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Modern Physics 现代物理, 2020, 10(5), 73-78Published Online September 2020 in Hans. /journal/mphttps:///10.12677/mp.2020.105008硅光电二极管的光谱响应测量及其响应时间研究曾丽娜，李林*，李再金，杨红，李功捷，赵志斌，李志波，乔忠良，曲轶，刘国军海南师范大学，物理与电子工程学院，海南省激光技术与光电功能材料重点实验室，海南海口收稿日期：2020年8月11日；录用日期：2020年8月27日；发布日期：2020年9月3日摘要在气流和温度稳定，卤素灯照明为背景光的环境下，当硅光电二极管未达到最大响应时测量了硅光电二极管对入射光波长为400 nm至1050 nm的光谱响应。
分析了硅光电二极管的光谱响应的影响条件和硅光电二极管的光谱响应规律。
在测光电路中采用不同的负载电阻和偏置电压测试硅光电二极管的响应时间，解释了硅光电二极管的物理特性。
关键词硅光电二极管，光谱响应，时间响应Study on Measurement of Spectral Response and Response Time of Silicon PhotodiodesLina Zeng, Lin Li*, Zaijin Li, Hong Yang, Gongjie Li, Zhibin Zhao, Zhibo Li, Zhongliang Qiao, Yi Qu, Guojun LiuKey Laboratory of Laser Technology and Optoelectronic Functional Materials of Hainan Province, College of Physics and Electronic Engineering, Hainan Normal University, Haikou HainanReceived: Aug. 11th, 2020; accepted: Aug. 27th, 2020; published: Sep. 3rd, 2020AbstractThe spectral response of Silicon photodiodes with incident light wavelengths of 400 nm to 1050 nm is measured when Silicon photodiodes do not reach maximum response in the background *通讯作者。
光谱响应si -回复什么是光谱响应si？光谱响应（Spectral Response）是指光电器件对不同波长的光的响应程度。
光电器件的光谱响应可以通过其光谱响应曲线来描述。
而光谱响应曲线中的“si”，则表示硅（Silicon）光电器件的光谱响应。
硅光电器件是一种广泛应用于光电领域的光检测器件。
其灵敏度范围覆盖了可见光和近红外光谱范围，所以在许多光电应用中都被广泛采用。
为了更好地理解光谱响应si，我们可以从以下几个方面来介绍。
首先，硅光电器件的光谱响应特性。
硅光电器件的光谱响应范围在可见光和近红外光谱范围内。
硅材料本身是一种半导体材料，其分子结构可以对光子能量进行吸收并导致电子激发，产生电流。
硅材料对于不同波长的光有不同的吸收特性。
一般来说，硅光电器件的光谱响应在400nm（紫外线）到1100nm（近红外线）之间较为敏感。
接下来，硅光电器件的应用领域。
硅光电器件由于其灵敏度范围广泛，被广泛应用于各种光电设备中。
其中，最常见的应用包括光电二极管（Photodiode）、光敏电阻（Photoresistor）和光电二极管阵列（Photodiode Array）等。
光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件。
其利用光子的能量激发硅材料中的电子，导致电导率的变化，从而产生电流。
光电二极管主要用于光通信、光谱分析和光测量等方面。
光敏电阻是一种灵敏度较弱的光检测器件。
它利用光照使材料的电阻值发生变化，从而产生电流。
光敏电阻主要应用于光敏控制开关、光敏传感器和光补偿等方面。
由于其灵敏度较低，因此在高要求的光测量应用中往往选择光电二极管或其他更敏感的光电器件。
光电二极管阵列是一种多个光电二极管组成的阵列器件。
它可以同时测量多个波长的光信号，并将其转换为对应的电信号。
光电二极管阵列应用于多光谱成像、光谱分析和光谱测量等高精度光学应用中。
最后，硅光电器件的优缺点。
硅光电器件作为一种常用的光电器件，在很多应用中具有一些优点和缺点。
实验五⼗⼆硅光电池特性的研究（精）234实验五⼗⼆硅光电池特性的研究⼀、实验⽬的1．掌握PN 结形成原理及其⼯作机理； 2．了解LED 发光⼆极管的驱动电流和输出光功率的关系；3．掌握硅光电池的⼯作原理及其⼯作特性。
