肖特基(SCHOTTKY)势垒二极管系列

肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种特殊的二极管，其结构和特性与普通的二极管有所不同。

它利用了肖特基效应（Schottky effect）的原理，具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点，因此在各种电子电路中得到广泛应用。

一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其结构如下：1. 金属-半导体接触面：用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面，形成势垒；2. P型半导体材料：通常采用P型硅（p-Si）材料制成。

二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点：1. 低漏电流：由于金属-半导体接触面的势垒形成，使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多；2. 快速开关速度：肖特基二极管的导通和截止速度较快，因此在高频电路中得到广泛应用；3. 低压降：肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小，对电路的功耗影响较小。

三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用，主要体现在以下几个方面：1. 短波无线电接收机：肖特基二极管可以作为高频检波二极管，实现无线电信号的检波和解调；2. 低功耗电路：由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性，适合用于设计低功耗的电路；3. 微波频率倍频器：肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能，常被用作频率倍增器；4. 太阳能电池：肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分，可以将光能转化为电能。

四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构和特性上有所不同。

1. 结构：肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成，而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。

2. 功能：肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中，而MOS管主要用于放大和开关电路中。

3. 特性：肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度，但其直流特性和温度特性较差；MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度，但功耗较大。

肖特基（Schottky）二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。

其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。

这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。

在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。

另外它的恢复时间短。

它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

选用时要全面考虑。

三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。

1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。

电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。

2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。

发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。

3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。

它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。

这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。

通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。

2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。

这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。

VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。

3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。

这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。

4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。

这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。

VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。

5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。

这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。

6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。

这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。

7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。

这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。

8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。

这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。

肖特基限流二极管
肖特基限流二极管，也被称为肖特基二极管（Schottky Diode）或肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD），是一种具有特殊工作原理的半导体器件。

它的基本结构是在金属（如铅）和半导体（如N型硅片）的接触面上形成肖特基势垒，用以阻挡反向电压。

这种二极管的主要特点是具有较低的正向压降（通常在0.3V至0.6V 之间），同时其反向恢复时间非常短，可以在几纳秒级别。

这些特性使得肖特基二极管非常适合用于高频开关电路和低压大电流整流电路。

肖特基二极管的另一个重要特点是其开关速度非常快，这主要得益于它的多子参与导电机制，相比少子器件有更快的反应速度。

因此，肖特基二极管常用于门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。

肖特基二极管通常用于低功耗、大电流、超高速的半导体器件中，例如开关电源、高频电路、检波电路等。

尽管肖特基二极管的耐压能力相对较低（通常低于150V），但由于其优良的特性，它在许多应用中仍被广泛使用。

肖特基整流二极管介绍肖特基整流二极管介绍一、引言肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode简称SBD)是一种金属(或金属硅化物)/ 半导体接触的器件，它是多子器件，主要用其非线性电阻的特性。

SBD是最古老的半导体器件，1904年开始，矿石检波器就得到了应用。

SBD在超高频及微波电路中用于检波和混频，都是用其正向非线性电阻的特性。

SBD长期用金属与半导体接触进行制作，稳定性差，是可靠性最差的半导体器件之一。

八十年代开始对金属硅化物深入研究，用金属硅化物代替金属，获得了可靠而又重复的肖特基势垒，为大规模生产奠定了基础。

各种家用电器、微电脑、汽车电子、通讯设备、仪器、国防军工都要求电子设备轻量化、小型化，特别是要求采用小型化和高效率的电源。

高频开关电源随着工作频率的提高，其体积和重量都会明显减小，同时效率显著提高，高频开关电源越来越受到人们的重视。

SBD 有三大特点:(1)速度快(多子器件，无少子储存效应);(2)正向压降低;(3)散热性能好。

SBD与通常的PN结整流器件相比，SBD具有开关速度快(高频)、导通电压低(高效)、抗电流浪涌冲击能力强(大电流)。

低输出电压(V??24V)的高频开关电源多采用肖特基整流二0极管。

世界高频开关电源年销售额约为500亿美圆，这是一个巨大的市场!对肖特基整流二极管的规模生产有巨大的拉动力。

SBD制作简单、工艺流程短、成本低、有利于大规模生产。

肖特基整流二极管在高频开关电源电路中起开关作用，是用其正、反向非线性电阻的特性(不再只是用正向非线性电阻的特性)。

肖特基整流二极管的名称较多，有功率肖特基二极管、肖特基续流二极管、大电流肖特基二极管、肖特基开关二极管等等。

肖特基势垒与p-n结的比较肖特基二极管的势垒可以比做在同一种半导体上的p-n结低许多，例如硅，p-n结的内建势V?0.8V;而肖特基结势垒电势为0.5V,0.6V很容易做到。

在同一电流密度下，p-n结上的正bi向压降比肖特基二极管上的电压降至少高0.3V。

肖特基整流二极管介绍一、引言肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode简称SBD）是一种金属（或金属硅化物）/ 半导体接触的器件，它是多子器件，主要用其非线性电阻的特性。

