5. 射极输出的单管功率放大电路可以得到50%以上的转换效率。

（ ）6. 随着输入信号频率升高，由于电路中耦合电容和旁路电容的存在会造成放大电路的输出电压下降。

（ ）7. 引入负反馈对输入信号本身存在的失真也可得到改善。

（ ）8. 在运算电路中，集成运放的同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（ ） 9. 正反馈放大电路有可能产生自激振荡。

（ ）10. 线性串联型直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（ ）二、（9分）判断图2所示各放大电路能否正常工作，并说明理由，若不能正常工作请指出应如何更改。

如何更改。

图2(c)第 2 页 共4页 图3（a ）所示为某电路的方框图，已知u I 、u O1～u O3的波形如图3（b ）所示。

所示。

1．将各电路的名称分别填入空内：电路1为 ；电路2为 ； 电路3为 。

2．用一个集成运放及其他必要的元器件实现电路3的功能。

画出电路即可，不需要计算具体器件参数。

可，不需要计算具体器件参数。

图3四、（20分）恒流源式压控差动放大电路如图4所示。

所示。

设晶体管的基区体电阻r bb’可忽略不计，已知U BE ＝0.6V ，电源电压V CC ＝V EE ＝15V ，电阻R c1＝R c2＝5.1k W ，R e3＝2k W ，R 1＝11k W ，R 2＝2k W ，电位器R W ＝2k W 。

北理工《面向对象程序设计》在线作业-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题(共38 道试题,共76 分)1.整型变量中，八进制数的数字前面需要加数字（）A.8B.0XC.不需要D.0答案:D2.下列关于静态数据成员特性的描述中，错误的是（）。

A.说明静态数据成员时前边要加修饰符staticB.静态数据成员要在类体外进行初始化C.静态数据成员不是所有对象所共有的D.引用静态数据成员时，要在其名称前加<类名>和作用域运算符答案:C3.一个类的构造函数为“B(intax,intbx):a(ax),b(bx){}”，执行“Bx(1,2),y(3,4);x=y;”语句序列后x.a的值为______。

A.1B.2C.3D.4答案:A4.下列运算符中，在C++中不能重载的是（）。

A._B.()C.::D.||答案:C5.下列关于C++函数的描述中，正确的是（）。

A.每个函数至少要有一个参数B.每个函数都必须返回一个值C.函数在被调用之前必须先进行声明或定义D.函数不能自己调用自己答案:C6.下列关于成员访问权限的描述中，错误的是（）。

A.公有数据成员和公有成员函数都可以被类对象直接处理B.类的私有数据成员只能被公有成员函数以及该类的友元访问C.只有类或派生类的成员函数和友元可以访问保护成员D.保护成员可以在派生类中被访问，而私有成员不可以答案:B7.下列函数中，不是类的成员函数的是（）。

A.构造函数B.友元函数C.析构函数D.复制构造函数答案:B8.下列关于this指针的描述中，正确的是（）。

A.任何与类相关的函数都有this指针B.类的成员函数都有this指针C.类的友元函数都有this指针D.类的非静态成员函数都有this指针答案:D9.下列关于继承的描述中，错误的是（）。

A.派生类对象不能访问基类的保护成员B.派生类对基类成员的访问权限随着继承方式而改变C.派生类成员可以访问基类的私有成员D.派生类继承了基类的所有成员答案:C10.有如下头文件：intf1();staticintf2();classMy{public:intf3();staticintf4();};在上述4个函数中，具有隐含的this指针的是（）。

北京理工大学远程教育学院《模拟电子技术》模拟题第二套答案一、填空（2×10=20分）1 . N沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件UGS >Vth, UGD<Vth。

2．共集电极、共基极以及共发射极三种组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电极。

3．希望实现一个电压控制电流源用负反馈方法实现，则应选用串联电流负反馈。

4．要求乙类电路在理想情况下的最大输出功率为5W，则应选用PCM= 1W 。

5．理想运放的输入电阻无穷大，输出电阻 0 。

6. P型半导体多子是空穴。

7．乙类推挽的缺点是产生交越失真，克服的办法是用甲乙类电路。

8. N结的电击穿有齐纳击穿和雪崩击穿。

二、分析与计算（50分）1. 放大电路如图1所示，RG1=100K，RG2=50K，RD=3K，RL=3K；场效应管T的参数如下：Kn=0.25mA/V2，V th=2V，r ds=∞。

（I D=D D(D DD−D DD)2）1)计算晶体管T1的静态工作点IDQ，VGSQ和VDSQ；2)gm, 中频电压放大倍数A v，输入电阻R i和输出电阻R o；(1)D D =D DD DD2D D1+DD2=5DD DD =D D −D D =5D I D =D D (D DD −D DD )2=2.25DD V DDD =D DD −D DD D D =8.25D (2) D D =2D D (D DD −D DD )=1.5DD D D =−D D (D D //D D )=−2.25D D =D D1//D D2=33.3DD D =D D =3D2. （20分）放大电路如图2.2所示，（1）试说明电路引入的反馈类型；（2）如果R f =10K ，试确定电阻R 1，使得放大电路增益为-10。

（3）确定电路的输入电阻；（4）如果给电阻R 1串联一个电容C ，电路能否放大直流信号？给出下限频率的表达式。

(1) 电路引入了并联电压负反馈 (2) 根据虚短和虚断，可知D D =−D DD 1=−10D 1=D D /10=1D (3) 输入电阻为R 1（4）串联电容后将不能放大直流信号+V =+1RRRRC Cvv图RRvv图。

课程编号：（ELC06005） 北京理工大学 2015- 2016学年第1学期模拟电子技术基础A 期末试题 A 卷注：试题答案必须书写在答题纸上，在试题和草稿纸上答题无效班级学号 姓名 成绩一、（20分）综合题1.测得PNP 型三极管各电极对地电位分别为V E ＝ -4V ，V B ＝-4.7V ，V C ＝-4.6V ，说明此三极管处在 。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.反向击穿区2. 理想运放的开环放大倍数A od 、输入电阻、输出电阻分别为 。

A.∞ ∞ 0； B. ∞；0；∞； C. ∞；∞；∞； D.不确定 ∞ 03. 将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 ;将三角波转换为方波, 应选用 。

A .积分运算电路；B .微分运算电路；C .乘法运算电路；D.滞回比较电路 4. 某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。

如果GS u =5V ，DS u =5V ，管子工作在 区；如果GS u =9V ，DS u =4V ，管子工作在 区。

（A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区）5.某放大电路的对数幅频特性如图1-5所示，其放大倍数的表达式为 。

图1-5 图1-66.在如图1-6所示电路中，变压器内阻和二极管的正向电阻均可忽略不计，电容C 取值满足R L C＝（3～5）2T。

输出电压平均值()AV O U ≈ ; 若P 1开路，()AV O U ≈ 。

A. ()AV U O ≈1.2U 2； B. ()AV U O ≈0.9U 2； C. ()AV U O ≈22U ； D. ()AV U O = 0.45U 2 7.某放大电路接入一个内阻等于零的信号源电压时，输出电压为5V ，若信号源内阻增大到1K Ω，其它条件不变时，输出电压为4V ，则该放大电路的输入电阻为 。

A.1K Ω；B. 2K Ω；C. 4K Ω；D. 5K Ω二、（10分）判断下列说法是否正确1. 图2-1所示电路为二阶高通滤波电路。