⼆、仪器设备1．TKGD ―1型硅光电池特性实验仪； 2．信号发⽣器；3．双踪⽰波器。
三、实验原理1．引⾔⽬前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到⼴泛应⽤，硅光电池是半导体光电探测器的⼀个基本单元，深刻理解硅光电池的⼯作原理和具体使⽤特性可以进⼀步领会半导体PN 结原理﹑光电效应理论和光伏电池产⽣机理。
图1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空⽳多电⼦少，⽽N 型材料电⼦多空⽳少，结果P型材料中的空⽳向N 型材料这边扩散，N 型材料中的电⼦向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成⼀个势垒，由此⽽产⽣的内电场将阻⽌扩散运动的继续进⾏，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成⼀个耗尽区，耗尽区的特点是⽆⾃由载流⼦，呈现⾼阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场⽅向⼀致，耗尽区在外电场作⽤下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场⽅向相反，耗尽区在外电场作⽤下变窄，势垒削弱，使载流⼦扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电性,电流⽅向是从P 指向N 。
2.LED 的⼯作原理当某些半导体材料形成的PN 结加正向电压时,空⽳与电⼦在PN 结复合时将产⽣特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙E g 有关。
发光波长λp可由下式确定：式(1)中h 为普朗克常数，c 为光速。
在实际的半导体材料中能级间隙E g 有⼀个宽度，因此发光⼆极管发出光的波长不是单⼀的，其发光波长半宽度⼀般在25～40nm 左右，随半导体材料的不同⽽有差别。
发光⼆极管输出光功率P 与驱动电流I 的关系由下式决定：式(2)中，η为发光效率，E p 是光⼦能量，e 是电荷常数。
硅光电池原理硅光电池是利用半导体材料的光电转换原理制成的太阳能电池，其主要成分是纯度高达99.999%的硅晶体。
硅晶体在受到光照下会产生能量传导的效应，从而转换为电流输出。
硅光电池的结构由p型和n型硅组成的p-n结构的太阳能电池。
p型硅和n型硅的本征半导体浓度不同，故在两种材料接触的地方形成一个pn结。
在这个结点区域中，p区的材料富余正离子，n区的材料富余负离子。
当硅光电池受到光照后，光子的能量会使得硅中的电子受激发而离开原来的位置，从而产生了电子空穴对。
在p-n结区域，受光子激发的电子在电场力的作用下会向n型硅离开p-n结，空穴反之。
这样，p-n结上面的电子和空穴的流动形成了一个电池的正负极，产生了电流和电压输出。
这种构成的太阳能电池是硅太阳能电池。
硅光电池中的输出功率密度是指在单位面积上输出电能的能量。
这个值可以通过将硅光电池的输出电压和输出电流相乘来获得。
硅光电池的输出功率密度与光电转换效率和太阳能电池的面积有关。
提高硅光电池的输出功率密度需要提高其光电转换效率或扩大太阳能电池的面积。
硅光电池是利用半导体材料的光电转换原理制成的太阳能电池。
硅光电池的机理是通过在p-n结区域中产生电子-空穴对，使得硅太阳能电池可以产生电流和电压输出。
硅光电池的光电转换效率和输出功率密度是两个关键性能指标，这些指标取决于许多因素，包括光照强度，温度和制造工艺等。
硅光电池是当前最为广泛应用的太阳能电池，其广泛应用是因为硅材料的独特性能。
硅材料的晶体结构为直接半导体，具有很好的光谱响应特性，同时还具有优良的电特性和化学稳定性。
与其他太阳能电池相比，硅光电池有许多优势，包括成本低廉、长期稳定性好、可靠性高以及容易大规模生产等。
硅光电池是目前最主要的太阳能电池之一，已经在许多国家和地区被广泛应用于太阳能发电场、太阳能家电和太阳能充电器等领域。
硅光电池的性能因素主要包括硅材料的质量、太阳辐射、温度、制造工艺和光谱响应等因素。
实 验 报 告姓 名：dsffss 班 级：F1000000 学 号：5100000000 实验成绩： 同组姓名： 实验日期：2011-10-10 指导老师：助教15 批阅日期：硅光电池特性的研究【实验目的】1. 了解硅光电池的工作原理及其应用；2. 研究硅光电池的主要参数和基本特性．【实验原理】1．硅光电池的照度特性硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制成．当光照射在PN 结上时，由光子所产生的电子与空穴将分别向 P 区和N 区集结，使PN 结两端产生光生电动势．这一现象称为光伏效应．