SBD是最古老的半导体器件，1904年开始，矿石检波器就得到了应用。

SBD在超高频及微波电路中用于检波和混频，都是用其正向非线性电阻的特性。

SBD长期用金属与半导体接触进行制作，稳定性差，是可靠性最差的半导体器件之一。

八十年代开始对金属硅化物深入研究，用金属硅化物代替金属，获得了可靠而又重复的肖特基势垒，为大规模生产奠定了基础。

各种家用电器、微电脑、汽车电子、通讯设备、仪器、国防军工都要求电子设备轻量化、小型化，特别是要求采用小型化和高效率的电源。

高频开关电源随着工作频率的提高，其体积和重量都会明显减小，同时效率显著提高，高频开关电源越来越受到人们的重视。

SBD 有三大特点：（1）速度快（多子器件，无少子储存效应）；(2)正向压降低；（3）散热性能好。

SBD与通常的PN结整流器件相比，SBD具有开关速度快（高频）、导通电压低（高效）、抗电流浪涌冲击能力强（大电流）。

低输出电压（V0≤±24V）的高频开关电源多采用肖特基整流二极管。

世界高频开关电源年销售额约为500亿美圆，这是一个巨大的市场!对肖特基整流二极管的规模生产有巨大的拉动力。

SBD制作简单、工艺流程短、成本低、有利于大规模生产。

肖特基整流二极管在高频开关电源电路中起开关作用，是用其正、反向非线性电阻的特性（不再只是用正向非线性电阻的特性）。

肖特基整流二极管的名称较多，有功率肖特基二极管、肖特基续流二极管、大电流肖特基二极管、肖特基开关二极管等等。

肖特基势垒与p-n结的比较肖特基二极管的势垒可以比做在同一种半导体上的p-n结低许多，例如硅，p-n结的内建势V bi≥0.8V；而肖特基结势垒电势为0.5V～0.6V很容易做到。

在同一电流密度下，p-n结上的正向压降比肖特基二极管上的电压降至少高0.3V。

SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

1、肖特基二极管的原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。

用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

BTA54C BTA54SDO41SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。

不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。

所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。

这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。

肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。

超过200V电压的也必定是模块。

电流越大，电压越低。

与可控硅元件不一样。

电流与电压成反比（模块除外）。

10A、20A、30A规格的有做到200V电压。

电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。

关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是摩托罗拉产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。

T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。

贴片肖特基管 Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers肖特基（Schottky ）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD ），在电源工业领域已经有25年历史，它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

特 性Features紧凑型封装，易安装 高效的过电压保护器件 超低的正向压降 高频电路的理想产品符合相关焊接国际标准MIL-STD-2023.0Ampere / SMA ELECTRICAL CHARACTERISTICS V RRM V FM I RM @ V RRM I (AV) @I RM I FSM V FM I (AV) T A =25℃ TYPEAV A V A mA Case StyleSS32/SMA 3.0 20 100 0.50 5.0 0.5 SMA SS33/ SMA 3.0 30 100 0.55 5.0 0.5 SMA SS34/ SMA 3.0 40 100 0.55 5.0 0.5 SMA SS35/ SMA 3.0 50 100 0.70 5.0 0.5 SMA SS36/ SMA 3.0 60 100 0.70 5.0 0.5 SMA SS38/ SMA 3.0 80 100 0.85 5.0 0.5 SMA SS310/ SMA 3.0 100 100 0.85 5.0 0.5 SMA SS315/ SMA 3.0 150 100 0.90 5.0 0.5 SMA SS320/ SMA3.02001000.955.00.5SMA SYMBOLS 符号/缩写I(AV) …… Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流 IRM …… Maximum Reverse Leakage Current 最大反向漏电流 IRRM …… Repetitive Peak Reverse Current 重复峰值反向电流IRSM …… Maximum Non-repetitive Reverse Peak Current 最大反向不重复峰值电流 VFM …… Maximum Forward Voltage 最大正向电压 VFR …… Forward Recovery Voltage 正向恢复电压VRRM …… Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压(Dimension Unit: mm )Dimensions in inches and (millimeters)SMA 产品尺寸产品尺寸 (Dimension Unit: mm )产品特性图 Features Chart 产品特性图定购信息Order Information 5,000PCS/Reel 30,000PCS /BoxOR2,500PCS /Reel 25,000PCS /BOXNOTE: ALL DATA AND SPECIFICATIONS ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.ALL PRODUCTS COMPATIBLE WITH ROHS注意：所有的规格、参数更新将不例行通知。

肖特基势垒整流二极管（SBD）特点及常用型号
肖特基势垒整流二极管(SBD)特点及常用型号
SBD整流管是利用在硅外延层板上，用蒸镀法加入阻挡层（电位壁障）的整流管，利用这个阻挡层金属和N型半导体之间的接触电位差实现整流，耐压由N-层的厚度和硅板内部阻抗决定，主要特点是和PN型整流管比较，没有载流子积累现象，和反向回复时间，以及正向电位下降非常小的优点。