（1）硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时，将产生一个由N 区流向P 区的光生电流I Ph ，同时由于PN 结二极管的特性，存在正向二极管管电流 I D ，此电流方向从P 区到N 区，与光生电流相反，因此实际获得电流I 为0[exp()1]Ph D Ph B qVI I I I I nk T=-=-- (1)式中V 为结电压，I 0为二极管反向饱和电流，I Ph 是与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关．n 为理想系数，是表示PN 结特性的参数，通常在1-2之间，q 为电子电荷，k B 为波尔茨曼常数，T 为绝对温度．在一定照度下，当光电池被短路（负载电阻为零），V = 0，由（1）式可得到短路电流SC Ph I I =(2)硅光电池短路电流与照度特性见图 1．（2）硅光电池的开路电压与照度关系当硅光电池的输出端开路时，I = 0，由（1）与（2）式可得开路电压ln(1)SC B OC I nk TV q I =+ (3)硅光电池开路电压与照度特性见图 1．2．硅光电池的伏安特性当硅光电池接上负载R 时，硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态．它 的伏安特性见图 2．图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：（1）反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； （2）无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大．由图 2可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流 I Ph ，在电压轴上的截距即为开路电压V OC ．3．硅光电池的光谱响应．图3为硅光电池的光谱特性曲线．即相对灵敏度K r 和入射光波长λ的关系曲线．从图 4中可看出，硅光电池的有效范围约在 450—1100 nm 之间．硅光电池的灵敏度K 为()()()()P K T λληλλλ=∆(4)【数据记录与处理】1. 硅光电池的照度（光强）特性实验数据如下表：根据表中数据在Origin 中作图如下：从图中可以看出，硅光电池的短路电流和光照强度呈线性关系，随着光照增大，短路电流增大。
硅光电池特性研究硅光电池特性的研究实验人：林晔顺023012037 合作人：林宗祥组号：A8【实验目的】1．设计简单的光路，研究硅光电池的主要参数和基本特性。
2．设计使用硅光电池对有关参量进行探测的实验方法及其简单应用。
【实验仪器】实验用具：电位差计、硅光电池（2DR65型，面积Φ=15nm2，光强100mW/cm2,温度为20oC时，开路电压大于500mV，短路电流为31~55mA，光谱峰值在0.45~1.1um范围内），光源，聚光透镜，检流计，滤色片，偏振片，开关等。
【实验基本原理】光电池是一种光电转换元件，不用外加电源而能直接把光能转换成电能。
它的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、硫化铊、硫化镉等。
其中最受重视、应用最广的是硅光电池。
它有一系列的优点：性能稳定，光谱范围宽，频率响应好，转换效率高，能耐高温辐射等。
同时它的光谱灵敏度与人眼的灵敏度最相近，所以，它在很多分析仪器、测量仪器、曝光表以及自动控制监测、计算机的输入和输出上用作探测元件，在现代科学技术中占有十分重要地位。
本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作基本的了解和研究。
硅光电池是一种P—N结的单结光电池，当光照射到P—N结时，由于光激发的光生载流子的迁移，使P—N结两端产生了光生电动势，如果他与外电路中的负载接通，则负载电路中将由光电流产生。
硅光电池可分为单晶硅光电池和多晶硅光电池，其中本实验中使用的2DR型硅光电池属于单晶硅光电池。
下圖是常用的硅光电池的外形及结构示意图，为提高效率，在器件的受光面上进行氧化，形成SiO2保护膜，以防止表面反射光，并且表面电极做成梳妆，减少光生载流子的复合机会。
单晶硅光电池的转换率一般在10%左右，最高可达15%~20%。
目前，使用较广发的太阳能电池属于多晶硅光电池，转换率约为7%。
多晶硅光电池采用价格低廉的多晶硅作材料，而且可用简单的真空涂镀法制造，其大小不受晶体的大小限制，可制作大面积光电池。
硅光电池光谱响应分布曲线测定的研究近年来，随着科技进步及能源资源的逐步消耗，可持续发展成为了当今各种研究的焦点话题。
在可持续发展的大环境下，利用太阳能作为清洁能源发电，可以减少矿物燃料的消耗，对环境污染也减少了污染，可以说是节能减排的重要策略。
硅光电池是最为重要的光电转换材料之一，是目前大多数太阳能电池的主要材料。
然而，由于硅光电池的光谱响应特性仍然存在一定的问题，影响了太阳能电池的效率，从而影响了其应用。