其缺点是耐压不够，但是通过选择逆向回复时间特性一致的管子把他们串连起来，实现了电子管放大器用高压整流最高达到5A1600V
SBD结构特点
电子管用SBD整流管的结构，和普通整流管一样，整流器内部由插入电阻，可以选择和5U4G，GZ34，274B等内部阻抗相同的电阻来使用，扩大应用范围
噪声特点
使用半导体整流，不存在真空管整流的寿命，低频的紧凑感和高频的分析力都是上乘表现,整流时没有噪声，高频的分解能力显著提高内部电阻可以自由选择，使用DELL电阻（10瓦）5U4G和GZ34是使用180欧，200欧，274B使用的是330，390欧，根据设定电流可以追加33欧～39欧1瓦的电阻进行微调。

主要管的规格
型号最大耐压最大电流价格
ST3A130 1300V 3A
ST3A160 1600V 3A
ST5A145 1450V 5A
ST5A160 1600V 5A
ST5A130 1300V 5A
ST5A 5A 1300V 1.7万日元
ST5A145 1450V 1.75万日元
ST10A130 1.9万日元
ST10A145 1.98万日元ST30A130 2.6万日元
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肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。

肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD 来命名产品型号前缀的。

但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

因此，SBD 也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。

例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写 MB：Barrier1 缩写 BR：Rectifier 缩写 R10：电流 10A200：电压 200VC：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。

肖特基二极管独立式
肖特基二极管，也称为肖特基势垒二极管或肖特基势垒隔离二
极管，是一种特殊类型的二极管。

它的名称来源于德国物理学家沃
尔特·肖特基（Walter H. Schottky）。

肖特基二极管与普通的PN
结二极管相比具有许多独特的特性和应用。

首先，肖特基二极管的特点之一是具有较低的正向电压降。

这
意味着在正向偏置情况下，肖特基二极管的导通电压比普通二极管
更低。

这使得肖特基二极管在低电压应用中具有优势，可以降低功
耗并提高效率。

其次，肖特基二极管具有快速开关速度。

由于肖特基二极管的
结构特点，其载流子注入和排出速度较快，因此具有更快的开关速度。

这使得肖特基二极管在高频应用中广泛使用，例如射频放大器、混频器等。

此外，肖特基二极管还具有低反向漏电流的特点。

与普通二极
管相比，肖特基二极管的反向漏电流较小，这使得它在需要较低反
向漏电流的应用中更为适用，例如精密测量、低噪声电路等。

肖特基二极管的独立式指的是它可以作为独立的器件存在，而不需要与其他器件（如晶体管）组合在一起使用。

这使得肖特基二极管更加灵活和方便，可以直接用于各种电路设计中。

总结起来，肖特基二极管独立式具有低正向电压降、快速开关速度和低反向漏电流等特点。

它在低电压、高频和低噪声应用中具有广泛的应用前景。

关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。

肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。

但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。

例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。

肖特基（SCHOTTKY）势垒二极管系列肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。

介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。

对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。

最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。

本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。

肖基二极管作用 1a肖基二极管作用1a肖基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，也被称为肖特基二极管或肖基势垒二极管。

它与普通二极管相比具有更快的开关速度和较低的开关电压。

肖基二极管的作用非常广泛，下面我们将详细介绍其在不同领域的应用。

肖基二极管在电源管理中起着重要作用。

由于其具有低压降和快速开关速度的特点，肖基二极管常被用作电源开关和整流器。

在电源开关中，它能够迅速地切换电路的通断状态，提供高效率的电源管理。

而在整流器中，肖基二极管能够将交流电转换为直流电，用于电子设备的供电。

肖基二极管在通信领域也有广泛应用。

在射频（Radio Frequency）电路中，肖基二极管用于高频信号的检波和混频。

由于其快速的开关速度和低噪声特性，肖基二极管能够实现高精度的信号处理。

此外，在通信设备的收发器中，肖基二极管也常被用于信号的调制和解调，以及频率的转换。

肖基二极管还在光电子器件中发挥重要作用。

在光电探测器中，肖基二极管可以将光信号转换为电信号。

由于其低反向漏电流和高速响应特性，肖基二极管能够提供高灵敏度和快速的光电转换效果。

在光通信系统中，肖基二极管也被广泛应用于光检测和光发射等关键环节。

肖基二极管还在能源领域有一定的应用。

在太阳能电池中，肖基二极管用于电荷的收集和输送。

太阳能电池将太阳能转化为电能时，需要对电荷进行有效的分离和传输。

肖基二极管的快速开关速度和低压降特性能够提供高效的电荷收集和输送效果，提高太阳能电池的转换效率。

除了以上的应用领域，肖基二极管还被广泛应用于电力电子、汽车电子、计算机硬件等多个领域。

例如，在电力电子领域，肖基二极管常被用于变频器、直流电源等设备中，以提供高效的电能转换和控制。

在汽车电子中，肖基二极管可以用于电池管理、发动机控制等关键系统中，以提高汽车的性能和安全性。

在计算机硬件中，肖基二极管被广泛用于高速计算和数据处理中的选择器、开关等关键元件。

肖基二极管作为一种特殊的二极管，在电源管理、通信、光电子器件、能源等多个领域都发挥着重要作用。