为了解决现有技术中存在的问题，我们研究了硅光电池光谱响应分布曲线测定的关键技术，并进行了深入的讨论。
首先，为了更好地了解硅光电池的光谱响应特性，我们采用紫外、可见和近红外光谱三段实验，分别测量硅光电池在各种波长范围下的响应，构建了三种不同的响应曲线，图形清晰，表现出不同波长范围下硅光电池的响应特性。
随后，针对不同响应曲线，我们采用光谱反转技术，从而反映出响应谱线中不同波长范围内硅光电池的响应值，从而发现响应谱线的特征，为硅光电池的研究及应用提供科学依据。
接下来，为了有效提升太阳能电池的效率，我们提出了改善和优化硅光电池光谱响应曲线的技术方案。
首先，我们采用粒子随机均化技术，将太阳能修剪装置内的硅晶体片进行加工，使之尺寸更细、质量更优。
随后，为了提高硅光电池光谱响应曲线的峰值和峰值宽度，我们采用多重量子阱技术，通过引入三维量子阱效应改善硅光电池的光学特性，并制备出了高性能的硅光电池，其光谱响应曲线能够满足不同的应用要求。
最后，本研究对硅光电池光谱响应曲线的测定及关键技术进行了系统的研究和分析，并建立了相应的模型，以期改善硅光电池的光谱响应特性，提高太阳能电池的效率，从而实现可持续发展。
为此，值得深入研究硅光电池光谱响应曲线测定的关键技术，以期为硅光电池应用提供科学依据，以及可利用多种方法改善其光谱响应特性，进一步提升太阳能电池的效率。
综上所述，本研究针对硅光电池光谱响应曲线测定的关键技术进行了深入的研究，为改善硅光电池的光谱响应特性，提高太阳能电池的效率，从而实现可持续发展提供了科学依据。
硅光电池特性研究光电池是一种光电转换元件，它不需外加电源而能直接把光能转换为电能。
光电池的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等。
其中最受重视、应用最广的是硅光电池。
硅光电池是根据光生伏特效应而制成的光电转换元件。
它有一系列的优点：性能稳定，光谱响应范围宽，转换效率高，线性相应好，使用寿命长，耐高温辐射，光谱灵敏度和人眼灵敏度相近等。
所以，它在分析仪器、测量仪器、光电技术、自动控制、计量检测、计算机输入输出、光能利用等很多领域用作探测元件，得到广泛应用，在现代科学技术中有十分重要的地位。
通过实验对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究，有利于了解使用日益广泛的各种光电器件。
具有十分重要的意义。
[实验目的]1．掌握PN结形成原理及其单向导电性等工作机理。
2．了解LED发光二极管的驱动电流和输出光功率的关系。
3．掌握硅光电池的工作原理及负载特性。
[实验仪器]THKGD-1型硅光电池特性实验仪，函数信号发生器，双踪示波器。
[实验原理]1．引言目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。
THKGD-1型硅光电池特性实验仪主要由半导体发光二极管恒流驱动单元，硅光电池特性测试单元等组成。
利用它可以进行以下实验内容：1) 硅光电池输出短路时光电流与输入光信号关系。
2) 硅光电池输出开路时产生光伏电压与输入光信号关系。
3) 硅光电池的频率响应。
4) 硅光电池输出功率与负载的关系。
2．PN结的形成及单向导电性采用反型工艺在一块N型（P型）半导体的局部掺入浓度较大的三价（五价）杂质，使其变为P型（N型）半导体。
如果采用特殊工艺措施，使一块硅片的一边为P型半导体，另一边为N 型半导体则在P型半导体和N型半导体的交界面附近形成PN结。
BPW34型硅光电池脉动光信号的频率响应摘要：随着现代社会的发展，新新能源得到空前发展，光能作为其中一种最有前景的新能源得到广泛的应用，光电池就是大家现在所熟知的一种对光能的利用。
为了研究光电池的特性，用等效电路可以模拟分析光电池在脉动光信号下的频率响应。
本文介绍了光电池的工作原理，以及光电池的伏安特性。
在Multisim平台上作出对光电池的等效电路，分析光电池在实际光照下的工作情况，导出了频率特性曲线。
关键字：光电池，脉动光信号，频率响应BPW34 type Solar cell’s Frequency Response under impulse light signalAbstract: With the development of modern society,the new energy like bamboo shoots after a spring rain. And light energy as one of the most promising new energy has been widely used., as every body knows , the Solar cells is one way to use the light energy. Application of equivalent circuit can simulate and analysis the Solar cell’s frequency what works under impulse light. The working principle had been introduced in this test, according to the working principle we can got that the Solar cell’s voltage-current characteristic. Drawing the equivalent circuit about Solar cells upon the Multisim 11.0, analysis how the Solar cells going in the actual situation, and find out the Amplitude-frequency Curve.Keywords: Solar cells, slow changing light signal, frequency response一、引言随着社会的发展，地球上的传统能源正在日益变少，环境也被破坏、污染严重。
人们渐渐将目光投向可再生的新新能源，如太阳能、潮汐能、风能等，这些能源有着很好的发展前景。
其中，受关注最高的是太阳能，因为太阳能除了新新能源共有的优点外，还有应用范围广，不受空间约束等其他能源不具有的优点。
光能产品很多，其中应用最为广泛的是光电池。
光电池是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。
光电池的种类很多，常用有硒光电池、硅光电池和硫化铊、硫化银光电池等。
主要用于仪表，自动化遥测和遥控方面。
有的光电池可以直接把太阳能转变为电能，这种光电池又叫太阳能电池。
太阳能电池作为能源广泛应用在人造地卫星、灯塔、无人气象站等处。
二、工作原理及等效电路在一块N形硅片表面，用扩散的方法掺入一些P型杂质，形成PN结，这就是一块硅光电池。
当照射在PN上时，如光子能量hv大于硅的禁带宽度E时，则价带中的电子跃迁到导带，产生电子空穴对。
因为PN结阻挡层的电场方向指向P区，所以，任阻挡层电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而在硅光电池与PN结平行的两外表而形成电势差，P区带正电，为光电池的正极，N区带负电，为光电池的负极。
照在PN结上的光强增加，就有更多的空穴流向P区，更多的电子流向N区，从而硅光电池两外侧的电势差增加。
如上所述，在光的作用下，产生一定方向一定大小的电动势的现象，叫作光生伏特效应光电池的工作原理正是基于“光生伏特效应”。
光电池实质上是一个大面积的PN结。
BPW34型硅光电池的结构如图1所示。
它是在N 型硅片上扩散硼形成P型层，并用电极引线把P型和N型层引出，形成正、负极。
为防止表面反射光，提高转换效率，通常在器件受光面上进行氧化，形成SiO2保护膜。
光电池的形状，更具需要可以制成方形、矩形、圆形、三角形和环形等。
图1 BPW34型硅光电池的结构示意当光找到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子—空穴对，在N 区聚积负电荷，在P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差，即光生电动势。
光电池工作原理图如图2所示。
图2：光电池的工作原理光电池的伏安特性曲线如图3所示，由图3可知，在“暗”的时候，它是一条典型的二极管曲线。
当有光时，在不同的光照下伏安特性曲线显然是由典型的二极管曲线沿负电流轴移动而形成的。
曲线在第四象限的这部分说明了硅光电池已成为一个功率发生器，在不同的光照度次啊可以得出不同的伏安特性曲线。
图3：光电池的伏安特性光电池的特性受很多因素的影响，下面是它的几个重要特性1、光谱特性：光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。
光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池波长在0.8μm 附近，硒光电池在0.5μm 附近。
硅光电池的光谱响应波长范围为0.4~1.2μm ，而硒光电池只能为0.38~0.75μm 。
可见，硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。
2、光照特性：光电池在不同光照度下，其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性。
短路电流在很大范围内与光照强度呈线性关系，开路电压（即负载电阻RL 无限大时）与光照度的关系是非线性的，并且当照度在2000lx 时就趋于饱和了。
因此用光电池作为测量元件时，应把它当作电流源的形式来使用，不宜用作电压源。
3、温度特性：光电池的温度特性是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。
由于它关系到应用光电池的仪器或设备的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等重要指标，因此温度特性是光电池的重要特性之一。
开路电压随温度升高而下降的速度较快，而短路电流随温度升高而缓慢增加。
由于温度对光电池的工作有很大影响，因此把它作为测量元件使用时，最好能保证温度恒定或采取温度补偿措施。
4、频率特性：光电池的频率特性是指输出电流和入射光调制频率的关系。
当入射光照度变化时，由于光生电子―空穴对的产生和复合都需要一定时间，因此入射光。
调制频率太高时，光电池输出电流的变化幅度将下降。
硅光电池的频率特性较好，工作频率的上限约为数万赫兹，而硒光电池的频率特性较差。
在调制频率较高的场合，应采用硅光电池，并选择面积较小的硅光电池和较小的负载电阻，进一步减小响应时间，改善频率特性。
本文主要研究的是它的频率特性。
一般产品的手册中只给出光电池在特定光照度下的开路电压值。
而在实际应用时，需要知道实际使用照度下的开路电压值。
硅光电池的等效电路图如图4 所示，根据等效电路图，可以讨论在实际光照下的光电池的开路电压。
其中i1为光电流，i2为二极管电流，C1为结电容。
光电池中还受到PN 结漏电流和泄露电阻影响，但是漏电流很小，泄露电阻很大，可以看似为开路，所以在等效电路中将它们等效进去。
由于要研究光电池在脉动光信号的频率响应，所以光电流不可能是一个恒流源，应该是一个变化的电流源，为了模拟这个量，可以用一个受控电流源，这样可以将光信号这个因素添加到里面。
由图4可以很容易求得，光电池的短路电流1sc i i = (1)这表明光电池的短路电流与光功率成正比。
光电池的开路电压1ln 1B oc so k T i u e i ⎛⎫=+ ⎪⎝⎭ (2) 当实际照射功率为'P 时，光电流变为'1i ，对应的开路电压为'1'ln(1)B oc sok T i u e i =+ （3） 由于1so i i ，则公式（2）（3）里的1可以忽略不计，联立两式可得'''11ln()ln()B B oc oc oc k T i k T P u u u e i e P=+=+ (4)式中，P 为手册中给定的光功率，在室温（300K ）下，23219(1.3810300) 2.610(1.60210)B k T V e ---⨯⨯=≈⨯⨯，于是''22.610ln oc oc P u u P-=+⨯ （v ） （5） 三、工作电路四、仿真结果Multisim 仿真结果图五、结论脉动光信号探测光电池用以探测脉动光信号的变换电路及伏安工作特性如图3。
为了方便分析，令入射光功率为正弦脉动形式，即P=P0+Pmsin(wt);在这种情况下，光信号功率以P0为平均值在最大值P0+Pm和最小值P0-Pm之间。
套用慢变化光信号探测器的分析结果，有以下结论。
（1）光电池工作在光电压区域。
为了得到搞的输出电压，要求满足条件Rl>>Rb>Rlm式中，Rlm为光电池在入射光功率峰值（P0+Pm）下的最佳负载电阻，R0为直流负载（对应为P0）,Rl为工作负载电阻，即后级放大器等效输出阻抗。
一般说，采用这种工作方式，频率特性不好。
（2）光电池工作在光电流区域。
这时要求Rb<Rlm工作情况同样存在电输出和电流输出问题。
在电流输出状态，要求只Rl<Rb,以使负载得到是更大的输出电流。
同时对输出线性及频率特性有利。
当然，后接放大器应选取更更低的输出抗性（与Rl等效）。
在光电压输出状态，为了得到高输出电压，应使Rl>Rb.显然频率特性变坏。
下面利用光电池的伏安交，直流负载线方法，分析光电池输出参数的计算公式。
在脉动光信号情况下，直流负载线是通过原点，斜率为tan=1/Rb=Gb的直线，如图所示，Q 为静态或工作直流工作点。
光电池的交流负载为Rb和Rl并联的等效电阻，因此交流负载是通过Q断背，tan=1/Rl+1/Rb的直线。
器件资料BPW34 是一种高速、高灵敏度的PIN 光电二极管在微型塑料包装单位。
它的最高查看结构使得它作为一种理想的低成本替代，由于其waterclear 环氧树脂装置是灵敏的可见光和红外辐射。
大有效面积具有一个平面相结合提供了一个高灵敏在宽视角。
特点（1）大辐射敏感区（A=7.5 平方毫米）（2）广角半灵敏度ϕ= ±65 度（3）高光敏感性（4）响应时间短，能快速响应（5）小结电容（6）适用于可见光和近红外辐射参考文献[1] 安毓英、曾晓东、冯喆珺，《光电探测与信号处理》科技出版社，2010.5.[2]赵淑范、王宪伟主编，《电子技术实验与课程设计》.[M]北京:清华大学出版社，2006年[3]路勇主编，《电子电路实验及仿真》[M]北京：清华大学出版社、北方交通大学出版社，2006年1月[4]陆坤等编.《电子设计技术》.[M]成都：电子科技大学出本社，1997年7月[5]王建校等编.《电子系统设计与实践》.[M]北京：高等教育出版社，2008年5月。
